CN107144778A - 一种芯片温度检测装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种芯片温度检测装置及方法。其中，装置包括：检测单元和处理器，所述检测单元与所述处理器连接；检测单元，用于检测被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流，并向所述处理器发送所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流；处理器，用于根据接收到的检测单元发送的所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流获取所述被测芯片的温度。本发明提供的方案根据检测到的被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降与流过所述二极管的电流获得被测芯片的温度，能够实现对封装模块内部芯片温度的监测。
Description
技术领域
本发明涉及检测领域，尤其涉及一种芯片温度检测装置及方法。
背景技术
根据行业标准GJB 2438A-2002混合集成电路通用规范的规定，集成电路需进行高、低温测试，这是因为由于集成电路所含元器件都有一个正常工作温度范围，而集成电路的工作温度范围受这些元器件工作温度范围限制，因此，测量集成电路的工作温度范围对其应用来说十分必要，也因此，对集成电路进行高、低温测试来判断其正常工作温度范围就变得尤为重要。然而，常规的红外测温和点式测温都只能测量电路板或者集成电路封装模块外部的温度，不能监测到内部封装的芯片的温度。而封装芯片的实时温度对硬件电路设计人员判断芯片是否因过热而失效具有重要的实际意义。目前，尚未出现一种简单有效的对封装芯片的温度进行监测的方案。
发明内容
本发明的主要目的在于克服上述现有技术的缺陷，提供了一种芯片温度检测装置及方法，以解决现有技术不能监测到封装芯片内部的温度的技术问题。
本发明一方面提供了一种芯片温度检测装置，包括：检测单元和处理器，所述检测单元与所述处理器连接；检测单元，用于检测被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流，并向所述处理器发送所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流；处理器，用于根据接收到的检测单元发送的所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流获取所述被测芯片的温度。
可选地，所述处理器进一步用于：根据预先获得的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系以及接收到的检测单元发送的所述二极管两端的压降确定所述被测芯片的温度；或者，根据预先获得的流过二极管的电流与芯片温度的对应关系以及接收到的检测单元发送的流过所述二极管的电流确定所述被测芯片的温度。
可选地，所述被测芯片为一块芯片或并联在一起的至少两块芯片。
可选地，所述处理器利用如下关系式计算所述被测芯片的温度：
其中，T为被测芯片的温度，V为二极管两端的压降，K为二极管PN结几何尺寸因子，Vg0为绝对0℃下的材料能带宽度，q为电子电量，k为玻尔兹曼常数，n为被测芯片的芯片数量。
可选地，所述处理器进一步用于：根据所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流、以及所述被测芯片的温度，判断所述二极管两端的压降是否在特定电压范围内和/或流过所述二极管的电流是否在特定电流范围内和/或所述被测芯片的温度是否在特定温度范围内。
可选地，所述装置还包括：与所述处理器连接的输出终端；所述处理器进一步用于向所述输出终端实时发送所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流、以及所述被测芯片的温度；所述输出终端，用于根据接收到的所述处理器发送的所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流、以及所述被测芯片的温度，生成所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线和/或流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线。
可选地，所述输出终端进一步用于：根据生成的所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线和/或流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线，确定所述被测芯片是否出现性能异常。
可选地，所述装置还包括：温箱，用于为所述被测芯片提供预定温度。
可选地，所述预定温度通过输出终端进行显示。
可选地，所述检测单元在检测被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的电压和流过所述二极管的电流时，所述被测芯片的电源引脚接地，所述检测单元连接所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚。
可选地，所述检测单元，包括：参考电压提供单元，用于通过所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚，向所述被测芯片的ESD保护电路输入电压信号，为所述被测芯片的ESD保护电路提供参考电压；电压检测单元，一端连接所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚，另一端接地，用于检测所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降；和/或，电流检测单元，连接所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚，用于检测流过所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管的电流。
本发明又一方面提供了一种芯片温度的检测方法，包括：检测被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流；根据所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流获取所述被测芯片的温度。
可选地，根据所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流获取所述被测芯片的温度，包括：根据预先获得的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系以及检测到的所述二极管两端的压降确定所述被测芯片的温度；或者，根据预先获得的流过二极管的电流与芯片温度的对应关系以及检测到的流过所述二极管的电流确定所述被测芯片的温度。
可选地，所述被测芯片为一块芯片或并联在一起的至少两块芯片。
可选地根据所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流获取所述被测芯片的温度，包括：根据所述二极管两端的压降和流过所述二极管的电流获取所述被测芯片的温度利用如下关系式计算所述被测芯片的温度：
其中，T为被测芯片的温度，V为二极管两端的压降，K为二极管PN结几何尺寸因子，Vg0为绝对0℃下的材料能带宽度，q为电子电量，k为玻尔兹曼常数，n为被测芯片的芯片数量。
可选地，所述方法还包括：根据所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流、以及所述被测芯片的温度，判断所述二极管两端的压降是否在特定电压范围内和/或流过所述二极管的电流是否在特定电流范围内和/或所述被测芯片的温度是否在特定温度范围内。
可选地，所述方法还包括：根据接收到的所述处理器发送的所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流、以及所述被测芯片的温度，生成所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线和/或流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线。
可选地，所述方法还包括：根据生成的所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线和/或流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线，确定所述被测芯片是否出现性能异常。
可选地，所述方法还包括：为所述被测芯片提供预定温度。
可选地，所述方法还包括：显示所述预定温度。
可选地，将所述被测芯片的电源引脚接地，通过所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚检测所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的电压和/或流过所述二极管的电流。
可选地，检测被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流，包括：向所述被测芯片的ESD保护电路输入电压信号，为所述被测芯片的ESD保护电路提供参考电压；检测所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降；和/或，检测流过所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管的电流。
本发明提供的方案，通过检测被测芯片的ESD保护电路中二极管两端的压降和流过所述二极管的电流，从而根据二极管两端的压降与流过所述二极管的电流获得到被测芯片的温度；并且，本发明通过被测芯片的信号引脚对芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降和流过二极管的电流进行检测，能够实现对封装芯片内部温度的监测；另外，本发明提供的方案能够根据被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端压降和/或流过所述二极管的电流以及所述被测芯片的温度，判断所述二极管两端的压降是否在特定电压范围内和/或流过所述二极管的电流是否在特定电流范围内和/或所述被测芯片的温度是否在特定温度范围内，从而便于在分析电路故障时快速确定或排除封装芯片因温度过高而导致的失效。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是本发明提供的芯片温度检测装置的一实施例的结构框图；
图2是ESD保护电路的一个示例；
图3是根据本发明一个具体实施方式的检测单元的结构框图；
图4是本发明提供的芯片温度检测装置的另一实施例的结构框图；
图5是二极管两端的压降与被测芯片的温度的关系曲线的一个示例图；
图6是本发明提供的芯片温度检测装置的又一实施例的结构框图；
图7是本发明提供的芯片温度检测方法的一实施例的方法示意图；
图8是根据本发明实施例的检测被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流的步骤的具体流程图；
图9是本发明提供的芯片温度检测方法的另一实施例的方法示意图；
图10是本发明提供的芯片温度检测方法的又一实施例的方法示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
图1是本发明提供的芯片温度检测装置的一实施例的结构框图。
如图1所示，根据本发明一实施例的芯片温度检测装置100包括检测单元110、处理器120，所述检测单元110与所述处理器120连接。
检测单元110用于检测被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流，并向所述处理器120发送所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流。处理器120用于根据接收到的检测单元发送的所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流获取所述被测芯片的温度。
集成电路的芯片是静电敏感器件，因此一般的芯片对外引脚端均有ESD保护电路(静电保护电路)，ESD保护电路一般与芯片一起被封装在集成电路封装模块内，并具有相应的对外引脚。图2是芯片的ESD保护电路的一个示例。如图2所示，D1、D2为二极管，C为电容器，R为电阻器，L为电感，VP是施加到二极管的正电压，VN是施加到二极管的负电压，Vcc是芯片的电源引脚，GND为芯片的接地引脚。
ESD保护电路中一般都包括二极管，在ESD保护电路中，二极管PN结两端的正向压降V和流过的电流I之间的关系式为：
式中，Is为二极管的反向饱和电流，q为电子电量，k为玻尔兹曼常数，T为热力学温度，表示二极管所处环境的温度，可近似看做被测芯片的温度。
被测芯片ESD保护电路中的二极管的反向饱和电流Is是一个与被测芯片的温度T相关的函数，可以近似为：
式(2)中，K表示二极管PN结几何尺寸的因子，r表示少数载流子单位时间内的移动数量，Vg0表示在绝对0℃下的材料能带宽度。
由式(1)和式(2)可得到二极管PN结两端正向压降V与被测芯片温度T、电流I的关系式为：
式(3)中，由于rlnT很小可忽略掉，因此，可以得到：
根据上述关系式(4)可以看出芯片的ESD保护电路中二极管两端的压降和流过所述二极管的电流，均与芯片的温度存在一定的关系，因此可以通过检测被测芯片中的ESD保护电路中的二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流，并根据所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流获取被测芯片的温度。
在监测所述被测芯片的温度时，将所述被测芯片的电源引脚接地，检测单元110在检测被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的电压和流过所述二极管的电流时，连接所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚(所述信号引脚在被测芯片的封装模块的外部)，例如在图2中，与ESD保护电路中两个二极管中间引出的信号引脚连接。所述被测芯片可以为一块芯片或并联在一起的至少两块芯片。若为并联在一起的至少两块芯片，则所述至少两块芯片被封装在同一个封装模块内。
图3是根据本发明一个具体实施方式的检测单元110的结构框图。如图3所示，所述检测单元110具体包括参考电压提供单元111、电压检测单元112和/或电流检测单元113。
参考电压提供单元111用于通过所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚，向所述被测芯片的ESD保护电路输入电压信号，为所述被测芯片的ESD保护电路提供参考电压；电压检测单元112，一端连接所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚，另一端接地，用于检测所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降；电流检测单元113，连接所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚，用于检测流过所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管的电流。
具体地，参考电压提供单元111在与所述被测芯片连接的信号引脚(所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚，即所述ESD保护电路对应的信号引脚)端输入参考电压(可如图2所示)并提供电流。所述电压检测单元112具体可以为电压传感器。优选地，所述电压检测单元112为AD采样电路或AD采样芯片，对所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的电压信号进行AD采样，以得到所述二极管两端的压降(数字量)。所述电流检测单元113具体可以为电流传感器。
处理器120根据接收到的检测单元110发送的所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流获取所述被测芯片的温度。
在一种具体实施方式中，处理器120根据预先获得的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系以及接收到的检测单元110发送的所述二极管两端的压降确定所述被测芯片的温度。
其中，所述二极管两端的压降与芯片温度的对应关系可以为：根据多次检测得到的(与被测芯片相同的)芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降和对应的芯片温度生成的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系表，或者，根据多次检测得到的(与被测芯片相同的)芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降和对应的芯片温度进行线性拟合生成的二极管两端压降与芯片温度的对应关系曲线。处理器120根据所述对应关系表或对应关系曲线，以及检测单元110检测到的被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降，查找检测到的被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降在所述对应关系表中或对应关系曲线上对应的芯片温度，作为所述被测芯片的温度。
在另一种具体实施方式中，处理器120根据预先获得的流过二极管的电流与芯片温度的对应关系以及接收到的检测单元110发送的流过所述二极管的电流确定所述被测芯片的温度。
其中，所述流过二极管的电流与芯片温度的对应关系可以为：根据多次检测得到的流过(与被测芯片相同的)芯片的ESD保护电路中的二极管的电流和对应的芯片温度生成的流过二极管的电流与芯片温度的对应关系表，或者，根据多次检测得到的流过(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管的电流和对应的芯片温度进行线性拟合生成的流过二极管的电流与芯片温度的对应关系曲线。处理器120根据所述对应关系表或对应关系曲线，以及检测单元110检测到的流过被测芯片的ESD保护电路中的二极管的电流，查找检测到的流过被测芯片的ESD保护电路中的二极管的电流在所述对应关系表中或对应关系曲线上对应的芯片温度，作为所述被测芯片的温度。
在又一种具体实施方式中，处理器120根据接收到的检测单元110发送的所述二极管两端的压降和流过所述二极管的电流计算所述被测芯片的温度。
所述被测芯片可以为一块芯片或并联在一起的至少两块芯片(例如，多块相同的芯片封装在一起)。若被测芯片为一块芯片，则可以利用上述关系式(4)计算被测芯片的温度。若所述被测芯片为并联在一起的至少两块芯片，则上述关系式(2)变为：
式中，n为芯片数量，则上述关系式(3)变为:
式(3′)中，由于rlnT很小可忽略掉，因此，可以得到：
可见，在式(4′)中，当被测芯片的芯片数量n＝1时，式(4′)与式(4)相同，因此，无论被测芯片为一块芯片或是并联在一起的多块芯片均可利用关系式(4′)计算被测芯片的温度。处理器120对式(4′)进行编译，以根据所述二极管两端的压降V和流过的电流I计算被测芯片的温度T。
所述处理器120具体可以为数字信号处理器。在一种具体实施方式中，若接收到的所述检测单元发送的所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流为模拟量，则所述处理器120对所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流的模拟量进行模数转换，以得到所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流的数字量；根据所述二极管两端的压降的数字量和/或流过所述二极管的电流的数字量获取所述被测芯片的温度。例如，若所述电压检测单元112为AD采样电路或AD采样芯片，则检测到的所述二极管两端的压降为数字量，则不需要进行模数转换。
进一步地，所述处理器120根据所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流、以及所述被测芯片的温度，判断所述二极管两端的压降是否在特定电压范围内和/或流过所述二极管的电流是否在特定电流范围内和/或所述被测芯片的温度是否在特定温度范围内，具体可以包括以下实现方式：
(1)所述处理器120根据所述二极管两端的压降和所述被测芯片的温度，判断所述二极管两端的压降是否在特定电压范围内或所述被测芯片的温度是否在特定温度范围内。
在一种具体实施方式中，所述处理器120根据所述二极管两端的压降和所述被测芯片的温度、以及预先获得的理想情况下(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系(包括对应关系表或对应关系曲线)，判断所述二极管两端的压降是否在特定电压范围内或所述被测芯片的温度是否在特定温度范围内。
更具体地，根据预先获得的理想情况下(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系，确定所述被测芯片的温度对应的第一压降，并根据所述第一压降确定所述被测芯片的温度对应的(被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降)的特定电压范围，判断所述(被测芯片的ESD保护电路中的)二极管两端的压降是否在所述特定电压范围内；或者，根据预先获得的理想情况下(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系确定所述(被测芯片的ESD保护电路中的)二极管两端的压降对应的第一温度，并根据所述第一温度确定所述(被测芯片的ESD保护电路中的)二极管两端的压降对应的(被测芯片温度)的第一特定温度范围，判断所述被测芯片的温度是否在所述第一特定温度范围内。
(2)所述处理器120根据流过所述二极管的电流和所述被测芯片的温度，判断流过所述二极管的电流是否在特定电流范围内或所述被测芯片的温度是否在特定温度范围内。
在一种具体实施方式中，所述处理器120根据流过所述二极管的电流和所述被测芯片的温度、以及预先获得的理想情况下(与被测芯片相同的)流过芯片ESD保护电路中的二极管的电流与芯片温度的对应关系(包括对应关系表或对应关系曲线)，判断流过所述二极管的电流是否在特定电流范围内或所述被测芯片的温度是否在特定温度范围内。
更具体地，根据预先获得的理想情况下流过(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管的电流与芯片温度的对应关系确定所述被测芯片的温度对应的第一电流，并根据所述第一电流确定所述被测芯片的温度对应的(流过被测芯片的ESD保护电路中的二极管的电流)的特定电流范围，判断流过所述(被测芯片的ESD保护电路中的)二极管两端的电流是否在所述特定电流范围内；或者，根据预先获得的理想情况下流过(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管的电流与芯片温度的对应关系确定流过所述(被测芯片的ESD保护电路中的)二极管的电流对应的第二温度，并根据所述第二温度确定流过所述(被测芯片的ESD保护电路中的)二极管两端的电流对应的(被测芯片温度)的第二特定温度范围，判断所述被测芯片的温度是否在所述第二特定温度范围内。
图4是本发明提供的芯片温度检测装置的另一实施例的结构框图。如图4所示，基于上述任意实施例，该装置100还包括与所述处理器120连接的输出终端130。
所述处理器120将所述二极管两端的压降和/或所述被测芯片的温度向所述输出终端130发送。所述输出终端130根据接收到的所述处理器120发送的所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流、以及所述被测芯片的温度，生成所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线和/或流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线，并显示。
其中，所述输出终端130具体可以为计算机，通过USB接口和串行接口与所述处理器120的总线扩展接口连接，从而接收处理器120发送的所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流。具体地，所述输出终端130利用具有数据线性拟合功能的软件(例如，MATLAB软件)，对所述二极管两端的压降和所述被测芯片的温度进行线性拟合，和/或流过所述二极管的电流和所述被测芯片的温度进行线性拟合，生成所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线和/或流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线，并显示。可参考图5所示，图5为二极管两端的压降与被测芯片的温度的关系曲线的一个示例图。
进一步地，所述输出终端130根据生成的所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线和/或流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线，确定所述被测芯片是否出现性能异常。其中，被测芯片出现性能异常的情况例如包括芯片因工作温度过高导致失效，从而使得实际测量的得到的所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流和/或所述被测芯片的温度与被测芯片正常工作状态不吻合。
具体而言，将生成的所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线，与预先获得的理想情况下(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系曲线进行比较，确定生成的所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线是否偏离(例如，可根据两曲线上相同横坐标或纵坐标的点的距离是否达到预定距离阈值确定是否偏离)所述理想情况下(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系曲线，若是，则确定所述被测芯片出现性能异常。
和/或，将生成的流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线与预先获得的理想情况下流过(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管的电流与芯片温度的对应关系曲线进行比较，确定生成的流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线是否偏离(例如，可根据两曲线上相同横坐标或纵坐标的点的距离是否达到预定距离阈值确定是否偏离)所述理想情况下流过(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管的电流与芯片温度的对应关系曲线，若是，则确定所述被测芯片出现性能异常。
图6是本发明提供的芯片温度检测装置的又一实施例的结构框图。如图6所示，基于上述任意实施例，所述装置100还包括温箱101，用于为所述被测芯片提供预定温度。
具体地，将所述被测芯片放置在温箱101中一段时间，以使得所述被测芯片达到预定温度，再进行被测芯片温度的检测，从而分析被测芯片工作性能是否异常。所述温箱可以为高低温箱或恒温箱。
进一步地，所述预定温度通过输出终端进行显示。具体地，可通过所述输出终端130显示所述预定温度。所述输出终端130与所述温箱101连接并通信，以获取所述温箱101为所述被测芯片提供的预定温度，并显示所述预定温度。从而，根据所述预定温度与检测到的所述被测芯片的温度的差值是否小于预定阈值(例如3℃)，确定检测到的被测芯片的温度是否准确。
图7是本发明提供的芯片温度检测方法的一实施例的方法示意图。
如图7所示，根据本发明一实施例的芯片温度检测方法包括步骤S110和步骤S120。
步骤S110，检测被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流。
具体地，检测被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流，将所述被测芯片的电源引脚接地，通过所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚(所述信号引脚在被测芯片的封装模块的外部)，检测所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的电压和/或流过所述二极管的电流。例如在图2中，通过与ESD保护电路中两个二极管中间引出的信号引脚检测所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的电压和/或流过所述二极管的电流。
图8是根据本发明实施例的检测被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流的步骤的具体流程图。如图8所示，步骤S110具体可以包括步骤S111、步骤S112和/或步骤S113。
步骤S111，向所述被测芯片的ESD保护电路输入电压信号，为所述被测芯片的ESD保护电路提供参考电压。
具体而言，通过所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚(所述ESD保护电路对应的信号引脚)，向所述被测芯片的ESD保护电路输入参考电压(可如图2所示，在被测芯片ESD保护电路对应的信号引脚输入参考电压)。
步骤S112，检测所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降。
具体地，可以利用电压传感器检测所述二极管两端的压降。在一种优选的实施方式中，利用AD采样电路或AD采样芯片对所被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的电压信号进行AD采样以得到所述二极管两端的压降，其中通过AD采样检测到的所述二极管两端的压降为数字量。
步骤S113，检测流过所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管的电流。在一种具体实施方式中，利用电流传感器检测流过所述二极管的电流。
在步骤S110中检测得到被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降和流过所述二极管的电流执行步骤S120。
步骤S120，根据所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流获取所述被测芯片的温度。
集成电路的芯片是静电敏感器件，因此一般的芯片对外引脚端均有ESD保护电路(静电保护电路)，ESD保护电路一般与芯片一起被封装在集成电路封装模块内，并具有相应的对外引脚。图2是ESD保护电路的一个示例。如图2所示，D1、D2为二极管，C为电容器，R为电阻器，L为电感，VP是施加到二极管的正电压，VN是施加到二极管的负电压，Vcc是芯片的电源引脚，GND为芯片的接地引脚。
ESD保护电路中一般都包括二极管，在ESD保护电路中，二极管PN结两端的正向压降V和流过的电流I之间的关系式为：
式中，Is为二极管的反向饱和电流，q为电子电量，k为玻尔兹曼常数，T为热力学温度，表示二极管所处的环境的温度，可近似看做被测芯片的温度。
被测芯片ESD保护电路中的二极管的反向饱和电流Is是一个与被测芯片的温度T相关的函数，可以近似为：
式(2)中，K表示二极管PN结几何尺寸的因子，r表示少数载流子单位时间内的移动数量，Vg0表示在绝对0℃下的材料能带宽度。
由式(1)和式(2)可得到二极管PN结两端正向压降V与被测芯片温度T、电流I的关系式为：
式(3)中，由于rlnT很小可忽略掉，因此，可以得到：
因此，根据上述关系式(4)，可以看出芯片的ESD保护电路中二极管两端的压降和流过所述二极管的电流，均与芯片的温度存在一定的关系，因此可以通过检测被测芯片中的ESD保护电路中的二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流，并根据所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流获取被测芯片的温度。
在一种具体实施方式中，根据预先获得的芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系以及检测到的所述二极管两端的压降确定所述被测芯片的温度。
其中，所述芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系可以为：根据多次检测得到的芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降和对应的芯片温度生成的芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系表，或者，根据多次检测得到的芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降和对应的芯片温度进行线性拟合生成的芯片ESD保护电路中的二极管两端压降与芯片温度的对应关系曲线。根据所述对应关系表或对应关系曲线，以及检测到的所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降，查找检测到的被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降在所述对应关系表中或对应关系曲线上对应的芯片温度，作为所述被测芯片的温度。
在另一种具体实施方式中，根据预先获得的流过芯片ESD保护电路中的二极管的电流与芯片温度的对应关系以及检测到的流过所述二极管的电流确定所述被测芯片的温度。
其中，所述流过芯片ESD保护电路中的二极管的电流与芯片温度的对应关系可以为：根据多次检测得到的流过芯片ESD保护电路中的二极管的电流和对应的芯片温度生成的流过芯片ESD保护电路中的二极管的电流与芯片温度的对应关系表，或者，根据多次检测得到的流过芯片ESD保护电路中的二极管的电流和对应的芯片温度进行线性拟合生成的流过芯片ESD保护电路中的二极管的电流与芯片温度的对应关系曲线。根据所述对应关系表或对应关系曲线，以及检测到的流过被测芯片的ESD保护电路中的二极管的电流，查找检测到的流过被测芯片的ESD保护电路中的二极管的电流在所述对应关系表中或对应关系曲线上对应的芯片温度，作为所述被测芯片的温度。
在又一种具体实施方式中，根据所述二极管两端的压降和流过所述二极管的电流计算所述被测芯片的温度。
所述被测芯片可以为一块芯片或并联在一起的至少两块芯片。若为并联在一起的至少两块芯片，则所述至少两块芯片被封装在同一个封装模块内。具体地，被测芯片为一块芯片的情况，可根据所述二极管两端的压降和流过所述二极管的电流利用上述关系式(4)计算被测芯片的温度。若所述被测芯片为并联在一起的至少两块芯片，则上述关系式(2)变为：
式中，n为芯片数量，则上述关系式(3)变为:
式(3′)中，由于rlnT很小可忽略掉，因此，可以得到：
可见，在式(4′)中，当被测芯片的芯片数量n＝1时，式(4′)与式(4)相同，因此，无论被测芯片为一块芯片或是并联在一起的多块芯片均可利用关系式(4′)计算被测芯片的温度。
在一种具体实施方式中，若检测到的所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流为模拟量，则先对所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流的模拟量进行模数转换，以得到所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流的数字量；再根据所述二极管两端的压降的数字量和/或流过所述二极管的电流的数字量获取所述被测芯片的温度。例如，若所述二极管两端的压降的检测采用AD采样电路或AD采样芯片，则检测到的所述二极管两端的压降为数字量，则不需要进行模数转换。
进一步地，该方法还包括：根据所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流、以及所述被测芯片的温度，判断所述二极管两端的压降是否在特定电压范围内和/或流过所述二极管的电流是否在特定电流范围内和/或所述被测芯片的温度是否在特定温度范围内，具体可以包括以下实现方式：
(1)根据所述二极管两端的压降和所述被测芯片的温度，判断所述二极管两端的压降是否在特定电压范围内或所述被测芯片的温度是否在特定温度范围内。
在一种具体实施方式中，根据所述二极管两端的压降和所述被测芯片的温度、以及预先获得的理想情况下(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系(包括对应关系表或对应关系曲线)，判断所述二极管两端的压降是否在特定电压范围内或所述被测芯片的温度是否在特定温度范围内。
更具体地，根据预先获得的理想情况下(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系，确定所述被测芯片的温度对应的第一压降，并根据所述第一压降确定所述被测芯片的温度对应的(被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降)的特定电压范围，判断所述(被测芯片的ESD保护电路中的)二极管两端的压降是否在所述特定电压范围内；或者，根据预先获得的理想情况下(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系确定所述(被测芯片的ESD保护电路中的)二极管两端的压降对应的第一温度，并根据所述第一温度确定所述(被测芯片的ESD保护电路中的)二极管两端的压降对应的(被测芯片温度)的第一特定温度范围，判断所述被测芯片的温度是否在所述第一特定温度范围内。
(2)根据流过所述二极管的电流和所述被测芯片的温度，判断流过所述二极管的电流是否在特定电流范围内或所述被测芯片的温度是否在特定温度范围内。
在一种具体实施方式中，根据流过所述二极管的电流和所述被测芯片的温度、以及预先获得的理想情况下(与被测芯片相同的)流过芯片ESD保护电路中的二极管的电流与芯片温度的对应关系(包括对应关系表或对应关系曲线)，判断流过所述二极管的电流是否在特定电流范围内或所述被测芯片的温度是否在特定温度范围内。
更具体地，根据预先获得的理想情况下流过(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管的电流与芯片温度的对应关系确定所述被测芯片的温度对应的第一电流，并根据所述第一电流确定所述被测芯片的温度对应的(流过被测芯片的ESD保护电路中的二极管的电流)的特定电流范围，判断流过所述(被测芯片的ESD保护电路中的)二极管两端的电流是否在所述特定电流范围内；或者，根据预先获得的理想情况下流过(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管的电流与芯片温度的对应关系确定流过所述(被测芯片的ESD保护电路中的)二极管的电流对应的第二温度，并根据所述第二温度确定流过所述(被测芯片的ESD保护电路中的)二极管两端的电流对应的(被测芯片温度)的第二特定温度范围，判断所述被测芯片的温度是否在所述第二特定温度范围内。
图9是本发明提供的芯片温度检测方法的另一实施例的方法示意图。如图9所示，基于上述任意实施例，所述芯片温度检测方法还包括步骤S130。
步骤S130，根据所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流、以及所述被测芯片的温度，生成所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线和/或流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线，并显示。
具体地，可利用具有数据线性拟合功能的软件(例如，MATLAB软件)，对所述二极管两端的压降和所述被测芯片的温度进行线性拟合，和/或流过所述二极管的电流和所述被测芯片的温度进行线性拟合，生成所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线和/或流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线，并显示。如图5所示，图5为二极管两端的压降与被测芯片的温度的关系曲线的一个示例图。
基于上述实施例，该芯片温度检测方法还进一步包括：根据生成的所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线和/或流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线，确定所述被测芯片是否出现性能异常。其中，被测芯片出现性能异常的情况例如包括芯片因工作温度过高导致失效，从而使得实际测量的得到的所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流和/或所述被测芯片的温度与被测芯片正常工作状态不吻合。
具体而言，将生成的所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线，与预先获得的理想情况下(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系曲线进行比较，确定生成的所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线是否偏离(例如，可根据两曲线上相同横坐标或纵坐标的点的距离是否达到预定距离阈值确定是否偏离)所述理想情况下(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系曲线，若是，则确定所述被测芯片出现性能异常。
和/或，将生成的流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线与预先获得的理想情况下流过(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管的电流与芯片温度的对应关系曲线进行比较，确定生成的流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线是否偏离(例如，可根据两曲线上相同横坐标或纵坐标的点的距离是否达到预定距离阈值确定是否偏离)所述理想情况下流过(与被测芯片相同的)芯片ESD保护电路中的二极管的电流与芯片温度的对应关系曲线，若是，则确定所述被测芯片出现性能异常。
图10是本发明提供的芯片温度检测方法的又一实施例的方法示意图。如图10所示，基于上述任意实施例，该芯片温度检测方法还包括步骤S101。
步骤S101，为所述被测芯片提供预定温度。
具体地，可以将所述被测芯片放置于温箱中一段时间，以使得所述被测芯片达到预定温度，再进行芯片温度的检测。所述温箱例如，高低温箱或恒温箱。
进一步地，基于上述实施例，该芯片温度检测方法还包括：显示所述预定温度。从而，根据所述预定温度与检测到的所述被测芯片的温度的差值是否小于预定阈值(例如3℃)，确定检测到的被测芯片的温度是否准确。
本发明提供的方案，通过检测被测芯片的ESD保护电路中二极管两端的压降和流过所述二极管的电流，从而根据所述二极管两端的压降与流过所述二极管的电流计算得到被测芯片的温度；并且，本发明通过被测芯片的信号引脚对芯片ESD保护电路中的二极管两端的压降和流过二极管的电流进行检测，能够实现对封装芯片内部温度的监测；另外，本发明提供的方案能够根据被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端压降和/或流过所述二极管的电流以及所述被测芯片的温度，判断所述二极管两端的压降是否在特定电压范围内和/或流过所述二极管的电流是否在特定电流范围内和/或所述被测芯片的温度是否在特定温度范围内，从而便于在分析电路故障时快速确定或排除封装芯片因温度过高而导致的失效。
本文中所描述的功能可在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中实施。如果在由处理器执行的软件中实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体予以传输。其它实例及实施方案在本发明及所附权利要求书的范围及精神内。举例来说，归因于软件的性质，上文所描述的功能可使用由处理器、硬件、固件、硬连线或这些中的任何者的组合执行的软件实施。此外，各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的技术内容，可通过其它的方式实现。其中，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如所述单元的划分，可以为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个***，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，单元或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为控制装置的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可为个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。
Claims (22)
1.一种芯片温度检测装置，其特征在于，包括：检测单元和处理器，所述检测单元与所述处理器连接；
检测单元，用于检测被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流，并向所述处理器发送所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流；
处理器，用于根据接收到的检测单元发送的所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流获取所述被测芯片的温度。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述处理器进一步用于：
根据预先获得的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系以及接收到的检测单元发送的所述二极管两端的压降确定所述被测芯片的温度；或者，
根据预先获得的流过二极管的电流与芯片温度的对应关系以及接收到的检测单元发送的流过所述二极管的电流确定所述被测芯片的温度。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述被测芯片为一块芯片或并联在一起的至少两块芯片。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述处理器进一步用于：利用如下关系式计算所述被测芯片的温度：
<mrow>
<mi>T</mi>
<mo>=</mo>
<mfrac>
<mrow>
<mfrac>
<mi>q</mi>
<mi>k</mi>
</mfrac>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mi>V</mi>
<mo>-</mo>
<msub>
<mi>V</mi>
<mrow>
<mi>g</mi>
<mn>0</mn>
</mrow>
</msub>
<mo>)</mo>
</mrow>
</mrow>
<mrow>
<mi>ln</mi>
<mi> </mi>
<mi>I</mi>
<mo>-</mo>
<mi>ln</mi>
<mi> </mi>
<mi>K</mi>
<mo>-</mo>
<mi>ln</mi>
<mi> </mi>
<mi>n</mi>
</mrow>
</mfrac>
</mrow>
其中，T为被测芯片的温度，V为二极管两端的压降，K为二极管PN结几何尺寸因子，Vg0为绝对0℃下的材料能带宽度，q为电子电量，k为玻尔兹曼常数，n为被测芯片的芯片数量。
5.根据权利要求1-4任一项所述的装置，其特征在于，所述处理器进一步用于：
根据所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流、以及所述被测芯片的温度，判断所述二极管两端的压降是否在特定电压范围内和/或流过所述二极管的电流是否在特定电流范围内和/或所述被测芯片的温度是否在特定温度范围内。
6.根据权利要求1-5任一项所述的装置，其特征在于，还包括：与所述处理器连接的输出终端；
所述处理器进一步用于向所述输出终端实时发送所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流、以及所述被测芯片的温度；
所述输出终端，用于根据接收到的所述处理器发送的所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流、以及所述被测芯片的温度，生成所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线和/或流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述输出终端进一步用于：根据生成的所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线和/或流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线，确定所述被测芯片是否出现性能异常。
8.根据权利要求1-7任一项所述的装置，其特征在于，还包括：温箱，用于为所述被测芯片提供预定温度。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述预定温度通过输出终端进行显示。
10.根据权利要求1-9任一项所述的装置，其特征在于，所述检测单元在检测被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的电压和流过所述二极管的电流时，所述被测芯片的电源引脚接地，所述检测单元连接所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚。
11.根据权利要求1-10任一项所述的装置，其特征在于，所述检测单元，包括：
参考电压提供单元，用于通过所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚，向所述被测芯片的ESD保护电路输入电压信号，为所述被测芯片的ESD保护电路提供参考电压；
电压检测单元，一端连接所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚，另一端接地，用于检测所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降；和/或，
电流检测单元，连接所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚，用于检测流过所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管的电流。
12.一种芯片温度检测方法，其特征在于，包括：
检测被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流；
根据所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流获取所述被测芯片的温度。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，根据所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流获取所述被测芯片的温度，包括：
根据预先获得的二极管两端的压降与芯片温度的对应关系以及检测到的所述二极管两端的压降确定所述被测芯片的温度；或者，
根据预先获得的流过二极管的电流与芯片温度的对应关系以及检测到的流过所述二极管的电流确定所述被测芯片的温度。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述被测芯片为一块芯片或并联在一起的至少两块芯片。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，根据所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流获取所述被测芯片的温度，包括：
根据所述二极管两端的压降和流过所述二极管的电流获取所述被测芯片的温度利用如下关系式计算所述被测芯片的温度：
<mrow>
<mi>T</mi>
<mo>=</mo>
<mfrac>
<mrow>
<mfrac>
<mi>q</mi>
<mi>k</mi>
</mfrac>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mi>V</mi>
<mo>-</mo>
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<mi>V</mi>
<mrow>
<mi>g</mi>
<mn>0</mn>
</mrow>
</msub>
<mo>)</mo>
</mrow>
</mrow>
<mrow>
<mi>ln</mi>
<mi> </mi>
<mi>I</mi>
<mo>-</mo>
<mi>ln</mi>
<mi> </mi>
<mi>K</mi>
<mo>-</mo>
<mi>ln</mi>
<mi> </mi>
<mi>n</mi>
</mrow>
</mfrac>
</mrow>
其中，T为被测芯片的温度，V为二极管两端的压降，K为二极管PN结几何尺寸因子，Vg0为绝对0℃下的材料能带宽度，q为电子电量，k为玻尔兹曼常数，n为被测芯片的芯片数量。
16.根据权利要求12-15任一项所述的方法，其特征在于，还包括：
根据所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流、以及所述被测芯片的温度，判断所述二极管两端的压降是否在特定电压范围内和/或流过所述二极管的电流是否在特定电流范围内和/或所述被测芯片的温度是否在特定温度范围内。
17.根据权利要求12-16任一项所述的方法，其特征在于，还包括：
根据接收到的所述处理器发送的所述二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流、以及所述被测芯片的温度，生成所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线和/或流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，还包括：根据生成的所述二极管两端的压降与所述被测芯片的温度的关系曲线和/或流过所述二极管的电流与所述被测芯片的温度的关系曲线，确定所述被测芯片是否出现性能异常。
19.根据权利要求12-18任一项所述的方法，其特征在于，还包括：为所述被测芯片提供预定温度。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，还包括：显示所述预定温度。
21.根据权利要求12-20任一项所述的方法，其特征在于，将所述被测芯片的电源引脚接地，通过所述被测芯片与所述ESD保护电路相连所引出的信号引脚检测所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的电压和/或流过所述二极管的电流。
22.根据权利要求12-21任一项所述的方法，其特征在于，检测被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降和/或流过所述二极管的电流，包括：
向所述被测芯片的ESD保护电路输入电压信号，为所述被测芯片的ESD保护电路提供参考电压；
检测所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管两端的压降；
和/或，检测流过所述被测芯片的ESD保护电路中的二极管的电流。
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