CN107209029B - 位移传感器以及距离调节装置 - Google Patents

Abstract

一种位移传感器，具备：线圈；逆变器，与所述线圈电连接，生成振荡信号；降低部，电连接于所述线圈与所述逆变器的输出端之间，使所述振荡信号的强度降低；以及频率检测部，是与所述逆变器电连接的频率检测部，根据测量对象物与所述线圈之间的距离，对包括所述线圈、所述逆变器以及所述降低部且振荡频率为30MHz以上的振荡电路的振荡频率进行检测。

Description

位移传感器以及距离调节装置

技术领域

本发明涉及对与测量对象物之间的距离进行测量的位移传感器以及距离调节装置。

本申请对在2015年11月17日申请的日本专利申请第2015－224695号主张优先权，将其内容引用于此。

背景技术

作为对与金属等测量对象物之间的距离进行测量的位移传感器，已知使用了振荡电路的位移传感器。在该位移传感器中，在具有线圈的基板上安装有振荡电路和累计电路。在该位移传感器中，振荡电路的振荡频率根据线圈与测量对象物之间的距离变化而变化，所以通过检测该振荡频率而对与测量对象物之间的距离进行测量。

这样的位移传感器辐射高次谐波(噪声)，所以要求满足被标准化的EMC(Electromagnetic Compatibility，电磁兼容性)规格。因此，以往，在使用位移传感器的环境下，为了使位移传感器辐射的高次谐波***漏到外部，需要对包含测量对象物的位移传感器整体进行屏蔽。但是，在这样对位移传感器整体进行屏蔽的方法中，存在屏蔽材料费、制造费等成本增大的情况。另外，根据位移传感器的使用环境，还存在无法对位移传感器整体进行屏蔽的情况。另一方面，在将用于降低高次谐波的结构(噪声降低单元)设置于电路内的情况下，不仅对高次谐波造成影响，还对用于距离测量的基本波形造成影响。因此，在位移传感器的领域以往未将用于降低高次谐波的结构设置于电路内。另外，在使用了LC振荡电路的位移传感器中，在利用MHz等级的振荡频率来进行测量的情况下，还有时用于测量的基准波以及高次谐波这双方的强度增大，难以满足EMC规格。

专利文献1：日本特开2009－192385号公报

发明内容

本发明的一个方案提供能够利用低成本且简易的结构来降低振荡信号的强度的位移传感器以及距离调节装置。

本发明的一个方案为一种位移传感器，具备：线圈；逆变器，与所述线圈电连接，生成振荡信号；降低部，电连接于所述线圈与所述逆变器的输出端之间，使所述振荡信号的强度降低；以及频率检测部，是与所述逆变器电连接的频率检测部，根据测量对象物与所述线圈之间的距离，对包括所述线圈、所述逆变器以及所述降低部且振荡频率为30MHz以上的振荡电路的振荡频率进行检测。

在本发明的一个方案中，所述降低部可以具备噪声降低部，该噪声降低部使规定的频率以上的所述振荡信号的强度降低。

在本发明的一个方案中，所述噪声降低部可以包含磁性材料。

在本发明的一个方案中，所述磁性材料可以包含铁素体。

在本发明的一个方案中，所述降低部可以具备电阻部，该电阻部使所述振荡信号所包含的基本波形以及高次谐波的强度降低。

在本发明的一个方案中，所述频率检测部可以具有频率计数器，该频率计数器对频率根据所述测量对象物与所述线圈之间的距离而变化的所述振荡信号的信号值超过阈值的次数进行计数，根据计数出的次数，导出所述振荡电路的振荡频率。

在本发明的一个方案中，所述位移传感器可以还具备输出部，该输出部根据由所述频率检测部检测出的振荡频率，将表示所述测量对象物与所述线圈之间的距离的值作为数字信号输出到外部。

在本发明的一个方案中，可以是所述逆变器和所述频率检测部由一个硬件构成，所述线圈和所述降低部配置于所述硬件的外部，所述降低部连接于所述硬件的输出端。

在本发明的一个方案中，所述降低部可以与所述线圈相比配置得靠近所述硬件。

在本发明的一个方案中，所述位移传感器可以还具备噪声遮蔽部，该噪声遮蔽部至少覆盖将所述硬件与所述降低部进行连接的布线。

在本发明的一个方案中，所述位移传感器可以还具备基板，在该基板配置所述线圈、所述硬件以及所述降低部，所述硬件以及所述降低部配置于所述基板的第1面，所述线圈配置于所述基板的与所述第1面对置的第2面。

