CN107172806A - 一种用于电路板的陶瓷基板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于电路板的陶瓷基板及其制作方法，包括陶瓷基层和铜层，所述陶瓷基层和铜层之间设置有用以连接陶瓷基层和铜层的热熔层，相对现有技术中的烧结和溅射方式，能够在相对较低温度下实现铜与陶瓷基层的压合，避免烧结的高温涨缩现象，也避免溅射的氧化水印现象，能更好的保障陶瓷基板的质量。
Description
技术领域
本发明涉及电路板制作领域，特别是一种用于电路板的陶瓷基板及其制作方法。
背景技术
陶瓷电路板，一般由陶瓷基层、铜层及阻焊层组成，其中陶瓷基层一般由热导率最高的纯陶瓷制成，但目前行业内纯陶瓷均无法直接压铜，若无铜则难以形成电路板，现有在纯陶瓷上形成铜层的方法有两种：一种是烧结，烧结需要采用850～1300℃的高温进行，过高的温度对材料的涨缩影响很大；另一种是溅射，溅射的铜层厚度一般很薄，为1um左右，需转电镀加厚，在转运的过程中容易氧化形成水印，且加镀的均匀性难以保障。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题之一，提供一种能够在相对较低温度下实现铜与陶瓷基层的压合的陶瓷基板及其制作方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种用于电路板的陶瓷基板，包括陶瓷基层和铜层，所述陶瓷基层和铜层之间设置有用以连接陶瓷基层和铜层的热熔层。
进一步的，所述热熔层由陶瓷粉和可热熔填料混合而成。
进一步的，所述可热熔填料由氮化铝和硅胶混合而成。
本发明还提供一种用于制作上述陶瓷基板的方法，其特征在于：包括以下步骤a.将含有陶瓷粉的可热熔填料涂于陶瓷基层的表面；
b.将可热熔填料的上表面覆盖铜层；
c.将陶瓷基层、热熔层和铜层在100℃下压合10min；
d.将陶瓷基层、热熔层和铜层在120℃下压合10min；
e.将陶瓷基层、热熔层和铜层在150℃～180℃下压合10min。
进一步的，所述可热熔填料由50～70％的氮化铝和30～50％的硅胶组成。
进一步的，陶瓷基层、热熔层和铜层采用真空压机进行压合。
本发明的有益效果是：本发明提供一种用于电路板的陶瓷基板及其制作方法，所述的陶瓷基板依次设置有陶瓷基层、热熔层和铜层，所述热熔层用已连接陶瓷基层和铜层，相对现有技术中的烧结和溅射方式，能够在相对较低温度下实现铜与陶瓷基层的压合，避免烧结的高温涨缩现象，也避免溅射的氧化水印现象，能更好的保障陶瓷基板的质量。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的陶瓷基板的结构示意图。
具体实施方式
参照图1，本发明的一种用于电路板的陶瓷基板，包括陶瓷基层1和铜层2，所述陶瓷基层1和铜层2之间设置有用以连接陶瓷基层1和铜层2的热熔层3。本发明中的热熔层3由陶瓷粉和可热熔填料组成，相对现有烧结的1000℃的高温，只需要在100℃左右即可实现融合，然后实现与铜层2的压合，由于还含有陶瓷粉，同时也较容易实现与陶瓷基层1的压合，这样既避免了烧结的高温涨缩现象，也避免溅射的氧化水印现象，能更好的保障陶瓷基板的质量。进一步的，所述可热熔填料由氮化铝和硅胶混合而成。
本发明还提供一种用于制作上述陶瓷基板的方法，其特征在于：包括以下步骤：
a.将含有陶瓷粉的可热熔填料涂于陶瓷基层1的表面；
b.将可热熔填料的上表面覆盖铜层2，本实施例中，采用铜箔，其他实施例中，也可采用其他的铜层2的形式；
c.将陶瓷基层1、热熔层3和铜层2在100℃下压合10min，使热熔层3软化并且去除夹杂在其中的气体；
d.将陶瓷基层1、热熔层3和铜层2在120℃下压合10min，使热熔层3从软化状态转变为熔融状态；
e.将陶瓷基层1、热熔层3和铜层2在150℃～180℃下压合10min，使热熔从熔融状态再次转变为固态，完成烧结过程，此时，铜层2和陶瓷基层1分别与热熔层3的两侧紧密结合。
进一步的，所述可热熔填料由50～70％的氮化铝和30～50％的硅胶组成。
进一步的，陶瓷基层1、热熔层3和铜层2采用真空压机进行压合。
以上具体结构和尺寸数据是对本发明的较佳实施例进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可做出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
Claims (6)
1.一种用于电路板的陶瓷基板，包括陶瓷基层(1)和铜层(2)，其特征在于：所述陶瓷基层(1)和铜层(2)之间设置有用以连接陶瓷基层(1)和铜层(2)的热熔层(3)。
2.根据权利要求1所述的一种用于电路板的陶瓷基板，其特征在于：所述热熔层(3)由陶瓷粉和可热熔填料混合而成。
3.根据权利要求2所述的一种用于电路板的陶瓷基板，其特征在于：所述可热熔填料由氮化铝和硅胶混合而成。
4.一种用于制作上述陶瓷基板的方法，其特征在于：包括以下步骤
a.将含有陶瓷粉的可热熔填料涂于陶瓷基层(1)的表面；
b.将可热熔填料的上表面覆盖铜层(2)；
c.将陶瓷基层(1)、热熔层(3)和铜层(2)在100℃下压合10min；
d.将陶瓷基层(1)、热熔层(3)和铜层(2)在120℃下压合10min；
e.将陶瓷基层(1)、热熔层(3)和铜层(2)在150℃～180℃下压合10min。
5.根据权利要求4所述的一种方法，其特征在于：所述可热熔填料由50～70％的氮化铝和30～50％的硅胶组成。
6.根据权利要求4所述的一种方法，其特征在于：陶瓷基层(1)、热熔层(3)和铜层(2)采用真空压机进行压合。
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