CN107263303A - 示教***、示教方法、清洗装置、存储介质及维护套件 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 191
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 209
- 230000011664 signaling Effects 0.000 claims abstract description 62
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 133
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 51
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 5
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 5
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 4
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000873785 Homo sapiens mRNA-decapping enzyme 1A Proteins 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 102100035856 mRNA-decapping enzyme 1A Human genes 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000037237 body shape Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000036651 mood Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
- B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02041—Cleaning
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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Abstract
示教装置包括:臂侧位置传感器,该臂侧位置传感器安装于臂,并发送位置信号;虚设晶片,该虚设晶片载置于载物台上;虚设晶片侧位置传感器,该虚设晶片侧位置传感器安装于虚设晶片;以及信号接收部,该信号接收部接收到来自臂侧位置传感器的位置信号而求出臂侧位置传感器的位置坐标,并接收到来自虚设晶片侧位置传感器的位置信号而求出虚设晶片侧位置传感器的位置坐标。控制部根据虚设晶片侧位置传感器的位置坐标算出当臂对晶片进行把持时的臂侧位置传感器的位置坐标,并且,所述控制部以臂侧位置传感器朝算出的位置坐标移动的方式使臂移动。
Description
技术领域
本发明涉及对把持晶片的一对臂进行示教的示教装置及示教方法。
背景技术
近年来,随着半导体设备的高集成化发展,电路的配线不断细微化,配线间距离也进一步变得狭小。在半导体设备的制造中,较多种类的材料呈膜状地反复形成于硅晶片上,形成层叠结构。为了形成该层叠结构,使晶片的表面变得平坦的技术是重要的。作为这种使晶片的表面平坦化的一手段,广泛地使用了进行化学机械研磨(CMP)的研磨装置(也称为化学机械研磨装置)。
该化学机械研磨(CMP)装置一般包括:研磨台,该研磨台安装有研磨垫;顶环,该顶环保持晶片;以及喷嘴,该喷嘴将研磨液供给至研磨垫上。一边将研磨液从喷嘴供给至研磨垫上,一边利用顶环将晶片按压于研磨垫,此外还使顶环和研磨台相对移动,从而对晶片进行研磨以使该晶片的表面变得平坦。
除了上述CMP装置之外,基板处理装置还具有对研磨后的晶片进行清洗并进一步使该晶片干燥的功能的装置。在上述基板处理装置中,要求缩短其起动时间及维护时间。然而,在现有的基板处理装置中,在利用能打开关闭的一对臂对晶片进行把持并加以搬运的情况下,人们必须进行向该机械机构指示晶片的位置的作业(示教作业),在起动时、维护时需要较多的时间。另外,也存在因进行示教作业的作业员的经验、技能而导致正确性产生偏差这样的问题。
然而,在日本专利特开2005-123261号公报中,提出了一种向具有Y字形状的机械手的自动装置指示晶片的位置的装置。然而,向利用能打开关闭的一对臂对晶片进行把持并加以搬运的机械机构指示晶片的位置的装置并不是已知的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能在短时间内、且以正确性不产生偏差的方式向利用可打开关闭的一对臂对晶片进行把持并加以搬运的机械机构指示晶片的位置的示教装置及示教方法。
一技术方案的示教***包括:
载物台,该载物台供晶片载置;
一对臂,该一对臂对所述晶片进行把持,且能打开关闭;
臂移动机构,该臂移动机构使所述一对臂相对于所述载物台进行移动;
控制部,该控制部对所述臂移动机构的动作进行控制;
臂侧位置传感器,该臂侧位置传感器安装于所述一对臂,并发送位置信号;
虚设晶片,该虚设晶片载置于所述载物台上;
虚设晶片侧位置传感器,该虚设晶片侧位置传感器安装于所述虚设晶片,并发送位置信号;以及
信号接收部,该信号接收部接收来自所述臂侧位置传感器的位置信号而求出所述臂侧位置传感器的位置坐标,并接收来自所述虚设晶片侧位置传感器的位置信号而求出所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标,
所述控制部根据所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标算出当所述一对臂对所述晶片进行把持时的所述臂侧位置传感器的位置坐标,并且,所述控制部以所述臂侧位置传感器朝算出的位置坐标移动的方式,一边确认基于所述臂侧位置传感器的位置信号求出的所述臂侧位置传感器的位置坐标,一边控制所述臂移动机构的动作而使所述一对臂移动。
一技术方案的示教方法包括:
接收来自在载置于载物台上的虚设晶片安装的虚设晶片侧位置传感器的位置信号、并求出所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标的步骤;
接收来自在一对臂安装的臂侧位置传感器的位置信号、并求出所述臂侧位置传感器的位置坐标的步骤;
根据所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标算出当所述一对臂对所述晶片进行把持时的所述臂侧位置传感器的位置坐标的步骤;以及
以所述臂侧位置传感器朝算出的位置坐标移动的方式使所述一对臂移动的步骤。
一技术方案的清洗装置包括:
载物台,该载物台供晶片载置;
清洗机构,该清洗机构对所述载物台上的晶片进行清洗;
一对臂,该一对臂对所述晶片进行把持,且能打开关闭;
臂移动机构,该臂移动机构使所述一对臂相对于所述载物台进行移动;
控制部,该控制部对所述臂移动机构的动作进行控制;
臂侧位置传感器,该臂侧位置传感器安装于所述一对臂,并发送位置信号;
虚设晶片,该虚设晶片载置于所述载物台上;
虚设晶片侧位置传感器,该虚设晶片侧位置传感器安装于所述虚设晶片,并发送位置信号;以及
信号接收部,该信号接收部接收来自所述臂侧位置传感器的位置信号而求出所述臂侧位置传感器的位置坐标,并接收来自所述虚设晶片侧位置传感器的位置信号而求出所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标,
所述控制部根据所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标算出当所述一对臂对所述晶片进行把持时的所述臂侧位置传感器的位置坐标,并且,所述控制部以所述臂侧位置传感器朝算出的位置坐标移动的方式控制所述臂移动机构的动作而使所述一对臂移动。
一技术方案的存储介质,非暂时性(non-transitory)地存储程序,
所述程序使计算机执行:
接收来自在载置于载物台上的虚设晶片安装的虚设晶片侧位置传感器的位置信号、并求出所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标的步骤;
接收来自在一对臂安装的臂侧位置传感器的位置信号、并求出所述臂侧位置传感器的位置坐标的步骤;
根据所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标算出当所述一对臂对所述晶片进行把持时的所述臂侧位置传感器的位置坐标的步骤;以及
以所述臂侧位置传感器朝算出的位置坐标移动的方式使所述一对臂移动的步骤。
一技术方案的维护套件包括:
臂侧位置传感器,该臂侧位置传感器安装于一对臂,并发送位置信号;
虚设晶片,该虚设晶片载置于载物台上;
虚设晶片侧位置传感器,该虚设晶片侧位置传感器安装于所述虚设晶片,并发送位置信号;以及
信号接收部,该信号接收部接收来自所述臂侧位置传感器的位置信号而求出所述臂侧位置传感器的位置坐标,并接收来自所述虚设晶片侧位置传感器的位置信号而求出所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标。
附图说明
图1是表示一实施方式的基板处理装置的整体结构的俯视图。
图2是从清洗部侧观察到图1所示的基板处理装置的侧视图。
图3是表示图1所示的清洗部的第一晶片工位的内部结构的分解立体图。
图4是表示图1所示的清洗部的第一清洗单元的清洗部搬运机构的立体图。
图5A是用于对图4所示的清洗部搬运机构的第二晶片把持机构的动作进行说明的示意图。
图5B是用于对图4所示的清洗部搬运机构的第二晶片把持机构的动作进行说明的示意图。
图5C是用于对图4所示的清洗部搬运机构的第二晶片把持机构的动作进行说明的示意图。
图5D是用于对图4所示的清洗部搬运机构的第二晶片把持机构的动作进行说明的示意图。
图5E是用于对图4所示的清洗部搬运机构的第二晶片把持机构的动作进行说明的示意图。
图6A是用于对第一清洗单元的动作进行说明的示意图。
图6B是用于对第一清洗单元的动作进行说明的示意图。
图6C是用于对第一清洗单元的动作进行说明的示意图。
图6D是用于对第一清洗单元的动作进行说明的示意图。
图6E是用于对第一清洗单元的动作进行说明的示意图。
图6F是用于对第一清洗单元的动作进行说明的示意图。
图7是表示示教装置的俯视图。
图8是表示图7所示的示教装置的动作的流程图。
图9A是用于对根据偏离量调节臂的位置的动作的一例进行说明的示意图。
图9B是用于对根据偏离量调节臂的位置的动作的一例进行说明的示意图。
图10A是用于对根据偏离量调节臂的位置的动作的一例进行说明的示意图。
图10B是用于对根据偏离量调节臂的位置的动作的一例进行说明的示意图。
图11A是用于对根据偏离量调节臂的位置的动作的一例进行说明的示意图。
图11B是用于对根据偏离量调节臂的位置的动作的一例进行说明的示意图。
具体实施方式
以下,对实施方式进行说明。另外,在以下的说明及以下的说明中使用的附图中,对于能相同地构成的部分使用相同的符号,并省略重复的说明。
一技术方案的示教***包括:
载物台,该载物台供晶片载置;
一对臂,该一对臂对所述晶片进行把持,且能打开关闭;
臂移动机构,该臂移动机构使所述一对臂相对于所述载物台进行移动;
控制部,该控制部对所述臂移动机构的动作进行控制;
臂侧位置传感器,该臂侧位置传感器安装于所述一对臂,并发送位置信号;
虚设晶片,该虚设晶片载置于所述载物台上;
虚设晶片侧位置传感器,该虚设晶片侧位置传感器安装于所述虚设晶片,并发送位置信号;以及
信号接收部,该信号接收部接收来自所述臂侧位置传感器的位置信号而求出所述臂侧位置传感器的位置坐标,并接收来自所述虚设晶片侧位置传感器的位置信号而求出所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标,
所述控制部根据所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标算出当所述一对臂对所述晶片进行把持时的所述臂侧位置传感器的位置坐标,并且,所述控制部以所述臂侧位置传感器朝算出的位置坐标移动的方式,一边确认基于所述臂侧位置传感器的位置信号求出的所述臂侧位置传感器的位置坐标,一边控制所述臂移动机构的动作而使所述一对臂移动。
根据上述示教装置,信号接收部接收到来自臂侧位置传感器的位置信号而求出臂侧位置传感器的位置坐标,并接收到来自虚设晶片侧位置传感器的位置信号而求出虚设晶片侧位置传感器的位置坐标。此外,控制部根据虚设晶片侧位置传感器的位置坐标算出当一对臂对晶片进行把持时的臂侧位置传感器的位置坐标,并且,控制部以臂侧位置传感器朝算出的位置坐标移动的方式,一边确认由臂侧位置传感器的位置信号求出的臂侧位置传感器的位置坐标,一边控制臂移动机构的动作而使一对臂移动。藉此,人们不用进行一边通过目视对载物台上的晶片的位置进行确认、一边将一对臂引导至该位置这样的繁杂的作业,就能使一对臂自动地移动至载物台上的晶片的位置。因此,能显著地缩短示教作业所需的时间,并能防止对其作业的正确性产生偏差。
上述示教***也可以采用以下结构:所述示教***还包括靠近传感器,该靠近传感器安装于所述一对臂及所述虚设晶片中的任一方或两方,并输出所述一对臂相对于所述虚设晶片的靠近量,
所述控制部在使所述一对臂以所述臂侧位置传感器朝所述算出的位置坐标移动的方式移动之后,所述控制部控制所述臂移动机构的动作而对所述一对臂的位置进行调节,以使所述靠近量接近预先确定的值。
根据上述形态,能以比位置传感器的测定精度更细致的精度进行示教作业。
在上述示教装置中,也可以采用以下结构:在所述一对臂处安装有多个所述臂侧位置传感器。
根据上述形态,通过接收到来自各臂侧位置传感器的位置信号而分别求出各臂侧位置传感器的位置坐标,并将求出的位置坐标彼此进行比较,从而能在一对臂的组装存在不良的情况下发现该问题。
在上述示教装置中,也可以采用以下结构:所述臂侧位置传感器及所述虚设晶片侧位置传感器是三维位置传感器。
根据上述形态,能沿着三维空间的所有方向在短时间内、且以正确性不产生偏差的方式进行示教作业。
一技术方案的示教方法包括:
接收来自在载置于载物台上的虚设晶片安装的虚设晶片侧位置传感器的位置信号、并求出所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标的步骤;
接收来自在一对臂安装的臂侧位置传感器的位置信号、并求出所述臂侧位置传感器的位置坐标的步骤;
根据所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标算出当所述一对臂对所述晶片进行把持时的所述臂侧位置传感器的位置坐标的步骤;以及
以所述臂侧位置传感器朝算出的位置坐标移动的方式使所述一对臂移动的步骤。
