CN107209456A - 正型感光性硅氧烷组合物、有源矩阵基板、显示装置以及有源矩阵基板的制造方法 - Google Patents

正型感光性硅氧烷组合物、有源矩阵基板、显示装置以及有源矩阵基板的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种正型感光性硅氧烷组合物，其形成的膜具有高耐热性、高强度以及高耐裂纹性；一种有源矩阵基板，不产生副产物，不良的产生被加以抑制，容易以低价形成层间绝缘膜，透射率良好；具备该有源矩阵基板的显示装置以及该有源矩阵基板的制造方法。有源矩阵基板(30)具备：在绝缘基板(10)上相互平行地延伸地设置的多条栅极布线(11)、和在与各栅极布线(11)交叉的方向相互平行地延伸地设置的多条源极布线(12)。在源极布线(12)的下侧且包含栅极布线(11)与源极布线(12)的交叉部分的部分，夹杂层间绝缘膜(14)及栅极绝缘膜(15)。层间绝缘膜(14)使用正型感光性硅氧烷组合物而形成，不使用光阻。

Description

正型感光性硅氧烷组合物、有源矩阵基板、显示装置以及有源 矩阵基板的制造方法
技术领域
本发明涉及在半导体装置等的膜中使用的正型感光性硅氧烷组合物、具有该正型感光性硅氧烷组合物的固化膜且设置于电视接收机、个人计算机等的有源矩阵基板、具备该有源矩阵基板的显示装置以及该有源矩阵基板的制造方法。
背景技术
在显示装置中，液晶显示装置为薄型，并且具有消耗功率低的特征。特别地，有源矩阵基板的每个像素具备薄膜晶体管(TFT)等切换元件，具备该有源矩阵基板的液晶显示装置具有高对比度以及优异的响应特性，并且性能高，因此，适合用于电视接收机、个人计算机等。
在有源矩阵基板上形成多条栅极布线(扫描布线)和通过层间绝缘膜与各栅极布线交叉的多条源极布线(信号布线)，在栅极布线与源极布线的交叉部分附近，设置有切换像素的薄膜晶体管(例如专利文献1等)。形成于栅极布线与源极布线的交叉部分的电容(寄生电容)会导致显示品质下降，因此优选电容较小，在该交叉部分形成包含SOG(旋涂玻璃)材料的层间绝缘膜。在专利文献1的有源矩阵基板中，层间绝缘膜由含有硅氧烷组合物的SOG材料形成，该硅氧烷组合物以Si-O-C键为骨架。
在专利文献1中，硅氧烷组合物可具体地列举：将硅氧烷低聚物以及空隙形成材料均匀地溶解于有机溶剂而成的组合物(专利文献2)、
以及，以通式：
(HR2SiO1/2)x(SiO4/2)1.0
(式中，R是选自由氢原子、烷基以及芳基组成的组中的基团，0.1≤X≤2.0。)表示的硅树脂为主剂的组合物(专利文献3)。
图15是表示以往的有源矩阵基板60中形成有TFT61的部分的结构的一个实例的示意性截面图。
如图15所示，在有源矩阵基板60的玻璃制的绝缘基板10上形成栅电极11a(成为栅极布线11的一部分)以及电容布线13。
层间绝缘膜14以覆盖绝缘基板10的方式形成。层间绝缘膜14由包含上述硅氧烷组合物等的SOG材料构成。在栅电极11a上以及电容布线13上，除了各自的端缘部的部分，不被层间绝缘膜14覆盖，而形成开口部Ca、Ca。在层间绝缘膜14上形成栅极绝缘膜15，在栅极绝缘膜15上的、与栅电极11a侧的开口部Ca对应的部分形成半导体膜16。而且，以覆盖半导体膜16的方式形成n+膜17，形成源极区域以及漏极区域，在源极区域上以及漏极区域上形成源电极18以及漏电极19。由栅电极11a、栅极绝缘膜15、半导体膜16、n+膜17、源电极18以及漏电极19构成TFT61。
而且，以覆盖源电极18以及漏电极19的方式形成钝化膜21，以覆盖钝化膜21的方式形成含有有机材料的层间绝缘膜22。
而且，在电容布线13侧的开口部Ca，在栅极绝缘膜15上形成电容电极20。在电容电极20上的开口部Cb形成像素电极23。
图16是表示层间绝缘膜14的形成的处理顺序的流程图。
在绝缘基板10、栅极布线11以及电容布线13上涂布SOG材料，形成涂膜(S11)。
形成涂膜后，进行烘烤，调整膜厚(S12)。
烘烤后，在涂膜上涂布光阻材料，形成光阻(S13)。
使用光掩模进行曝光(S14)、显影(S15)，由此，形成掩膜图案。
接下来，对未被光阻覆盖的涂膜的部分，例如使用四氟化碳与氧的混合气体进行干蚀刻等蚀刻(S16)，形成开口部Ca。
最后，剥离光阻(S17)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-153688号公报；
专利文献2：日本特开2001-98224号公报；
专利文献3：日本特开平6-240455号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
在以上这样的专利文献1等的有源矩阵基板中，在栅极布线11与源极布线之间形成含有由硅氧烷组合物构成的SOG材料而成的层间绝缘膜14时，为了形成开口部Ca而需要进行光阻涂布工序、蚀刻以及光阻剥离工序，因此，存在制造工序复杂、制造原价高的问题。
而且，由上述硅氧烷组合物构成的层间绝缘膜的膜强度弱，低温时因热膨胀系数的差而产生膜应力时，存在基板产生翘曲、发生在制造装置内基板的流动障碍的问题。而且，发生由于膜应力而使膜产生裂纹、产生膜剥离以及应变等问题，在曝光工序中，存在产生焦点的偏差、产率下降的问题。
裂纹产生时，存在由此造成的因来自硅氧烷组合物的异物而产生不良的问题。
而且，因蚀刻产生的副产物导致不良发生率上升，产率下降，进一步导致原价升高。因该副产物而在布线间产生泄露，因此，在必要位置以外也残存有层间绝缘膜14，即层间绝缘膜14的开口部分限于形成TFT61的部分以及电容布线13上的形成开口部Ca的部分等一部分，层间绝缘膜14的开口面积小，因此，导致面板透射率下降，为了对此进行补偿，需要使用亮度高的背光。
本发明是鉴于上述事项而完成的，本发明的目的在于，提供一种正型感光性硅氧烷组合物，其特征在于，形成的膜具有高耐热性、低温固化性、高强度以及高耐裂纹性，不产生因基板翘曲以及杂质导致的不良，而且图案形成性良好，由于不使用掩膜，因此，不会产生副产物，不良的发生得以抑制，以产率良好的状态、以低价形成采用该硅氧烷组合物的层间绝缘膜，并提供一种光透射率良好的有源矩阵基板、具备该有源矩阵基板的显示装置、以及该有源矩阵基板的制造方法。
解决问题的技术方案
本发明的正型感光性硅氧烷组合物，其特征在于，含有：(I)在四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液中的溶解速度不同的至少两种以上的聚硅氧烷、(II)重氮萘醌衍生物、(III)光酸产生剂以及(IV)溶剂，
所述聚硅氧烷(I)是(A)与(B)的混合物，
(A)聚硅氧烷(Ia)，将由下述通式(1)表示的硅烷化合物在碱性催化剂的存在下进行水解以及缩合而得的预烘烤后的膜可溶于5质量％TMAH水溶液，该膜的溶解速度为以下，
R1 nSi(OR2)4-n
(式中，R1表示任意的亚甲基可以被氧取代的碳数为1～20的直链状、支链状或环状的烷基、或者碳数为6～20且任意的氢可以被氟取代的芳基，R2表示碳数为1～5的烷基，n表示0或者1。)，
(B)聚硅氧烷(Ib)，将由所述通式(1)表示的硅烷化合物在碱性催化剂或酸性催化剂的存在下进行水解以及缩合而得的预烘烤后的膜在2.38质量％TMAH水溶液中的溶解速度为以上。
本发明的有源矩阵基板，其特征在于，在基板上使多条源极布线与多条栅极布线以立体地交叉的方式形成，在所述源极布线与所述栅极布线交叉的部分的附近形成薄膜晶体管，形成通过该薄膜晶体管与对应的源极布线电连接的像素电极，至少在所述源极布线与所述栅极布线之间夹杂由上述任意的正型感光性硅氧烷组合物的固化物构成的层间绝缘膜。
本发明的显示装置，其特征在于，具备：上述任意的有源矩阵基板、配置在该有源矩阵基板上的显示介质层、隔着所述显示介质层与所述有源矩阵基板相对的相对基板。
本发明的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，包括：像素电极形成工序，在基板上使多条源极布线与多条栅极布线以立体地交叉的方式形成，在所述源极布线与所述栅极布线交叉的部分的附近形成薄膜晶体管，形成通过该薄膜晶体管与对应的源极布线电连接的像素电极；以及，层间绝缘膜形成工序，至少在所述源极布线与所述栅极布线之间形成由上述任意的正型感光性硅氧烷组合物的固化物构成的层间绝缘膜，并且，所述层间绝缘膜形成工序包括：使用所述正型感光性硅氧烷组合物形成膜的膜形成工序、对形成的膜进行预烘烤的工序、对经预烘烤的膜进行曝光的工序、对经曝光的膜进行显影的工序，以及对经显影的膜进行烧成的工序。
发明效果
根据本发明的正型感光性硅氧烷组合物，形成的膜具有高耐热性、低温固化性、高强度、高耐裂纹性。而且，在碱显影液中的溶解性良好，并且在充分进行图案的热固化前，不会因高温导致膜低粘度化并熔融，在显影后也不会发生得到的孔以及线等的图案流动、即所谓的“图案流挂(パターンだれ)”，图案形成性良好。
根据本发明的有源矩阵基板，不使用光阻，不会产生副产物，不良的产生被加以抑制，在产率良好的状态下以低价形成层间绝缘膜，透射率良好。
根据本发明的显示装置，透射率良好。
根据本发明的有源矩阵基板的制造方法，在形成含有硅氧烷组合物的膜后形成图案时，不需要光阻涂布工序、蚀刻以及光阻剥离工序，因此，能够降低制造成本。而且，由于不需要蚀刻，因此，不会产生副产物，不良发生率下降，产率良好。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1的电视接收机的示意性立体图。
图2是表示本发明的实施方式1的显示面板的示意性截面图。
图3是表示本发明的实施方式1的有源矩阵基板的像素的示意性平面图。
图4是表示本发明的实施方式1的有源矩阵基板中设置有TFT的部分的示意性截面图。
图5是表示本发明的实施方式1的有源矩阵基板的栅极布线与源极布线交叉的部分的示意性截面图。
图6A是表示本发明的实施方式1的有源矩阵基板的制造方法的制造工序的示意性截面图。
图6B是表示本发明的实施方式1的有源矩阵基板的制造方法的制造工序的示意性截面图。
图6C是表示本发明的实施方式1的有源矩阵基板的制造方法的制造工序的示意性截面图。
图6D是表示本发明的实施方式1的有源矩阵基板的制造方法的制造工序的示意性截面图。
图6E是表示本发明的实施方式1的有源矩阵基板的制造方法的制造工序的示意性截面图。
图7F是表示本发明的实施方式1的有源矩阵基板的制造方法的制造工序的示意性截面图。
图7G是表示本发明的实施方式1的有源矩阵基板的制造方法的制造工序的示意性截面图。
图7H是表示本发明的实施方式1的有源矩阵基板的制造方法的制造工序的示意性截面图。
图8是表示本发明的实施方式1的层间绝缘膜形成的处理顺序的流程图。
图9是表示本发明的实施方式2的有源矩阵基板中设置有TFT的部分的示意性截面图。
图10是表示本发明的实施方式2的有源矩阵基板中栅极布线与源极布线交叉的部分的示意性截面图。
图11是表示本发明的实施方式3的有源矩阵基板中设置有TFT的部分的示意性截面图。
图12是表示本发明的实施方式4的有源矩阵基板中设置有TFT的部分的示意性截面图。
图13是表示本发明的实施方式5的有源矩阵基板中设置有TFT的部分的示意性截面图。
图14是表示本发明的实施方式5的有源矩阵基板中栅极布线与源极布线交叉的部分的示意性截面图。
图15是表示现有的有源矩阵基板中形成有TFT的部分的结构的一个实例的示意性截面图。
图16是表示现有层间绝缘膜的形成的处理顺序的流程图。
具体实施方式
以下，基于所述实施方式对本发明进行具体说明。
1.正型感光性硅氧烷组合物
本发明的正型感光性硅氧烷组合物(以下，称为硅氧烷组合物)含有在TMAH水溶液中的溶解度不同的至少两种以上的(I)聚硅氧烷、(II)重氮萘醌衍生物、(III)光酸产生剂以及(IV)溶剂。
(I)聚硅氧烷
作为具有耐热性的聚硅氧烷，优选具有作为交联点的硅烷醇基的倍半硅氧烷。硅烷醇基通过加热形成硅氧烷键，从而能够赋予高耐热性。倍半硅氧烷由于低温固化以及图案的稳定性优异而优选。被称作笼型以及梯型的倍半硅氧烷由于高耐裂纹性而更优选。硅酮树脂具有高耐裂纹性，但是由于过于柔软而不优选作为层间绝缘膜的材料。而且，图案形状的热稳定性也差。通常，笼型倍半硅氧烷以及梯型倍半硅氧烷由于自由的硅烷醇基少，因此，在碱显影液中的溶解性低。因此，作为感光性组合物，将在碱显影液中的溶解性低的硅氧烷与在碱显影液中的溶解性高的硅氧烷组合使用。作为两种聚硅氧烷，可列举以下的聚硅氧烷(Ia)以及聚硅氧烷(Ib)。
对于聚硅氧烷(Ia)而言，将由下述式(1)表示的硅烷化合物在碱性催化剂的存在下水解以及缩合而得的预烘烤后的膜可溶于5质量％TMAH水溶液，该膜的溶解度为以下。
R1 nSi(OR2)4-n
(式中，R1表示任意的亚甲基可以由氧取代的碳数为1～20的直链状、支链状或环状的烷基、或者碳数为6～20且任意的氢可以由氟取代的芳基，R2表示碳数为1～5的烷基，n表示0或1。)
作为通式(1)中的n＝1的硅烷化合物的具体例，可列举例如甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷等。上述物质因各自的耐化学药品性、热稳定性、溶剂溶解性以及耐裂纹性优异而优选。
作为通式(1)中的n＝0的硅烷化合物的具体例，可列举例如四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷等。通过使通式(1)中的n＝0的硅烷化合物反应，能够在n＝1的倍半硅氧烷(SiO1.5)中导入二氧化硅结构体(SiO2)，从而能够提高加热固化时的防“图案”流挂效果。
对于聚硅氧烷(Ib)而言，将至少通式(1)中的n＝1的硅烷化合物在碱性催化剂或酸性催化剂的存在下水解以及缩合而得的预烘烤后的膜在2.38质量％TMAH水溶液中的溶解度为以上。
作为聚硅氧烷(Ia)与(Ib)的二氧化硅结构体(n＝0的硅烷化合物)的含量，相对于聚硅氧烷(I)各自优选为20摩尔％以下，更优选为5摩尔％以上且20摩尔％以下。进一步优选为10摩尔％以上且15摩尔％以下。大于20摩尔％时，聚合物的稳定性显著下降。20摩尔％以下时，防“图案”流挂效果更好，而且聚合物的稳定性良好。
(碱溶解速度(ADR)的测定、计算方法)
聚硅氧烷(Ia)以及(Ib)在TMAH水溶液中的溶解速度如下地测定计算。
首先，将聚硅氧烷以成为35质量％左右的方式稀释、溶解于丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)。将该溶液旋涂于硅晶片上，以使干燥膜厚成为约2μm的厚度，然后，在100℃的加热板上加热60秒，除去溶剂。用椭圆分光仪(Woollam公司制)对涂布膜的膜厚进行测定。然后，在室温(25℃)条件下，将具有该膜的硅晶片在聚硅氧烷(Ia)的情况下浸渍于5％TMAH水溶液、在聚硅氧烷(Ib)的情况下浸渍于2.38％TMAH水溶液，测定截至覆膜消失为止的时间。溶解速度用初始膜厚除以截至覆膜消失为止的时间而求出。溶解显著慢时，浸渍一定时间后进行膜厚测定，用浸渍前后的膜厚变化量除以浸渍时间，计算溶解速度。
聚硅氧烷(Ia)以及(Ib)的任意聚合物中，聚苯乙烯换算的质均分子量优选为700～10000，更优选为1000～4000。分子量过大时，存在因显影残渣等而不能得到充分的分辨率、灵敏度下降等问题，因此，优选以不使分子量增加的方式调整碱溶解速度。
聚硅氧烷(Ia)与(Ib)的混合比例能根据层间绝缘膜的膜厚、感光性组合物的灵敏度以及分辨率等以任意的比例调整，但是在含有20质量％以上的聚硅氧烷(Ia)时，由于加热固化时的防“图案”流挂效果良好而优选。
(II)重氮萘醌衍生物
本发明的硅氧烷组合物由于含有重氮萘醌衍生物，因此，曝光部可溶于碱显影液中，通过显影构成曝光部被除去的正型。本发明的重氮萘醌衍生物是使重氮萘醌磺酸与具有酚性羟基的化合物酯键合而成的化合物，对于结构没有特殊限制，但优选为与具有一个以上的苯酚性羟基的化合物的酯化合物。作为重氮萘醌磺酸，能够使用4-重氮萘醌磺酸或5-重氮萘醌磺酸。4-重氮萘醌磺酸酯化合物在i线(波长365nm)区域有吸收，因此适合i线曝光。而且，5-重氮萘醌磺酸酯化合物在宽范围的波长区域存在吸收，因此，适合在宽范围的波长条件下的曝光。优选根据曝光的波长选择4-重氮萘醌磺酸酯化合物、5-重氮萘醌磺酸酯化合物。也可以混合4-重氮萘醌磺酸酯化合物和5-重氮萘醌磺酸酯化合物使用。
作为具有酚性羟基的化合物，没有特殊限定，例如，可列举以下化合物(本州化学工业(株)制，商品名追加记录)。
[化学式1]
[化学式2]
[化学式3]
重氮萘醌衍生物的优选添加量根据重氮萘醌磺酸的酯化率、或者使用的聚硅氧烷的物性、所需的灵敏度、曝光部与未曝光部的溶解对比度等确定，但作为本发明的层间绝缘膜用途，优选为相对于聚硅氧烷(I)100质量份为3质量份以上且10质量份以下，更优选为5质量份以上且7质量份以下。重氮萘醌衍生物的添加量小于3质量份时，曝光部与未曝光部的溶解对比度过低，不具有实际的感光性。此外，为了得到良好的溶解对比度，优选为5质量份以上。另一方面，通过实验确认了当重氮萘醌衍生物的添加量多于10质量份时，热固化时或者因加热历程引起的重氮醌化合物分解所导致的着色变得显著，固化膜的无色透明性降低。此外，有时因热分解而产生固化物的电绝缘性的劣化以及气体的放出，在后工序中造成问题。
(III)光酸产生剂
本发明的硅氧烷组合物含有光酸产生剂。光酸产生剂在照射放射线时，分解放出促进硅烷醇基的缩合的酸。此处，作为放射线，可列举可见光、紫外线、红外线、X射线、电子束、α射线、或γ射线等。特别地，优选通过在薄膜晶体管的制造中使用的紫外线产生酸。
光酸产生剂的优选添加量根据分解产生的活性物质的种类、产生量、所需的灵敏度以及曝光部与未曝光部的溶解对比度等确定，相对于聚硅氧烷(I)100质量份，优选为0.01质量份以上且10质量份以下，更优选为0.1质量份以上且5质量份以下。添加量小于0.01质量份时，有时不具有添加效果。另一方面，添加量多于10质量份时，有时导致形成的覆膜产生裂纹，由分解物导致的着色变得显著，覆膜的无色透明性降低。而且，添加量多时，有时因热分解而产生固化物的电绝缘性的劣化以及气体的放出，导致保护膜不优选的作用。当相对于聚硅氧烷(I)100质量份含有0.01质量份以上且10质量份以下的光酸产生剂时，通过光照射后产生的酸促进聚硅氧烷中的硅氧醇的缩合反应，进行低温条件下的固化，能够实现无图案流挂、高分辨率。
作为光酸产生剂的具体例，可列举重氮甲烷化合物、二苯基碘鎓盐、三苯基锍盐、锍盐、铵盐、鏻盐、磺酰亚胺化合物等。这些光酸产生剂的结构可以由通式(2)表示。
R+X- (2)
此处，R+表示从由氢、碳原子或用其他杂原子修饰的烷基、芳基、烯基、酰基以及烷氧基组成的组中选出的有机离子，例如，二苯基碘鎓离子、三苯基锍离子。
X-优选为由下述通式表示的任意反离子。
SbY6 -
AsY6 -
Ra pPY6-p -
Ra qBY4-q -
Ra qGaY4-q -
RaSO3 -
(RaSO2)3C-
(RaSO2)2N-
RbCOO-
SCN-
(式中，Y为卤原子，Ra是由选自氟、硝基及氰基中的取代基取代的、碳数为1～20的烷基或碳数为6～20的芳基，Rb为氢或碳数为1～8的烷基，p为0～6的数，q为0～4的数。)
作为具体的反离子，可列举从由BF4 -、(C6F5)4B-、((CF3)2C6H3)4B-、PF6 -、(CF3CF2)3PF3 -、SbF6 -、(C6F5)4Ga-、((CF3)2C6H3)4Ga-、SCN-、(CF3SO2)3C-、(CF3SO2)2N-、甲酸离子、乙酸离子、三氟甲磺酸离子、九氟丁磺酸离子、甲磺酸离子、丁磺酸离子、苯磺酸离子、对甲苯磺酸离子以及磺酸离子组成的组中选出的离子。
在本发明中使用的光酸产生剂中，特别优选产生磺酸类或者硼酸类的物质，例如，可列举甲苯基异丙苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸(Rhodia公司制、“PHOTOINITIATOR2074”(商品名))、二苯基碘鎓四(全氟苯基)硼酸、阳离子部为锍离子、且阴离子部为五氟硼酸离子构成的物质。其他，还可列举三苯基锍三氟甲磺酸、三苯基锍樟脑磺酸、三苯基锍四(全氟苯基)硼酸、4-乙酸苯二甲基锍六氟砷酸、1-(4-正丁氧基奈-1-基)四氢噻吩三氟甲磺酸、1-(4，7-二丁氧基-1-萘)四氢噻吩三氟甲磺酸、二苯基碘鎓三氟甲磺酸、二苯基碘鎓六氟砷酸等。更进一步，也可使用下述式表示的光酸产生剂。
[化学式4]
式中，A各自独立地为从碳数1～20的烷基、碳数1～20的烷氧基、碳数6～20的芳基、碳数1～20的烷基羰基、碳数6～20的芳基羰基、羟基以及氨基中选出的取代基，p各自独立地为0～5的整数，作为B-，可列举经氟化的烷基磺酸酯基、经氟化的芳基磺酸酯基、经氟化的烷基硼酸酯基、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基等。也能够使用将这些化学式所示的阳离子以及阴离子相互交换而成的化合物、以及将这些化学式所示的阳离子或阴离子与上述各种阳离子或阴离子组合而成的光酸产生剂。例如，也能够使用由化学式表示的锍离子中的任一种与四(全氟苯基)硼酸离子组合而成的物质、由化学式表示的碘鎓离子中的任一种与四(全氟苯基)硼酸离子组合而成的物质作为光酸产生剂。
(IV)溶剂
作为溶剂，例如可列举：乙二醇单甲醚、乙二醇单***、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚等乙二醇单烷基醚类；二乙二醇二甲醚、二乙二醇二***、二乙二醇二丙醚、二乙二醇二丁醚等二乙二醇二烷基醚类；甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯等乙二醇烷基醚乙酸酯类；丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇单***乙酸酯、丙二醇单丙醚乙酸酯等丙二醇烷基醚乙酸酯类；苯、甲苯、二甲苯等芳香族烃类；甲乙酮、丙酮、甲基戊基酮、甲基异丁基酮、环己酮等的酮类；乙醇、丙醇、丁醇、己醇、环己醇、乙二醇、丙三醇等醇类；3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯等酯类；γ-丁内酯等环状酯类等。这些溶剂可以各自单独地使用，或者组合两种以上使用，其使用量根据涂布方法以及涂布后的膜厚的要求量确定。
对于本发明的正型感光性硅氧烷组合物而言，形成的膜具有高耐热性、低温固化性、高强度以及高耐裂纹性。而且，在碱显影液中的溶解性良好，并且不会发生图案流挂，图案形成性良好。
2.显示装置
以下，对本发明的有源矩阵基板、具有该有源矩阵基板的显示装置以及有源矩阵基板的制造方法进行说明。
(实施方式1)
图1是表示本发明的实施方式1的电视接收机(以下称为TV接收机)1的示意性立体图，图2是表示实施方式1的显示面板3的示意性截面图，图3是表示实施方式1的有源矩阵基板30的像素的示意性平面图，图4是表示有源矩阵基板30中设置有TFT25的部分的示意性截面图，图5是表示有源矩阵基板30的栅极布线11与源极布线12交叉的部分的示意性截面图。
TV接收机1具有显示影像的横向长的显示模块2、接收来自天线(未图示)的广播波的调谐器6、对经符号化的广播波进行解码的解码器7。TV接收机1用解码器7对通过调谐器6接收的广播波进行解码，基于解码的信息在显示模块2中显示影像。在TV接收机1的下部设置有支持TV接收机1的支架8。
显示模块2在例如是侧光型的情况下，具备显示面板3、例如三张光学片(以下，未图示)、导光板、反射片、以及框架。
显示模块2以纵向姿势收容于以纵向姿势前后地配置的前壳体4以及后壳体5。前壳体4是覆盖显示模块2的周缘部的矩形形状的框体，在中央具有矩形的开口2a。前壳体4由例如塑料材料构成。后壳体5成为前侧开放的矩形的盘状，由例如塑料材料构成。而且，前壳体4以及后壳体5也可以由其他材料构成。
前壳体4以及后壳体5的上下以及左右的尺寸大致相同，相互的周缘部分相对。显示面板3的上下以及左右的尺寸比前壳体4的开口2a略大，显示面板3的周缘部分与前壳体4的内缘部分相对。
显示面板3具备：相互相对的有源矩阵基板30、以及相对基板(滤色基板)31、作为显示介质层设置于有源矩阵基板30与相对基板31间的液晶层32、为了将有源矩阵基板30和相对基板31相互接合并将液晶层32封入有源矩阵基板30以及相对基板31间而设置成框状的片材33。
如图3所示，有源矩阵基板30具备：在例如玻璃基板等绝缘基板10上相互平行地延伸地设置的多条栅极布线11、分别设置在各栅极布线11之间且相互平行地延伸的多条电容布线13、在与各栅极布线11交叉的方向相互平行地延伸地设置的多条源极布线12、各栅极布线11以及各源极布线12的每个交叉部分、也即每个像素各自设置的多条TFT25、设置成矩阵状的且与各TFT25各自连接的多条像素电极23、以及，以覆盖各像素电极23的方式设置的取向膜(无图示)。
如图5所示，在有源矩阵基板30的源极布线12的下侧且包含栅极布线11、电容布线13、栅极布线11与源极布线12的交叉部分的部分，夹杂着层间绝缘膜14以及栅极绝缘膜15。
层间绝缘膜14使用本发明的硅氧烷组合物的固化物制成。
该硅氧烷组合物是对后工序的加热历程具有耐热性的材料，例如栅极绝缘膜15的成膜工序中，即使受到加热历程，也不会引起成为设备特性上的问题的物性变化。为了耐受栅极绝缘膜15的成膜工序的加热历程，优选具有300℃以上的耐热性。在本发明中，将耐热性定义为：在硅氧烷组合物的固化过程以及固化过程后被施加的加热历程后，能够保持电绝缘性、介电常数、透明膜的着色、白化、膜厚等的稳定性的温度。即，在经受加热历程后保持所述物性。
而且，优选即使经受上述加热历程，也能够确保层间绝缘膜14的光透射率(透射率)为90％以上。此处，光透射率是指，对在玻璃基板上以300℃以下的温度固化后的膜施加300℃、1小时的加热历程后的、2μm膜厚对于400nm波长的光的透射率。
此外，层间绝缘膜14的相对介电常数优选为4以下。
而且，因固化后的加热历程产生的升华物等对加热真空炉造成污染，由此，产生元件的动作缺陷，导致成品率下降，为了防止该问题，期望由加热历程导致的固化膜的膜厚减少量(膜剥离)少。即，优选在300℃条件下的膜剥离为5％以下。此处，膜剥离是根据在230℃、30分钟以上的条件下进行了固化的室温条件下的膜厚(i)、和对该固化膜进一步施加300℃、1小时(常压、空气中或氮环境下)的加热历程后在室温条件下的膜厚(ii)，如下所述地求出的。
膜剥离＝((i)-(ii))/(i)(％)
而且，以覆盖源极布线12的方式形成钝化膜21，以覆盖钝化膜21的方式平坦化地形成含有有机材料的层间绝缘膜22。在层间绝缘膜22上，像素电极23形成图案。
如图4所示，在有源矩阵基板30的绝缘基板10上，形成栅电极11a(成为栅极布线11的一部分)以及电容布线13。
以覆盖绝缘基板10的方式形成层间绝缘膜14。在栅电极11a上以及电容布线13上，各自的除去端缘部以外的部分，不被层间绝缘膜14覆盖，而形成开口部Ca、Ca。在层间绝缘膜14上、栅电极11a上以及电容布线13上形成栅极绝缘膜15，在栅极绝缘膜15上的、与栅电极11a侧的开口部Ca对应的部分形成半导体膜16。而且，以覆盖半导体膜16的方式形成n+膜17，形成源极区域以及漏极区域，在源极区域上以及漏极区域上形成源电极18以及漏电极19。由栅电极11a、栅极绝缘膜15、半导体膜16、n+膜17、源电极18以及漏电极19构成TFT25。
而且，以覆盖源电极18以及漏电极19的方式形成钝化膜21，以覆盖钝化膜21的方式形成层间绝缘膜22。
如图3以及图4所示，在栅极绝缘膜15上与电容布线13对应的位置形成电容电极20。在电容电极20上形成像素电极23。
像素电极23与开口部Ca上侧的开口部Cb的电容电极20连接，电容电极20隔着栅极绝缘膜15与电容布线13重叠，构成辅助电容。电容电极20通过漏极布线27与漏电极19连接。
在显示面板3中，对于各像素而言，当栅极信号从栅极驱动器(未图示)通过栅极布线11送至栅电极11a、TFT25成为导通状态时，源极信号从源极驱动器(未图示)通过源极布线12送至源电极18。源极信号在TFT25的栅极导通的时刻写入漏电极19、漏极连接布线27、像素电极23，根据施加的电压，在与相对基板31的共通电极之间产生电位差，使液晶层32的透射率变化，由此显示图像。
图6A～E以及图7F～H是表示本实施方式的有源矩阵基板30的制造方法的制造工序的示意性截面图。
首先，在玻璃基板等的绝缘基板10的整个基板，通过溅射法，例如，形成按顺序层叠钛膜(厚度50nm左右)、铝膜(厚度200nm左右)以及钛膜(厚度100nm左右)等的金属膜，然后，通过进行利用光掩模的光刻、金属膜的干蚀刻、光阻的剥离以及洗涤，形成栅极布线(也形成成为栅电极11a的部分)11、电容布线13(图6A)。另外，金属膜不限于上述三层结构，也可以是Cu膜等。
接下来，形成层间绝缘膜14(图6B～D)。图8是表示该层间绝缘膜形成的处理顺序的流程图。
首先，通过旋涂，将本发明的硅氧烷组合物涂布于包括栅极布线11和电容布线13的基板10上，形成膜14a(S1，图6B)。
形成膜14a后，例如在100℃条件下预烘烤90秒钟，调整膜厚(S2)。
预烘烤后，使用光掩模26，对膜14a进行曝光(S3，图6C)。
曝光后，使用2.38％TMAH水溶液进行显影(S4)。由此，开口部Ca、Ca等形成去除残渣等的图案。
最后，在例如250℃的条件下进行后烘烤，使膜14a固化，得到层间绝缘膜14(S5，图6D)。
在层间绝缘膜14上，通过化学气相沉积法(CVD，Chemical Vapor Deposition)法，使用例如氧化硅或氮化硅等形成膜，形成图案，由此，形成栅极绝缘膜15。
如上所述，层间绝缘膜14具有300℃以上的耐热性，即使经受栅极绝缘膜15的成膜工序的加热历程，也不会引起物性变化。
然后，通过例如CVD法，形成由非晶硅等构成的膜、由n+非晶硅等构成的膜，形成图案，由此，形成与源极区域及漏极区域对应的半导体膜16及n+膜17(图6E)。
而且，通过例如溅射法堆积Mo等，形成图案，由此，形成源电极18以及漏电极19(图7F)。此时，在栅极绝缘膜15上的、与电容布线13侧的开口部Ca对应的部分形成电容电极20(未图示)。
在源电极18以及漏电极19上通过例如CVD法形成氮化硅等的膜，形成图案，由此，形成钝化膜21，在钝化膜21上形成由例如丙烯酸树脂等合成树脂构成的膜，形成图案，由此，形成层间绝缘膜22(图7G)。
在层间绝缘膜22上，通过例如溅射法形成ITO膜，形成图案，由此，形成像素电极23(图7H)。
在本实施方式中，形成包含本发明的硅氧烷组合物的膜14a后，形成包含开口部Ca、Ca的图案时，不需要光阻涂布工序、蚀刻以及光阻剥离工序，因此，能够简化制造工序。因膜应力导致的基板翘曲也被加以抑制，在制造时发生的基板的流动障碍也被加以抑制。而且，由于不进行蚀刻，因此不产生副产物(异物)，耐裂纹性良好，也不会生成来自硅氧烷组合物的异物，因此，不良发生率降低，产率良好。因此，能够降低制造成本。
而且，层间绝缘膜14的透射率为90％以上，具备具有该层间绝缘膜14的有源矩阵基板30的显示面板3的透射率良好。
实施方式2.
本发明的实施方式2的显示模块除了有源矩阵基板34的层间绝缘膜14与栅极绝缘膜15的成膜顺序不同以外，与实施方式1的显示模块2具有相同构成。图9是表示有源矩阵基板34的设置有TFT35的部分的示意性截面图，图10是表示有源矩阵基板34的栅极布线11与源极布线12交叉的部分的示意性截面图。图9以及图10中，对于与图4及图5相同的部分，标记相同的符号，省略详细说明。
如图10所示，在有源矩阵基板34的栅极布线11与源极布线12的交叉部分，在绝缘基板10上形成的栅极布线11与源极布线12之间，从绝缘基板10侧依次夹杂有栅极绝缘膜15及层间绝缘膜缘膜14。
层间绝缘膜14使用具有与上述相同的本发明的硅氧烷组合物的SOG材料制成。
如图9所示，在有源矩阵基板34的绝缘基板10上形成栅电极11a以及电容布线13。
栅极绝缘膜15形成为覆盖绝缘基板10、包括栅电极11a的栅极布线11以及电容布线13。层间绝缘膜14以覆盖栅极绝缘膜15的方式形成。而且，在层间绝缘膜14的与栅电极11a上以及电容布线13上对应的部分形成开口部Ca、Ca。在层间绝缘膜14的栅电极11a侧的开口部Ca依次形成半导体膜16以及n+膜17。
在本实施方式中，形成含有本发明的硅氧烷组合物的膜14a后，形成图案时，不需要光阻涂布工序、蚀刻以及光阻剥离工序，因此，能够减少制造成本。制造时发生基板的流动障碍也被加以抑制。而且，由于不进行蚀刻，因此，不产生副产物，耐裂纹性良好，因此，也不产生来自硅氧烷组合物的异物，不良产生率下降，产率良好。
层间绝缘膜14的透射率为90％以上，显示面板3的透射率良好。
实施方式3.
对于本发明的实施方式3的显示装置而言，在有源矩阵基板36中，形成半导体膜16及n+膜17后，形成层间绝缘膜14，除此以外，具有与实施方式2的显示装置相同的构成。图11是表示有源矩阵基板36的设置有TFT37的部分的示意性截面图。在有源矩阵基板36中，栅极布线11与源极布线12交叉的部分的构成与实施方式2中的栅极布线11和源极布线12交叉的部分的构成相同。图11中，对于与图9相同的部分标记相同符号，省略详细说明。
如图11所示，在有源矩阵基板36的绝缘基板10上形成栅电极11a及电容布线13。
栅极绝缘膜15形成为覆盖绝缘基板10、包括栅电极11a的栅极布线11以及电容布线13。在栅极绝缘膜15的与栅电极11a上对应的部分，依次形成半导体膜16及n+膜17。层间绝缘膜14以覆盖栅极绝缘膜15的形式形成。在层间绝缘膜14的与栅电极11a上及电容布线13上对应的部分形成开口部Ca、Ca。
在本实施方式中，形成包含本发明的硅氧烷组合物的膜14a后，形成图案时，不需要光阻涂布工序、蚀刻以及光阻剥离工序，因此，能够减少制造成本。制造时发生的基板的流动障碍也被加以抑制。而且，由于不进行蚀刻，因此，不产生副产物，耐裂纹性良好，因此，也不会产生来自硅氧烷组合物的异物，不良产生率下降，产率良好。
层间绝缘膜14的透射率为90％以上，显示面板3的透射率良好。
实施方式4.
本发明的实施方式4的显示装置，除了有源矩阵基板38的层间绝缘膜22的材料含有与层间绝缘膜14相同的本发明的硅氧烷组合物以外，具有与实施方式1的显示模块2相同的构成。图12是表示有源矩阵基板38的设置有TFT39的部分的示意性截面图。在有源矩阵基板38中，栅极布线11与源极布线12交叉的部分的构成与实施方式1中的栅极布线11和源极布线12交叉的部分的构成相同。图12中，对于与图4相同的部分标记相同符号，省略详细说明。
如上所述，层间绝缘膜22不使用丙烯酸系的树脂而使用与层间绝缘膜14相同的硅氧烷组合物形成。
因此，在本实施方式中，能够使构成有源矩阵基板38的膜的材料以及成膜的设备共通化，从而能够降低制造成本，能够容易地进行材料的管理。
实施方式5.
本发明的实施方式5的显示装置，除了在有源矩阵基板40中的层间绝缘膜14的形成图案不同以外，具有与实施方式2的显示装置相同的构成。图13是表示有源矩阵基板40的设置有TFT41的部分的示意性截面图，图14是表示有源矩阵基板40的栅极布线11与源极布线12交叉的部分的示意性截面图。图13及图14中，对于与图9及图10相同的部分标记相同符号，省略详细说明。
如图14所示，在有源矩阵基板40的栅极布线11与源极布线12的交叉部分，在绝缘基板10上形成的栅极布线11与源极布线12之间，从绝缘基板10侧依次夹杂栅极绝缘膜15以及层间绝缘膜14。
层间绝缘膜14使用与上述相同的本发明的硅氧烷组合物制成。
对于有源矩阵基板40而言，与实施方式2的有源矩阵基板34不同，在与栅极布线11、11间对应的栅极绝缘膜15上未形成层间绝缘膜14。而且，如下文所述，在栅极布线11的形成栅电极11a的部分的上侧未形成层间绝缘膜14。
如图13所示，在有源矩阵基板40的绝缘基板10上形成栅电极11a以及电容布线13。
如上所述，在栅极布线11的形成栅电极11a的部分的上侧未形成层间绝缘膜14。而且，在电容布线13的上侧以及栅极布线11与电容布线13之间，也未形成层间绝缘膜14。
根据使用本发明的正型感光性硅氧烷组合物的、本发明的有源矩阵基板的制造方法，能够不进行蚀刻而形成层间绝缘膜14，不产生由硅氧烷组合物导致的副产物，抑制布线间泄露的发生，因此，能够仅在栅极布线11与源极布线12的交叉部分等的、要求降低布线间电容的所需最低限度的部分设置层间绝缘膜14。因此，通过设置成在想要确保透射率的像素部分、想要增大电容的电容布线13的部分、开口部Ca、Ca的部分不配置层间绝缘膜14，由此，具备有源矩阵基板40的显示面板3能够具有良好的透射率。
实施例
以下，列举实施例、比较例对本发明进一步进行具体说明，但本发明并不受这些实施例、比较例的任何限定。
＜合成例＞
首先，在以下示出本发明的聚硅氧烷的合成例。需要说的是，测定时使用以下装置。
GPC：HLC-8220GPC(东曹股份有限公司(東ソー株式会社)制)
旋涂机：MS-A100(三笠股份有限公司(ミカサ株式会社)制)
＜合成例1(聚硅氧烷(Ia)的合成：碱催化剂合成)＞
在具备搅拌机、温度计、冷却管的2L的烧瓶中加入25质量％四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液36.5g、异丙醇(IPA)800ml、水2.0g，然后，在滴液漏斗中制备苯基三甲氧基硅烷39.7g、甲基三甲氧基硅烷34.1g、四甲氧基硅烷7.6g的混合溶液。在10℃条件下，将该混合溶液滴加至所述烧瓶内，在相同温度条件下搅拌3小时后，添加10％HCl水溶液进行中和。在中和液中添加甲苯400ml、水100ml，分离成2层，减压浓缩得到的有机层，从而除去溶剂，在浓缩物中添加丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)进行调整，以使固体成分浓度成为40质量％。
用GPC测定得到的聚硅氧烷的分子量(聚苯乙烯换算)时，质均分子量(以下，有时简称为“Mw”。)＝2200。而且，通过旋涂将得到的树脂溶液涂布于硅晶片，以使预烘烤后的膜厚成为2μm，测定预烘烤后在5％TMAH水溶液中的溶解速度(以下，有时简称为“ADR”。)，结果为
＜合成例2(聚硅氧烷(Ib)的合成：碱催化剂合成)＞
与合成例1同样地进行操作，加入25质量％TMAH水溶液54.7g、IPA800ml，然后在滴液漏斗中制备苯基三甲氧基硅烷39.7g、甲基三甲氧基硅烷34.1g、四甲氧基硅烷7.6g的混合溶液。在10℃条件下将该混合溶液滴加至所述烧瓶内，在相同温度条件下搅拌3小时后，加入10％HCl水溶液进行中和。在中和液中添加甲苯400ml、水100ml，分离成2层，减压浓缩得到的有机层，从而除去溶剂，在浓缩物中添加PGMEA进行调整，以使固体成分浓度成为40质量％。与合成例1同样地测定得到的聚硅氧烷的分子量(聚苯乙烯换算)、在2.38％TMAH水溶液中的ADR，结果是Mw＝1810，在2.38％TMAH水溶液中的ADR为
＜实施例1(正型感光性硅氧烷组合物1)＞
将以(Ia)：(Ib)＝(12质量％)：(88质量％)的比例混合的聚硅氧烷、相对于聚硅氧烷为6质量％的4-4’-(1-(4-(1-(4-羟基苯酚)-1-甲基乙基)苯基)亚乙基)双酚的重氮萘醌2.8摩尔的改性物(以下简称为“PAC”)、相对于聚硅氧烷为3质量％的硼酸系的光酸产生剂“CPI-310B”(San-apro公司制)(以下简称为“PAG”)、以及相对于聚硅氧烷为0.3质量％的作为表面活性剂的“KF-53”(信越化学工业股份有限公司制)的混合物作为固体成分，通过作为溶剂的PGMEA94％与γ-丁内酯6％的混合溶剂进行调整，使固体成分浓度成为35％，得到感光性硅氧烷组合物1。
通过旋涂将该感光性硅氧烷组合物1涂布于硅晶片上，涂布后在加热板上以100℃进行预烘烤，调整成2.3μm的膜厚。预烘烤后，使用步进式“FX-604”(NA＝0.1：尼康股份有限公司制)的g、h线曝光机，以450mJ/cm2进行曝光，用2.38％TMAH水溶液在室温条件下进行100秒的显影后，用纯水清洗。然后，使用曝光机“PLA-501F”(佳能股份有限公司制)以2000mJ/cm2进行全面曝光，由此，进行膜中的残存PAC的脱色。使用加热板在空气中以230℃进行30分钟固化，制作固化膜。固化后的最终膜厚为2.1μm。然后，进行SEM观察，由此，确认了“FX-604”的装置的分辨极限即3μm的接触孔(所述开口部)图案被去除。此处，通过掩模的接触孔设计的80％以上的底部接触的形成，判断可否形成接触孔。
用于透射率测定的试验体按照以下顺序制作。通过旋涂将同样的硅氧烷组合物1涂布于玻璃(“EAGLE XG”，厚度0.7mm：康宁公司制)，涂布后，在加热板上以100℃进行预烘烤，调整为2.3μm的膜厚。在室温条件下用2.38％TMAH水溶液进行100秒的显影后，用纯水清洗。然后，使用曝光机“PLA-501F”以2000mJ/cm2进行全面曝光，由此，进行膜中的残存PAC的脱色。使用加热板在空气中以230℃进行30分钟固化，制作固化膜。然后，使用加热板在空气中以300℃施加1小时的加热历程。通过SEM观察，分别求出固化后与加热历程后的平均膜厚，结果为2.10μm(无膜剥离)，即无变化。
光透射率的测定使用分光光度计“U-4000”(日立高新技术股份有限公司制)，仅测定玻璃，作为基准。然后，测定用于透射率测定的试验体，求出每2μm膜厚在波长400nm条件下的光透射率，结果为97％。
＜实施例2(正型感光性硅氧烷组合物2)＞
除了将相对于聚硅氧烷为6质量％的PAC变更为9质量％以外，与实施例1同样地得到感光性硅氧烷组合物2。
与实施例1同样地在基板上涂布，形成图案，确认图案的分辨率时，确认了5μm的接触孔图案无残渣地去除。而且，与实施例1同样地测定光透射率，求出每2μm膜厚在波长400nm条件下的光透射率，结果为92％。而且，与实施例1同样地求出平均膜厚，结果从2.17μm减少至2.10μm，膜剥离为3.2％。
＜比较例1(正型感光性硅氧烷组合物3)＞
除了不添加PAG以外，与实施例1同样地得到了感光性硅氧烷组合物3。
与实施例1同样地在基板上涂布，形成图案，确认图案的分辨率时，确认了未能形成20μm的接触孔。显影后立刻与实施例1同样地确认到3μm的接触孔的图案，因此，认为230℃条件下的加热固化时图案进行热流动，堵塞了接触孔。而且，与实施例1同样地测定光透射率，求出每2μm膜厚在波长400nm条件下的光透射率，结果为97％。而且，与实施例1同样地求出平均膜厚，结果从2.16μm减少至2.09μm，膜剥离为3.2％。
＜比较例2(正型感光性硅氧烷组合物4)＞
不添加PAG，而将相对于聚硅氧烷为6质量％的PAC变更至12质量％，除此以外，与实施例1同样地得到了感光性硅氧烷组合物4。
与实施例1同样地在基板涂布，形成图案，确认图案的分辨率时，确认了5μm的接触孔图案被除去。而且，与实施例1同样地测定光透射率，求出每2μm膜厚在波长400nm条件下的光透射率，结果为87％。而且，与实施例1同样地求出平均膜厚，结果从2.17μm减少至2.09μm，膜剥离为3.7％。
确认了相比于以上的实施例1、实施例2、比较例1以及比较例2，实施例1、实施例2的正型感光性硅氧烷组合物具有良好的耐热性，能够高灵敏度、高精细地形成图案。
需要说明的是，本发明不限于上述实施方式1～5的内容，能在权利要求所示的范围内进行各种变更。即，对在权利要求所示的范围内适宜变更的技术方案进行组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。
附图标记说明
1 电视接收机；
2 显示模块(显示装置)；
3 显示面板(显示装置)；
30、34、36、38、40 有源矩阵基板；
10 绝缘基板；
11 栅极布线；
11a 栅电极；
12 源极布线；
13 电容布线；
14 层间绝缘膜；
15 栅极绝缘膜；
16 半导体膜；
17 n+膜；
18 源电极；
19 漏电极；
20 电容电极；
21 钝化膜；
22 层间绝缘膜；
23 像素电极；
25、35、37、39、41 TFT；
Ca、Cb 开口部；
31 相对基板；
32 液晶层。

Claims (10)

1.一种正型感光性硅氧烷组合物，其特征在于，含有：(I)在四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液中的溶解速度不同的至少两种以上的聚硅氧烷、(II)重氮萘醌衍生物、(III)光酸产生剂以及(IV)溶剂，
所述聚硅氧烷(I)是(A)与(B)的混合物，
(A)聚硅氧烷(Ia)，将由下述通式(1)表示的硅烷化合物在碱性催化剂的存在下进行水解以及缩合而得的预烘烤后的膜可溶于5质量％TMAH水溶液，该膜的溶解速度为以下，
R1 nSi(OR2)4-n
式中，R1表示任意的亚甲基被氧取代或未被氧取代的碳数为1～20的直链状、支链状或环状的烷基、或者碳数为6～20且任意的氢被氟取代或未被氟取代的芳基，R2表示碳数为1～5的烷基，n表示0或1，
(B)聚硅氧烷(Ib)，将由所述通式(1)表示的硅烷化合物在碱性催化剂或酸性催化剂的存在下进行水解以及缩合而得的预烘烤后的膜在2.38质量％TMAH水溶液中的溶解速度为以上。
2.如权利要求1所述的正型感光性硅氧烷组合物，其特征在于，所述聚硅氧烷使通式(1)中的n＝0的硅烷化合物以20摩尔％以下进行反应而得。
3.如权利要求1或2所述的正型感光性硅氧烷组合物，其特征在于，
所述重氮萘醌衍生物相对于所述聚硅氧烷(I)100质量份为3质量份以上且10质量份以下，所述光酸产生剂的量相对于所述聚硅氧烷(I)100质量份为0.01质量份以上且10质量份以下。
4.一种有源矩阵基板，其特征在于，在基板上使多条源极布线与多条栅极布线以立体地交叉的方式形成，在所述源极布线与所述栅极布线交叉的部分的附近形成薄膜晶体管，形成通过该薄膜晶体管与对应的源极布线电连接的像素电极，至少在所述源极布线与所述栅极布线之间夹杂由权利要求1至3中任一项所述的正型感光性硅氧烷组合物的固化物构成的层间绝缘膜。
5.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
所述层间绝缘膜具有300℃以上的耐热性，
光透射率为90％以上，
300℃条件下的膜厚减少量为5％以下，
相对介电常数为4以下。
6.如权利要求4或5所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述层间绝缘膜形成于所述源极布线与所述栅极布线交叉的部分。
7.如权利要求4至6中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，在所述薄膜晶体管的上侧，进一步具有由所述固化物构成的层间绝缘膜。
8.一种显示装置，其特征在于，具有：
权利要求4至7中任一项所述的有源矩阵基板、
在该有源矩阵基板上配置的显示介质层、以及
在所述有源矩阵基板上隔着所述显示介质层相对的相对基板。
9.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，包括：
像素电极形成工序，在基板上使多条源极布线与多条栅极布线以立体地交叉的方式形成，在所述源极布线与所述栅极布线交叉的部分的附近形成薄膜晶体管，形成通过该薄膜晶体管与对应的源极布线电连接的像素电极，以及，
层间绝缘膜形成工序，至少在所述源极布线与所述栅极布线之间形成由权利要求1至3中任一项所述的正型感光性硅氧烷组合物的固化物构成的层间绝缘膜，
所述层间绝缘膜形成工序包括：
使用所述正型感光性硅氧烷组合物形成膜的膜形成工序、
对形成的膜进行预烘烤的工序、
对经预烘烤的膜进行曝光工序、
对经曝光的膜进行显影的工序，以及
对经显影的膜进行烧成的工序。
10.如权利要求9所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，所述膜形成工序在所述源极布线与所述栅极布线交叉的部分形成膜。
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