在本发明的一个方案中，所述降低部可以具备：噪声降低部，使所述振荡信号所包含的高次谐波的强度降低；以及电阻部，使所述振荡信号所包含的基本波形以及高次谐波的强度降低。可以在所述硬件的输出端与所述线圈之间，从接近所述硬件的输出端的一侧，依次配置所述电阻部以及所述噪声降低部。

本发明的其它方案为一种距离调节装置，具备：所述位移传感器；距离调节部，对所述测量对象物与所述位移传感器之间的距离进行调节；以及控制装置，根据从所述位移传感器输入的值，控制所述距离调节部，以使所述测量对象物与所述位移传感器之间的距离成为期望的距离。

根据本发明的一个方案，能够提供能够利用低成本且简易的结构来降低振荡信号的强度的位移传感器以及距离调节装置。

附图说明

图1是示出本发明的第1实施方式的位移传感器的结构的一个例子的框图。

图2是示出本发明的第1实施方式的线圈与基板之间的配置关系的图。

图3是示出本发明的第1实施方式的振荡电路的振荡频率、和位移传感器与测量对象物之间的距离的关系的一个例子的曲线图。

图4是示出本发明的第1实施方式的频率检测部的结构的一个例子的框图。

图5A是由本发明的第1实施方式的振荡电路产生的辐射电磁波强度的曲线图。

图5B是由噪声降低部对由本发明的第1实施方式的振荡电路产生的振荡信号进行了处理之后的辐射电磁波强度的曲线图。

图6是示出本发明的第1实施方式的位移传感器的电路结构的一个例子的图。

图7是示出本发明的第2实施方式的距离调节装置的结构的一个例子的框图。

图8是示出本发明的第3实施方式的位移传感器的结构的一个例子的框图。

图9A是示出由本发明的第3实施方式的振荡电路产生的辐射电磁波强度的一个例子的曲线图。

图9B是由电阻部以及噪声降低部对由本发明的第3实施方式的振荡电路产生的振荡信号进行了处理之后的辐射电磁波强度的曲线图。

图10A是示出由本发明的第3实施方式的振荡电路产生的辐射电磁波强度的其它例子的曲线图。

图10B是通过了本发明的第3实施方式的电阻部之后的辐射电磁波强度的曲线图。

图10C是通过了本发明的第3实施方式的噪声降低部之后的辐射电磁波强度的曲线图。

图11是示出本发明的第3实施方式的IC以及降低部与线圈的配置关系的一个例子的图。

图12是从基板的第1面侧观察图11所示的位移传感器时的图。

符号说明

1、3：位移传感器；2：距离调节装置；20：IC；22：线圈；24：噪声降低部(降低部)；26：逆变器；28：降低部；30：频率检测部；32：频率计数器；34：输出部；40：控制装置；50：电阻部；52：噪声遮蔽部；100：致动器(距离调节部)

具体实施方式

以下，参照附图，说明本发明的几个实施方式的位移传感器。

(第1实施方式)

图1是示出第1实施方式的位移传感器1的结构的一个例子的框图。位移传感器1包括例如基板10、线圈22、噪声降低部24(降低部)、逆变器26以及频率检测部30。位移传感器1对作为金属等导电体的测量对象物T与位移传感器1之间的距离D进行测量，将测量结果输出到外部的控制装置40等。线圈22、噪声降低部24以及逆变器26形成环电路，作为振荡电路而发挥功能。

基板10由例如玻璃基板、环氧系列基板(环氧玻璃基板、环氧纸基板等)、聚酰亚胺基板、陶瓷基板等形成。图1的框图的基板10也可以是长方形、圆形、正方形等任意的形状。

线圈22设置于位移传感器1的表面，在以使其中心轴朝向测量对象物T的方式配置的状态下被使用。位移传感器1对该线圈22与测量对象物T之间的距离D进行测量。振荡电路的振荡频率为30MHz以上。振荡电路的振荡频率为例如100至500MHz左右。

