CN107170680A - 一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法 - Google Patents
一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107170680A CN107170680A CN201710370209.0A CN201710370209A CN107170680A CN 107170680 A CN107170680 A CN 107170680A CN 201710370209 A CN201710370209 A CN 201710370209A CN 107170680 A CN107170680 A CN 107170680A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gan
- quasi
- vertical stratification
- schottky diode
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000013517 stratification Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66143—Schottky diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，属于半导体器件技术领域。其是在生长衬底上外延生长高掺杂N‑型GaN层；在N‑型GaN层上外延生长高掺杂N+ GaN层；在所述的N+ GaN层上制作欧姆接触；在所述的N‑层上形成肖特基接触，通过空气桥将肖特基接触引到阳极。本发明能够降低器件的串联电阻，提高工作频率，解决电流拥挤的问题。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域，尤其涉及一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法。
背景技术
以Si、GaAs等传统半导体材料为基础的肖特基倍频二极管器件由于受到材料本身属性的限制，在功率和耐击穿电压等相应指标上很难再有进一步的提高。近年来以Ⅲ族氮化物为表的新一代宽禁带半导体材料发展迅猛，具有宽带隙、高饱和电子漂移速、高击穿场强和高热导率等优越材料性能，在毫米波、亚毫米波大功率电子器件领域极具发展潜力。基于GaN的肖特基二极管毫米波、亚毫米波倍频器件的研究是目前国际上的热点。
由于GaN材料的电子迁移率相比GaAs较低，基于GaN材料制备的肖特基二极管的串联电阻很大，导致器件的截止频率和工作频率很难达到GaAs基器件的水平。串联电阻有三部分构成，包括了欧姆接触电阻，N- GaN外延层电阻和N+外延层扩展电阻。平面结构的器件是欧姆接触与肖特基接触之间的距离比较大，一般为4μm，电流在N +层总横向传输，由于N+层的厚度较小，造成电流拥挤，使扩展电阻变大。采用垂直结构在N+层背面形成欧姆接触，使欧姆接触与肖特基基础距离变短，并且电子垂直运动，解决了电流拥挤问题，器件的扩展电阻变小，提高了器件的截止频率。但是目前还没有基于衬底替换技术的准垂直结构的GaN肖特基二极管器件。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，能够降低器件的串联电阻，提高工作频率，解决电流拥挤的问题。
为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，在生长衬底上外延生长高掺杂N-型GaN层；在N-型GaN层上外延生长高掺杂N+ GaN层；在所述的N+ GaN层上制作欧姆接触；在所述的N-层上形成肖特基接触，通过空气桥将肖特基接触引到阳极。
进一步地，在生长衬底上外延生长的高掺杂N-型GaN层的掺杂元素为Ⅳ族元素，掺杂浓度在1016/cm3量级到1019/cm3量级之间；所述的高掺杂N+层GaN层的掺杂元素为Ⅳ族元素，掺杂浓度在1016/cm3量级到1018/cm3量级之间。
进一步地，在所述的N+ GaN层上用光刻制作欧姆接触区。
进一步地，在欧姆接触区内依次蒸发钛、铝、镍、金金属层，或钛、铝、铂、金金属层，并通过高温快速退火形成欧姆接触。
进一步地，在形成的欧姆接触层上面用晶片键合的方法粘合石英基板，形成二次衬底。
进一步地，通过激光剥离或机械研磨的方法去掉大部分的生长衬底，保留100μm以下的衬底采用ICP方法进行刻蚀，直到把衬底刻蚀干净。
进一步地，对剥离生长衬底后的外延层进行轻刻蚀和抛光处理，去掉剥离造成的损伤，刻蚀出N-GaN台面，露出多余的欧姆接触金属。
进一步地，在N-GaN台面上蒸发Ti、Au金属，形成肖特基接触。
进一步地，制备欧姆接触电极和肖特基接触电极。
进一步地，采用电镀方法制作空气桥，将肖特基接触电极引到阳极PAD，同时实现阴极PAD的加厚；将二次衬底进行减薄，并进行分片，得到分立器件。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本发明提出的是一种基于衬底替换技术制备准垂直结构的GaN肖特基二极管的方法，采用垂直结构在N+层背面形成欧姆接触，去掉衬底后在N-层上形成肖特基接触，使欧姆接触与肖特基基础距离变短，实现最小的肖特基接触与欧姆接触距离，并且电子垂直运动，最大限度的降低了扩展电阻，提高了器件工作频率，解决了电流拥挤问题，同时兼顾了GaN器件耐功率的特点，可以实现毫米波和太赫兹波段的大功率倍频器。
附图说明
图1是本发明制备过程一的结构图；
图2是本发明制备过程二的结构图；
图3是本发明制备过程三的结构图；
图4是本发明制备过程四的结构图；
图5是本发明制备过程五的结构图；
图中：1、肖特基接触；2、欧姆接触电极；3、肖特基接触电极。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
本发明提供的准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，请参照图1-图5，在生长衬底上外延生长高掺杂N-型GaN层；在N-型GaN层上外延生长高掺杂N+ GaN层；在所述的N+ GaN层上制作欧姆接触，如图2所示；在所述的N-层上形成肖特基接触，通过空气桥将肖特基接触引到阳极，如图5所示。
本发明进一步采取的技术方案是，在生长衬底上外延生长的高掺杂N-型GaN层的掺杂元素为Ⅳ族元素，掺杂浓度在1016/cm3量级到1019/cm3量级之间；所述的高掺杂N+层GaN层的掺杂元素为Ⅳ族元素，如Si元素，掺杂浓度在1016/cm3量级到1018/cm3量级之间。
进一步地，在所述的N+ GaN层上用光刻制作欧姆接触区。
进一步地参见图2，在欧姆接触区内依次蒸发钛、铝、镍、金金属层，或钛、铝、铂、金金属层，并通过高温快速退火形成欧姆接触，其中温度为300℃-1000℃。
进一步的参见图3，在形成的欧姆接触层上面用晶片键合的方法粘合石英基板，形成二次衬底。
再进一步地，通过激光剥离或机械研磨的方法去掉大部分的生长衬底，保留100μm以下的衬底采用ICP方法进行刻蚀，直到把衬底刻蚀干净。在此对ICP方法进一步的说明，ICP也即感应耦合等离子体(Induct ively Coupled Plasma) 刻蚀技术，其作为微机电***(MEMS) 体微机械加工工艺中的一种重要加工方法，由于其控制精度高、大面积刻蚀均匀性好、刻蚀垂直度好、污染少和刻蚀表面平整光滑等优点常用于刻蚀高深宽比结构，在MEMS工业中获得越来越多的应用。
