CN107431133B - 核壳纳米线、核壳纳米线的合成方法、包括核壳纳米线的透明电极以及有机发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明提供适用本发明之实施例的纳米线，包括纳米线核心以及涂覆在上述纳米线核心上的金属复合物，其中，上述纳米线核心包括至少两个弯曲部，且第n线部和通过第n弯曲部连接到上述第n线部中的第n+1线部之间的夹角α满足不等式0＜α＜180°。
Description
技术领域
本发明涉及一种核壳纳米线及其制造方法和包括上述核壳纳米线的透明电极以及有机发光二极管。
背景技术
最近伴随着显示装置和太阳能电池技术的发展，对适用于显示装置和太阳能电池的透明电极的需求也在快速增加。因为氧化铟锡(ITO)适合于进行大批量生产且能够适用于显示装置和太阳能电池，所以通常会将ITO作为透明电极的制造材料。但是，因为ITO电极需要进行真空加工，所以其制造成本极高，且ITO电极对如热冲击等外部冲击的稳定性也较差。所以，目前正在积极开发能够取代ITO电极的材料。
作为替代ITO电极的材料，包括如碳纳米管(CNT)、石墨烯、氧化锌(ZnO)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)等导电聚合物以及金属纳米线等。
金属纳米线，尤其是银纳米线具有较高的化学稳定性。银纳米线不仅具有如高导热性和高导电率等银的特性，还因为纳米线的尺寸非常小而具有透明的光学特性。因此，金属纳米线尤其是银纳米线作为制造透明导电膜的金属材料而备受关注。上述银纳米线能够被广泛适用于如等离子显示板(PDP)、滤光器、电磁波屏蔽、有机发光二极管(OLED)、太阳能电池、液晶显示装置(LCD)、触摸屏、手机用EL键盘灯电子、磁力以及光学元件或设备以及传感器中。
金属纳米线可通过一种被称之为多元醇法的合成方法制造。在多元醇法中，能够利用多元醇溶剂将金属盐还原成金属原子(参考美国公开专利第2005/0056118号)。
通常，被还原的金属原子在最初通过均匀的成核过程而形成种子。接下来，一部分种子在溶液中向所有方向均匀生长，从而形成各向同性的纳米结构(纳米粒子)，而其他种子优先地向侧面方向生长，从而形成各方异性的纳米结构(纳米管、纳米线部、纳米带、纳米线等)。
最近，正在持续性地开展利用金属纳米线的柔性基板导体相关的诸多研究且在一定程度上实现了商业化。但是，金属纳米线的硫化和氧化现象会导致纳米线之间的接触点上的电气电阻增加并因此导致电气特性的下降。因此，在需要高可靠性的设备上可能会导致致命的缺陷。
在过去，在考虑到金属纳米线作为显示装置中的导电材料而使用的特定用途的基础上，开展了大量有关于提升其导电性并降低其雾度的研究。但是并没有开展通过提升金属纳米线的光散射性而使其具有光提取功能的相关研究。
发明内容
本说明书中所使用的术语、短语或表达仅用于对实施例进行说明，而不是对本发明的范围或精神作出的限制。除非另有明确的相反说明，否则所有技术术语以及科学术语的含义与本领域的技术人员所通常理解的含义相同。
在整个说明书中，当一个元件、一个方法或一个步骤被记载为“包括”其他元件或步骤时，除非另有明确的相反说明，否则不应理解为上述元件排除其他元件或步骤，而应理解为上述元件能够包括至少一个其他元件或步骤。
另一方面，除非另有明确的相反说明，否则适用本发明的实施例能够与其他实施例组合。尤其是，被记载为“为宜”的属性、元件或结构也能够与其他属性、元件或结构进行组合。下面，将结合附图对适用本发明的实施例及其效果进行详细说明。
技术问题
本发明的目的在于解决上述现有问题而提供一种具有较大的直径和长宽比且包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线。借此，能够提升上述金属纳米线之间的接触概率并防止薄层电阻的增加，从而实现优秀的导电性。尤其是在透明电极(尤其是在OLED照明、有机太阳能电池等)中使用上述金属纳米线时，透明电极能够具有符合OLED照明或有机太阳能电池需求的适当的透明度和雾度。
此外，本发明的另一目的在于提供一种具有较大的直径和较大的长宽比并具有不同直径的金属纳米线。借此，能够提升上述金属纳米线之间的接触概率并防止薄层电阻的增加，从而实现优秀的导电性。尤其是在透明电极(尤其是在OLED照明、有机太阳能电池等)中使用上述金属纳米线时，透明电极能够具有符合OLED照明或有机太阳能电池需求的适当的透明度和雾度。
此外，本发明的又一目的在于提供一种形成有金属涂层的核壳纳米线。借此，能够防止硫化和氧化现象并提升其可靠性。同时，还能够提升光散射特性并在不大幅降低其导电性和透明度的情况下实现较高的雾度。
此外，本发明的又一目的在于提供一种能够以高产率但不会生成除金属纳米线之外的其他副产物的方式制造出具有较大的直径和长宽比且包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线的制造方法。
此外，本发明的又一目的在于提供一种能够以高产率但不会生成其他副产物的方式制造具有较大的直径和长宽比且具有不同直径的金属纳米线的制造方法。
此外，本发明的又一目的在于提供一种形成有金属涂层的核壳纳米线的制造方法。
此外，本发明的又一目的在于提供一种将具有较大的直径和长宽比且包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线作为导电层的透明电极以及发光二极管。借此，能够实现优秀的导电性。尤其是，上述透明电极能够具有符合OLED照明或有机太阳能电池需求的适当的透明度和雾度。
此外，本发明的又一目的在于提供一种将具有较大的直径和长宽比且具有不同直径的金属纳米线作为导电层的透明电极以及发光二极管。借此，能够实现优秀的导电性。尤其是，上述透明电极能够具有符合OLED照明或有机太阳能电池需求的适当的透明度和雾度。
此外，本发明的又一目的在于提供一种将形成有金属涂层的核壳纳米线作为导电层的透明电极以及发光二极管。借此，能够防止硫化和氧化现象并提升其可靠性。同时，还能够提升光散射特性并在不大幅降低其导电性和透明度的情况下实现较高的雾度。
技术方案
适用本发明之一实施例的核壳纳米线包括：纳米线核心；以及金属复合物外壳，形成于上述纳米线核心外部。
(1)金属纳米线
1)包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线
适用本发明之一实施例的金属纳米线包括至少两个线部(或至少一个弯曲部)。具体来讲，上述金属纳米线包括通过上述弯曲部连接到另一个线部的至少一个线部。第n线部和通过第n弯曲部连接到上述第n线部中的第n+1线部之间的夹角α满足不等式0°＜α＜180°。
例如，如图1所示，当上述金属纳米线包括两个线部时，第1线部和通过第1弯曲部连接到上述第1线部中的第2线部形成夹角α。作为另一实例，如图2所示，上述金属纳米线能够包括多个线部。
更具体来讲，上述第n线部和通过上述第n弯曲部连接到上述第n线部中的上述第n+1线部之间的上述夹角α满足不等式130°＜α＜170°。当通过后续说明的适用本发明的包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线的制造方法合成金属纳米线时，虽然在形成有两个线部(或一个弯曲部)的一部分上述金属纳米线中有可能形成其弯曲部的角度小于或等于90°的少量金属纳米线，但是大多数的金属纳米线都形成有二至四个线部(或一至三个弯曲部)且弯曲部的角度在130°至170°范围之内。
适用本发明的包括形成有折曲部的线部的金属纳米线在合成上述金属纳米线时，为了抵消在结晶生长的过程中因为重力的作用而施加到上述金属纳米线生长位置上的压力，其张力也将随之增加。借此，上述金属纳米线能够具有向预设的方向以预设的角度弯曲的结构。当包括至少一个具有上述预设角度的弯曲点时，上述金属纳米线之间的接触点、接触面积或接触概率将得到提高。因此，相比使用直线形状金属纳米线的透明电极或形成于金属纳米线上的导电层，适用本发明的透明电极或形成于金属纳米线上的导电层能够实现优秀的导电性。
此外，适用本发明之一实施例的金属纳米线具有二维或三维结构。当假定包括第n线部和第n+1线部的平面为A平面、包括第n+1线部和第n+2线部的平面为B平面时，B平面相对于A平面的夹角β在-10°至10°的范围之内。图3中图示了适用本发明之另一实施例的具有三维结构的金属纳米线。
适用本发明之一实施例的包括形成有弯曲部的线部的金属纳米线，其直径为50至200nm而其长度为40至300μm。在本说明书中，金属纳米线的直径是指金属纳米线在横向截面上的最大长度，而金属纳米线的长度是指金属纳米线在纵向截面上的最大长度。此外，金属纳米线的长宽比范围为200至6000。上述长短比(长度/直径)是指长度与直径的比率。
适用本发明之一实施例的包括形成有弯曲部的线部的金属纳米线具有50至200nm的较大直径，因此，即使是在对金属纳米线进行合成的过程中所受的压力超出了预设的值，上述金属纳米线也只会发生弯曲而不会发生断裂。此外，因为金属纳米线具有40至300μm的较大长度，所以上述金属纳米线形成有至少一个弯曲部。此外，金属纳米线将向预设的方向发生弯曲(即重力方向)。因此，当金属纳米线形成有两个以上的弯曲部时，金属纳米线会形成弯曲曲线的结构而非锯齿形结构。
此外，具有上述直径、长度以及长宽比范围的金属纳米线之间的接触面积大于具有小于上述大小的金属纳米线之间的接触面积大。借此，适用本实施例的透明电极或形成于金属纳米线上的导电层能够实现优秀的导电性。因此，上述金属纳米线适合于作为透明电极的材料使用。
适用本发明之一实施例的金属纳米线能够使用包括镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、镁(Mg)、锰(Mn)、钼(Mo)、铑(Rh)、硅(Si)、钽(Ta)、钛(Ti)、钨(W)、铀(U)、钒(V)、锆(Zr)、锗(Ge)等金属材料的纳米线。在诸多金属材料中，银(Ag)金属纳米线具有很高的化学稳定性以及非常优秀的导热性和导电性，而且因为纳米线的较小尺寸而呈现出透明的光学特性。因此，上述金属纳米线适合于作为制造透明导电层的金属材料使用。
此外，适用本发明之一实施例的金属纳米线(尤其是银纳米线)能够被广泛适用于如等离子显示板(PDP)、滤光器、电磁波屏蔽、有机发光二极管(OLED)、太阳能电池、液晶显示装置(LCD)、触摸屏、手机用EL键盘灯电子、磁力以及光学元件或设备以及传感器中。
2)具有不同直径的金属纳米线
适用本发明之另一实施例的金属纳米线包括具有不同直径的多个线部。例如，上述金属纳米线包括第1线部和从第1线部延伸形成的第2线部。上述第1线部的直径(第1直径)为50至100nm而长度为40至100μm，上述第2线部的直径(第2直径)为150至1100nm而长度为5至15μm。图4中图示了适用本发明之又一实施例的包括具有不同直径的多个线部的金属纳米线。
此外，适用本发明之一实施例的金属纳米线的上述第2直径是上述第1直径的2倍至15倍。在上述第2直径小于上述第1直径的2倍的情况下，会导致光散射效果下降。而在上述第2直径大于上述第1直径的15倍的情况下，在将金属纳米线作为透明电极使用时不仅会导致透明电极的透明度的下降，还会导致分散性的下降。尤其是上述第2直径是上述第1直径的2倍至5倍为宜。
上述第2线部能够在上述第1线部的一端或两端形成。此外，还能够在上述第1线部的两端分别形成两个以上的上述第2线部。图5中图示了适用本发明之另一实施例的包括具有不同直径的多个线部的金属纳米线，其中，(a)图示了在一端形成第2线部的金属纳米线，而(b)图示了在两端形成第2线部的金属纳米线。因为金属纳米线能够通过第2线部增加与其他金属纳米线的接触面积，所以上述金属纳米线适合于作为制造透明导电层的金属材料使用。
与金属纳米线的纵向方向垂直的第1线部以及第2线部的横截面能够采用多边形形状，如三角形、四角、五角形等。但是，本实施例并不以此为限。
当将适用本发明之一实施例的包括具有不同直径的多个线部的金属纳米线作为透明电极的导电层使用时，其透明度能够达到80％以上。因此，上述金属纳米线具有适合于在OLED照明中使用的特性。
此外，当将适用本发明之一实施例的包括具有不同直径的多个线部的金属纳米线作为透明电极的导电层使用时，其雾度大于1％，且能够通过光散射效果实现光提取功能。因此，在将上述金属纳米线适用于OLED照明时，能够提升上述OLED照明的效率。
当一般的金属纳米线具有均匀的直径时通常具有1％以下的较低雾度，几乎不具有光散射效果。与此相反，适用本实施例的包括第2线部的金属纳米线具有光散射效果和较大的雾度。
此外，一般的金属纳米线即使是在金属的重量和体积较小的情况下也会具有较大的表面积，因此可能更加容易聚合。所以，当将一般的金属纳米线用于透明电极时，将导致其分散性的降低和薄层电阻(Ω/□)的增加。与此相反，适用本实施例的包括第2线部的金属纳米线能够具有良好的分散性并防止金属纳米线薄层电阻的增加。
3)包括形成有至少一个弯曲部且具有不同直径的多个线部的金属纳米线
包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线，能够包括具有各不相同的直径的线部，或能够包括至少一个具有多重直径的线部。上述线部也能够包括具有不同直径的多个线部。即，包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线包括至少两个不同的直径。因此，适用本发明之一实施例的金属纳米线的线部能够包括具有单一第1直径的线部、具有单一第2直径的线部和/或具有多重直径的线部。
具有单一直径的线部具有50至200nm的第1直径和/或150至1100nm的第2直径。具有多重直径的线部同时具有50至200nm的第1直径和150至1100nm的第2直径。图6中图示了适用本发明之多个实施例的线部，图7中图示了适用本发明之多个实施例的金属纳米线。
上述第2直径是上述第1直径的2倍至5倍为宜。在上述第2直径小于上述第1直径的2倍的情况下，会导致光散射效果下降。而在上述第2直径大于上述第1直径的15倍的情况下，在将金属纳米线作为透明电极使用时不仅会导致透明电极的透明度的下降，还会导致分散性的下降。尤其是上述第2直径是上述第1直径的2倍至5倍为宜。
具有上述第2直径的线部通常被包含在上述金属纳米线的末端。但是，本实施例并不以此为限。根据合成金属纳米线时所使用的封端剂的量，具有多重直径的线部能够在任意位置或除金属纳米线的末端之外的位置形成。
另一方面，具有不同直径的金属纳米线的线部中的至少一个部分形成有弯曲部。如图8所示，具有第1直径的线部或具有第2直径的线部能够使用直线形状或形成弯曲部。
当线部中包括弯曲部时，弯曲角度α满足不等式130°≤a≤170°。图8中图示了适用本实施例的多种线部，图9中图示了适用本发明之实施例的当纳米线包括两个线部时的多种金属纳米线。
4)形成有金属涂层的核壳纳米线
适用本发明之一实施例的核壳纳米线包括：纳米线核心；以及金属复合物外壳，涂于上述纳米线核心外部。
上述纳米线核心能够使用导电心术纳米线，例如，能够使用银(Ag)纳米线。各种商业化或市售的金属纳米线都能够无限制地作为纳米线核心使用。尤其是使用包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线、具有不同直径的金属纳米线、包括形成有至少一个弯曲部且具有不同直径的多个线部的金属纳米线作为纳米线核心为宜。
例如，与纳米线核心的纵向方向垂直的纳米核心横截面能够采用如三角形、四角星、五角星、六角形等多边形形状。但是，本实施例并不对纳米线核心的形状做出限制。当纳米线核心的横截面为多边形形状时，上述金属复合物外壳能够以光散射特性得到强化的方式形成涂层。
上述纳米线核心的直径为30至200nm而其长度为10μm至300μm。当上述纳米线核心为适用本发明的包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线时，其纳米线核心的直径为50至200nm而其长度为40μm至300μm。当上述纳米线核心具有适用本实施例的不同直径时，上述纳米线核心的第1直径为50至100nm、第2直径为150nm至1100nm而其长度为5μm至15μm。
上述金属复合物外壳将围绕纳米线核心而在上述纳米线核心上形成涂层。本实施例并不对金属复合物外壳的材料做出限制。尤其是上述金属复合物外壳为透明为宜，且能够包括透明的导电性金属氧化物、氮化物、硫化物。例如，上述透明导电性金属复合物外壳能够包括ZnO、SiO2、SnO2、TiO2、AlN、GaN、BN、InN、ZnS、CdS、ZnSe、ZnTe、CdSe以及含碳复合物中的至少一种，还能够进一步包括掺杂剂以实现其导电性。上述透明导电性金属复合物外壳能够由一种材料形成或由包括几种材料的合金或混合物形成。上述透明导电性金属复合物外壳能够具有单层结构或多层结构。
在现有技术中通常因为考虑到其光学性能，纳米线的光散射效果应较少且利用纳米线形成的导电层的雾度也应较小。但是，在适用本发明的实施例中，将提出一种与现有技术相反的，其光散射效果被提升且雾度值较高的核壳纳米线。
在本实施例中，为了提升纳米线的光散射效果而采用了核壳结构，并在外壳中采用了前所未有的独特的突出结构，从而使光散射效果得到了显著提升。
例如，金属复合物外壳在与核壳金属纳米线的纵向方向垂直的横截面上包括多个突出结构。上述突出结构能够使用当与纳米线核心的距离逐渐增加时其面积或宽度逐渐减小的形状。上述突出结构的数量能够是3至6个。但是，本发明并不以此为限。上述“上述突出结构能够使用当与纳米线核心的距离逐渐增加时其面积或宽度逐渐减小的形状”应在广义的含义上理解。即，这意味着还能够包括70％以上的突出结构是当与纳米线核心的距离逐渐增加时其面积或宽度逐渐减小的形状的情况，即使是一部分突出结构是当与纳米线核心的距离逐渐增加时其面积或宽度逐渐增加的形状。
作为另一实例，当从与核壳纳米线的纵向方向垂直的横截面上进行观察时，上述金属复合物外壳能够具有多个多边形形状。上述多边形的数量能够是3至6个。但是，本发明并不以此为限。上述“多边形”应在广义的含义上理解。上述“多边形”既包括横截面为精确多边形的形状，还包括大体上可识别成多边形的类似多边形的形状。
作为又一实例，金属复合物外壳能够使用包括在核壳纳米线的纵向方向上延伸的多个部分的条纹图案结构。构成上述条纹图案的部分的数量能够是3至6个。但是，本发明并不以此为限。
作为具体实例，图10至图13中图示了适用本发明之实施例的核壳纳米线。如图10至图13所示，在金属复合物外壳20中形成有纳米线核心10涂层。上述金属复合物外壳20呈现出金属复合氧化物相互聚合的形状。金属复合物颗粒21的直径e能够在10至100nm的范围之内。但是，本实施例并不以此为限。
如图10所示，当从与金属纳米线的纵向方向垂直的横截面上进行观察时，金属复合物外壳20能够使用由四个三角形形状形成的四个条纹图案。即，四个三角形形状在核壳纳米线的纵向方向上延伸。
可选地，如图11的(a)所示，当从与金属纳米线的纵向方向垂直的横截面上进行观察时，金属复合物外壳20能够使用由五个三角形形状形成的五个条纹图案。即，五个三角形形状在核壳纳米线的纵向方向上延伸。如图11的(b)所示，当从与金属纳米线的纵向方向垂直的横截面上进行观察时，金属复合物外壳20能够使用由六个三角形形状形成的六个条纹图案。即，六个三角形形状在核壳纳米线的纵向方向上延伸。
同时，如图12所示，当从与金属纳米线的纵向方向垂直的横截面上进行观察时，金属复合物外壳20能够使用由五个梯形形状形成的五个条纹图案。即，五个梯形形状在核壳纳米线的纵向方向上延伸。通过改变用于形成金属复合物外壳的方法中的条件，能够形成三角形或梯形形状。例如，即使是使用用于形成三角形形状的工程条件，也能够通过如缩短反应时间或减少前驱体的量等不充分的工程条件，使金属复合物外壳20形成梯形形状(参阅图13)。
当与纳米线核心毗邻的多边形的边为多边形的底边d时，多边形的底边d的长度为40nm至200nm而多边形的高度为10nm至200nm。当底边的高度小于上述范围时，可能会导致光散射效果的降低。而当底边的长度和/或高度大于上述范围时，可能会因为光吸收而导致光损失。
上述核壳纳米线的长度a并不受限。例如，上述长度a在10μm至200μm的范围之内，而多边形的高度c和核壳纳米线的长度a的比例c/a在0.00006至0.02的范围之内。此外，当从与核壳纳米线的纵向方向垂直的横截面上对核壳纳米线进行观察时，上述核壳纳米线的最长直径和核壳纳米线的长度a的比例(最大直径/长度)在0.0001至0.06的范围之内。通过上述结构，能够对不同波长的光进行散射。
具有上述结构的核壳纳米线具有良好的光散射性能。当利用上述核壳纳米线在透明基板上形成涂层时，在550nm波长下所测定到的雾度能够大于3％，尤其是在550nm波长下大于20％为宜。如后续实施例所示，上述雾度能够达到60％以上。
此外，包括上述核壳纳米线的涂层的薄层电阻也非常良好，例如，能够达到60(Ω/□)以下。适用本发明的利用包括核壳纳米线进行涂层的薄层电阻相对于利用包括未涂层的金属纳米线进行涂层的薄层电阻，并没有明显变差。此外，适用本发明的利用包括核壳纳米线进行涂层的薄层电阻相对于利用包括未涂层的金属纳米线进行涂层的薄层电阻，还可能有所降低。此外，在550nm波长下的透明度更高(除基板吸收)，例如，能够达到70至98％。
当适用本发明之一实施例的上述核壳纳米线被适用于透明电极的导电层时，透明电极的导电层的透明度能够达到80％以上。因此，上述核壳纳米线具有适合于在OLED照明中使用的特性。
此外，当将适用本发明之一实施例的上述核壳纳米线作为透明电极的导电层使用时，其雾度大于1％，且能够通过光散射效果实现光提取功能。因此，在将上述包括金属纳米线的透明电极的导电层适用于OLED照明时，能够提升上述OLED照明的效率。
此外，一般的金属纳米线即使是在金属纳米线的重量和体积较小的情况下也会具有较大的表面积，因此一般的金属纳米线可能更加容易聚合。所以，当将一般的金属纳米线用于透明电极时，将导致其分散性的降低和薄层电阻(Ω/□)的增加。与此相反，适用本实施例的核壳纳米线能够具有良好的分散性并防止薄层电阻的增加。
(2)金属纳米线的制造方法
1)包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线的制造方法
在适用本发明之一实施例的包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线的制造方法中，所有反应混合物材料被添加到反应容器中，并在大气压力或大于大气压力(例如1至5atm)的条件下进行合成反应，从而制造出包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线。
适用本发明之一实施例的制造方法，能够合成直径为50至200nm且长度为40至300μm的金属纳米线。即使是在对上述金属纳米线进行合成的过程中所受的压力超出了预设的值，上述金属纳米线也只会发生弯曲而不会发生断裂。因此，能够制造出包括通过至少一个弯曲部连接的至少两个线部的金属纳米线。
此外，上述方法为一锅合成法。在一锅合成法中，不需要进行中间产物净化处理，且能够以高产率但不会生成除金属纳米线之外的其他副产物的方式制造出包括形成有至少一个弯曲部的至少两个线部的金属纳米线，
更具体地说，制造金属纳米线的方法能够包括制备反应混合物的S10步骤以及合成金属纳米线的S20步骤。在制备反应混合物的S10步骤中，制备包括金属盐、封端剂、还原溶剂以及催化剂的反应混合物。在合成金属纳米线的S20步骤中，通过将反应混合物添加到反应容器中并使反应混合物在反应容器内发生反应，从而生长出金属纳米线。通过对反应混合物的组成和量、反应温度、反应压力以及反应时间等进行控制，能够合成出包括形成有至少一个弯曲部的多个线部且具有较大的直径和较大的长宽比的金属纳米线。
在制备反应混合物的S10步骤中，通过以预设的比例将金属盐、封端剂、还原溶剂以及催化剂添加到反应容器中之后在室温条件下在反应容器中对其进行混合，制备出上述反应混合物。上述还原溶剂能够将金属盐还原成金属。上述封端剂能够使还原的金属以线形形状生长。
上述金属盐由金属阳离子和有机或无机阴离子混合而成。例如，上述金属阳离子能够使用镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、镁(Mg)、锰(Mn)、钼(Mo)、铑(Rh)、硅(Si)、钽(Ta)、钛(Ti)、钨(W)、铀(U)、钒(V)、锆(Zr)、锗(Ge)等金属的阳离子。上述有机或无机阴离子能够使用[NO3]-、[ClO4]-、[BF4]-、[PF6]-、[CH3COO]-、[CF3SO3]-、[SO4]2-、[CH3COCH＝COCH3]-等。能够对具有相似电离度的两种以上的金属盐进行混合并使用所混合的金属盐。尤其是使用含有银阳离子(Ag+)以及有机或无机阴离子的银盐为宜。
上述金属盐将被溶解于还原溶剂，并被分解成金属阳离子和有机或无机阴离子。上述被分解的金属阳离子将被还原，从而形成结晶或生长成金属纳米线。
上述金属盐的摩尔浓度为0.03mol/l至0.4mol/l。当上述摩尔浓度小于0.03mol/l时，金属纳米线的生成量将急剧减少。而当上述摩尔浓度大于0.4mol/l时，上述纳米线会因为产量过多而发生聚合现象。尤其是上述金属盐的摩尔浓度为0.05mol/l至0.10mol/l为宜。
上述还原溶剂能够使用可溶解金属盐、催化剂以及封端剂的极性溶剂。上述还原溶剂的分子中具有至少两个羟基。例如，能够使用如二醇、多元醇、乙二醇等溶剂。上述还原溶剂能够起到还原剂的作用，能够通过还原金属盐而生成金属。例如，能够使用乙二醇、丙二醇、丙三醇中的至少一个，尤其使用乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、甘油(glycerin)、丙三醇(glycerol)以及二乙基乙二醇为宜。
上述封端剂是优先地与所生长的纳米线的侧面发生相互作用并附着在在所生长的纳米线的侧面的化学制剂，从而使纳米线的水平横截面的表面能够形成结晶。即，上述封端剂与侧面的相互作用强度大于水平横截面的表面。借此，能够使其侧面将发生钝化而使水平横截面的表面形成结晶，从而生产出纳米线。
作为上述封端剂，能够使用如聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、聚丙烯酰胺(PAM)、聚丙烯酸(PAA)等表面附着聚合物。
上述封端剂的含量为每28重量份的还原溶剂包含0.5至3.0重量份。当上述封端剂的含量小于0.5重量份时，上述金属纳米线的直径将变大。当上述封端剂的含量大于3.0重量份时，上述金属纳米线的长度将大幅减小。上述封端剂的含量为每28重量份的还原溶剂包含2.0至3.0重量份为宜。
上述催化剂是包括通过离子键相互结合的阳离子和阴离子的盐添加剂。上述催化剂在如水、乙醇、二醇、多元醇等极性溶剂中被分离成离子。在这种情况下，阳离子能够使用有机材料或无机材料，而阴离子通常是包括卤素离子(CI-、Br、F-等)的无机材料。在催化剂的作用下，各向异性的纳米结构将优先生长，从而以相对较高的产率获得纳米线。
上述催化剂能够包括阳离子和阴离子通过离子键相互结合的化合物及其水合物中的至少一种。上述阳离子能够使用Al、NH4、Sb、As、Ba、Bi、Cd、Ca、Cr、Co、Cu、Fe、H、Pb、Mg、Hg、Ni、K、Ag、Na、Sr、和/或Zn的阳离子。上述阴离子能够使用C2H3O2、Br、CO3、CI、CrO4、OH、I、NO3、O、C2O4、PO4、SIO3、SO4、S和/或SO3的阴离子。
上述催化剂的摩尔浓度能够在10-5mol/l至10-2mol/l的范围之内。当上述摩尔浓度小于10-5mol/l时，可能会因为初始成核量的减少而导致金属纳米线的生成量的减少。而当上述摩尔浓度大于10-2mol/l时，可能会诱发宏聚合或剩余的催化剂阻碍金属纳米线的各向异性生长的现象，从而导致直径的增加以及球形粒子生成量的增加。
在合成金属纳米线的S20步骤中，所制备的反应混合物将在反应容器内发生反应。接下来，通过还原金属阳离子而使金属纳米线中生成结晶，并通过金属阳离子使金属成核位置中的结晶生长。通过对反应温度、反应时间以及反应混合物的组成进行控制，能够合成具有较大的直径以及较大的长宽比并包括形成有至少一个弯曲部的线部的金属纳米线。根据反应条件，能够对所合成的金属纳米线的直径、长度、弯曲部相关属性等进行控制。
在上述金属纳米线的合成步骤中，上述反应温度能够在110至150℃的范围之内。当上述反应温度小于110℃时，合成金属纳米线所需的时间将增加而产量将减少。当上述反应温度大于150℃时，将因为反应速度的急剧增加而导致金属纳米线聚合的现象。
在上述金属纳米线的合成步骤中，上述反应时间能够在3至12小时的范围之内。当上述反应时间小于3小时时，将因为纳米线的生长时间不足而导致其长度变小。而当上述反应时间大于12小时，上述纳米线会因为产量过多而发生聚合现象。
在上述金属纳米线的合成步骤中，所有反应混合物材料被添加到反应容器中，并在大气压力或大于大气压力的条件下进行合成反应，从而合成出金属纳米线。通过使用较高的压力能够提升其蒸发点，借此，能够将反应溶液的挥发现象最小化并保持反应溶液的组成状态。因此，适用本实施例的金属纳米线的长度能够达到一般金属纳米线的1.5倍以上。为了增加压力，能够对反应容器进行密封，或将惰性气体注入到反应容器中。
如果反应混合物的组成在合成金属纳米线的过程中发生变化，则所合成的金属纳米线的长度将发生变化。但是如果在对反应容器进行密封的状态下进行反应，则能够防止在反应期间内其他物质的流入及流出，从而保持稳定的混合物组成状态。借此，能够获得具有均匀长度的金属纳米线。
在必要时还能够添加其他添加剂而合成金属纳米线。例如，还能够进一步添加如抗氧化剂等稳定剂、分散剂、增粘剂或增稠剂等，但是本实施例并不以此为限。例如，通过以相对于所有催化剂的重量份包含0.1至1重量份的HCl或HNO3的比例进行混合，能够使金属纳米线的长度变长。
将金属纳米线的合成步骤之后将上述金属纳米线冷却至室温状态，接下来利用丙酮、乙醇等进行清洁和净化处理。借此，能够获得具有较大的直径以及较大的长宽比并包括形成有至少一个弯曲部的线部的金属纳米线。
当通过适用本发明之实施例的制造方法制造金属纳米线时，能够合成出具有不同直径的金属纳米线以及包括形成有至少一个弯曲部的线部的金属纳米线。
2)具有不同直径的金属纳米线的制造方法
在适用本发明之一实施例的具有不同直径的金属纳米线的制造方法中，所有反应混合物材料被添加到反应容器中，并在大气压力或大于大气压力(例如1至5atm)的条件下进行合成反应，同时通过对反应混合物中的封端剂的量以及反应时间进行控制，制造出具有不同直径的金属纳米线。
通过适用本发明之一实施例的制造方法，能够制造出具有至少两个线部的金属纳米线。上述金属纳米线包括第n线部和连接到第n线部的第n+1线部。根据上述制造方法，能够合成出包括具有第n直径的第n线部和具有第n+1直径的第n+1线部的金属纳米线。通过对防止金属纳米线表面生长的因素进行控制，能够合成出具有不同直径的金属纳米线。
适用本发明之一实施例的制造方法，能够合成直径为50至200nm且长度为40至300μm的金属纳米线。即使是在对上述金属纳米线进行合成的过程中所受的压力超出了预设的值，上述金属纳米线也只会发生弯曲而不会发生断裂。借此，能够制造出具有不同直径的金属纳米线。
此外，上述方法为一锅合成法。在一锅合成法中，不需要进行中间产物净化处理，且能够以高产率但不会生成除金属纳米线之外的其他副产物的方式制造出具有不同直径的金属纳米线，
更具体地说，制造金属纳米线的方法能够包括制备反应混合物的S11步骤以及合成金属纳米线的S21步骤。在制备反应混合物的S11步骤中，制备包括金属盐、封端剂、还原溶剂以及催化剂的反应混合物。在合成金属纳米线的S21步骤中，通过将反应混合物添加到反应容器中并使反应混合物在反应容器内发生反应，从而生长出金属纳米线。通过对反应混合物的组成和量、反应温度、反应压力以及反应时间等进行控制，能够合成出具有不同直径且具有较大的直径和较大的长宽比的金属纳米线。
在制备反应混合物的S11步骤中，通过以预设的比例将金属盐、封端剂、还原溶剂以及催化剂添加到反应容器中之后在室温条件下在反应容器中对其进行混合，制备出上述反应混合物。上述还原溶剂能够将金属盐还原成金属。上述封端剂能够使还原的金属以线形形状生长。
上述金属盐由金属阳离子和有机或无机阴离子混合而成。例如，上述金属阳离子能够使用镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、镁(Mg)、锰(Mn)、钼(Mo)、铑(Rh)、硅(Si)、钽(Ta)、钛(Ti)、钨(W)、铀(U)、钒(V)、锆(Zr)、锗(Ge)等金属的阳离子。上述有机或无机阴离子能够使用[NO3]-、[ClO4]-、[BF4]-、[PF6]-、[CH3COO]-、[CF3SO3]-、[SO4]2-、[CH3COCH＝COCH3]-等。能够对具有相似电离度的两种以上的金属盐进行混合并使用所混合的金属盐。尤其是使用含有银阳离子(Ag+)以及有机或无机阴离子的银盐为宜。
上述金属盐将被溶解于还原溶剂，并被分解成金属阳离子和有机或无机阴离子。上述被分解的金属阳离子将被还原，从而形成结晶或生长成金属纳米线。
上述金属盐的摩尔浓度为0.03mol/l至0.4mol/l。当上述摩尔浓度小于0.03mol/l时，金属纳米线的生成量将急剧减少。而当上述摩尔浓度大于0.4mol/l时，上述纳米线会因为产量过多而发生聚合现象。尤其是上述金属盐的摩尔浓度为0.05mol/l至0.10mol/l为宜。
上述还原溶剂能够使用可溶解金属盐、催化剂以及封端剂的极性溶剂。上述还原溶剂的分子中具有至少两个羟基。例如，能够使用如二醇、多元醇、乙二醇等溶剂。上述还原溶剂能够起到还原剂的作用，能够通过还原金属盐而生成金属。例如，能够使用乙二醇、丙二醇、丙三醇中的至少一个，尤其使用乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、甘油(glycerin)、丙三醇(glycerol)以及二乙基乙二醇为宜。
上述封端剂是优先地与所生长的纳米线的侧面发生相互作用并附着在在所生长的纳米线的侧面的化学制剂，从而使纳米线的水平横截面的表面能够形成结晶。即，上述封端剂与侧面的相互作用强度大于水平横截面的表面。借此，能够使其侧面将发生钝化而使水平横截面的表面形成结晶，从而生产出纳米线。
作为上述封端剂，能够使用如聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、聚丙烯酰胺(PAM)、聚丙烯酸(PAA)等表面附着聚合物。
上述封端剂的含量为每28重量份的还原溶剂包含0.05至1.0重量份。当上述封端剂的含量小于0.05重量份时，上述金属纳米线的直径将变大。当上述封端剂的含量大于1.0重量份时，上述金属纳米线的长度将大幅减小。上述封端剂的含量为每28重量份的还原溶剂包含0.05至0.5重量份为宜。
上述催化剂是包括通过离子键相互结合的阳离子和阴离子的盐添加剂。上述催化剂在如水、乙醇、二醇、多元醇等极性溶剂中被分离成离子。在这种情况下，阳离子能够使用有机材料或无机材料，而阴离子通常是包括卤素离子(CI-、Br、F-等)的无机材料。在催化剂的作用下，各向异性的纳米结构将优先生长，从而以相对较高的产率获得纳米线。
上述催化剂能够包括阳离子和阴离子通过离子键相互结合的化合物及其水合物中的至少一种。上述阳离子能够使用Al、NH4、Sb、As、Ba、Bi、Cd、Ca、Cr、Co、Cu、Fe、H、Pb、Mg、Hg、Ni、K、Ag、Na、Sr、和/或Zn的阳离子。上述阴离子能够使用C2H3O2、Br、CO3、CI、CrO4、OH、I、NO3、O、C2O4、PO4、SIO3、SO4、S和/或SO3的阴离子。
上述催化剂的摩尔浓度能够在10-5mol/l至10-2mol/l的范围之内。当上述摩尔浓度小于10-5mol/l时，可能会因为初始成核量的减少而导致金属纳米线的生成量的减少。而当上述摩尔浓度大于10-2mol/l时，可能会诱发宏聚合或剩余的催化剂阻碍金属纳米线的各向异性生长的现象，从而导致直径的增加以及球形粒子生成量的增加。
在合成金属纳米线的S21步骤中，所制备的反应混合物将在反应容器内发生反应。接下来，通过还原金属阳离子而使金属纳米线中生成结晶，并通过金属阳离子使金属成核位置中的结晶生长。通过对反应温度、反应时间以及反应混合物的组成进行控制，能够合成具有较大的直径以及较大的长宽比并具有不同直径金属纳米线。根据反应条件，能够对所合成的金属纳米线的直径、长度、不同直径相关属性等进行控制。
在上述金属纳米线的合成步骤中，上述反应温度能够在110至150℃的范围之内。当上述反应温度小于110℃时，合成金属纳米线所需的时间将增加而产量将减少。当上述反应温度大于150℃时，将因为反应速度的急剧增加而导致金属纳米线聚合的现象。
在上述金属纳米线的合成步骤中，上述反应时间能够在3至12小时的范围之内。当上述反应时间小于3小时时，将因为纳米线的生长时间不足而导致其长度变小。而当上述反应时间大于12小时，上述纳米线会因为产量过多而发生聚合现象。
在上述金属纳米线的合成步骤中，所有反应混合物材料被添加到反应容器中，并在大气压力或大于大气压力的条件下进行合成反应，从而合成出金属纳米线。通过使用较高的压力能够提升其蒸发点，借此，能够将反应溶液的挥发现象最小化并保持反应溶液的组成状态。因此，适用本实施例的金属纳米线的长度能够达到一般金属纳米线的1.5倍以上。为了增加压力，能够对反应容器进行密封，或将惰性气体注入到反应容器中。
如果反应混合物的组成在合成金属纳米线的过程中发生变化，则所合成的金属纳米线的长度将发生变化。但是如果在对反应容器进行密封的状态下进行反应，则能够防止在反应期间内其他物质的流入及流出，从而保持稳定的混合物组成状态。借此，能够获得具有均匀长度的金属纳米线。
在必要时还能够添加其他添加剂而合成金属纳米线。例如，还能够进一步添加如抗氧化剂等稳定剂、分散剂、增粘剂或增稠剂等，但是本实施例并不以此为限。例如，通过以相对于所有催化剂的重量份包含0.1至1重量份的HCl或HNO3的比例进行混合，能够使金属纳米线的长度变长。
将金属纳米线的合成步骤之后将上述金属纳米线冷却至室温状态，接下来利用丙酮、乙醇等进行清洁和净化处理。借此，能够获得具有较大的直径以及较大的长宽比并具有不同直径的金属纳米线。
与一般的多元醇合成方法相比，通过减少封端剂的量并增加反应时间，能够在合成反应的初期通过封端剂防止金属纳米线的侧面过度生长，从而形成具有第1直径的第1线部。接下来，将从第1线部将继续生长。接下来在合成反应的后期，封端剂的量将减少且金属纳米线侧面的生长将增加，从而使金属纳米线的直径增加，形成具有第2直径的第2线部。借此，能够合成出包括第1线部和从第1线部延伸的第2线部的金属纳米线。
当通过适用本发明之实施例的制造方法制造金属纳米线时，能够合成出包括形成有至少一个弯曲部的线部的金属纳米线以及具有不同直径的金属纳米线。
3)形成有金属涂层的核壳纳米线的制造方法
适用本发明之一实施例的具有金属复合物外壳的核壳纳米线的制造方法，包括在基板上制备纳米线核心的步骤、使纳米线核心与前驱体溶液发生接触而形成金属复合物外壳的步骤、通过提供生长能量而在纳米线核心上形成金属复合物外壳的步骤。纳米线核心对生长能量的吸收比率高于基板对生长能量的吸收比率。在金属复合物外壳的形成步骤之后，能够进一步执行清洁和氮干燥步骤。
首先，在基板上制备纳米线核心。上述纳米线核心能够通过使纳米线核心直接在基板上生长的方式形成。可选地，上述金属纳米线还能够通过在基板上利用适用本发明之实施例的制造方法合成的金属纳米线进行涂层的方式制备。上述基板并不受限。例如，上述基板能够使用透明基板。此外，上述基板能够使用提供如导电膜或导电图案等额外层的基板。
接下来，使纳米线核心与用于形成金属复合物外壳的前驱体溶液发生接触。上述接触方法能够根据需要变化。例如，能够将前驱体溶液涂覆在基板上的纳米线核心中。接下来，使前驱体溶液与纳米线核心均匀且充分接触。
上述前驱体溶液能够使用蒸馏水。但是，本实施例并不以此为限。上述前驱体溶液包括金属有机复合物或其派生物，即金属复合物的前驱体。包含于上述前驱体溶液中的金属有机复合物的摩尔浓度能够在0.0001mol/l至1mol/l的范围之内。但是，本实施例并不以此为限。当上述金属有机复合物的摩尔浓度小于0.0001mol/l时，可能会导致上述突出结构不足。而当上述金属有机复合物的摩尔浓度大于1mol/l时，可能会在基板上形成过多的金属复合物涂层。
上述前驱体溶液还能够进一步包括生长促进剂。上述生长促进剂的材料并不受限。尤其是选用基础复合物或胺类复合物为宜。例如，能够使用如氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、二苯胺、D-丙氨酸、D-半胱氨酸、单乙醇胺、单乙二胺、S-β-苯基丙氨酸、氯苯胺等。上述生长促进剂摩尔浓度为，每1mol包含于上述前驱体重的金属有机复合物包含0.0001mol/l至1mol/l的生长促进剂。当上述生长促进剂的摩尔浓度小于0.0001mol/l时，生长速度将过慢。当上述生长促进剂的摩尔浓度大于1mol/l时，可能会导致突出结构不充分或不完整，且可能会在基板上形成过多的金属复合物涂层。
接下来，通过提供生长能量在纳米线核心上形成金属复合物外壳涂层。通过生长能量，金属有机盐将被还原并形成金属复合物外壳。能够通过选择纳米线核心对生长能量的吸收比率高于基板对生长能量的吸收比率的生长能量，抑制在基板上的金属复合物的形成。例如，上述生长能量能够使用包括紫外线、可见光和红外线中的至少一种的电磁波。尤其是使用氙灯、卤素灯、紫外线(UV)等、激光灯和红外灯为宜。通过使用氙灯，能够照射50W至1000W范围之内的氙光。但是，也能够根据其制造面积使用功率超出上述范围的光源。
可选地，能够使用诱导分子振动的能量。尤其是使用微波能量为宜。上述微波能量的能量范围为50至200W。但是，也能够根据其制造面积使用超出上述范围的能量。
上述生长能量的供应时间并不受限。上述生长能量的供应时间能够在10秒至5分钟的范围之内。但是，也能够根据其制造面积持续超出上述范围的时间。
接下来，在形成金属复合物外壳之后能够执行清洁和氮干燥步骤。能够使用酒精等乙醇类进行清洁，并利用氮进行氮干燥处理。但是，本实施例并不以此为限。
与此同时，也能够在没有基板的情况下制造出包括金属复合物外壳的纳米线核心。即，能够通过制备纳米线核心的步骤、使纳米线核心与前驱体溶液发生接触而形成金属复合物外壳的步骤、通过提供纳米线核心能够吸收的生长能量而在纳米线核心上形成金属复合物外壳的步骤，获得包括金属复合物外壳的纳米线核心。在金属复合物外壳的形成步骤之后，能够进一步执行清洁和氮干燥步骤。在使纳米线核心与前驱体溶液发生接触的步骤中，也能够将上述纳米线核心浸渍或浸泡到反应容器内的前驱体溶液中。
另一方面，如图14所示，上述包括金属复合物外壳的纳米线核心是通过卷到卷连续工程而形成。例如，使用滚筒30对柔性基板进行传送。首先利用纳米线喷雾器40在基板上形成纳米线核心。接下来，使已形成纳米线核心的柔性基板通过干燥机50得到干燥。接下来，通过涂布机60涂布用于形成金属复合物外壳的前驱体溶液，从而使前驱体溶液与纳米线核心充分接触。接下来，通过用于提供生长能量的能量照射器70提供生长能量，从而在纳米线核心上形成金属复合物外壳涂层。接下来，利用清洁干燥装置80执行清洁及干燥处理，借此，能够最终通过卷对卷工程制造出形成有包括金属复合物外壳的核壳纳米线涂层的基板。
(3)透明电极以及有机发光二极管
提供一种利用适用本发明之实施例的金属纳米线或核壳纳米线的透明电极300以及有机发光二极管1000。当如层、膜、区域或板等一个元件被记载为在其他元件“上”时，应理解为上述一个元件能够直接在其他元件之上，也能够在中间包括一个以上的中间元件。
适用本发明之一实施例的透明电极300包括：导电层310，配备于透明基板200上；以及透明电极层320，形成于导电层310上。导电层310包括适用本发明之一实施例的金属(或核壳)纳米线311，以及金属粒子312或金属氧化物粒子313。
作为包含于导电层310中的纳米线311，能够使用具有上述特性的金属(或核壳)纳米线，即，形成有至少一个弯曲部的金属(或核壳)纳米线、具有不同直径的金属(或核壳)纳米线、以及形成有金属涂层的核壳纳米线。还能够使用通过上述制造方法制造出的上述金属(或)核壳纳米线。
包含于导电层310中的金属粒子312或金属氧化物313中包括一种以上的导电材料。例如，上述金属粒子312或金属氧化物粒子313包括从由银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铂(Pt)、铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、锌(Zn)、钛(Ti)、铬(Cr)、铝(Al)、钯(Pd)及其氧化物构成的群组中选择的至少一种。但是，本实施例并不以此为限。
尤其是使用银(Ag)为宜。上述银(Ag)是一种金属，因此能够对光进行反射。此外，虽然银的透光率很低，但是当银表面在有机发光二极管1000中面向第二电极500(例如铝金属电极)时能够使光线在银和第二电极500之间发生反射，从而降低有机发光二极管中的光损失。
上述透明基板200能够由一个材料或包括上述材料的混合物形成。上述材料能够从由聚对苯二甲酸(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚芳酯、包括聚砜和聚醚砜的聚砜类树脂(PES)、包括聚醚酮的聚醚酮类树脂(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚碳酸酯类树脂、聚烯烃丙烯酸树脂、苯乙烯类树脂、包括三醋酸纤维素的纤维素派生物(TAC)及其聚合物构成的群组中选择。
此外，透明基板能够使用硅基板、SOI(绝缘体上硅薄膜，Silicon On Insulator)基板、砷化镓(GaAs)基板、硅锗(SiGe)基板、陶瓷基板、石英基板或照明用玻璃基板等。能够不受限地使用所有照明用的基板。
作为透明电极层320，能够使用一种以上的不同的透明导电材料。尤其是，作为透明电极层320，能够使用高透光度、高导电性以及高耐热性的ITO(氧化铟锡)、ATO(氧化锑锡)、IZO(氧化铟锌)、AZO(ZnO-Al2O3，掺铝氧化锌)、GZO(ZnO-Ga2O3，掺镓氧化锌)以及石墨烯等中的一种以上的金属氧化物。
透明电极层320能够均匀地形成于导电层310上，或以曲线形态形成于导电层310上。在透明电极层320以曲线形态形成的情况下，假定曲率周期为Rλa且曲率高度为Ra时，Ra/Rλa比率(即，曲率高度Ra相对于曲率周期Rλa的比率)能够大于10-3。透明点基层320能够增强光散射效果，并保护纳米线311、金属粒子312或金属氧化物粒子313。
此外，适用本实施例的有机发光二极管1000包括：第1电极400、第2电极500、以及位于第1电极400和第2电极500之间的有机发光层600。
上述第1电极400能够使用包括适用本实施例的具有较大的直径和较大的长宽比的金属(或核壳)纳米线的透明电极。
上述有机发光层600位于第1电极400和第2电极500之间，且能够通过上述第1电极400和上述第2电极500之间的电驱动而发光。上述有机发光层600具有发光层610层叠的结构，并进一步包括从空穴注入层620、空穴传送层630、电子传送层640、电子注入层650中选择的至少一个。上述发光层610能够使用可接收由空穴传送层630提供的空穴以及由电子传送层640提供的电子，并对空穴和电子进行结合，从而释放出可见范围的光的材料。尤其是，使用对荧光材料或磷光材料的量子效率较高的材料为宜。
上述第2电极500使用反射电极。上述第2点击500能够利用一种以上的碱金属、碱土金属、元素周期表中的第3组金属形成。即，第2电极500能够利用银(Ag)、锰(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)或钙(Ca)或合金形成。但是，本发明并不以此为限。
此外，在一实施例中，有机发光装置包括有机发光二极管1000以及密封基板2000。上述有机发光二极管1000包括透明基板200、适用本发明的第1电极400、面向上述第1电极400的第2电极500、位于上述第1电极400和上述第2基板500之间的有机发光层600。
上述密封基板2000配备于第2电极500，并对有机发光二极管1000进行覆盖。上述密封基板2000用于防止氧气和水分通过有机发光二极管1000渗透，并对有机发光二极管1000进行保护。
当将有机发光二极管用于照明时，内光提取效率非常重要。使用本实施例的透明电极包括适用本实施例的金属(或核壳)纳米线，因此能够提升其导电性并实现良好的透明度和雾度。此外，能够减少因为反射指数而在有机发光元件内产生的光的全反射所导致的损失，并诱发散射效果。借此，上述有机发光二极管和上述有机发光设备能够提供更好的内光提取效果。
例如，透明电极的薄层电阻小于50Ω/□。
有利的效果
适用本发明的金属纳米线，具有较大的直径和较大的长宽比并包括形成有至少一个弯曲部的多个线部。借此，能够增加接触点、接触面积或金属纳米线之间的接触概率，还能够相对降低薄层电阻，同时提供良好的导电性，并实现光散射效果。
此外，适用本发明的金属纳米线具有较大的直径和较大的长宽比并具有不同的直径。借此，能够增加接触点、接触面积或金属纳米线之间的接触概率，还能够相对降低薄层电阻，同时提供良好的导电性，并实现光散射效果。
此外，适用本发明的核壳纳米线形成有金属涂层。借此，能够防止硫化和氧化现象并提升其可靠性。同时，还能够提升光散射特性并在不大幅降低其导电性和透明度的情况下实现较高的雾度。
此外，适用本发明的金属纳米线的制造方法为一锅合成法。在金属纳米线的制造方法中，不需要进行中间产物净化处理，且能够以高产率但不会生成除金属纳米线之外的其他副产物的方式制造出金属纳米线，
此外，在适用本发明的金属纳米线的制造方法中，能够通过将所有反应混合物添加到一个反应容器中并在大气压或高于大气压的压力条件下进行反应，从而将反应混合物的发挥将至最低。借此，即使是在金属纳米线就有较大的直径和较大的长宽比的情况下，也能够确保在金属纳米线的生长过程中只会发生弯曲而不会发生断裂。借此，能够制造出包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线。
此外，在适用本发明的金属纳米线的制造方法中，能够通过对封端剂的量进行控制而对金属纳米线的侧面生长进行控制，从而制造出具有不同直径的金属纳米线。
此外，适用本发明的核壳纳米线的制造方法，能够适用于包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线以及具有不同直径的金属纳米线，以及已知的、市售的或通常使用的金属纳米线。借此，能够制造出具有金属复合物外壳的核壳纳米线。
此外，根据在将包括具有较大的直径和较大的长宽比并包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线的透明电极以及有机发光二极管作为导电层使用的制造方法，能够制造出在可见光范围内的透光度以及雾度适合于在OLED照明或有机太阳能电池中使用的透明电极。
此外，根据在将包括具有较大的直径和较大的长宽比并具有不同直径的金属纳米线的透明电极以及有机发光二极管作为导电层使用的制造方法，能够制造出在可见光范围内的透光度以及雾度适合于在OLED照明或有机太阳能电池中使用的透明电极。
此外，根据包括形成有金属涂层的核壳纳米线的透明电极以及有机发光二极管的制造方法，能够防止硫化和氧化现象，从而提升其可靠性。同时，还能够提升光散射特性并在不大幅降低其导电性和透明度的情况下实现较高的雾度。
附图说明
图1中图示了适用本发明之一实施例的包括形成有弯曲部的两个线部的金属纳米线。
图2中图示了适用本发明之另一实施例的包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线。
图3中图示了适用本发明之又一实施例的包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线的三维结构。
图4中图示了适用本发明之又一实施例的包括具有不同直径的多个线部且上述多个线部包括一个第2线部的金属纳米线。
图5中图示了适用本发明之另一实施例的包括具有不同直径的多个线部的金属纳米线，其中，(a)图示了在一端形成第2线部的金属纳米线，而(b)图示了在两端形成第2线部的金属纳米线。
图6中图示了适用本发明之又一实施例的形成有至少一个弯曲部的金属纳米线的线部。
图7中图示了适用本发明之又一实施例的形成有至少一个弯曲部的金属纳米线。
图8中图示了适用本发明之又一实施例的具有不同直径的金属纳米线的线部。
图9中图示了适用本发明之又一实施例的具有不同直径的金属纳米线。
图10至图13是适用本发明之一实施例的核壳纳米线的示意图。
图14是适用本发明之一实施例的用于形成核壳纳米线的卷对卷连续工程的示意图。
图15是利用扫描电子显微镜对适用本发明之一实施例的银纳米线的表面进行拍摄的照片。
图16是利用扫描电子显微镜对适用本发明之一实施例的包括具有不同直径的多个线部的银纳米线进行拍摄的照片。
图17及图18是利用扫描电子显微镜对适用本发明之一实施例的包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的银纳米线进行拍摄的照片。
图19是利用扫描电子显微镜对按照比较例合成的不包括多个线部且未形成至少一个弯曲部的银纳米线进行拍摄的照片。
图20是透明度图表，其中，图20的(a)是包括按照实施例11至15合成的各个银纳米线的透明基板的透明度图表，图20的(b)是包括按照实施例16至20合成的各个银纳米线的透明基板的透明度图表。
图21是雾度图表，其中，图21的(a)是包括按照实施例11至15合成的各个银纳米线的透明基板的雾度图表，图21的(b)是包括按照实施例16至20合成的各个银纳米线的透明基板的雾度图表。
图22及图23是按照实施例23至27合成的核壳纳米线的扫描电子显微镜照片，其中，图22的(a)对应于实施例23，图22的(b)对应于实施例24，图22的(c)对应于实施例25，图23的(a)对应于实施例26，图23的(b)对应于实施例27。
图24是按照实施例25选择性地在形成于核壳纳米线基板上的纳米线上形成氧化锌涂层的照片。
图25是各个实施例及比较例的薄层电阻的示意图。
图26是按照实施例合成的核壳纳米线的X射线衍射峰，其中，图26的(a)对应于实施例23，图26的(b)对应于实施例24，图26的(c)对应于实施例27。
图27至图29是实施例23至实施例27中的透明度图表，其中，图27的(a)对应于实施例23，图27的(b)对应于实施例24，图28的(a)对应于实施例25，图28的(b)对应于实施例26，图29对应于实施例27。
图30至图32是实施例23至实施例27中的雾度图表，其中，图30的(a)对应于实施例23，图30的(b)对应于实施例24，图31的(a)对应于实施例25，图31的(b)对应于实施例26，图32对应于实施例27。
图33是实施例23至25中的光致发光(PL)图表，其中，图33的(a)对应于实施例23，图33的(b)对应于实施例24，图33的(c)对应于实施例25。
图34是实施例23至实施例27中的随时间变化的薄层电阻图表。
图35及图36是按照实施例28至32合成的核壳纳米线的扫描电子显微镜照片，其中，图35的(a)对应于实施例23，图35的(b)对应于实施例29，图35的(c)对应于实施例30，图36的(a)对应于实施例31，图36的(b)对应于实施例32。
图37是选择性地在形成于核壳纳米线基板上的纳米线上形成氧化锌涂层的照片。
图38是各个实施例及比较例的薄层电阻的示意图。
图39是按照实施例合成的核壳纳米线的X射线衍射峰，其中，图39的(a)对应于实施例28，图39的(b)对应于实施例29，图39的(c)对应于实施例32。
图40至图42是实施例28至实施例32中的雾度图表，其中，图40的(a)对应于实施例28，图40的(b)对应于实施例29，图41的(a)对应于实施例30，图41的(b)对应于实施例31，图42对应于实施例32。
图43至图45是实施例28至实施例32中的透明度图表，其中，图43的(a)对应于实施例28，图43的(b)对应于实施例29，图44的(a)对应于实施例30，图44的(b)对应于实施例31，图45对应于实施例32。
图46是实施例29、29及32中的光致发光(PL)图表，其中，图46的(a)对应于实施例28，图46的(b)对应于实施例29，图46的(c)对应于实施例32。
图47是实施例28至实施例32中的随时间变化的薄层电阻图表。
具体实施方式
实施例
1)实施例1至实施例10-包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的金属纳米线
实施例1
通过混合0.1mol/l的AgNO3、28g的EG(99.5％)、3g的PVP(Mw～360,000)以及1×10-3mol/l的FeCl3制备反应混合物。将反应混合物投入到单一容器中并对上述单一容器进行密封之后，在1atm、130℃条件下进行5小时的反应，从而获得包括形成有至少一个弯曲部的线部的银纳米线。
实施例2
通过混合0.1mol/l的AgNO3、28g的EG(99.5％)、3g的PVP(Mw～360,000)以及1×10-3mol/l的FeCl3制备反应混合物。将反应混合物投入到单一容器中并对上述单一容器进行密封之后，在3atm、130℃条件下进行5小时的反应，从而获得包括形成有至少一个弯曲部的线部的银纳米线。
实施例3
通过混合0.1mol/l的AgNO3、28g的EG(99.5％)、3g的PVP(Mw～360,000)以及1×10-3mol/l的FeCl3制备反应混合物。将反应混合物投入到单一容器中并对上述单一容器进行密封之后，在5atm、130℃条件下进行5小时的反应，从而获得包括形成有至少一个弯曲部的线部的银纳米线。
实施例4
除了将FeCl3的摩尔浓度变更为5×10-3mol/l并将反应时间变更为1小时之外，通过与实施例2相同的方法获得包括形成有至少一个弯曲部的线部的银纳米线。
实施例5
除了将FeCl3的摩尔浓度变更为5×10-3mol/l并将反应时间变更为6小时之外，通过与实施例2相同的方法获得包括形成有至少一个弯曲部的线部的银纳米线。
实施例6
除了将FeCl3的摩尔浓度变更为5×10-3mol/l并将反应时间变更为12小时之外，通过与实施例2相同的方法获得包括形成有至少一个弯曲部的线部的银纳米线。
实施例7
除了将反应温度变更为110℃之外，通过与实施例2相同的方法获得包括形成有至少一个弯曲部且具有不同直径的线部的银纳米线。
实施例8
除了将反应温度变更为150℃之外，通过与实施例2相同的方法获得包括形成有至少一个弯曲部且具有不同直径的线部的银纳米线。
实施例9
除了将PVP(Mw～360,000)的量变更为0.8g之外，通过与实施例2相同的方法获得包括形成有至少一个弯曲部且具有不同直径的线部的银纳米线。
实施例10
除了将PVP(Mw～360,000)的量变更为1.5g之外，通过与实施例2相同的方法获得包括形成有至少一个弯曲部且具有不同直径的线部的银纳米线。
2)实施例11至实施例22-包括具有不同直径的线部的金属纳米线
实施例11
通过混合0.2mol/l的AgNO3、28g的EG(99.5％)、0.1g的PVP(Mw～360,000)以及1×10-3mol/l的FeCl3制备反应混合物。将反应混合物投入到单一容器中并对上述单一容器进行密封之后，在1atm、130℃条件下进行3小时的反应，从而获得具有不同直径的银纳米线。
实施例12
除了将反应时间变更为4小时之外，通过与实施例11相同的方法获得包括具有不同直径的线部的银纳米线。
实施例13
除了将反应时间变更为5小时之外，通过与实施例11相同的方法获得包括具有不同直径的线部的银纳米线。
实施例14
除了将反应时间变更为6小时之外，通过与实施例11相同的方法获得包括具有不同直径的线部的银纳米线。
实施例15
除了将反应时间变更为7小时之外，通过与实施例11相同的方法获得包括具有不同直径的线部的银纳米线。
实施例16
通过混合0.1mol/l的AgNO3、28g的EG(99.5％)、0.05g的PVP(Mw～360,000)以及5×10-3mol/l的FeCl3制备反应混合物。将反应混合物投入到单一容器中并对上述单一容器进行密封之后，在3atm、130℃条件下进行3小时的反应，从而获得具有不同直径的银纳米线。
实施例17
除了将反应时间变更为4小时之外，通过与实施例11相同的方法获得包括具有不同直径的线部的银纳米线。
实施例18
除了将反应时间变更为5小时之外，通过与实施例16相同的方法获得包括具有不同直径的线部的银纳米线。
实施例19
除了将反应时间变更为6小时之外，通过与实施例16相同的方法获得包括具有不同直径的线部的银纳米线。
实施例20
除了将反应时间变更为7小时之外，通过与实施例16相同的方法获得包括具有不同直径的线部的银纳米线。
实施例21
通过混合0.1mol/l的AgNO3、28g的EG(99.5％)、0.1g的PVP(Mw～360,000)以及1×10-3mol/l的FeCl3制备反应混合物。将反应混合物投入到单一容器中并对上述单一容器进行密封之后，在3atm、110℃条件下进行12小时的反应，从而获得包括具有不同的直径且形成有至少一个弯曲部的银纳米线。
实施例22
通过混合0.1mol/l的AgNO3、28g的EG(99.5％)、0.05g的PVP(Mw～360,000)以及1×10-3mol/l的FeCl3制备反应混合物。将反应混合物投入到单一容器中并对上述单一容器进行密封之后，在3atm、150℃条件下进行12小时的反应，从而获得包括具有不同的直径且形成有至少一个弯曲部的银纳米线。
3)比较例1至比较例7
比较例1
通过混合0.1mol/l的AgNO3、28g的EG(99.5％)、3g的PVP(Mw～360,000)以及1×10-3mol/l的FeCl3制备反应混合物。将反应混合物投入到单一容器中但未对上述单一容器进行密封之后，在1atm、130℃条件下进行5小时的反应，从而获得银纳米线。
比较例2
通过混合0.15mol/l的AgNO3、28g的EG(99.5％)、3g的PVP(Mw～360,000)以及1×10-3mol/l的FeCl3制备反应混合物。将反应混合物投入到单一容器中但未对上述单一容器进行密封之后，在1atm、130℃条件下进行5小时的反应，从而获得银纳米线。
比较例3
通过混合0.1mol/l的AgNO3、28g的EG(99.5％)、3g的PVP(Mw～360,000)以及1×10-5mol/l的FeCl3制备反应混合物。将反应混合物投入到单一容器中但未对上述单一容器进行密封之后，在3atm、130℃条件下进行5小时的反应，从而获得银纳米线。
比较例4
通过混合0.1mol/l的AgNO3、28g的EG(99.5％)、3g的PVP(Mw～360,000)以及5×10-5mol/l的FeCl3制备反应混合物。将反应混合物投入到单一容器中但未对上述单一容器进行密封之后，在3atm、130℃条件下进行5小时的反应，从而获得银纳米线。
比较例5
通过混合0.1mol/l的AgNO3、28g的EG(99.5％)、3g的PVP(Mw～360,000)以及1×10-4mol/l的FeCl3制备反应混合物。将反应混合物投入到单一容器中但未对上述单一容器进行密封之后，在3atm、130℃条件下进行5小时的反应，从而获得银纳米线。
比较例6
通过混合0.1mol/l的AgNO3、28g的EG(99.5％)、0.5g的PVP(Mw～360,000)以及1×10-3mol/l的FeCl3制备反应混合物。将反应混合物投入到单一容器中并对上述单一容器进行密封之后，在3atm、130℃条件下进行2小时的反应，从而获得银纳米线。
比较例7
通过混合0.1mol/l的AgNO3、28g的EG(99.5％)、1g的PVP(Mw～360,000)以及1×10-3mol/l的FeCl3制备反应混合物。将反应混合物投入到单一容器中并对上述单一容器进行密封之后，在3atm、130℃条件下进行1小时的反应，从而获得银纳米线。
表1
[表1]
[M.S：金属盐，R.S：还原溶液，C.A：封端剂，C：催化剂，P：压力，T：时间，Temp：温度]
4)实施例23至实施例32-形成有金属涂层的核壳纳米线
实施例23
通过将0.001mol/l的乙酸锌二水和0.001mol/l的己二胺添加到蒸馏水中，制备出前驱体溶液。接下来，将前驱体溶液涂敷在已形成银纳米线涂层的基板上。接下来，利用白色光源照射基板5分钟。在反应完成之后，利用乙醇对基板进行洗涤并利用氮气进行干燥处理，从而制造出核壳纳米线。
实施例24
除了将乙酸锌二水的摩尔浓度变更为0.01mol/l以及将乙二胺的量变更为0.01mol/l之外，通过与实施例23相同的方法制造核壳纳米线。
实施例25
除了将乙酸锌二水的摩尔浓度变更为0.10mol/l以及将乙二胺的量变更为0.10mol/l之外，通过与实施例23相同的方法制造核壳纳米线。
实施例26
除了将乙酸锌二水的摩尔浓度变更为0.50mol/l以及将乙二胺的量变更为0.50mol/l之外，通过与实施例23相同的方法制造核壳纳米线。
实施例27
除了将乙酸锌二水的摩尔浓度变更为1.00mol/l以及将乙二胺的量变更为1.00mol/l之外，通过与实施例23相同的方法制造核壳纳米线。
实施例28
通过将0.001mol/l的硝酸锌和0.001mol/l的己二胺添加到蒸馏水中，制备出前驱体溶液。接下来，将前驱体溶液涂敷在已形成上述银纳米线涂层的基板上。接下来，利用1000W的微波处理30秒。在反应完成之后，利用乙醇对基板进行洗涤并利用氮气进行干燥处理，从而制造出核壳纳米线。
实施例29
除了将硝酸锌的摩尔浓度变更为0.01mol/l以及将乙二胺的量变更为0.01mol/l之外，通过与实施例28相同的方法制造核壳纳米线。
实施例30
除了将硝酸锌的摩尔浓度变更为0.10mol/l以及将乙二胺的量变更为0.10mol/l之外，通过与实施例28相同的方法制造核壳纳米线。
实施例31
除了将硝酸锌的摩尔浓度变更为0.50mol/l以及将乙二胺的量变更为0.50mol/l之外，通过与实施例28相同的方法制造核壳纳米线。
实施例32
除了将硝酸锌的摩尔浓度变更为1.00mol/l以及将乙二胺的量变更为1.00mol/l之外，通过与实施例28相同的方法制造核壳纳米线。
比较例8至比较例12
分别将按照实施例23至实施例27执行氧化锌涂层之前的已形成银纳米线涂层的基板作为比较例8至比较例12使用。
比较例13至比较例17
分别将按照实施例28至实施例32执行氧化锌涂层之前的已形成银纳米线涂层的基板作为比较例13至比较例17使用。
测试例
1)测量直径和长度并计算长宽比
对按照实施例和比较例合成的银纳米线的直径和长度进行了测量，并计算出了长宽比。其结果如下表2所示。
表2
[表2]
如表2所示，可以发现按照实施例合成的银纳米线的直径和长度大于按照比较例合成的银纳米线的直径和长度。此外，还可以发现按照实施例合成的银纳米线的长宽比普遍大于1000。
此外，按照实施例7、8以及实施例11至22合成的银纳米线具有包括第2直径、第3直径等的多重直径。与此相反，按照比较例合成的各个银纳米线只具有单一直径。
2)扫描电子显微镜(SEM)分析
图15是利用扫描电子显微镜对适用本发明之一实施例的银纳米线的表面进行拍摄的照片。如图15所示，所制造出的银纳米线的直径分布(15a)为D1(124.47nm)、D2(81.48nm)、D3(84.42nm)、D4(85.93nm)、D5(84.65nm)、D6(98.13nm)、D7(134.80nm)以及D8(67.15nm)。即，上述银纳米线具有较大的直径。此外，所制造出的银纳米线的长度分布(15b)为D1(194.79μm)、D2(182.86μm)、D3(100.14μm)、D4(193.74μm)、D5(111.31μm)、D6(243.61μm)、D7(95.14μm)以及D8(123.00μm)。即，上述银纳米线具有较大的长度。
图16是利用扫描电子显微镜对适用本发明之一实施例的包括具有不同直径的多个线部的银纳米线进行拍摄的照片。如图16所示，可以发现形成了连接到具有第1直径的第1线部中的具有第2直径的第2线部。
3)投射电子显微镜(TEM)分析
图17及图18是利用扫描电子显微镜对适用本发明之一实施例的包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的银纳米线进行拍摄的照片。可以发现银纳米线中形成有向预设的方向弯曲的弯曲形状。图19是利用扫描电子显微镜对按照比较例合成的不包括多个线部且未形成至少一个弯曲部的银纳米线进行拍摄的照片。
包括形成有至少一个弯曲部的多个线部的银纳米线，其弯曲部的数量和弯曲部的平均角度如下表3所示。
表3
[表3]
[N.B：弯曲部数量，A.B：弯曲部平均角度]
如表3所示，可以发现按照本发明合成的银纳米线普遍包括两个或三个弯曲部，而按照比较例合成的银纳米线不包括上述弯曲部。此外，还可以发现按照实施例21及22合成的银纳米线具有不同的直径且形成有至少一个弯曲部。
试验例
1)导电性(薄层电阻)测量
利用4点探头对包括按照各实施例以及比较例合成的银纳米线的透明基板的薄层电阻进行了15次测量。此外，对平均薄层电阻以及标准偏差进行了计算。上述平均薄层电阻以及标准偏差如下表4所示。
表4
[表4]
如表4所示，包括按照实施例合成的银纳米线的透明电极具有最小21Ω/□、最大115Ω/□、平均54.9Ω/□的薄层电阻，而在另一方面，包括按照比较例合成的银纳米线的透明电极具有最小58Ω/□、最大180Ω/□、平均108Ω/□的薄层电阻，可以发现适用本发明的银纳米线能够防止薄层电阻的增加，从而使透明电极具有更加良好的导电性。
2)透明度及雾度测量
对包括按照各实施例以及比较例合成的银纳米线的透明基板的透明度及雾度进行了测量，其结果如下表5所示。图20是透明度图表，其中，图20的(a)是包括按照实施例11至15合成的各个银纳米线的透明基板的透明度图表，图20的(b)是包括按照实施例16至20合成的各个银纳米线的透明基板的透明度图表。图21是雾度图表，其中，图21的(a)是包括按照实施例11至15合成的各个银纳米线的透明基板的雾度图表，图21的(b)是包括按照实施例16至20合成的各个银纳米线的透明基板的雾度图表。
表5
[表5]
当将透明电极用于显示装置时，要求其雾度小于1％。而另一方面，当将透明电极用于OLED照明(内光提取层)或有机太阳能电池时，要求其雾度大于1％(更具体地说是大于5％)。如表5所示，包括按照实施例合成的银纳米线的透明电极的透明度与按照比较例合成的类似。包括按照一部分实施例合成的银纳米线的透明电极的雾度与按照比较例合成的类似，而包括按照其他实施例合成的银纳米线的透明电极的雾度较高(例如，高10％以上)。因此，上述透明电极能够具有可适用于OLED照明(内光提取层)或有机太阳能电池的属性。
3)实施例23至27以及比较例8至12的试验例
图22及图23是按照实施例23至27合成的核壳纳米线的扫描电子显微镜照片。如图22及图23所示，可以发现在金属复合物外壳上形成了沿着纳米线的纵向方向延伸的多个条纹图案。
此外，图24是选择性地在形成于核壳纳米线基板上的纳米线上形成氧化锌涂层的照片。如图24所示，可以发现仅在纳米线上选择性地形成了氧化锌涂层。
图25是实施例的薄层电阻的示意图。可以发现，涂层之后的银纳米线的薄层电阻与涂层之前的银纳米线的薄层电阻相似。此外，在部分实施例中可以发现，形成金属氧化物外壳涂层之后的银纳米线的薄层电阻大于形成金属氧化物外壳涂层之前的银纳米线的薄层电阻。
此外，图26是按照实施例合成的核壳纳米线的X射线衍射峰。可以发现，已形成金属氧化物峰，且在涂层量增加时金属氧化物峰的强度也随之增加。
此外，图27至图29是实施例23至实施例27中的透明度图表。可以发现，其透明度属性非常良好。
接下来，图30至图32是实施例23至实施例27的雾度图表。可以发现，在金属氧化物外壳的涂层量增加时，其雾度值也大幅增加。
此外，图33是实施例23至25中的光致发光(PL)图表。
此外，图34是实施例23至27中的随时间变化的薄层电阻图表。可以发现，随着时间的推移，能够大体上保持其薄层电阻。
例如，通过在透明基板中形成核壳纳米线涂层以达到1～100(Ω/□)的薄层电阻时，在550nm波长下的雾度能够达到5％以上(例如，为20％以上)的范围。通过在透明基板中形成核壳纳米线涂层以达到1～100(Ω/□)的薄层电阻时，在550nm波长下的透明度能够达到60～98％范围。
4)实施例28至32以及比较例13至17的试验例
图35及图36是按照实施例23至32合成的核壳纳米线的扫描电子显微镜照片。如图35及图36所示，可以发现在金属复合物外壳上形成了沿着纳米线的纵向方向延伸的多个条纹图案。
此外，图37是选择性地在形成于核壳纳米线基板上的纳米线上形成氧化锌涂层的照片。如图37所示，可以发现仅在纳米线上选择性地形成了氧化锌涂层。
图38是实施例及比较例的薄层电阻的示意图。可以发现，涂层之后的银纳米线的薄层电阻与涂层之前的银纳米线的薄层电阻相似。此外，在部分实施例中可以发现，形成金属氧化物外壳涂层之后的银纳米线的薄层电阻大于形成金属氧化物外壳涂层之前的银纳米线的薄层电阻。
此外，图39是按照实施例合成的核壳纳米线的X射线衍射峰。可以发现，已形成金属氧化物峰，且在涂层量增加时金属氧化物峰的强度也随之增加。
接下来，图40至图42是实施例28至实施例32的雾度图表。可以发现，在金属氧化物外壳的涂层量增加时，其雾度值也大幅增加。
此外，图43至图45是实施例28至实施例32中的透明度图表。可以发现，其透明度属性非常良好。
此外，图46是实施例28至32中的光致发光(PL)图表。
此外，图47是实施例28、29以及32中的随时间变化的薄层电阻图表。可以发现，随着时间的推移，能够大体上保持其薄层电阻。
例如，通过在透明基板中形成核壳纳米线涂层以达到1～100(Ω/□)的薄层电阻时，在550nm波长下的雾度能够达到5％以上(例如，为20％以上)的范围。通过在透明基板中形成核壳纳米线涂层以达到1～100(Ω/□)的薄层电阻时，在550nm波长下的透明度能够达到60～98％范围。
上述特征、配置、效果等能够包含于适用本发明的至少一个实施例中而非仅限于一个实施例。此外，在各个实施例中描述的上述功能、配置、效果等，还能够由本领域的技术人员通过与其他实施例的组合以及修改而实现。因此上述组合及修改均应理解为包含于权利要求书中所描述的范围和精神范围内。
Claims (28)
1.一种核壳纳米线，其特征在于，包括：
纳米线核心；以及
金属复合物外壳，形成于所述纳米线核心外部,
通过在透明基板中形成核壳纳米线涂层以达到1～100Ω/□的薄层电阻时，在550nm波长下的雾度能够达到5％以上，
其中，所述金属复合物外壳是聚合的具有10至100nm的范围的直径的金属复合物颗粒。
2.根据权利要求1所述的核壳纳米线，其特征在于：所述金属复合物外壳包括透明导电性金属复合物。
3.根据权利要求1所述的核壳纳米线，其特征在于：当从与核壳纳米线的长度方向垂直的横截面上观察时，所述金属复合物外壳包括多个突出结构，且当与纳米线核心的距离逐渐增加时，突出结构的面积或宽度逐渐减小。
4.根据权利要求1所述的核壳纳米线，其特征在于：当从与核壳纳米线的长度方向垂直的横截面上观察时，金属复合物外壳具有多个多边形形状。
5.根据权利要求4所述的核壳纳米线，其特征在于：所述金属复合物外壳的多边形为三角形形状或梯形形状。
6.根据权利要求1所述的核壳纳米线，其特征在于：所述金属复合物外壳具有包括在纳米线的纵向方向上延伸的多个部分的条纹图案。
7.根据权利要求3所述的核壳纳米线，其特征在于：从横截面观察时的突出部分的数量为3至6个。
8.根据权利要求4所述的核壳纳米线，其特征在于：从横截面观察时的多边形的数量为3至6个。
9.根据权利要求6所述的核壳纳米线，其特征在于：从横截面观察时构成所述条纹图案的部分的数量为3至6个。
10.根据权利要求4所述的核壳纳米线，其特征在于：当与纳米线核心毗邻的多边形的边为多边形的一个底边时，多边形的底边d的长度为40nm至200nm而多边形的高度为10nm至200nm。
11.根据权利要求1所述的核壳纳米线，其特征在于：所述核壳纳米线的长度a在10μm～300μm的范围之内。
12.根据权利要求4所述的核壳纳米线，其特征在于：所述多边形的高度c和所述核壳纳米线的长度a的比例c/a在0.00006至0.02的范围之内。
13.根据权利要求4所述的核壳纳米线，其特征在于：当从与核壳纳米线的纵向方向垂直的横截面上对核壳纳米线进行观察时，所述核壳纳米线的最长直径f和核壳纳米线的长度a的比例(f/a)在0.0001至0.06的范围之内。
14.根据权利要求1所述的核壳纳米线，其特征在于：在550nm波长下的雾度能够达到20％以上。
15.根据权利要求1所述的核壳纳米线，其特征在于：通过在透明基板中形成核壳纳米线涂层以达到1～100(Ω/□)的薄层电阻时，在550nm波长下的透明度能够达到60～98％。
16.根据权利要求1所述的核壳纳米线，其特征在于：所述金属复合物外壳包括ZnO、SiO2、SnO2、TiO2、AlN、GaN、BN、InN、ZnS、CdS、ZnSe、ZnTe、CdSe以及含碳中的至少一种。
17.根据权利要求1所述的核壳纳米线，其特征在于：所述纳米线核心包括至少两个线部，且
第n线部和通过第n弯曲部连接到所述第n线部中的第n+1线部之间的夹角α满足下述不等式1，
[不等式1]0<a<180°。
18.根据权利要求17所述的核壳纳米线，其特征在于：所述第n线部和第n+1线部之间的角度α满足不等式130°<a<170°。
19.根据权利要求18所述的核壳纳米线，其特征在于，还包括：
通过第n+1弯曲部连接到第n+1线部的第n+2线部，
当假定包括第n线部和第n+1线部的平面为A平面、包括第n+1线部和第n+2线部的平面为B平面时，B平面相对于A平面的夹角β在-10°至10°的范围之内。
20.根据权利要求1至16中任一项所述的核壳纳米线，其特征在于：所述纳米线核心包括至少两个线部，
所述纳米线核心包括第n线部和连接到所述第n线部的第n+1线部，且
第n线部的直径与第n+1线部的直径不同。
21.根据权利要求1至16中任一项所述的核壳纳米线，其特征在于：所述纳米线核心包括具有第1直径的第1线部，具有第2直径且从所述第1线部延伸的第2线部，且
所述第1直径与所述第2直径不同。
22.根据权利要求21所述的核壳纳米线，其特征在于：第2线部从第1线部的一端或两端延伸形成。
23.根据权利要求21所述的核壳纳米线，其特征在于：第1直径在50至100nm的范围之内，且
第2直径在150至1100nm的范围之内。
24.一种透明电极，其特征在于，包括：
导电层，包括权利要求1～23中任一项所述的核壳纳米线；以及
透明电极层，形成于所述导电层上。
25.根据权利要求24所述的透明电极，其特征在于：当从与透明电极的长度方向垂直的横截面上观察时，金属复合物外壳具有多个突出结构，且
当与纳米线核心的距离逐渐增加时，突出结构的面积或宽度逐渐减小。
26.根据权利要求24所述的透明电极，其特征在于：所述纳米线核心包括至少一个线部，且
第n线部和通过第n弯曲部连接到所述第n线部中的第n+1线部之间的夹角α满足不等式130°＜α＜170°。
27.根据权利要求24所述的透明电极，其特征在于：所述纳米线核心包括至少一个线部，
所述纳米线核心包括第n线部和连接到所述第n线部的第n+1线部，且
第n线部的第1直径与第n+1线部的第2直径不同。
28.一种有机发光二极管，其特征在于，包括：
透明基板；
第1电极，配备于所述透明基板；
第2电极，面向所述第1电极；以及
有机发光层，位于所述第1电极和所述第2电极之间；
所述第1电极包括权利要求24至27中任一项所述的透明电极。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005522037A (ja) * | 2002-03-28 | 2005-07-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ナノワイヤ及び電子デバイス |
| CN101058421A (zh) * | 2007-04-13 | 2007-10-24 | 安徽工业大学 | 一种低温制备无金属催化剂的纳米硅线的方法 |
| CN102162135A (zh) * | 2011-03-09 | 2011-08-24 | 中国科学院理化技术研究所 | ZnS/Si核壳纳米线或纳米带及多晶Si管制备方法 |
| CN103447546A (zh) * | 2012-05-28 | 2013-12-18 | 南京大学 | 同轴电缆结构Ag/C纳米互连线的制备方法 |
| CN103721708A (zh) * | 2014-01-08 | 2014-04-16 | 济南大学 | 一种银/二氧化钛复合异质结构及其制备方法 |
Family Cites Families (21)
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| KR101334174B1 (ko) * | 2007-01-12 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 배선 구조체 및 상기 배선 구조체를 포함한 반도체 소자 |
| JP2009108407A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-21 | Fujifilm Corp | 屈曲棒状金属粒子及びその製造方法、並びに屈曲棒状金属粒子含有組成物、及び導電性材料 |
| CN101486101A (zh) * | 2008-12-11 | 2009-07-22 | 常振宇 | 一种微波辅助制备不同形貌银纳米材料的方法 |
| CN101451270B (zh) * | 2008-12-11 | 2011-04-13 | 常振宇 | 一种大批量制备贵金属纳米线的方法 |
| US8389387B2 (en) * | 2009-01-06 | 2013-03-05 | Brookhaven Science Associates, Llc | Segmented nanowires displaying locally controllable properties |
| WO2011038228A1 (en) * | 2009-09-24 | 2011-03-31 | President And Fellows Of Harvard College | Bent nanowires and related probing of species |
| WO2011112608A1 (en) * | 2010-03-08 | 2011-09-15 | University Of Rochester | Synthesis of nanoparticles using reducing gases |
| KR101324028B1 (ko) * | 2010-05-20 | 2013-11-01 | 웅진케미칼 주식회사 | 전기전도도가 개선된 다층형 금속 나노와이어 및 그 제조방법 |
| WO2012021460A2 (en) * | 2010-08-07 | 2012-02-16 | Michael Eugene Young | Device components with surface-embedded additives and related manufacturing methods |
| CN102744417B (zh) * | 2011-06-16 | 2016-03-30 | 浙江科创新材料科技有限公司 | 一种高长径比纳米银线的制备方法 |
| US9205493B1 (en) * | 2011-06-28 | 2015-12-08 | Innova Dynamics, Inc. | Production of nanostructures |
| KR101305705B1 (ko) * | 2011-07-12 | 2013-09-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 터치 패널 및 전극 제조 방법 |
| WO2013016339A2 (en) * | 2011-07-26 | 2013-01-31 | Nanosys, Inc. | Nanostructured battery active materials and methods of producing same |
| US9035278B2 (en) * | 2011-09-26 | 2015-05-19 | Glo Ab | Coalesced nanowire structures with interstitial voids and method for manufacturing the same |
| JP2013084571A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-05-09 | Fujifilm Corp | 透明導電性塗布膜、透明導電性インク、及びそれらを用いたタッチパネル |
| US9920207B2 (en) * | 2012-06-22 | 2018-03-20 | C3Nano Inc. | Metal nanostructured networks and transparent conductive material |
| US10029916B2 (en) * | 2012-06-22 | 2018-07-24 | C3Nano Inc. | Metal nanowire networks and transparent conductive material |
| KR101462864B1 (ko) * | 2012-07-18 | 2014-11-19 | 성균관대학교산학협력단 | 유연한 전도성 필름 및 그 제조 방법 |
| WO2015188196A1 (en) * | 2014-06-06 | 2015-12-10 | Innova Dynamics, Inc. | Patterned transparent conductors and related compositions and manufacturing methods |
| KR101969300B1 (ko) * | 2014-07-09 | 2019-04-17 | 재단법인대구경북과학기술원 | 그래핀으로 코팅된 코어-쉘 구조를 가지는 금속 나노와이어 및 이의 제조방법 |
| CN104576968A (zh) * | 2015-02-10 | 2015-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件及其制备方法、显示基板和显示装置 |
-
2015
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-
2018
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- 2018-06-21 US US16/014,876 patent/US10636994B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005522037A (ja) * | 2002-03-28 | 2005-07-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ナノワイヤ及び電子デバイス |
| CN101058421A (zh) * | 2007-04-13 | 2007-10-24 | 安徽工业大学 | 一种低温制备无金属催化剂的纳米硅线的方法 |
| CN102162135A (zh) * | 2011-03-09 | 2011-08-24 | 中国科学院理化技术研究所 | ZnS/Si核壳纳米线或纳米带及多晶Si管制备方法 |
| CN103447546A (zh) * | 2012-05-28 | 2013-12-18 | 南京大学 | 同轴电缆结构Ag/C纳米互连线的制备方法 |
| CN103721708A (zh) * | 2014-01-08 | 2014-04-16 | 济南大学 | 一种银/二氧化钛复合异质结构及其制备方法 |
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