根据上述示教方法,信号接收部接收到来自臂侧位置传感器的位置信号而求出一对臂侧位置传感器的位置坐标,并接收到来自虚设晶片侧位置传感器的位置信号而求出虚设晶片侧位置传感器的位置坐标。此外,根据虚设晶片侧位置传感器的位置坐标算出当一对臂对晶片进行把持时的臂侧位置传感器的位置坐标,并且,以臂侧位置传感器朝算出的位置坐标移动的方式使一对臂移动。藉此,人们不用进行一边通过目视对载物台上的晶片的位置进行确认、一边将一对臂引导至该位置这样的繁杂的作业,就能使一对臂移动至晶片的位置。因此,能显著地缩短示教作业所需的时间,并能防止对其作业的正确性产生偏差。
上述示教方法也可以采用以下结构:所述示教方法还包括以下步骤:在以所述臂侧位置传感器朝所述算出的位置坐标移动的方式使所述一对臂移动之后,由安装于所述一对臂及所述虚设晶片中的任意一方或两方的靠近传感器取得所述一对臂相对于所述虚设晶片的靠近量,并对所述一对臂的位置进行调节,以使所述靠近量接近预先确定的值。
根据上述形态,能以比位置传感器的测定精度更细致的精度进行示教作业。
在上述示教方法中,也可以采用以下结构:在所述一对臂处安装有多个所述臂侧位置传感器。
根据上述形态,通过接收到来自各臂侧位置传感器的位置信号而分别求出各臂侧位置传感器的位置坐标,并将求出的位置坐标彼此进行比较,从而能在一对臂的组装存在不良的情况下发现该问题。
在上述示教方法中,也可以采用以下结构:所述臂侧位置传感器及所述虚设晶片侧位置传感器是三维位置传感器。
根据上述形态,能沿着三维空间的所有方向在短时间内、且以正确性不产生偏差的方式进行示教作业。
一技术方案的清洗装置包括:
载物台,该载物台供晶片载置;
清洗机构,该清洗机构对所述载物台上的晶片进行清洗;
一对臂,该一对臂对所述晶片进行把持,且能打开关闭;
臂移动机构,该臂移动机构使所述一对臂相对于所述载物台进行移动;
控制部,该控制部对所述臂移动机构的动作进行控制;
臂侧位置传感器,该臂侧位置传感器安装于所述一对臂,并发送位置信号;
虚设晶片,该虚设晶片载置于所述载物台上;
虚设晶片侧位置传感器,该虚设晶片侧位置传感器安装于所述虚设晶片,并发送位置信号;以及
信号接收部,该信号接收部接收来自所述臂侧位置传感器的位置信号而求出所述臂侧位置传感器的位置坐标,并接收来自所述虚设晶片侧位置传感器的位置信号而求出所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标,
所述控制部根据所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标算出当所述一对臂对所述晶片进行把持时的所述臂侧位置传感器的位置坐标,并且,所述控制部以所述臂侧位置传感器朝算出的位置坐标移动的方式控制所述臂移动机构的动作而使所述一对臂移动。
一技术方案的存储介质,非暂时性(non-transitory)地存储程序,
所述程序使计算机执行:
接收来自在载置于载物台上的虚设晶片安装的虚设晶片侧位置传感器的位置信号、并求出所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标的步骤;
接收来自在一对臂安装的臂侧位置传感器的位置信号、并求出所述臂侧位置传感器的位置坐标的步骤;
根据所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标算出当所述一对臂对所述晶片进行把持时的所述臂侧位置传感器的位置坐标的步骤;以及
以所述臂侧位置传感器朝算出的位置坐标移动的方式使所述一对臂移动的步骤。
一技术方案的维护套件包括:
臂侧位置传感器,该臂侧位置传感器安装于一对臂,并发送位置信号;
虚设晶片,该虚设晶片载置于载物台上;
虚设晶片侧位置传感器,该虚设晶片侧位置传感器安装于所述虚设晶片,并发送位置信号;以及
信号接收部,该信号接收部接收来自所述臂侧位置传感器的位置信号而求出所述臂侧位置传感器的位置坐标,并接收来自所述虚设晶片侧位置传感器的位置信号而求出所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标。
<基板处理装置>
图1是表示使用一实施方式的示教装置的基板处理装置的整体结构的俯视图,图2是从清洗部侧观察到图1所示的研磨装置的侧视图。如图1及图2所示,本实施方式的基板处理装置10包括俯视观察时呈大致矩形的外壳,外壳的内部被隔壁划分为加载/卸载部11、研磨部12、清洗部13及搬运部14。上述加载/卸载部11、研磨部12、清洗部13及搬运部14分别独立地组装,并独立地被排气。另外,在基板处理装置10中设有控制部15(也称为控制盘),该控制部15对加载/卸载部11、研磨部12、清洗部13及搬运部14的动作进行控制。
加载/卸载部11包括多个(图示的例子中为四个)前加载部113,在前加载部113载置对多个晶片(基板)W进行储存的晶片盒。上述前加载部113在基板处理装置10的宽度方向(与长度方向垂直的方向)上相邻排列。在前加载部113能搭载开放盒、SMIF(StandardManufacturing Interface:标准制造界面)盒、或者FOUP(Front Opening Unified Pod:前开式晶片盒)。此处,SMIF、FOUP是在内部收纳晶片盒、并用隔壁覆盖而能保持与外部空间独立的环境的密闭容器。
另外,在加载/卸载部11沿着前加载部113的排列方向敷设有行进机构112,在该行进机构112上设置有能沿着前加载部113的排列方向移动的搬运用自动装置111。搬运用自动装置111能通过在行进机构112上移动而对搭载于前加载部113的晶片盒进行存取。
搬运部14是将研磨前的晶片从加载/卸载部11朝研磨部12搬运的区域,搬运部14被设成沿着基板处理装置10的长度方向延伸。在本实施方式中,搬运部14具有滑动载物台(未图示)以及载物台移动机构(未图示),该滑动载物台对晶片W进行保持,该载物台移动机构使滑动载物台沿着长度方向直线移动。
其中,在滑动载物台的外周部以朝上突出的方式设有四根销。由加载/卸载部11的搬运用自动装置111载放于滑动载物台上的晶片W在其外周缘被四根销引导而定位的状态下支承于滑动载物台上。上述销由聚丙烯(PP)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、聚丙烯醚酮(PEEK)等树脂形成。
作为载物台移动机构,例如采用使用了滚珠丝杠的电动机驱动机构或气缸。在使用无杆气缸作为载物台移动机构的情况下,能防止从滑动部发出的扬尘,因此,是较为理想的。滑动载物台固定于载物台移动机构的可动部分,并利用从载物台移动机构施加来的动力而沿着长度方向直线移动。
研磨部12是进行晶片W研磨的区域,该研磨部12包括第一研磨单元20a、第二研磨单元20b、以及研磨部搬运机构22,第一研磨单元20a具有第一研磨装置21a和第二研磨装置21b,第二研磨单元20b具有第三研磨装置21c和第四研磨装置21d,研磨部搬运机构22被配置成与搬运部14和第一研磨单元20a及第二研磨单元20b的各个研磨单元相邻。研磨部搬运机构22在基板处理装置10的宽度方向上配置于搬运部14与第一研磨单元20a及第二研磨单元20b之间。
第一研磨装置21a、第二研磨装置21b、第三研磨装置21c及第四研磨装置21d沿着基板处理装置10的长度方向排列。第一研磨装置21a、第二研磨装置21b、第三研磨装置21c及第四研磨装置21d分别具有研磨台(未图示)、顶环(未图示)、研磨液供给喷嘴(未图示)、修整器(未图示)以及雾化器(未图示),该研磨台安装有具有研磨面的研磨垫,该顶环用于保持晶片W,且该顶环一边将晶片W按压于研磨台上的研磨垫,一边对该晶片W进行研磨,该研磨液供给喷嘴用于朝研磨垫供给研磨液(也称为浆料)、修整液(例如纯水),该修整器用于对研磨垫的研磨面进行修整,该雾化器将液体(例如纯水)和气体(例如氮气)的混合气体或液体(例如纯水)变成雾状并喷射至研磨面。
第一研磨装置21a的顶环因顶环头的摆动动作而在研磨位置与第一基板搬运位置TP1之间移动,在第一基板搬运位置TP1处进行晶片向第一研磨装置21a的交接。同样地,第二研磨装置21b的顶环因顶环头的摆动动作而在研磨位置与第二基板搬运位置TP2之间移动,在第二基板搬运位置TP2处进行晶片向第二研磨装置21b的交接,第三研磨装置21c的顶环因顶环头的摆动动作而在研磨位置与第三基板搬运位置TP3之间移动,在第三基板搬运位置TP3处进行晶片向第三研磨装置21c的交接,第四研磨装置21d的顶环因顶环头的摆动动作而在研磨位置与第四基板搬运位置TP4之间移动,在第四基板搬运位置TP4处进行晶片向第四研磨装置21d的交接。
研磨部搬运机构22具有第一搬运单元24a、第二搬运单元24b、以及搬运用自动装置23,第一搬运单元24a将晶片W搬运至第一研磨单元20a,第二搬运单元24b将晶片W搬运至第二研磨单元20b,搬运用自动装置23配置于第一搬运单元24a与第二搬运单元24b之间,并在搬运部14与第一搬运单元24a及第二搬运单元24b之间进行晶片的交接。在图示的例子中,搬运用自动装置23配置于基板处理装置10的外壳的大致中央。从搬运部14连续地搬运至研磨部12的晶片W被搬运用自动装置23分配到第一搬运单元24a及第二搬运单元24b。
交接至第一搬运单元24a的晶片被搬运至第一研磨装置21a或第二研磨装置21b而加以研磨。然后,在第一研磨装置21a或第二研磨装置21b中研磨后的晶片通过第一搬运单元24a而返回至搬运用自动装置23。同样地,交接至第二搬运单元24b的晶片被搬运至第三研磨装置21c或第四研磨装置21d而加以研磨。然后,在第三研磨装置21c或第四研磨装置21d中研磨后的晶片通过第二搬运单元24b而返回至搬运用自动装置23。搬运用自动装置23将从第一搬运单元24a及第二搬运单元24b接收到的晶片朝清洗部13搬运。
清洗部13是对研磨后的晶片进行清洗的区域,并具有配置于上下两段的第一清洗单元30a及第二清洗单元30b。上述搬运部14配置于第一清洗单元30a与第二清洗单元30b之间。第一清洗单元30a、搬运部14及第二清洗单元30b被排列成在上下方向上重叠,因此,能获得占用空间较小这样的优点。
如图2所示,第一清洗单元30a具有:多个(图示的例子中为四个)清洗组件311a、312a、313a、314a;晶片工位33a;以及清洗部搬运机构32a,清洗部搬运机构32a在各清洗组件311a~314a与晶片工位33a之间搬运晶片W。多个清洗组件311a~314a和晶片工位33a配置成沿着基板处理装置10的长度方向呈直线排列。
同样地,第二清洗单元30b具有:多个(图示的例子中为四个)清洗组件311b、312b、313b、314b;晶片工位33b;以及清洗部搬运机构32b,清洗部搬运机构32b在各清洗组件311b~314b与晶片工位33b之间搬运晶片W。多个清洗组件311b~314b和晶片工位33配置成沿着基板处理装置10的长度方向呈直线排列。
图3是表示第一清洗单元30a的晶片工位33a的内部结构的分解立体图。如图3所示,晶片工位33a具有箱体71、载物台72、以及驱动机构75,箱体71呈大致长方体形状,载物台72配置于箱体71的内部,并对晶片W进行保持,驱动机构75使载物台72上下移动。
其中,箱体71具有底面部、四个侧面板及顶面板。如图3所示,在四个侧面板中的与研磨部12相对的侧面板的下端部形成有与研磨部12连通的搬入口73。能利用未图示的闸门打开关闭搬入口73。研磨部12的搬运用自动装置23能从搬入口73对箱体71的内侧进行存取。
另外,如图3所示,在四个侧面板中的其余三个侧面板(即,与后述的第一清洗部搬运机构32a相对的侧面板及左右的侧面板)的比搬入口73高的高度位置形成有用于供清洗部搬运机构32a的臂通过的臂通过用开口74。能利用未图示的闸门打开关闭晶片搬运用开口74。如图3所示,第一清洗单元30a的清洗部搬运机构32a能从臂通过用开口74对箱体71的内侧进行存取。
作为驱动机构75,例如采用使用了滚珠丝杠的电动机驱动机构或气缸。载物台72固定于驱动机构75的可动部,并利用从驱动机构75施加来的动力在与搬入口73相对的高度位置和与晶片搬运用开口74相对的高度位置之间上下移动。
在载物台72的外周部以朝上突出的方式设有四根销76。因此,载放于载物台72上的晶片W在其外周缘被四根销76引导而定位的状态下支承于载物台72上。上述销76由聚丙烯(PP)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、聚丙烯醚酮(PEEK)等树脂形成。
第二清洗单元30b的结构也与第一清洗单元30a的结构相同,因此,省略说明。
第二清洗单元30b的清洗组件311b~314b具有与第一清洗单元30a的清洗组件311a~314a相同的结构,因此,以下,对第一清洗单元30a的清洗组件311a~314a进行说明。
如图2所示,四个清洗组件311a~314a(以下有时称为一次~四次清洗组件)配置成从晶片工位33a起依次呈直线排列。各清洗组件311a~314a分别具有未图示的清洗机和将该清洗机盖住的箱体91(参照图5A~图5E)。
作为一次清洗组件311a及二次清洗组件312a的清洗机,例如能使用使上下配置的辊状的海绵旋转并将该海绵按压于晶片的表面及背面而对晶片的表面及背面进行清洗的辊型的清洗机。另外,作为三次清洗组件313a的清洗机,例如能使用使半球状的海绵旋转并将该海绵按压于晶片而进行清洗的笔型的清洗机。作为四次清洗组件314a的清洗机,例如,晶片的背面可进行漂洗清洗,晶片表面的清洗能使用使半球状的海绵旋转并将该海绵按压于晶片表面来对晶片表面进行清洗的笔型的清洗机。该四次清洗组件314a的清洗机包括使夹住的晶片高速旋转的载物台,并具有通过使晶片高速旋转而使清洗后的晶片干燥的功能(旋转干燥功能)。另外,在各清洗组件311a~314a的清洗机中,除了上述辊型的清洗机和笔型的清洗机之外,也可以附加地设置对清洗液施加超声波来进行清洗的兆声波型的清洗机。
第二清洗单元30b的清洗部搬运机构32b具有与第一清洗单元30a的清洗部搬运机构32a相同的结构,因此,以下,对第一清洗单元30a的清洗部搬运机构32a进行说明。
图4是表示第一清洗单元30a的清洗部搬运机构33a的立体图。如图4所示,清洗部搬运机构32a具有:分别对晶片W进行把持的第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602;以及臂搬运机构62,臂搬运机构62使第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602沿着多个清洗组件311a~314a的排列方向直线移动。即,在本实施方式中,晶片把持机构601、602的数量比清洗组件311a~314a的数量少。
在本实施方式中,能根据例如晶片W的清洁度而分开使用第一晶片把持机构601和第二晶片把持机构602。例如,在一次~四次清洗组件311a~314a中的清洗处理前半期的一次清洗组件311a及二次清洗组件312a中,使用第一晶片把持机构601,在清洗处理后半期的三次清洗组件313a及四次清洗组件314a中,使用第二晶片把持机构602,从而能防止清洗处理后半期的晶片W与第一晶片把持机构601接触而被污染。
