CN107247225A - 一种基于ate射频cp测试的校准方法 - Google Patents

一种基于ate射频cp测试的校准方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107247225A
CN107247225A CN201710444970.4A CN201710444970A CN107247225A CN 107247225 A CN107247225 A CN 107247225A CN 201710444970 A CN201710444970 A CN 201710444970A CN 107247225 A CN107247225 A CN 107247225A
Authority
CN
China
Prior art keywords
test
ate
tested based
radio frequencies
radio frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710444970.4A
Other languages
English (en)
Inventor
邓维维
张志勇
王�华
钭晓鸥
罗斌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sino IC Technology Co Ltd
Original Assignee
Sino IC Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sino IC Technology Co Ltd filed Critical Sino IC Technology Co Ltd
Priority to CN201710444970.4A priority Critical patent/CN107247225A/zh
Publication of CN107247225A publication Critical patent/CN107247225A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2832Specific tests of electronic circuits not provided for elsewhere
    • G01R31/2834Automated test systems [ATE]; using microprocessors or computers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R35/00Testing or calibrating of apparatus covered by the other groups of this subclass
    • G01R35/005Calibrating; Standards or reference devices, e.g. voltage or resistance standards, "golden" references

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于ATE射频CP测试的校准方法,在射频芯片流片时,在圆片上制作辅助去嵌结构作为标准件。辅助去嵌结构包含三种结构:开路(open),短路(short),传输线(thru)。去嵌结构要求对应于被测器件的射频管脚的位置;本发明提供的基于ATE射频CP测试的校准技术,通过辅助去嵌结构,使得在射频产品的CP测试过程中消除测试***阻抗不匹配带来的测试误差。从而能够获得更准确的测试结果,最终提高测试良率,节约测试成本。

Description

一种基于ATE射频CP测试的校准方法
技术领域
本技术发明是一种针对射频类产品在使用ATE(自动测试设备)进行CP测试时,对其进行校准的一种方法。
背景技术
众所周知,射频信号传输时需要传输线路能完好地阻抗匹配,这样才能减少信号的反射。但ATE在对CP射频产品进行测试时,由测试机发送的射频信号会经过测试转接板、探针卡传输到芯片输入端,在此过程中,测试机内部的信号源到信号输出端口、转接板以及探针卡上的走线阻抗匹配不理想、转接板与测试机信号输出端口的连接、转接板与探针卡的连接,探针与芯片引脚(pad)的接触均存在寄生的电容电感,这些必然造成射频信号不能完好的阻抗匹配,信号在传输过程中发生反射,最终到达芯片引脚的信号存在功率上的损耗,以及时序上的延迟等。同样,射频芯片输出的信号也需经过探针卡以及转接板才能送到测试机进行分析,传输线路的阻抗不匹配也会造成我们得不到真实的输出结果。这种阻抗不匹配给我们的测试带来误差,但产品测试硬件结构一旦固定,这种误差就是可预示和可重复出现的,从而可以定量的描述,可在测试过程中通过校准消除。
本发明提出了一种先对标准件进行测试,记录测量***误差项的具体值,然后通过计算对被测芯片测试结果进行修正处理的方法。此方法可消除射频产品CP测试中的误差。
发明内容
本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种基于ATE射频CP测试的校准方法,其中,具体技术方案是:
本发明提出了一种在量产测试中对测试***阻抗不匹配造成的影响进行校准的方法,步骤包括:
在射频芯片流片时,在圆片上制作辅助去嵌结构作为标准件。辅助去嵌结构包含三种结构:开路(open),短路(short),传输线(thru)。去嵌结构要求对应于被测器件的射频管脚的位置。
进一步的,利用ATE测试资源通道对标准件在被测器件工作的频带内进行S参数的测试。
进一步的,记录通过对标准件测试得到的测试***误差的具体数值,并将数据文件存储于测试***内部。
进一步的,调用之前存储的标准件测试数据,通过一定的算法对被测器件的ATE测试***的结果进行修正处理,消除其中误差成分,得到被测器件真实值。
本发明相对于现有技术具有如下有益效果:本发明提出了一种校准技术,通过辅助去嵌结构,使得在射频产品的CP测试过程中消除测试***阻抗不匹配带来的测试误差。从而能够获得更准确的测试结果,最终提高测试良率,节约测试成本。
附图说明
图1为辅助去嵌结构的示意图。
图2为辅助去嵌结果的示意图。
图3为传输线S参数的示意图。
图4为短路S参数的示意图。
图5为开路S参数的示意图。
图6为5nH_900MHz电感S参数的示意图。
图7为5nH_900MHz电感去嵌后S参数的示意图。
具体实施方式
CP测试:晶圆测试;
ATE:自动测试设备,由测试机和计算机组合而成的测试***。
现有成品(FT)射频产品测试时通常需要使用到网络分析仪,网络分析仪使用前也需进行相应的校准,来补偿测试仪内部、线缆及转接头带来的***误差,目前已有相应成熟的校准件和校准方法。但对于圆片级的射频产品的测试,网络分析仪没有支持到针卡探针部分的校准的方案。且网络分析仪一般用于工程测试,并不适合量产使用。
ATE测试设备测试CP射频产品时,测试机台也能对射频资源进行校准,但也只能校准到测试机信号输出端口,对于输出端口之后到芯片管脚的传输线路则不能进行校准。对于这部分带来的误差,现有测试中,我们往往就不作处理,或者采用以FT测试的结果作为参考,直接给补偿值,但这种补偿并不准确,且射频产品均有频响特性,即在不同的频率下,其损耗的表现也不一样,这样也带来了复杂的补偿工作。
目前已成熟的网络分析仪的校准其原理是基于对标准件的S参数的测量记录保存,测试时再对误差项进行补偿。而现有射频测试机台也支持S参数的测试。
本发明提出了一种在量产测试中对测试***阻抗不匹配造成的影响进行校准的方法,步骤包括:
在射频芯片流片时,在圆片上制作辅助去嵌结构作为标准件。辅助去嵌结构包含三种结构:开路(open),短路(short),传输线(thru),去嵌结构要求对应于被测器件的射频管脚的位置。
进一步的,利用ATE测试资源通道对标准件在被测器件工作的频带内进行S参数的测试。
进一步的,记录通过对标准件测试得到的测试***误差的具体数值,并将数据文件存储于测试***内部。
进一步的,调用之前存储的标准件测试数据,通过一定的算法对被测器件的ATE测试***的结果进行修正处理,消除其中误差成分,得到被测器件真实值。
现举实施例详细说明本发明所述在一款芯片量产测试中的应用:
实施例一:
本例是实施在对电感的测试中,通过对电感S参数的测试,经过运算可测量电感的感值以及Q值。
1)该片晶圆上包含9种电感,图中的标注分别指出了其电感值和工作频率,以5nH_900MHz为例,表示电感的设计电感值为5nH,工作频率为900MHz。在晶圆制作中,我们制作与电感位置相对应的标准件作为辅助去嵌结果:传输线,短路,开路。
2)测试***在对电感测试前,探针卡先扎在标准件上,分别测量出辅助去嵌结构传输线、开路、短路的S参数,并保存测试数据文件。
3)测试***分别测试这9种电感的S参数。如下图以5nH_900MHz电感为例。
4)调用之前标准件的测试数据文件,通过计算得到去嵌入后的电感的S参数。如下以5nH_900MHz电感为例。
5)通过对S参数的提取计算,得到电感的感值及Q值。
从测试结果可以看出:流片时在晶圆上制作标准件作为辅助去嵌结构,通过去嵌处理,可以准确测量出电感的特性参数。
针对CP射频产品测试时,ATE测试***测量线路的阻抗不匹配造成测试结果不准确,导致测试失效。本发明提出的一种能消除ATE测量线路***误差的校准技术,从而能得到更准确更可靠的测试结果。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上,然其并非用以限定本发明,任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的修改和完善,因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (7)

1.一种基于ATE射频CP测试的校准方法,其特征在于:在射频芯片流片时,在圆片上制作辅助去嵌结构作为标准件。
2.如权利要求1所述的基于ATE射频CP测试的校准技术,其特征在于:辅助去嵌结构包含三种结构:开路、短路、传输线。
3.如权利要求2所述的基于ATE射频CP测试的校准技术,其特征在于:去嵌结构要求对应于被测器件的射频管脚的位置。
4.如权利要求3所述的基于ATE射频CP测试的校准技术,其特征在于:利用ATE测试资源通道对标准件在被测器件工作的频带内进行S参数的测试。
5.如权利要求4所述的基于ATE射频CP测试的校准技术,其特征在于:记录通过对标准件测试得到的测试***误差的具体数值。
6.如权利要求5所述的基于ATE射频CP测试的校准技术,其特征在于:记录后,将数据文件存储于测试***内部。
7.如权利要求6所述的基于ATE射频CP测试的校准技术,其特征在于:调用之前存储的标准件测试数据,通过算法对被测器件的ATE测试***的结果进行修正处理,消除其中误差成分,得到被测器件真实值。
CN201710444970.4A 2017-06-12 2017-06-12 一种基于ate射频cp测试的校准方法 Pending CN107247225A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710444970.4A CN107247225A (zh) 2017-06-12 2017-06-12 一种基于ate射频cp测试的校准方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710444970.4A CN107247225A (zh) 2017-06-12 2017-06-12 一种基于ate射频cp测试的校准方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107247225A true CN107247225A (zh) 2017-10-13

Family

ID=60019141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710444970.4A Pending CN107247225A (zh) 2017-06-12 2017-06-12 一种基于ate射频cp测试的校准方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107247225A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108982972A (zh) * 2018-08-22 2018-12-11 西安飞芯电子科技有限公司 一种微电感测量方法和装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102062834A (zh) * 2009-11-12 2011-05-18 上海华虹Nec电子有限公司 半导体射频器件的射频测试方法
CN102313862A (zh) * 2010-07-08 2012-01-11 上海华虹Nec电子有限公司 片上型四端***频器件射频测试的去嵌方法
CN102543958A (zh) * 2010-12-08 2012-07-04 台湾积体电路制造股份有限公司 传输线、用于去嵌入晶片上装置的测试结构及晶片
CN102903700A (zh) * 2011-07-28 2013-01-30 上海华虹Nec电子有限公司 划片槽内的射频测试图形结构
CN103063999A (zh) * 2012-12-21 2013-04-24 上海宏力半导体制造有限公司 去嵌入的方法
CN103839921A (zh) * 2012-11-26 2014-06-04 上海华虹宏力半导体制造有限公司 硅通孔的射频测试结构及寄生提取方法
CN104569632A (zh) * 2013-10-16 2015-04-29 上海华虹宏力半导体制造有限公司 最佳噪声系数的测试方法
CN105891628A (zh) * 2016-03-30 2016-08-24 清华大学 通用四端口在片高频去嵌入方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102062834A (zh) * 2009-11-12 2011-05-18 上海华虹Nec电子有限公司 半导体射频器件的射频测试方法
CN102313862A (zh) * 2010-07-08 2012-01-11 上海华虹Nec电子有限公司 片上型四端***频器件射频测试的去嵌方法
CN102543958A (zh) * 2010-12-08 2012-07-04 台湾积体电路制造股份有限公司 传输线、用于去嵌入晶片上装置的测试结构及晶片
CN102903700A (zh) * 2011-07-28 2013-01-30 上海华虹Nec电子有限公司 划片槽内的射频测试图形结构
CN103839921A (zh) * 2012-11-26 2014-06-04 上海华虹宏力半导体制造有限公司 硅通孔的射频测试结构及寄生提取方法
CN103063999A (zh) * 2012-12-21 2013-04-24 上海宏力半导体制造有限公司 去嵌入的方法
CN104569632A (zh) * 2013-10-16 2015-04-29 上海华虹宏力半导体制造有限公司 最佳噪声系数的测试方法
CN105891628A (zh) * 2016-03-30 2016-08-24 清华大学 通用四端口在片高频去嵌入方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108982972A (zh) * 2018-08-22 2018-12-11 西安飞芯电子科技有限公司 一种微电感测量方法和装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109444721B (zh) 检测s参数的方法及终端设备
US20070073499A1 (en) Method and apparatus for determining one or more s-parameters associated with a device under test (DUT)
CA2364189A1 (en) High frequency circuit analyzer
CN107345986B (zh) 一种去嵌入方式的阻抗测试方法
CN107167724B (zh) 一种小信号量测的去嵌方法
US11385175B2 (en) Calibration method and terminal equipment of terahertz frequency band on-wafer S parameter
CN112098791A (zh) 在片校准件模型及在片校准件模型中参数确定的方法
US8552742B2 (en) Calibration method for radio frequency scattering parameter measurements
US10393790B2 (en) Method for testing connectivity
US6898746B2 (en) Method of and apparatus for testing a serial differential/mixed signal device
CN107247225A (zh) 一种基于ate射频cp测试的校准方法
CN105606984B (zh) 一种半导体晶圆测试的多参数并行测试***及方法
CN107765202A (zh) 集成电路测试***中交流测量单元的在线校准***及方法
CN103954854B (zh) 一种对pogo pin电气性能进行测试的方法及装置
US11598803B1 (en) System and method for compensating for power loss due to a radio frequency (RF) signal probe mismatch in conductive signal testing
CN110988785A (zh) 一种数字量输入式电能表远程在线校验方法
CN107517476B (zh) 天馈***互调故障点定位方法、装置、设备及存储介质
US6804807B2 (en) Method of characterizing an electronic device having unbalanced ground currents
CN101464482A (zh) 确定网络分析仪电磁延迟、测量高频电路阻抗的方法
CN114137389A (zh) 微波探针s参数相位的确定方法、装置、终端及存储介质
US9286177B1 (en) S-parameter analysis tool
CN203772981U (zh) 一种对pogo pin电气性能进行测试的装置
US10788529B1 (en) Method for network extraction based on phase localization
CN105182067B (zh) Soc芯片频率测试方法
US11855707B2 (en) System and method for measuring path loss of a conductive radio frequency (RF) test signal path

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171013

RJ01 Rejection of invention patent application after publication