图2是示出第1实施方式的线圈22与基板10之间的配置关系的图。线圈22配置于基板10上。线圈的材料为例如Ag、Cu、金等。另外，线圈22的表面可以为了防止来自外部的污染、氧化等而由保护膜包覆。在图2中，作为线圈22示出有平面状的圆形的螺旋形线圈，但线圈22也可以是方形的螺旋形线圈。另外，也可以使用为了实现线圈的小型化并确保匝数而对螺旋形线圈进行多层化的结构。

噪声降低部24降低从线圈22输出的高次谐波的信号的强度。噪声降低部24的一端与线圈22连接，另一端电连接于逆变器26的输出端与频率检测部30之间。噪声降低部24使规定的频率以上的信号的强度降低。噪声降低部24包含例如磁性材料。作为磁性材料，例如可举出铁素体、铁、钴、镍或者它们的合金。在使用例如铁素体的情况下，因其种类不同而能够降低的噪声的频率不同。因此，选择与噪声相应的铁素体。作为一个例子，铁素体降低高次谐波的强度，该高次谐波具有为了计算测量对象物T与线圈22之间的距离D而使用的振荡频率(100至500MHz，例如，200MHz)的2至4倍的频率。

逆变器26生成用于使线圈22在高频下振荡的振荡信号。逆变器26为例如CMOS逆变器。逆变器26的输入端与线圈22电连接。逆变器26通过进行当被输入Lo信号时输出Hi信号、当被输入Hi信号时输出Lo信号的动作，从而使线圈22振荡。

频率检测部30对根据测量对象物T与线圈22之间的距离而变化的振荡电路的振荡频率进行检测。频率检测部30将表示检测出的振荡频率的值(计数值)输出到作为外部装置的控制装置40。另外，频率检测部30也可以将把表示检测出的振荡频率的值换算为测量对象物T与线圈22之间的距离D而得到的值输出到控制装置40。控制装置40也可以组装到位移传感器1内。

逆变器26以及频率检测部30可以作为IC(Integrated Circuit，集成电路)20等硬件安装于基板10上。在该情况下，线圈22以及噪声降低部24配置于该IC20的外部。为了不使噪声影响到线圈22，噪声降低部24配置于IC20的输出端。此外，噪声降低部24优选与IC20接近地配置，尽可能缩短将噪声降低部24与IC20进行连接的布线的长度。例如，噪声降低部24可以与线圈22相比配置得靠近IC20。

控制装置40将表示从频率检测部30输入的振荡频率的值换算为测量对象物T与线圈22之间的距离D而显示。控制装置40为例如个人计算机、移动电话等终端装置。另外，在频率检测部30将换算为测量对象物T与线圈22之间的距离D而得到的值输出到控制装置40的情况等下，控制装置40也可以是液晶显示器、有机EL(Electroluminescence，电致发光)显示装置等。

图3是示出第1实施方式的振荡电路的振荡频率、和位移传感器1与测量对象物T之间的距离的关系的一个例子的曲线图。如图3所示，当位移传感器1与测量对象物T之间的距离增大时，振荡电路的振荡频率减少，当位移传感器1与测量对象物T之间的距离减少时，振荡电路的振荡频率增大。根据该关系，控制装置40计算将从频率检测部30输入的振荡频率换算为测量对象物T与线圈22之间的距离D而得到的值。

图4是示出第1实施方式的频率检测部30的结构的一个例子的框图。频率检测部30具备例如频率计数器32和输出部34。频率计数器32对和测量对象物T与线圈22之间的距离相应的振荡电路的振荡频率进行检测。具体而言，频率计数器32根据测量对象物T与线圈22之间的距离D而频率发生变化的振荡信号的信号值(电压)超过阈值的次数进行计数，根据计数出的次数，导出振荡电路的振荡频率。频率计数器32对频率进行计数的测量时间能够根据用途而预先设定。通过增长测量时间，能够提高位移传感器1的分辨率。测量时间为例如100μs、200μs、300μs、400μs等。

输出部34将表示频率计数器32检测出的振荡频率的值作为数字信号输出到控制装置40。

以下，说明第1实施方式的位移传感器1的动作。当使振荡电路所包含的线圈22在高频下振荡时，利用从线圈22辐射的磁场，在测量对象物T的表面产生由于电磁感应而产生的感应电流。此处，当测量对象物T移动而接近线圈22或者从线圈22远离时，振荡频率产生变化。

但是，在表示振荡电路的振荡频率的信号中包含作为噪声分量的高次谐波。例如，如图5A所示，在表示振荡电路的振荡频率的信号中，除了包含为了计算测量对象物T与线圈22之间的距离D而使用的基本波形以外，还包含作为具有更高的频率的高次谐波的2次高次谐波、3次高次谐波等。在EMC规格中，对于从这样的设备辐射的电磁波的强度决定了限度值。该限度值针对每个设备(类别)而被决定，根据频率而变化。作为该限度值的单位，使用例如dbμV/m。例如，在工业环境下使用的设备被分类为类别A，在普通家庭环境下使用的设备被分类为类别B。类别A的限度值被设定为比类别B的限度值高的值。在图5A中，示出2次高次谐波的强度超过类别B的限度值、3次高次谐波的强度超过类别A的限度值的例子。例如，在预想在工业环境下使用位移传感器1的情况下，需要将辐射到位移传感器1的外部的2次高次谐波以及3次高次谐波的强度至少抑制到小于类别A的限度值。

因此，在第1实施方式中，设置有降低由振荡电路产生的高次谐波的强度的噪声降低部24。包含高次谐波的信号通过噪声降低部24，从而降低该高次谐波的强度。图5B是示出通过了噪声降低部24之后的辐射电磁波强度(对策后的辐射电磁波强度)的图。在图5B中，可知为了计算测量对象物T与线圈22之间的距离D而使用的基本波形的强度没有变化，2次高次谐波以及3次高次谐波的强度被降低至小于类别B的限度值。由此，能够防止位移传感器1向外部辐射基准值(类别B)以上的高次谐波。

频率检测部30的频率计数器32检测信号的振荡频率，将表示检测出的振荡频率的值输入到输出部34。接下来，输出部34将表示从频率计数器32输入的振荡频率的值作为数字信号输出到控制装置40。

控制装置40将从输出部34输入的振荡频率换算为测量对象物T与线圈22之间的距离D而显示。据此，位移传感器1的利用者能够测量与测量对象物T之间的距离。

图6是示出第1实施方式的位移传感器1的电路结构的一个例子的图。在图6所示的电路图中，示出有构成频率计数器32的计数器电路32A和构成输出部34的串行输出电路34A。

计数器电路32A具备例如32比特的输出0至31，分别连接于串行输出电路34A，串行输出电路34A根据线圈22的振荡频率将从计数器电路32A输出的串行信号依照从外部的时钟端子CLK输入的时钟从串行输出端子SOUT输出。

根据以上说明的第1实施方式的位移传感器1，设置有降低由振荡电路产生的高次谐波的强度的噪声降低部24。由此，能够提供能够利用低成本且简易的结构来降低辐射到外部的高次谐波的强度的位移传感器。

(第2实施方式)

以下，说明第2实施方式的距离调节装置2。图7所示的距离调节装置2例如包括第1实施方式的位移传感器1、控制装置40A以及致动器(距离调节部)100。因此，关于位移传感器1的结构等，引用在第1实施方式中说明的图以及关联的记载，使用相同的符号，省略说明。

控制装置40A根据从位移传感器1输入的值，以使测量对象物与位移传感器之间的距离成为期望的距离的方式控制致动器100。控制装置40A将表示从位移传感器1输入的振荡频率的值换算为测量对象物T与线圈22之间的距离D并显示。进而，控制装置40A根据换算后的距离D，对致动器100输出距离调节信号，从而能够进行例如与位移传感器1的位置有关的反馈控制。例如，在位移传感器1(设置有位移传感器的装置)与测量对象物T之间的距离比规定的阈值小的情况下，使位移传感器1与测量对象物T之间的距离增大，将设定为规定的距离的距离调节信号输出到致动器100。另外，例如，在位移传感器1与测量对象物T之间的距离比规定的阈值大的情况下，使位移传感器1与测量对象物T之间的距离减少，将设定为规定的距离的距离调节信号输出到致动器100。另外，在位移传感器1与测量对象物T之间的距离为规定的范围内的情况下，将使位移传感器1与测量对象物T之间的距离维持的距离调节信号输出到致动器100。

致动器100对测量对象物T与位移传感器1之间的距离进行调节。致动器100具备例如马达等驱动部。根据从控制装置40A输入的距离调节信号，致动器100调节例如位移传感器1的位置。从控制装置40A接收到使位移传感器1与测量对象物T之间的距离增大并设定为规定的距离的距离调节信号的情况下，致动器100以使位移传感器1的位置远离测量对象物T，使两者成为规定的距离的方式调节。另外，在从控制装置40A接收到使位移传感器1与测量对象物T之间的距离减少而设定为规定的距离的距离调节信号的情况下，致动器100以使位移传感器1的位置靠近测量对象物T，使两者成为规定的距离的方式调节。另外，在从控制装置40A接收到维持位移传感器1与测量对象物T之间的距离的距离调节信号的情况下，致动器100不使位移传感器1的位置移动，而保持当前的位置。

根据以上说明的第2实施方式的距离调节装置2，控制装置40A根据从频率检测部30输入的振荡频率换算距离D，将基于该距离D的距离调节信号输出到致动器100。由此，能够进行与位移传感器1的位置有关的反馈控制。此外，在第2实施方式中，示出了致动器100调节位移传感器1的位置的例子，但也可以使致动器100调节测量对象物T的位置。

(第3实施方式)

以下，说明第3实施方式的位移传感器3。与第1实施方式的位移传感器1相比，第3实施方式中的位移传感器3在还具备电阻部50这点上不同。因此，在第3实施方式的说明中，对与上述第1实施方式同样的部分赋予相同的附图标记，省略或者简化其说明。

图8是示出第3实施方式的位移传感器3的结构的一个例子的框图。位移传感器3具备例如第1实施方式的位移传感器1中的基板10、线圈22、逆变器26以及频率检测部30。进而，位移传感器3具备降低部28。降低部28具备例如噪声降低部24和电阻部50。线圈22、噪声降低部24、电阻部50以及逆变器26形成环电路，作为振荡电路而发挥功能。

电阻部50通过使振荡电路中的电导(电流的流动难易)减少，从而使通过该电阻部50的振荡信号(电磁波)的强度降低。电阻部50使表示振荡电路的振荡频率的信号所包含的基本波形以及2次高次谐波、3次高次谐波等高次谐波的强度降低。例如，在基本波形的强度超过EMC规格的限度值的情况下，通过设置该电阻部50，能够将基本波形的强度降低到限度值以下。电阻部50例如包括具有规定的电阻值的电气电阻元件。或者，即使在基本波形的强度落入EMC规格的限度值的情况下，也能够在高次谐波的强度过高的情况下，通过设置电阻部50而降低高次谐波的强度。由此，能够将输入到后级的噪声降低部24的振荡信号的强度设为恰当的值。也可以为此设置电阻部50。

电阻部50的一端与噪声降低部24连接，另一端电连接于逆变器26的输出端与频率检测部30之间。在逆变器26以及频率检测部30作为IC20等硬件而安装于基板10上的情况下，电阻部50(降低部28)配置于该IC20的外部，电阻部50的另一端连接于该IC20的输出端。换言之，在IC20的输出端与线圈22之间，从接近IC20的输出端的一侧起，依次配置有电阻部50、噪声降低部24。在这样配置有电阻部50以及噪声降低部24的情况下，首先，利用电阻部50来降低从IC20的输出端输出的振荡信号所包含的基本波形以及高次谐波这双方的强度。接着，利用噪声降低部24来降低从电阻部50输出的振荡信号所包含的高次谐波的强度。由此，能够使高强度的振荡信号向外部的泄漏有效地降低。另外，能够有效地进行基于噪声降低部24的高次谐波降低处理。

另外，在该情况下，具备电阻部50的降低部28优选为接近IC20而配置，尽可能缩短将降低部28与IC20进行连接的布线的长度。例如，降低部28可以与线圈22相比配置得靠近IC20。由此，能够使高强度的振荡信号向外部的泄漏更有效地降低。

通过调整逆变器26的电导与电阻部50的电阻值的比例而进行电磁波强度的调整。当使电阻部50的电阻值增大时，电磁波强度降低，当使电阻部50的电阻值减少时，电磁波强度增大。在逆变器26以及频率检测部30作为IC20而构成，对从该IC20输出的电磁波的强度进行调整的情况下，电阻部50的电阻值例如通过以下的式(1)决定。

[式1]

在上述式(1)中，G1为满足EMC基准的参照用IC的电导，R1为参照用IC的内部电阻，G2为成为调整对象的IC20的电导，R2为IC20的内部电阻，R3为电阻部50的电阻值。此处，IC的内部电阻表示从逆变器26的输出端至IC20的输出端为止的电阻值。通过求出满足该式(1)的R3，从而决定电阻部50的电阻值。此外，为了满足振荡电路的振荡条件，R3的值控制成不使由以下的式(2)表示的Q值过度地变小。

[式2]

在上述式(2)中，L为线圈22的电感，ω为角频率。

图9A是示出由第3实施方式的振荡电路产生的辐射电磁波强度的一个例子的曲线图。在图9A中，示出为了计算测量对象物T与线圈22之间的距离D而使用的基本波形超过类别B的限度值、2次高次谐波的强度超过类别B的限度值、3次高次谐波的强度超过类别A的限度值的例子。

图9B是示出通过了电阻部50以及噪声降低部24之后的辐射电磁波强度(实施对策后的辐射电磁波强度)的图。在图9B中，可知基本波形的强度被降低至小于类别B的限度值。另外，可知与设置有上述第1实施方式的噪声降低部24的结构相比，在设置有第3实施方式的电阻部50以及噪声降低部24的结构中，进一步降低了2次高次谐波以及3次高次谐波的强度。由此，能够防止位移传感器1向外部辐射基准值(类别B)以上的电磁波。

另外，在第3实施方式的振荡电路中，在IC20的输出端与线圈22之间，从接近IC20的输出端的一侧起，依次配置有电阻部50、噪声降低部24。优选为在从IC20的输出端输出的振荡信号所包含的基本波形大的情况下，首先，由电阻部50将振荡信号的整体降低到恰当的电平，在此基础上，利用噪声降低部24来使高次谐波的强度降低。

图10A是示出由第3实施方式的振荡电路产生的辐射电磁波强度的其它例子的曲线图。图10A示出基本波形、2次高次谐波以及3次高次谐波的强度超过类别A的限度值的例子。

图10B是示出通过了电阻部50之后(通过噪声降低部24之前)的辐射电磁波强度的曲线图。在图10B中，可知基本波形的强度被降低至小于类别B的限度值。另外，可知2次高次谐波以及3次高次谐波的强度也被降低。由此，能够将振荡信号的整体降低到恰当的电平。

图10C是示出通过了电阻部50以及噪声降低部24这双方之后的辐射电磁波强度的曲线图。在图10C中，可知基本波形的强度没有变化，2次高次谐波以及3次高次谐波的强度被降低至小于类别B的限度值。由此，能够防止位移传感器1向外部辐射基准值(类别B)以上的电磁波。

另外，也可以由噪声遮蔽部52包覆IC20的输出端子与降低部28之间，抑制从将IC20的输出端子与降低部28进行连接的布线输出的电磁波的泄漏。噪声遮蔽部52例如也可以是具有电磁波屏蔽效果的电磁板、凝胶等。噪声遮蔽部52也可以覆盖IC20以及降低部28的整体。

关于IC20、降低部28以及线圈22，既可以将其全部配置于基板10的一面(单侧)，也可以分到基板10的第1面和与该第1面对置的第2面来配置。图11是示出IC20以及降低部28与线圈22的配置关系的一个例子的图，是从图8的A方向观察时的基板10的侧面图。如图11所示，也可以将IC20以及降低部28配置于基板10的第1面F1，将线圈22配置于与第1面F1对置的第2面F2。在该情况下，通过使用沿厚度方向穿过基板10的布线来将IC20以及降低部28与线圈22进行连接，能够缩短布线的长度。

图12是从基板10的第1面F1侧观察图11所示的位移传感器3时的图。如图12所示，基板10的第1面F1的IC20以及降低部28也可以配置于不与配置于第2面F2的线圈22对置的位置(IC20以及降低部28、与线圈22不相互重叠的位置)。由此，能够降低由IC20以及降低部28产生的对线圈22的测量结果的影响。另外，从降低部28延伸到线圈22的布线可以连接于线圈22的布线构成的同心圆的外侧，从IC20延伸到线圈22的布线可以连接于线圈22的布线构成的同心圆的中心侧。由此，能够缩短将IC20以及降低部28与线圈22进行连接的布线的长度。

根据以上说明的第3实施方式的位移传感器3，能够利用低成本且简易的结构来降低表示振荡电路的振荡频率的信号所包含的基本波形以及高次谐波的强度。此外，通过对噪声降低部24追加铁素体等磁性材料，从而振荡电路的振荡频率下降。另一方面，通过设置电阻部50，从而振荡电路的振荡频率增大。因此，通过调节追加到噪声降低部24的磁性材料的种类或者量等和电阻部50的电阻值，能够控制振荡电路的振荡频率。

在通用地制造以及销售的IC20输出高强度的电磁波的情况下，通过设置上述电阻部50，能够根据用途对电磁波强度适当地进行调整。此外，在上述第3实施方式中，说明了位移传感器3具备噪声降低部24以及电阻部50这双方的例子，但例如在只有少许高次谐波的情况下，也可以仅具备电阻部50。

说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式是作为例子而提出的，不是在限定发明的范围。这些实施方式能够以其它各种各样的方式中被实施，能够在不脱离发明的要旨的范围进行各种省略、置换、变更。这些实施方式、其变形在包含于发明的范围、要旨时，同样地包含于权利要求书所记载的发明和其均等的范围。

Claims (12)

1.一种位移传感器，其特征在于包括：

线圈；

逆变器，与所述线圈电连接，生成振荡信号；

降低部，电连接于所述线圈与所述逆变器的输出端之间，使所述振荡信号的强度降低；以及

频率检测部，是与所述逆变器电连接的频率检测部，根据测量对象物与所述线圈之间的距离，对包括所述线圈、所述逆变器以及所述降低部且振荡频率为30MHz以上的振荡电路的振荡频率进行检测，

所述逆变器和所述频率检测部由一个硬件构成，

所述线圈和所述降低部配置于所述硬件的外部，

所述降低部连接于所述硬件的输出端。

2.根据权利要求1所述的位移传感器，其特征在于：所述降低部具备噪声降低部，该噪声降低部使规定的频率以上的所述振荡信号的强度降低。

3.根据权利要求2所述的位移传感器，其特征在于：所述噪声降低部包含磁性材料。

4.根据权利要求3所述的位移传感器，其特征在于：所述磁性材料包含铁素体。

5.根据权利要求1所述的位移传感器，其特征在于：所述降低部具备电阻部，该电阻部使所述振荡信号所包含的基本波形以及高次谐波的强度降低。

6.根据权利要求1所述的位移传感器，其特征在于：所述频率检测部具有频率计数器，该频率计数器对按照所述测量对象物与所述线圈之间的距离而频率变化的所述振荡信号的信号值超过阈值的次数进行计数，根据计数出的次数，导出所述振荡电路的振荡频率。

7.根据权利要求1所述的位移传感器，其特征在于还包括：

输出部，该输出部基于由所述频率检测部检测出的振荡频率，将表示所述测量对象物与所述线圈之间的距离的值作为数字信号输出到外部。

8.根据权利要求1所述的位移传感器，其特征在于：所述降低部与所述线圈相比配置得靠近所述硬件。

9.根据权利要求1所述的位移传感器，其特征在于还包括：

噪声遮蔽部，该噪声遮蔽部至少覆盖将所述硬件与所述降低部进行连接的布线。

10.根据权利要求1所述的位移传感器，其特征在于还包括：

基板，在该基板配置所述线圈、所述硬件以及所述降低部，

所述硬件以及所述降低部配置于所述基板的第1面，所述线圈配置于所述基板的与所述第1面对置的第2面。

11.根据权利要求1所述的位移传感器，其特征在于：

所述降低部具备：

噪声降低部，使所述振荡信号所包含的高次谐波的强度降低；以及

电阻部，使所述振荡信号所包含的基本波形以及高次谐波的强度降低，

在所述硬件的输出端与所述线圈之间，从接近所述硬件的输出端的一侧依次配置所述电阻部以及所述噪声降低部。

12.一种距离调节装置，其特征在于包括：

权利要求1记载的所述位移传感器；

距离调节部，对所述测量对象物与所述位移传感器之间的距离进行调节；以及

控制装置，基于从所述位移传感器输入的值，控制所述距离调节部，以使所述测量对象物与所述位移传感器之间的距离成为期望的距离。

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