更详细而言,第一晶片把持机构601具有一对第一臂611、第一上下移动机构641、第一转动机构631、以及第一开闭机构661,一对第一臂611能对晶片进行把持且能打开关闭,第一上下移动机构641使一对第一臂611上下移动,第一转动机构631使一对第一臂611以与开闭方向平行的转动轴631A为中心进行转动,第一开闭机构661使一对第一臂611在彼此靠近的方向或者彼此分离的方向上打开关闭。
同样地,第二晶片把持机构602具有一对第二臂612、第二上下移动机构642、第二转动机构632、以及第二开闭机构662,一对第二臂612能对晶片进行把持且能打开关闭,第二上下移动机构642使一对第二臂612上下移动,第二转动机构632使一对第二臂612以与开闭方向平行的转动轴632A为中心进行转动,第二开闭机构662使一对第二臂612在彼此靠近的方向或者彼此分离的方向上打开关闭。
作为机械手移动机构62,例如采用使用了滚珠丝杠的电动机驱动机构。机械手搬运机构62的滚珠丝杠以在清洗组件311a~314a的排列方向上延伸的方式设于清洗组件311a~314a的上方。
接着,参照图5A~图5E,对一对第二臂612的动作的一例进行说明。如上所述,各清洗组件由箱体91划分成在晶片W的清洗中不使使用流体飞散至外部,在箱体91的侧面形成有臂通过用开口94。在臂通过用开口94处设有能打开关闭的闸门97。
在从箱体91取出清洗后的晶片的情况下,如图5A所示,前端朝向上方的一对第二臂612通过臂搬运机构62的驱动而朝与箱体91相邻的待机位置移动。在本实施方式中,即便箱体91的闸门97关闭,通过使一对第二臂612的前端朝向上方,也能使一对第二臂612朝与箱体91相邻的待机位置移动。因此,能使晶片取出作业的开始时间点提前,并能提高工艺整体的生产量。
接着,如图5B及图5C所示,通过第二转动机构632的驱动使一对第二臂612以转动轴632A为中心进行转动。在图示的例子中,一对第二臂612在侧视观察时以转动轴632A为中心顺时针旋转90°,一对第二臂612的前端朝向横向。
接着,如图5D所示,通过第二上下驱动机构642的驱动使一对第二臂612上升至与臂通过用开口94相同的高度位置。此时,闸门97退避而打开臂通过用开口94。
接着,如图5E所示,通过第二开闭机构662的驱动,一对第二臂612朝彼此靠近的方向关闭,并穿过臂通过用开口94而***至箱体91内侧,并对箱体91内的晶片W进行把持。然后,把持晶片W的一对第二臂612通过臂搬运机构32的驱动而朝下个清洗组件移动。
在将清洗前的晶片W搬入至箱体91的情况下,以相反的顺序进行图5A~图5E所示的上述动作。即,如图5E所示,把持晶片W的一对第二臂612通过臂搬运机构32的驱动穿过臂通过用开口94而移动至箱体91内侧。
接着,如图5D所示,通过第二开闭机构662的驱动,一对第二臂612朝彼此分离的方向打开,并穿过臂通过用开口94而移动至箱体91的外侧。
接着,如图5C所示,通过第二上下驱动机构642的驱动,一对第二臂612下降至比臂通过用开口94低的高度位置。此时,臂通过用开口94被闸门97关闭,箱体91的内侧开始晶片W的清洗处理。
接着,如图5B及图5A所示,通过第二转动机构632的驱动使一对第二臂612以转动轴632A为中心进行转动。在图示的例子中,一对第二臂612在侧视观察时以转动轴632A为中心逆时针旋转90°,一对第二臂612的前端朝向上方。然后,前端朝向上方的一对第二臂612通过臂搬运机构32的驱动而朝下个清洗组件移动。在本实施方式中,当第二转动机构632使一对第二臂612以前端朝向上方的方式转动时,第二上下移动机构642使一对第二臂612下降,因此,能在一对第二臂612的上方削减所需的空间。
接着,对使用由上述结构构成的清洗部13清洗晶片W的处理的一例进行说明。在本实施方式中,从研磨部12搬运至清洗部13的晶片W被搬运用自动装置23分配至第一清洗单元30a及第二清洗单元30b,并在第一清洗单元30a及第二清洗单元30b处并行地被清洗。因此,能提高工艺整体的生产量。
第二清洗单元30b中的晶片清洗处理与第一清洗单元30a中的晶片清洗处理相同,因此,以下,对第一清洗单元30a中的晶片清洗处理进行说明。
如图6A所示,首先,在一对第一臂611及一对第二臂612的前端分别朝向上方的状态下,通过机械手搬运机构62的驱动,第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602沿着第一清洗组件311a~314a的排列方向移动,一对第一臂611在与第一晶片工位33a相邻的待机位置处静止。然后,通过第一转动机构631的驱动,一对第一臂611以转动轴631A为中心进行转动,一对第一臂611的前端朝向横向。在第一晶片工位33a的闸门退避而打开臂通过用开口74之后,一对第一臂611穿过臂通过用开口74而***至第一晶片工位33a的内侧,对保持于载物台72上的晶片W进行把持。在晶片W把持于一对第一臂611之后,载物台72退避至下方。
接着,如图6B所示,在一次清洗组件311a的闸门97退避而打开臂通过用开口94之后,通过机械手搬运机构62的驱动,第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602沿着清洗组件311a~314a的排列方向移动,把持于一对第一臂611的晶片W被从第一晶片工位33a朝一次清洗组件311a搬运,并交接至一次清洗组件311a的清洗机。接着,在一对第一臂611被向外移动至一次清洗组件311a的箱体91的外侧之后,臂通过用开口94被闸门97关闭,在一次清洗组件311a的清洗机中对晶片W进行清洗。
在一次清洗组件311a中的清洗处理结束之后,闸门97退避而打开臂通过用开口94。一对第一臂611穿过臂通过用开口94而***至一次清洗组件311a的箱体91的内侧,并对在清洗机中清洗后的晶片W进行把持。
接着,如图6C所示,在二次清洗组件312a的闸门97退避而打开臂通过用开口94之后,通过机械手搬运机构62的驱动,第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602沿着清洗组件311a~314a的排列方向移动,把持于一对第一臂611的晶片W被从一次清洗组件311a朝二次清洗组件312a搬运,并交接至二次清洗组件312a的清洗机。接着,在一对第一臂611被向外移动至二次清洗组件312a的箱体91的外侧之后,臂通过用开口94被闸门97关闭,在二次清洗组件312a的清洗机中对晶片W进行清洗。
接着,如图6D所示,通过第一转动机构631的驱动,一对第一臂611以转动轴631A为中心进行转动,一对第一臂611的前端朝向上方。然后,在一对第一臂611及一对第二臂612的前端分别朝向上方的状态下,通过机械手搬运机构62的驱动,第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602沿着第一清洗组件311a~314a的排列方向移动,一对第二臂612在与二次清洗组件312a相邻的待机位置处静止。通过第二转动机构632的驱动,一对第二臂612以转动轴632A为中心进行转动,一对第二臂612的前端朝向横向。
在二次清洗组件312a中的清洗处理结束之后,闸门97退避而打开臂通过用开口94。一对第二臂612穿过臂通过用开口94而***至二次清洗组件312a的箱体91的内侧,并对在清洗机中清洗后的晶片W进行把持。
这样,在本实施方式中,二次清洗组件312a中的清洗前的晶片W由一对第一臂611把持并搬运,二次清洗组件312a中的清洗后的晶片W由一对第二臂612把持并搬运。即,在二次清洗组件312a中,对臂进行更换。藉此,能防止一对第一臂611与二次清洗组件312a中的清洗后的晶片W接触而导致该晶片W被污染。
接着,如图6E所示,在三次清洗组件313a的闸门97退避而打开臂通过用开口94之后,通过机械手搬运机构62的驱动,第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602沿着清洗组件311a~314a的排列方向移动,把持于一对第二臂612的晶片W被从二次清洗组件312a朝三次清洗组件313a搬运,并交接至三次清洗组件313a的清洗机。接着,在一对第二臂612被向外移动至三次清洗组件313a的箱体91的外侧之后,臂通过用开口94被闸门97关闭,在三次清洗组件313a的清洗机中对晶片W进行清洗。
在三次清洗组件313a中的清洗处理结束之后,闸门97退避而打开臂通过用开口94。一对第二臂612穿过臂通过用开口94而***至三次清洗组件313a的箱体91的内侧,并对在清洗机中清洗后的晶片W进行把持。
接着,如图6F所示,在四次清洗组件314a的闸门97退避而打开臂通过用开口94之后,通过机械手搬运机构62的驱动,第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602沿着清洗组件311a~314a的排列方向移动,把持于一对第二臂612的晶片W被从三次清洗组件313a朝四次清洗组件314a搬运,并交接至四次清洗组件314a的清洗机。接着,在一对第二臂612被向外移动至四次清洗组件314a的箱体91的外侧之后,臂通过用开口94被闸门97关闭,在四次清洗组件314a的清洗机中对晶片W进行清洗。
在四次清洗组件314a中的清洗处理结束之后,闸门97退避而打开臂通过用开口94。上述加载/卸载部11的搬运用自动装置111的机械手穿过臂通过用开口94而***至四次清洗组件314a的箱体91的内侧,清洗机中清洗后的晶片W被取出到加载/卸载部11。
<示教装置>
接着,对由上述结构构成的清洗部13的第一清洗单元30a及第二清洗单元30b中进行示教作业的示教装置进行说明。另外,第二清洗单元30b中进行示教作业的示教装置具有与第一清洗单元30a中进行示教作业的示教装置相同的结构,因此,以下,对在第一清洗单元30a中进行示教作业的示教装置进行说明。
图7是表示本实施方式的示教装置40的俯视图。如图7所示,示教装置40具有载物台41、一对臂611、臂移动机构49、以及控制部15,载物台41供晶片W载置,一对臂611能打开关闭,且对晶片W进行把持,臂移动机构49使一对臂611相对于载物台41进行移动,该控制部15对臂移动机构49的动作进行控制。
其中,载物台41设置于上述第一清洗单元30a的各清洗组件311a~314a的箱体91内。在载物台41的上表面设有突起41p,通过形成于晶片W的周缘部的凹口与突起41p卡合,载置于载物台41上的晶片W唯一地定位于预先确定的清洗位置。
臂移动机构49在上述清洗部搬运机构32a中由臂搬运机构62、纵深方向移动机构67、上下移动机构641及开闭机构661构成,其中,臂搬运机构62使一对臂611在长度方向(也称为X方向)上移动,纵深方向移动机构67使一对臂611在纵深方向(也称为Y方向)上移动,上下移动机构641使一对臂611在上下方向(也称为Y方向)上移动,开闭机构661使一对臂611打开关闭。因此,臂移动机构49能使一对臂611分别在X方向、Y方向及Z方向上移动,并使一对臂611打开关闭。
示教装置40还具有四个臂侧位置传感器43a~43d、虚设晶片48、虚设晶片侧位置传感器42、以及信号接收部46,四个臂侧位置传感器43a~43d安装于一对臂611,并发送位置信号,虚设晶片48载置于载物台41上,虚设晶片侧位置传感器42安装于虚设晶片48,并发送位置信号,信号接收部46接收到来自各臂侧位置传感器43a~43d的位置信号而求出各臂侧位置传感器43a~43d的位置坐标,并接收到来自虚设晶片侧位置传感器42的位置信号而求出虚设晶片侧位置传感器42的位置坐标。
虚设晶片48具有与晶片W相同的形状。在虚设晶片48的周缘部形成有凹口48n,通过周缘部的凹口与载物台41的上表面的突起41p卡合,载置于载物台41上的虚设晶片48唯一地定位于与晶片W的清洗位置相同的位置。
在本实施方式中,臂侧位置传感器43a~43d及虚设晶片侧位置传感器42是三维位置传感器。作为三维位置传感器,例如使用了本身是公知的磁方式的三维位置传感器(也称为三维磁传感器)。
在图示的例子中,虚设晶片侧位置传感器42安装于虚设晶片48的中心。另外,四个臂侧位置传感器43a~43d中的两个臂侧位置传感器43a、43b以在Y方向上分离的方式安装于一方的臂611上,其余两个臂侧位置传感器43c、43d以在Y方向上分离的方式安装于另一方的臂611上。
另外,示教装置40还包括靠近传感器44a~44d、45a~45d,传感器44a~44d、45a~45d安装于一对臂611及虚设晶片48中的任一方或两方,并输出一对臂611相对于虚设晶片48的靠近量。
作为靠近传感器44a~44d、45a~45d,使用了例如光学式靠近传感器。在图示的例子中,安装于一对臂611的四个靠近传感器44a~44d为发光部,安装于虚设晶片48的四个靠近传感器45a~45d为受光部。四个靠近传感器(受光部)45a~45d以彼此在周向上各自分离90°的方式安装于虚设晶片48的下表面的周缘部。另外,四个靠近传感器(发光部)43a~43d中的两个靠近传感器(发光部)44a、44b以在Y方向上分离的方式安装于一方的臂611上,其余两个臂侧位置传感器44c、44d以在Y方向上分离的方式安装于另一方的臂611上。四个靠近传感器(受光部)45a~45d将受光量作为“靠近量”加以输出。
控制部15根据虚设晶片侧位置传感器42的位置坐标算出当一对臂611对载物台41上的晶片W进行把持时的各臂侧位置传感器43a~43d的位置坐标P1~P4。例如,在各臂侧位置传感器43a~43d安装于一对臂611的与把持部件相同的位置的情况下,控制部15算出当一对臂611对载物台41上的晶片W进行把持时的晶片W的周缘部的与把持部件接触的点的位置坐标以作为P1~P4。
此外,控制部15以各臂侧位置传感器43a~43d朝算出的位置坐标P1~P4移动的方式对臂移动机构49的动作进行控制,以使一对臂611移动。藉此,人们不用进行一边通过目视对载物台41上的晶片W的位置进行确认、一边将一对臂611引导至该位置这样的繁杂的作业,就能使一对臂611自动地移动至载物台41上的晶片W的位置。
另外,控制部15预先求出当一对臂611对载物台41上的虚设晶片48进行把持时的四个靠近传感器(受光部)45a~45d中的受光量(靠近量)并加以存储。
此外,在使一对臂611以臂侧位置传感器43a~43d朝算出的位置坐标P1~P4移动的方式移动之后,控制部15取得由靠近传感器(受光部)45a~45d输出的靠近量,并控制臂移动机构49的动作而对一对臂611的位置进行调节,以使该靠近量接近预先确定的值(预先存储的值)。
例如图9A所示,在一对臂611的中心相对于虚设晶片42的中心朝左侧(-X方向)偏离配置的情况下,左侧的靠近传感器(受光部)45a、45b和左侧的靠近传感器(发光部)44a、44b过度分离,右侧的靠近传感器(受光部)45c、45d和右侧的靠近传感器(发光部)44c、44d过度接近。因此,左侧的靠近传感器(受光部)45a、45b中的受光量比预先储存于控制部15的值小,右侧的靠近传感器(受光部)45c、45d中的受光量比预先储存于控制部15的值大。
在该情况下,如图9B所示,控制部15控制臂移动机构49的动作而将一对臂611的中心位置调节至右侧(+X方向),以使各靠近传感器(受光部)45a~45d中的受光量接近预先存储的值。
另外,如图10A所示,在一对臂611的中心相对于虚设晶片42的中心朝跟前侧(-Y方向)偏离配置的情况下,跟前侧的靠近传感器(受光部)45b、45d和跟前侧的靠近传感器(发光部)44b、44d过度分离,里侧的靠近传感器(受光部)45a、45c和里侧的靠近传感器(发光部)44a、44c过度接近。因此,跟前侧的靠近传感器(受光部)45b、45d中的受光量比预先储存于控制部15的值小,里侧的靠近传感器(受光部)45a、45c中的受光量比预先储存于控制部15的值大。
在该情况下,如图10B所示,控制部15控制臂移动机构49的动作而将一对臂611的中心位置调节至里侧(+Y方向),以使各靠近传感器(受光部)45a~45d中的受光量接近预先存储的值。
另外,如图11A所示,在一对臂611的中心相对于虚设晶片42的中心朝下侧(-Z方向)偏离配置的情况下,所有的靠近传感器(受光部)45b、45d过度远离所有的靠近传感器(发光部)44b、44d。因此,所有的靠近传感器(受光部)45b、45d的受光量比预先储存于控制部15的值小。
在该情况下,如图11B所示,控制部15控制臂移动机构49的动作而将一对臂611的中心位置调节至上侧(+Z方向),以使各靠近传感器(受光部)45a~45d中的受光量接近预先存储的值。
通过这样根据靠近传感器44a~44d、45a~45d输出的靠近量(受光量)调节一对臂611的位置,能以比位置传感器42及43a~43d的测定精度更细致的精度进行示教作业。
另外,通过对来自各臂侧位置传感器43a~43d的位置坐标彼此进行比较,控制部15评价出一对臂611的组装状态。例如,在左侧的两个臂侧位置传感器43a、43b的Y坐标彼此不同的情况下,控制部15判断出左侧的臂611被组装成相对于Y方向倾斜地弯曲而发出声音、光等以唤起作业者的注意。
接着,参照图8,对由上述结构构成的示教装置40的动作进行说明。
首先,作为准备阶段,通过作业者的手动作业,将安装有虚设晶片侧位置传感器42的虚设晶片48载置于载物台41上。然后,作业者按下设于控制部15的自动指示开始按钮。
此时,信号接收部46接收到来自在载置于载物台41上的虚设晶片48安装的虚设晶片侧位置传感器42的位置信号,并求出虚设晶片侧位置传感器42的位置坐标(步骤S1)。
另外,信号接受部46接收到来自安装于一对臂611的各臂侧位置传感器43a~43d的位置信号,并求出各臂侧位置传感器43a~43d的位置坐标(步骤S2)。
接着,控制部15从信号接收部46取得虚设晶片侧位置传感器42的位置坐标,并根据该位置坐标算出当一对臂611对晶片W进行把持时的各臂侧位置传感器43a~43d的位置坐标P1~P4(步骤S3)。
然后,控制部15以各臂侧位置传感器43a~43d朝算出的位置坐标P1~P4移动的方式控制臂移动机构49的动作而使一对臂611移动(步骤S4)。
接着,控制部15从安装于臂611及虚设晶片42的靠近传感器44a~44d、45a、45d取得一对臂611相对于虚设晶片42的靠近量(步骤S5)。
然后,控制部15对取得的靠近量是否与预先确定的值(预先存储的值)偏离进行判断(步骤S6)。在步骤S6中判断为未偏离的情况下,结束示教装置40的动作。另一方面,在步骤S6中判断为偏离的情况下,控制部15根据偏离量控制臂移动机构49的动作而调节一对臂611的位置(步骤S7)。然后,返回至步骤S5重新进行。
如上所述,根据本实施方式的示教装置40,信号接收部46接收到来自臂侧位置传感器43a~43d的位置信号而求出臂侧位置传感器43a~43d的位置坐标,并接收到来自虚设晶片侧位置传感器42的位置信号而求出虚设晶片侧位置传感器42的位置坐标。此外,控制部15根据虚设晶片侧位置传感器42的位置坐标算出当一对臂611对晶片W进行把持时的臂侧位置传感器43a~43d的位置坐标,并以臂侧位置传感器43a~43d朝算出的位置坐标移动的方式控制臂移动机构49的动作而使一对臂611移动。藉此,人们不用进行一边通过目视对载物台41上的晶片W的位置进行确认、一边将一对臂611引导至该位置这样的繁杂的作业,就能使一对臂611自动地移动至载物台41上的晶片W的位置。因此,能显著地缩短示教作业所需的时间,并能防止对其作业的正确性产生偏差。
另外,根据本实施方式,在控制部15以臂侧位置传感器43a~43d朝上述算出的位置坐标移动的方式使一对臂611移动之后,控制部15控制臂移动机构49的动作而对一对臂611的位置进行调节,以使靠近传感器44a~44d、45a~45d所输出的靠近量接近预先确定的值,因此,能以比位置传感器42、43a~43d的测定精度更细致的精度进行示教作业。
另外,根据本实施方式,在一对臂611安装有多个臂侧位置传感器43a~43d。因此,通过接收到来自各臂侧位置传感器43a~43d的位置信号而分别求出各臂侧位置传感器43a~43d的位置坐标,并将求出的位置坐标彼此进行比较,从而能在一对臂611的组装存在不良的情况下发现该问题。
另外,根据本实施方式,臂侧位置传感器43a~43d及虚设晶片侧位置传感器42是三维位置传感器,因此,能沿着三维空间的所有方向(即,X方向、Y方向及Z方向)在短时间内、且以正确性不产生偏差的方式进行示教作业。
另外,在本实施方式中,靠近传感器(发光部)44a~44d安装于一对臂611,靠近传感器(受光部)45a~45d安装于虚设晶片48,但并不限定于此,也可以采用以下结构:靠近传感器(受光部)45a~45d安装于一对臂611,靠近传感器(发光部)44a~44d安装于虚设晶片48。另外,也可以采用以下结构:靠近传感器(发光部)44a~44d及靠近传感器(受光部)45a~45d都安装于一对臂611,在虚设晶片48处安装将从靠近传感器(发光部)44a~44d输出的光朝靠近传感器(受光部)45a~45d反射的镜子。或者,也可以采用以下结构:靠近传感器(发光部)44a~44d及靠近传感器(受光部)45a~45d都安装于虚设晶片48,在一对臂611安装将从靠近传感器(发光部)44a~44d输出的光朝靠近传感器(受光部)45a~45d反射的镜子。
另外,也可以采用以下结构:四组靠近传感器(发光部)44a~44d及(受光部)45a~44d中的至少一组以与X方向平行地交换光的方式相对,至少另一组以与Y方向平行地交换光的方式相对,至少又一组以与Z方向平行地交换光的方式相对。
另外,在上述实施方式中,以研磨晶片的研磨装置为例进行说明,但本发明并不限于研磨装置,也能适用于其他基板处理装置。例如,也可以将多个研磨单元置换为其他基板处理单元(例如电镀处理单元、CVD单元等的成膜处理单元,湿式蚀刻单元、干式蚀刻单元等),以构成与研磨装置不同的基板处理装置。另外,也可以将不同的多个基板处理单元组合并将它们沿规定的方向排列配置。
至此,对本发明的优选实施方式进行了说明,但本发明并不限定于上述实施方式,当然可以在该技术思想的范围内以各种不同的形态加以实施。
Claims (11)
1.一种示教***,其特征在于,包括:
载物台,该载物台供晶片载置;
一对臂,该一对臂对所述晶片进行把持,且能打开关闭;
臂移动机构,该臂移动机构使所述一对臂相对于所述载物台进行移动;
控制部,该控制部对所述臂移动机构的动作进行控制;
臂侧位置传感器,该臂侧位置传感器安装于所述一对臂,并发送位置信号;
虚设晶片,该虚设晶片载置于所述载物台上;
虚设晶片侧位置传感器,该虚设晶片侧位置传感器安装于所述虚设晶片,并发送位置信号;以及
信号接收部,该信号接收部接收来自所述臂侧位置传感器的位置信号而求出所述臂侧位置传感器的位置坐标,并接收来自所述虚设晶片侧位置传感器的位置信号而求出所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标,
所述控制部根据所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标算出当所述一对臂对所述晶片进行把持时的所述臂侧位置传感器的位置坐标,并且,所述控制部以所述臂侧位置传感器朝算出的位置坐标移动的方式,一边确认基于所述臂侧位置传感器的位置信号求出的所述臂侧位置传感器的位置坐标,一边控制所述臂移动机构的动作而使所述一对臂移动。
2.如权利要求1所述的示教***,其特征在于,
还包括靠近传感器,该靠近传感器安装于所述一对臂及所述虚设晶片中的任一方或两方,并输出所述一对臂相对于所述虚设晶片的靠近量,
所述控制部在使所述一对臂以所述臂侧位置传感器朝所述算出的位置坐标移动的方式移动之后,所述控制部控制所述臂移动机构的动作而对所述一对臂的位置进行调节,以使所述靠近量接近预先确定的值。
3.如权利要求1或2所述的示教***,其特征在于,
在所述一对臂安装有多个所述臂侧位置传感器。
4.如权利要求1或2所述的示教***,其特征在于,
所述臂侧位置传感器及所述虚设晶片侧位置传感器是三维位置传感器。
5.一种示教方法,其特征在于,包括:
接收来自在载置于载物台上的虚设晶片安装的虚设晶片侧位置传感器的位置信号、并求出所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标的步骤;
接收来自在一对臂安装的臂侧位置传感器的位置信号、并求出所述臂侧位置传感器的位置坐标的步骤;
根据所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标算出当所述一对臂对所述晶片进行把持时的所述臂侧位置传感器的位置坐标的步骤;以及
以所述臂侧位置传感器朝算出的位置坐标移动的方式使所述一对臂移动的步骤。
6.如权利要求5所述的示教方法,其特征在于,
所述示教方法还包括以下步骤:在以所述臂侧位置传感器朝所述算出的位置坐标移动的方式使所述一对臂移动之后,由安装于所述一对臂及所述虚设晶片中的任意一方或两方的靠近传感器取得所述一对臂相对于所述虚设晶片的靠近量,并对所述一对臂的位置进行调节,以使所述靠近量接近预先确定的值。
7.如权利要求5或6所述的示教方法,其特征在于,
在所述一对臂安装有多个所述臂侧位置传感器。
8.如权利要求5或6所述的示教方法,其特征在于,
所述臂侧位置传感器及所述虚设晶片侧位置传感器是三维位置传感器。
9.一种清洗装置,其特征在于,包括:
载物台,该载物台供晶片载置;
清洗机构,该清洗机构对所述载物台上的晶片进行清洗;
一对臂,该一对臂对所述晶片进行把持,且能打开关闭;
臂移动机构,该臂移动机构使所述一对臂相对于所述载物台进行移动;
控制部,该控制部对所述臂移动机构的动作进行控制;
臂侧位置传感器,该臂侧位置传感器安装于所述一对臂,并发送位置信号;
虚设晶片,该虚设晶片载置于所述载物台上;
虚设晶片侧位置传感器,该虚设晶片侧位置传感器安装于所述虚设晶片,并发送位置信号;以及
信号接收部,该信号接收部接收来自所述臂侧位置传感器的位置信号而求出所述臂侧位置传感器的位置坐标,并接收来自所述虚设晶片侧位置传感器的位置信号而求出所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标,
所述控制部根据所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标算出当所述一对臂对所述晶片进行把持时的所述臂侧位置传感器的位置坐标,并且,所述控制部以所述臂侧位置传感器朝算出的位置坐标移动的方式控制所述臂移动机构的动作而使所述一对臂移动。
10.一种存储介质,非暂时性地存储程序,其特征在于,
所述程序使计算机执行:
接收来自在载置于载物台上的虚设晶片安装的虚设晶片侧位置传感器的位置信号、并求出所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标的步骤;
接收来自在一对臂安装的臂侧位置传感器的位置信号、并求出所述臂侧位置传感器的位置坐标的步骤;
根据所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标算出当所述一对臂对所述晶片进行把持时的所述臂侧位置传感器的位置坐标的步骤;以及
以所述臂侧位置传感器朝算出的位置坐标移动的方式使所述一对臂移动的步骤。
11.一种维护套件,其特征在于,包括:
臂侧位置传感器,该臂侧位置传感器安装于一对臂,并发送位置信号;
虚设晶片,该虚设晶片载置于载物台上;
虚设晶片侧位置传感器,该虚设晶片侧位置传感器安装于所述虚设晶片,并发送位置信号;以及
信号接收部,该信号接收部接收来自所述臂侧位置传感器的位置信号而求出所述臂侧位置传感器的位置坐标,并接收来自所述虚设晶片侧位置传感器的位置信号而求出所述虚设晶片侧位置传感器的位置坐标。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016072546A JP6596375B2 (ja) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | ティーチング装置およびティーチング方法 |
JP2016-072546 | 2016-03-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107263303A true CN107263303A (zh) | 2017-10-20 |
CN107263303B CN107263303B (zh) | 2021-04-09 |
Family
ID=59961466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710206657.7A Active CN107263303B (zh) | 2016-03-31 | 2017-03-31 | 示教***、示教方法、清洗装置、存储介质及维护套件 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10845777B2 (zh) |
JP (1) | JP6596375B2 (zh) |
KR (1) | KR102110290B1 (zh) |
CN (1) | CN107263303B (zh) |
TW (1) | TWI713721B (zh) |
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---|---|
KR20170113394A (ko) | 2017-10-12 |
JP2017183647A (ja) | 2017-10-05 |
TW201737002A (zh) | 2017-10-16 |
CN107263303B (zh) | 2021-04-09 |
KR102110290B1 (ko) | 2020-05-13 |
US10845777B2 (en) | 2020-11-24 |
US20170285609A1 (en) | 2017-10-05 |
JP6596375B2 (ja) | 2019-10-23 |
TWI713721B (zh) | 2020-12-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |