CN107388994A - 一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置 - Google Patents

一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107388994A
CN107388994A CN201710447035.3A CN201710447035A CN107388994A CN 107388994 A CN107388994 A CN 107388994A CN 201710447035 A CN201710447035 A CN 201710447035A CN 107388994 A CN107388994 A CN 107388994A
Authority
CN
China
Prior art keywords
polysilicon
speculum
integrating sphere
light source
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710447035.3A
Other languages
English (en)
Inventor
余宏萍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201710447035.3A priority Critical patent/CN107388994A/zh
Publication of CN107388994A publication Critical patent/CN107388994A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G01B11/303—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces using photoelectric detection means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

本发明提供了一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置，所述方法操作方便，所述装置结构简单，通过将多晶硅放置于光源与积分球之间的不同位置，在积分球中测得多晶硅位于不同位置时的穿透率，根据穿透率计算出所述多晶硅的雾度，再以多晶硅雾度和粗糙度的数学关系得出多晶硅的表面粗糙度。本方案不需要对多晶硅进行切片取样，大大缩短测量时间、节约成本，并且可对多晶硅粗糙度进行实时监控。

Description

一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置。
背景技术
随着现代生活的快速发展，手机、电脑、电视等视频产品在人们的生活中越来越普及。而生产这些设备，多晶硅膜(p-Si)是其中必不可少的一部分。
现有技术中，制备多晶硅膜时一般采用准分子激光退火(Excimer LaserAnnealing，可缩写为ELA)的方法，其利用高能量的准分子激光照射非晶硅薄膜，使其吸收准分子激光的能量后，使非晶硅薄膜呈融化状态，冷却结晶后形成多晶硅膜，制备过程一般是在400℃～600℃的温度下进行，能够有效防止基板的变形。
准分子激光退火工艺是一种相对比较复杂的退火过程。而多晶硅薄膜的表面平坦性、晶粒尺寸及晶粒均匀性的控制一直是该退火工艺中的研究热点。目前由于普通激光退火过程中引起的多晶硅晶粒的不均匀性生长，导致非常大的薄膜粗糙度，且多晶硅薄膜的晶粒尺寸偏小，分布不均匀。多晶硅薄膜表面粗糙度将直接影响低温多晶硅薄膜晶体管的电学性能，如迁移率大小、漏电流大小、迁移率及阈值电压的均匀性等。因此，对多晶硅薄膜表面粗糙度的测量显得尤为重要。
目前，非晶硅在经过准分子激光退火结晶后，一般对多晶硅薄膜表面进行切片取样，然后进行原子力显微镜(Atomic Force Microscope，AFM)测试。由显微探针受力的大小直接换算出样品表面的高度，从而获得样品表面形貌的信息。但此方法分析周期较长、成本较高，并且也受到原子力显微镜产能的影响，使得测量多晶硅粗糙度的效率较低，影响整个制程效率。
发明内容
本发明提供了一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置，以实现对经过准分子激光退火工艺后的多晶硅粗糙度的测量。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供了一种测量多晶硅粗糙度的方法，所述测量方法包括如下步骤：
步骤S10、将多晶硅放置于光源与积分球之间的光路的第一位置；
步骤S20、所述光源的出射光经过位于所述第一位置的所述多晶硅后进入所述积分球；
步骤S30、通过所述积分球测得所述多晶硅的第一穿透率Ts；
步骤S40、将所述多晶硅移动至所述光路的第二位置；
步骤S50、所述光源的出射光经过位于所述第二位置的所述多晶硅后进入所述积分球；
步骤S60、通过所述积分球测得所述多晶硅的第二穿透率Tt；
步骤S70、根据公式H＝(Tt-Ts)/Tt，计算得出所述多晶硅的雾度H；
步骤S80、根据公式H＝1-exp[-(4πRmsC|n0-n1|/λ)3]计算出所述多晶硅表面的粗糙度Rms，其中，n0为预定介质的折射率，n1为多晶硅的折射率，λ为波长，C为修正系数。
根据本发明一优选实施例，所述步骤S 10包括：
步骤S101、提供一光源以及一积分球，所述光源的出射光为一单色光；
步骤S102、将所述积分球放置在所述光源的光线照射范围中上，以使所述光源的出射光进入所述积分球；
步骤S103、将多晶硅放置于光源与积分球之间的所述光路的第一位置，以使所述光源的出射光穿过所述多晶硅进入所述积分球。
根据本发明一优选实施例，所述方法还包括：
步骤S90、在所述光源至所述积分球的所述光路上设置第一反射镜、第二反射镜以及第三反射镜。
根据本发明一优选实施例，所述步骤S90包括：
步骤S901、将所述第一反射镜设置于所述光源的所述光路上，所述光路的光轴与所述第一反射镜呈45度；
步骤S902、将所述第二反射镜与所述第一反射镜相对设置，且互相平行；所述第二反射镜与所述第一反射镜的中心点在同一垂直线上；
步骤S903、将所述第三反射镜与所述第二反射镜进行对称设置。
根据本发明一优选实施例，所述第一反射镜、第二反射镜、第三反射镜均为镀银的平面反射镜，且三者具有相同的反射率。
根据本发明一优选实施例，所述积分球为一光接收器，根据输出的光电流计算光通量；所述积分球设有一圆形开口，所述积分球的开口圆心、球心以及所述第三反射镜的中心处于同一垂直线上。
根据本发明一优选实施例，所述第一穿透率与所述第二穿透率的测量顺序可以相互替换。
为实现上述目的，本发明还提供了一种测量多晶表面粗糙度硅粗糙度的装置，所述装置包括：
光源，所述光源的出射光为一单色光；
积分球，所述积分球放置于所述光源的光线照射范围中，以使所述光源的出射光进入所述积分球。
根据本发明一优选实施例，所述装置还包括：第一反射镜、第二反射镜以及第三反射镜；
所述第一反射镜设置于所述光源的所述光路上，所述光路的光轴与所述第一反射镜呈45度；
所述第二反射镜与所述第一反射镜相对设置，且互相平行；所述第二反射镜与所述第一反射镜的中心点在同一垂直线上；
所述第三反射镜与所述第二反射镜进行对称设置。
根据本发明一优选实施例，所述积分球为一光接收器，根据输出的光电流计算光通量；所述积分球设有一圆形开口，所述积分球的开口圆心、球心以及所述第三反射镜的中心处于同一垂直线上。
有益效果：相比现有技术提供的测量方法及装置，本发明在非晶硅经过准分子激光退火工艺处理后，不需要对多晶硅进行切片取样，使用所述测量方法及装置可对所述多晶硅薄膜的雾度进行直接测量，根据多晶硅雾度和粗糙度的数学关系得出多晶硅的表面粗糙度；本方案大大缩短测量时间、节约成本，并且可对多晶硅粗糙度进行实时监控。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一测量多晶硅粗糙度方法的流程图；
图2为本发明一实施例的测量多晶硅粗糙度方法的示意图；
图3为本发明一较佳实施例的测量多晶硅粗糙度方法的示意图；
图4为本发明一实施例的测量多晶硅粗糙度的装置结构示意图；
图5为本发明一较佳实施例的测量多晶硅粗糙度的装置结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有测量多晶硅粗糙度的方法，因其分析周期长、成本高等问题，提供了一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置，能够解决上述问题。
如图1所示，本发明提供了一种测量多晶硅粗糙度的方法，所述测量方法包括如下步骤：
步骤S10、将多晶硅放置于光源与积分球之间的光路的第一位置；
提供一光源101以及一积分球105，所述光源101的出射光为一波长为λ的单色光；将所述积分球105放置在所述光源101的光线照射范围中，以使所述光源101的出射光进入所述积分球105；将多晶硅放置于光源101与积分球105之间的所述光路的第一位置，以使所述光源101的出射光穿过所述多晶硅进入所述积分球105。
所述积分球105设有一圆形开口，所述积分球105的开口圆心、球心以及所述光源101的光轴处于同一水平线上；所述积分球105为光接收器，根据输出的光电流计算光通量；
所述积分球105为一个内壁涂有白色漫反射材料的空腔球体，球壁上开一个或几个窗孔，用作进光孔和放置光接收器件的接收孔；所述积分球105的内壁为良好的球面，球内壁上涂以理想的漫反射材料；所述漫反射材料为氧化镁或硫酸钡，将它和胶质粘合剂混合均匀后，喷涂在内壁上。
步骤S20、所述光源的出射光经过位于所述第一位置的所述多晶硅后进入所述积分球；
步骤S30、通过所述积分球测得所述多晶硅的第一穿透率Ts；
步骤S40、将所述多晶硅移动至所述光路的第二位置；
步骤S50、所述光源的出射光经过位于所述第二位置的所述多晶硅后进入所述积分球；
步骤S60、通过所述积分球测得所述多晶硅的第二穿透率Tt；
步骤S70、根据公式H＝(Tt-Ts)/Tt，计算得出所述多晶硅的雾度H；
步骤S80、根据公式H＝1-exp[-(4πRmsC|n0-n1|/λ)3]计算出所述多晶硅表面的粗糙度Rms，其中，n0为预定介质的折射率，n1为多晶硅的折射率，λ为波长，C为修正系数。
如图2a所示，将所述多晶硅放置于所述第一位置106，所述第一位置位于所述光源的所述光路上，且靠近所述光源101一侧；所述出射光在经过所述多晶硅时，由于光的散射，部分所述出射光将偏离原来的传播方向，无法进入所述积分球105；此时，通过所述积分球105测得所述多晶硅的第一穿透率Ts；
如图2b所示，当所述多晶硅位于所述第二位置107时，所述第二位置107与所述积分球105紧密相邻；所述出射光在经过所述多晶硅时，即使发生偏转，所述出射光依然能全部进入所述积分球105，通过所述积分球105测得所述多晶硅的第二穿透率Tt。
根据公式H＝(Tt-Ts)/Tt以及H＝1-exp[-(4πRmsC|n0-n1|/λ)3]可以直接计算出所述多晶硅表面的粗糙度。在本实施例中，n0为预定介质的折射率，n1为多晶硅的折射率，所述预定介质为所述光源、所述积分球、所述多晶硅所处的环境的介质，所述预定介质为空气、玻璃、透明塑料、水等中的任意一种。
在另一较佳实施例，所述方案还包括：
步骤S90、在所述光源至所述积分球的光路上设置第一反射镜、第二反射镜以及第三反射镜。
将所述第一反射镜202设置于所述光源201的光路上，所述光路的光轴与所述第一反射镜202呈45度；将所述第二反射镜203与所述第一反射镜202相对设置，且互相平行；所述第二反射镜203与所述第一反射镜202的中心点在同一垂直线上；将所述第三反射镜204与所述第二反射镜203进行对称设置；所述第三反射镜204正下方设有一积分球205，所述积分球205设有一圆形开口，所述积分球205的开口圆心、球心以及第三反射镜204中心处于同一垂直线上。
所述积分球205为一光接收器，根据输出的光电流计算光通量；所述积分球205设有一圆形开口，所述积分球205的开口圆心、球心以及所述第三反射镜204的中心处于同一垂直线上。
所述第一反射镜202、第二反射镜203、第三反射镜204均为镀银的平面反射镜，且三者具有相同的反射率。
如图3a所示，将所述多晶硅放置于所述第一反射镜202与所述第二反射镜203中间的第一位置206，所述出射光经过所述第一反射、多晶硅、第二反射镜203以及第三反射镜204后进入所述积分球205；由于光的散射，所述入射光经过多晶硅后将偏离原来的传播方向，无法进入所述积分球205；此时，通过所述积分球205测得所述光源201经过所述多晶硅的第一穿透率Ts；
如图3b所示，将所述多晶硅放置于所述积分球205顶端的第二位置207，所述第二位置207位于所述光源201的光路上，且靠近所述积分球205；所述出射光经过所述第一反射镜202、第二反射镜203、第三反射镜204以及多晶硅后进入所述积分球205，由于所述多晶硅与所述积分球205紧密相连，即使发生偏转，所述出射光依然能全部进入所述积分球205；通过所述积分球205测得所述光源201经过所述多晶硅的第二穿透率Tt。
根据公式H＝(Tt-Ts)/Tt以及H＝1-exp[-(4πRmsC|n0-n1|/λ)3]计算出多晶硅表面的粗糙度Rms；在本实施例中，n0为预定介质的折射率，n1为多晶硅的折射率，所述预定介质为所述光源、所述积分球、所述多晶硅所处的环境的介质，所述预定介质为空气、玻璃、透明塑料、水等中的任意一种，λ为波长，C为修正系数。
由于本发明的两个实施例只需要知道多晶硅的总穿透率Tt和没有偏离入射光的穿透率Ts，因此，所述第一穿透率与所述第二穿透率的测量顺序可以相互更替。
本方案不需要对多晶硅进行切片取样，使用所述测量方法可对所述多晶硅薄膜的雾度进行直接测量，根据多晶硅雾度和粗糙度的数学关系得出多晶硅的表面粗糙度；本方案结构简单、操作方便，大大缩短测量时间、节约成本，并且可对多晶硅粗糙度进行实时监控。
为解决上述问题，本发明还提供了一种测量多晶硅粗糙度的装置，所述装置包括：
光源301，所述光源301的出射光为一波长为λ的单色光；
积分球305，所述积分球305放置于所述光源301的光线照射范围中，以使所述光源301的出射光进入所述积分球305。
所述积分球305设有一圆形开口，所述积分球305的开口圆心、球心以及所述光源301的光轴处于同一水平线上；所述积分球305为光接收器，根据输出的光电流计算光通量；
所述积分球305为一个内壁涂有白色漫反射材料的空腔球体，球壁上开一个或几个窗孔，用作进光孔和放置光接收器件的接收孔；所述积分球305的内壁为良好的球面，球内壁上涂以理想的漫反射材料；所述漫反射材料为氧化镁或硫酸钡，将它和胶质粘合剂混合均匀后，喷涂在内壁上。
如图4所示，当所述多晶硅位于第一位置306时，所述第一位置306位于所述光源301的光路上，且靠近所述光源301一侧；所述出射光经过所述多晶硅，由于光的散射，部分所述出射光将偏离原来的传播方向，无法进入所述积分球305；此时，通过所述积分球305测得所述多晶硅的第一穿透率Ts；
当所述多晶硅位于所述第二位置307时，所述第二位置307位于所述光源301的光路上，且靠近所述积分球305；由于所述多晶硅与所述积分球305紧密相连，即使发生偏转，所述出射光依然能全部进入所述积分球305，通过所述积分球305测得所述多晶硅的第二穿透率Tt。
根据公式H＝(Tt-Ts)/Tt以及H＝1-exp[-(4πRmsC|n0-n1|/λ)3]可以直接计算出所述多晶硅表面的粗糙度。在本实施例中，n0为预定介质的折射率，n1为多晶硅的折射率，所述预定介质为所述光源、所述积分球、所述多晶硅所处的环境的介质，所述预定介质为空气、玻璃、透明塑料、水等中的任意一种，λ为波长，C为修正系数。在另一较佳实施例中，所述装置还包括：
第一反射镜402、第二反射镜403以及第三反射镜404；
所述第一反射镜402设置于所述光源401的光路上，所述光路的光轴与所述第一反射镜402呈45度；所述第二反射镜403与所述第一反射镜402相对设置，且互相平行；所述第二反射镜403与所述第一反射镜402的中心点在同一垂直线上；所述第三反射镜404与所述第二反射镜403进行对称设置。
所述积分球405为一光接收器，根据输出的光电流计算光通量；所述积分球405设有一圆形开口，所述积分球405的开口圆心、球心以及所述第三反射镜404的中心处于同一垂直线上。
如图5所示，将所述多晶硅放置于所述第一反射镜402与所述第二反射镜403中间的第一位置406，所述第一位置位于所述光源401的光路上；所述出射光经过所述第一反射、多晶硅、第二反射镜403以及第三反射镜404后进入所述积分球405；由于光的散射，所述入射光经过多晶硅后将偏离原来的传播方向，无法进入所述积分球405；此时，通过所述积分球405测得所述光源401经过所述多晶硅的第一穿透率Ts；
将所述多晶硅放置于所述积分球405顶端的第二位置407，所述第二位置407位于所述光源401的光路上，且靠近与所述积分球405；所述出射光经过所述第一反射镜402、第二反射镜403、第三反射镜404以及多晶硅后进入所述积分球405，由于所述多晶硅与所述积分球405紧密相连，即使发生偏转，所述出射光依然能全部进入所述积分球405；通过所述积分球405测得所述光源401经过所述多晶硅的第二穿透率Tt。
根据公式H＝(Tt-Ts)/Tt以及H＝1-exp[-(4πRmsC|n0-n1|/λ)3]计算出多晶硅表面的粗糙度Rms；在本实施例中，n0为预定介质的折射率，n1为多晶硅的折射率，所述预定介质为所述光源、所述积分球、所述多晶硅所处的环境的介质，所述预定介质为空气、玻璃、透明塑料、水等中的任意一种，λ为波长，C为修正系数。
综上所述，本发明提供了一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置，所述测量方法及装置所需要的光学***结构简单、易于操作；本发明在非晶硅经过准分子激光退火工艺处理后，不需要对所述多晶硅进行切片取样，使用所述测量方法及装置可对所述多晶硅薄膜的雾度进行直接测量，根据多晶硅薄膜雾度和粗糙度的数学关系得出多晶硅的表面粗糙度；本方案可大大缩短测量时间、节约成本，并且可对多晶硅粗糙度进行实时监控。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种测量多晶硅粗糙度的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S10、将多晶硅放置于光源与积分球之间的光路的第一位置；
步骤S20、所述光源的出射光经过位于所述第一位置的所述多晶硅后进入所述积分球；
步骤S30、通过所述积分球测得所述多晶硅的第一穿透率Ts；
步骤S40、将所述多晶硅移动至所述光路的第二位置；
步骤S50、所述光源的出射光经过位于所述第二位置的所述多晶硅后进入所述积分球；
步骤S60、通过所述积分球测得所述多晶硅的第二穿透率Tt；
步骤S70、根据公式H＝(Tt-Ts)/Tt，计算得出所述多晶硅的雾度H；
步骤S80、根据公式H＝1-exp[-(4πRmsC|n0-n1|/λ)3]计算出所述多晶硅表面的粗糙度Rms，其中，n0为预定介质的折射率，n1为多晶硅的折射率，λ为波长，C为修正系数。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S10包括：
步骤S101、提供一光源以及一积分球，所述光源的出射光为一单色光；
步骤S102、将所述积分球放置在所述光源的光线照射范围中，以使所述光源的出射光进入所述积分球；
步骤S103、将多晶硅放置于光源与积分球之间的所述光路的第一位置，以使所述光源的出射光穿过所述多晶硅进入所述积分球。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
步骤S90、在所述光源至所述积分球的所述光路上设置第一反射镜、第二反射镜以及第三反射镜。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤S90包括：
步骤S901、将所述第一反射镜设置于所述光源的所述光路上，所述光路的光轴与所述第一反射镜呈45度；
步骤S902、将所述第二反射镜与所述第一反射镜相对设置，且互相平行；所述第二反射镜与所述第一反射镜的中心点在同一垂直线上；
步骤S903、将所述第三反射镜与所述第二反射镜进行对称设置。
5.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述第一反射镜、第二反射镜、第三反射镜均为镀银的平面反射镜，且三者具有相同的反射率。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述积分球为一光接收器，根据输出的光电流计算光通量；所述积分球设有一圆形开口，所述积分球的开口圆心、球心以及所述第三反射镜的中心处于同一垂直线上。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一穿透率与所述第二穿透率的测量顺序可以相互替换。
8.一种测量多晶硅粗糙度的装置，其特征在于，包括：
光源，所述光源的出射光为一单色光；
积分球，所述积分球放置于所述光源的光线照射范围中，以使所述光源的出射光进入所述积分球。
9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
第一反射镜、第二反射镜以及第三反射镜；
所述第一反射镜设置于所述光源的所述光路上，所述光路的光轴与所述第一反射镜呈45度；
所述第二反射镜与所述第一反射镜相对设置，且互相平行；所述第二反射镜与所述第一反射镜的中心点在同一垂直线上；
所述第三反射镜与所述第二反射镜进行对称设置。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述积分球为一光接收器，根据输出的光电流计算光通量；所述积分球设有一圆形开口，所述积分球的开口圆心、球心以及所述第三反射镜的中心处于同一垂直线上。
CN201710447035.3A 2017-06-14 2017-06-14 一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置 Pending CN107388994A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710447035.3A CN107388994A (zh) 2017-06-14 2017-06-14 一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710447035.3A CN107388994A (zh) 2017-06-14 2017-06-14 一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107388994A true CN107388994A (zh) 2017-11-24

Family

ID=60333291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710447035.3A Pending CN107388994A (zh) 2017-06-14 2017-06-14 一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107388994A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112840175A (zh) * 2018-10-15 2021-05-25 成都频泰鼎丰企业管理中心（有限合伙） 用于透明或半透明材料曲面的测量***

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53124440A (en) * 1974-11-07 1978-10-30 Canon Inc Electrophotographic method
US4548506A (en) * 1979-12-26 1985-10-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Nondestructive analysis of multilayer roughness correlation
JP2012047732A (ja) * 2010-07-30 2012-03-08 Hoya Corp 透過率測定装置、フォトマスクの透過率検査装置、透過率検査方法、フォトマスク製造方法、パターン転写方法、フォトマスク製品
CN102519915A (zh) * 2011-12-28 2012-06-27 北京奥博泰科技有限公司 一种光伏玻璃光谱雾度的分光测量装置及测量方法
CN102565005A (zh) * 2010-12-24 2012-07-11 株式会社堀场制作所 光学测量装置和光学测量方法
CN103759675A (zh) * 2013-12-23 2014-04-30 中国兵器工业第五二研究所 一种用于光学元件非球面微结构的同步检测方法
JP2014185854A (ja) * 2013-03-21 2014-10-02 Shimadzu Corp 光学測定装置
JP2014215152A (ja) * 2013-04-25 2014-11-17 日本分光株式会社 積分球、および、反射光の測定方法
CN104704400A (zh) * 2012-10-01 2015-06-10 阿科玛法国公司 光学光漫射器及用于其测量的方法
CN104792282A (zh) * 2015-04-21 2015-07-22 中国科学院光电技术研究所 一种同时确定光学薄膜表面粗糙度、光学常数和厚度的方法
US20150260648A1 (en) * 2014-03-14 2015-09-17 Datacolor Holding Ag System and method for haze measurement
CN204666508U (zh) * 2015-05-06 2015-09-23 广州标际包装设备有限公司 一种透光率雾度测定仪

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53124440A (en) * 1974-11-07 1978-10-30 Canon Inc Electrophotographic method
US4548506A (en) * 1979-12-26 1985-10-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Nondestructive analysis of multilayer roughness correlation
JP2012047732A (ja) * 2010-07-30 2012-03-08 Hoya Corp 透過率測定装置、フォトマスクの透過率検査装置、透過率検査方法、フォトマスク製造方法、パターン転写方法、フォトマスク製品
CN102565005A (zh) * 2010-12-24 2012-07-11 株式会社堀场制作所 光学测量装置和光学测量方法
CN102519915A (zh) * 2011-12-28 2012-06-27 北京奥博泰科技有限公司 一种光伏玻璃光谱雾度的分光测量装置及测量方法
CN104704400A (zh) * 2012-10-01 2015-06-10 阿科玛法国公司 光学光漫射器及用于其测量的方法
JP2014185854A (ja) * 2013-03-21 2014-10-02 Shimadzu Corp 光学測定装置
JP2014215152A (ja) * 2013-04-25 2014-11-17 日本分光株式会社 積分球、および、反射光の測定方法
CN103759675A (zh) * 2013-12-23 2014-04-30 中国兵器工业第五二研究所 一种用于光学元件非球面微结构的同步检测方法
US20150260648A1 (en) * 2014-03-14 2015-09-17 Datacolor Holding Ag System and method for haze measurement
CN104792282A (zh) * 2015-04-21 2015-07-22 中国科学院光电技术研究所 一种同时确定光学薄膜表面粗糙度、光学常数和厚度的方法
CN204666508U (zh) * 2015-05-06 2015-09-23 广州标际包装设备有限公司 一种透光率雾度测定仪

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHIENCHUNG LIN, ET AL.: ""Modeling the haze of highly textured transparent conducting oxide"", 《2010 35TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE》 *
J. KRC, ET AL.: ""Effect of surface roughness of ZnO:Al films on light scattering in hydrogenated amorphous silicon solar cells"", 《THIN SOLID FILMS》 *
VINOD KANNIAH, ET AL.: ""The effects of surface roughness on low haze ultrathin nanocomposite films"", 《THIN SOLID FILMS》 *
侯海虹 等: ""测量薄膜微粗糙度的总积分散射仪"", 《中国激光》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112840175A (zh) * 2018-10-15 2021-05-25 成都频泰鼎丰企业管理中心（有限合伙） 用于透明或半透明材料曲面的测量***

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104880711B (zh) 单波长四拉曼激光雷达探测***及探测方法
CN104949689B (zh) 基于源头成像的激光垂准仪数字化校准方法及装置
CN101281289A (zh) 自动聚焦方法
KR20110055788A (ko) 레이저를 이용한 접합웨이퍼 검사방법
CN108080798A (zh) 一种激光同步双剥蚀***及其剥蚀方法
US20060279744A1 (en) Method for measuring thickness of thin film, method for forming polycrystal semiconductor thin film, method for manufacturing semiconductor device, apparatus for manufacturing the same, and method for manufacturing image display device
US7184132B2 (en) Inspection method and apparatus of laser crystallized silicons
KR20030015877A (ko) 레이저 어닐방법 및 레이저 어닐조건 결정장치
Tang et al. A new visibility measurement system based on a black target and a comparative trial with visibility instruments
JP2012528334A (ja) イオン注入ドーズ量を測定するための方法及び装置
CN107388994A (zh) 一种测量多晶硅粗糙度的方法及装置
Zhou et al. Testing and data reduction of the Chinese Small Telescope Array (CSTAR) for Dome A, Antarctica
Ko et al. Diagnostic development for current density profile control at KSTAR
CN103464900B (zh) 激光密封方法和***
CN204855669U (zh) 一种机载显示器光电参数自动测量装置
TW200407593A (en) Laser irradiation method
WO2011062453A2 (ko) 레이저를 이용한 접합웨이퍼 검사 장치
WO2014107896A1 (zh) 一种显示面板的闪烁度测量装置及***
CN208026654U (zh) 一种可变光路的光学显微镜检测设备
CN106813895A (zh) 棱镜透过率的测试***和测试方法
JP4260555B2 (ja) 光学結晶内局所構造判定方法
WO2008026862A1 (en) Upper substrate, liquid crystal panel using the same and manufacturing method thereof
US20100197050A1 (en) Method of forming semiconductor thin film and inspection device of semiconductor thin film
Kleine et al. A dark field-type Schlieren microscope for quantitative, in situ mapping of solute concentration profiles around growing crystals
CN207689763U (zh) 一种提高激光输出能量分布均匀性的装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171124

RJ01 Rejection of invention patent application after publication