参照图4，对剥离生长衬底后的外延层进行轻刻蚀和抛光处理，去掉剥离造成的损伤，刻蚀出N-GaN台面，露出多余的欧姆接触金属。
参照图4，在N-GaN台面上蒸发Ti、Au金属，形成肖特基接触。
进一步的制备欧姆接触电极和肖特基接触电极。
参见图5，采用电镀方法制作空气桥，将肖特基接触电极引到阳极PAD，同时实现阴极PAD的加厚；将二次衬底进行减薄，并进行分片，得到分立器件。
以上对本发明提供的技术方案进行了详细介绍，本发明中应用具体个例对本发明的实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明，应当指出，对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可对本发明进行若干改进，这些改进也落入本发明权利要求的保护范围内。
Claims (10)
1.一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，在生长衬底上外延生长高掺杂N-型GaN层；在N-型GaN层上外延生长高掺杂N+ GaN层；在所述的N+ GaN层上制作欧姆接触；在所述的N-层上形成肖特基接触，通过空气桥将肖特基接触引到阳极。
2.根据权利要求1所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，在生长衬底上外延生长的高掺杂N-型GaN层的掺杂元素为Ⅳ族元素，掺杂浓度在1016/cm3量级到1019/cm3量级之间；所述的高掺杂N+层GaN层的掺杂元素为Ⅳ族元素，掺杂浓度在1016/cm3量级到1018/cm3量级之间。
3.根据权利要求1所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，在所述的N+ GaN层上用光刻制作欧姆接触区。
4.根据权利要求3所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，在欧姆接触区内依次蒸发钛、铝、镍、金金属层，或钛、铝、铂、金金属层，并通过高温快速退火形成欧姆接触。
5.根据权利要求4所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，在形成的欧姆接触层上用晶片键合的方法粘合石英基板，形成二次衬底。
6.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，通过激光剥离或机械研磨的方法去掉大部分的生长衬底，保留100μm以下的衬底采用ICP方法进行刻蚀，直到把衬底刻蚀干净。
7.根据权利要求6所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，对剥离生长衬底后的外延层进行轻刻蚀和抛光处理，去掉剥离造成的损伤，刻蚀出N-GaN台面，露出多余的欧姆接触金属。
8.根据权利要求7所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，在N-GaN台面上蒸发Ti、Au金属，形成肖特基接触。
9.根据权利要求8所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，制备欧姆接触电极和肖特基接触电极。
10.根据权利要求9所述的一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，其特征在于，采用电镀方法制作空气桥，将肖特基接触电极引到阳极PAD，同时实现阴极PAD的加厚；将二次衬底进行减薄，并进行分片，得到分立器件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710370209.0A CN107170680A (zh) | 2017-05-23 | 2017-05-23 | 一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710370209.0A CN107170680A (zh) | 2017-05-23 | 2017-05-23 | 一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107170680A true CN107170680A (zh) | 2017-09-15 |
Family
ID=59820647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710370209.0A Pending CN107170680A (zh) | 2017-05-23 | 2017-05-23 | 一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107170680A (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108417486A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-08-17 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种GaN基SBD变频电路及其制作方法 |
| CN108767018A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-11-06 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法 |
| CN110544719A (zh) * | 2019-09-16 | 2019-12-06 | 河北工业大学 | 一种GaN基PIN二极管器件结构及其制备方法 |
| CN110729351A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-01-24 | 西安电子科技大学 | 大功率阴阳极环形叉指GaN准垂直pn结二极管及制备方法 |
| CN110993699A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-04-10 | 中山大学 | 一种肖特基二极管及其制备方法 |
| CN111009466A (zh) * | 2019-11-14 | 2020-04-14 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作方法 |
| CN111599872A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-08-28 | 中国科学院国家空间科学中心 | 一种GaN基平面肖特基变容管的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104851921A (zh) * | 2015-05-21 | 2015-08-19 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种垂直结构的GaN基肖特基二极管及其制作方法 |
| CN105658848A (zh) * | 2013-10-15 | 2016-06-08 | 株式会社德山 | n型氮化铝单晶基板以及垂直型氮化物半导体器件 |
| CN106575608A (zh) * | 2014-07-25 | 2017-04-19 | 株式会社田村制作所 | 半导体元件及其制造方法、半导体基板以及晶体层叠结构体 |
-
2017
- 2017-05-23 CN CN201710370209.0A patent/CN107170680A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105658848A (zh) * | 2013-10-15 | 2016-06-08 | 株式会社德山 | n型氮化铝单晶基板以及垂直型氮化物半导体器件 |
| CN106575608A (zh) * | 2014-07-25 | 2017-04-19 | 株式会社田村制作所 | 半导体元件及其制造方法、半导体基板以及晶体层叠结构体 |
| CN104851921A (zh) * | 2015-05-21 | 2015-08-19 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种垂直结构的GaN基肖特基二极管及其制作方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108417486A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-08-17 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种GaN基SBD变频电路及其制作方法 |
| CN108417486B (zh) * | 2018-03-13 | 2020-05-26 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种GaN基SBD变频电路及其制作方法 |
| CN108767018A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-11-06 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法 |
| CN108767018B (zh) * | 2018-05-22 | 2022-01-25 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法 |
| CN110544719A (zh) * | 2019-09-16 | 2019-12-06 | 河北工业大学 | 一种GaN基PIN二极管器件结构及其制备方法 |
| CN110729351A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-01-24 | 西安电子科技大学 | 大功率阴阳极环形叉指GaN准垂直pn结二极管及制备方法 |
| CN110729351B (zh) * | 2019-10-18 | 2021-07-20 | 西安电子科技大学 | 大功率阴阳极环形叉指GaN准垂直pn结二极管及制备方法 |
| CN111009466A (zh) * | 2019-11-14 | 2020-04-14 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作方法 |
| CN110993699A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-04-10 | 中山大学 | 一种肖特基二极管及其制备方法 |
| CN111599872A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-08-28 | 中国科学院国家空间科学中心 | 一种GaN基平面肖特基变容管的制备方法 |
| CN111599872B (zh) * | 2020-05-25 | 2023-07-07 | 中国科学院国家空间科学中心 | 一种GaN基平面肖特基变容管的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107170680A (zh) | 一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法 | |
| CN100511706C (zh) | 基于组份渐变GaN MISFET的GaN器件及制备方法 | |
| CN105679838B (zh) | 基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的太赫兹肖特基二极管及制作方法 | |
| CN101478006B (zh) | 基于导通型SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法 | |
| CN104851921B (zh) | 一种垂直结构的GaN基肖特基二极管及其制作方法 | |
| CN104851864B (zh) | 带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管及其制作方法 | |
| CN104752494A (zh) | 金刚石材料欧姆接触电极及其制备方法和应用 | |
| CN105609499B (zh) | 一种GaN集成器件 | |
| CN110190115A (zh) | 一种sbd结构及其制作方法 | |
| CN111293173A (zh) | 一种硅基氮化镓增强型hemt器件及其制备方法 | |
| CN106057914A (zh) | 基于双台阶场板终端的4H‑SiC肖特基二极管及制作方法 | |
| CN116759457A (zh) | 一种氧化镓异相集成垂直晶体管器件及其制备方法、应用 | |
| CN109786484A (zh) | 一种双异质结和复合钝化层的impatt二极管及其制作方法 | |
| CN204596798U (zh) | 一种垂直结构的GaN基肖特基二极管 | |
| CN204614773U (zh) | 带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管 | |
| CN103441152A (zh) | 沟槽型mos势垒肖特基二极管及制作方法 | |
| CN115394833A (zh) | 一种基于异质外延衬底的完全垂直型GaN功率二极管的器件结构及其制备方法 | |
| CN116666428A (zh) | 一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法 | |
| CN110808292B (zh) | 一种基于金属檐结构的GaN基完全垂直肖特基变容管及其制备方法 | |
| CN203351609U (zh) | 基于极化掺杂的GaN肖特基二极管 | |
| CN114497186A (zh) | 金刚石/氧化镓异质pn结二极管的制备方法 | |
| CN115083921A (zh) | 氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管 | |
| CN104009157B (zh) | 基于双线性渐变Al组分AlGaN电子发射层GaN耿氏二极管及制作方法 | |
| CN109346405B (zh) | 一种GaN基SBD倒装芯片的制备方法 | |
| CN110993699A (zh) | 一种肖特基二极管及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170915 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |