CN107121858A - 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置。本发明在色阻和第一绝缘层之间，和/或色阻和第三金属层之间设置有机绝缘层，能够消除色阻堆叠***对显示品质的影响，有助于提升像素开口率。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，具体而言涉及一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置。
背景技术
在基于COF(Color Filter on Array,彩色滤波阵列)技术的液晶显示面板的结构中，色阻设置于阵列基板一侧。在相邻两个像素之间，不同颜色的色阻在相接处会产生交叠，出现堆叠***，由于不同颜色的色阻的透光率不同，因此会影响显示品质。另外，一个像素包括TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)区和开口显示区，在对TFT施加灰阶电压时，阵列基板的各金属层之间会产生寄生电容，寄生电容的电容耦合效应所产生的电压，会拉低像素电极所接收到的灰阶电压，影响开口率。于此，如何减小寄生电容，是提升像素开口率的一个研究趋势。
发明内容
鉴于此，本发明提供一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置，能够消除色阻堆叠***对显示品质的影响，且有助于提升像素开口率。
本发明一实施例的阵列基板，包括衬底基材及依次形成于衬底基材上的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层、第二绝缘层、色阻及第三金属层，第一金属层用于形成阵列基板的TFT的栅极，第二金属层用于形成TFT的源极和漏极，第三金属层用于形成阵列基板的像素电极，所述阵列基板还包括第一有机绝缘层和第二有机绝缘层中的至少一个，第一有机绝缘层设置于色阻和第二绝缘层之间，第二有机绝缘层设置于色阻和第三金属层之间。
本发明一实施例的液晶显示面板，包括上述阵列基板。
本发明一实施例的液晶显示装置，包括上述液晶显示面板以及为该液晶显示面板提供光线的背光模组。
有益效果：本发明设计在色阻和第二绝缘层之间设置第一有机绝缘层，和/或在色阻和第三金属层之间设置第二有机绝缘层，以此增加第二金属层和第三金属层之间以及第一金属层和第三金属层之间的距离，减少它们之间的寄生电容，从而有助于提升像素开口率；另外，第二有机绝缘层设置于色阻上，相当于将色阻的上表面进行了平坦化处理，从而能够消除色阻堆叠***对显示品质的影响。
附图说明
图1是本发明一实施例的液晶显示面板的结构剖视图；
图2是图1所示液晶显示面板一实施例的像素结构示意图；
图3是本发明一实施例的阵列基板的一个像素区域的结构俯视图；
图4是图3所示像素区域沿A-A线的结构剖视图；
图5是图3所示像素区域沿B-B线的结构剖视图；
图6和图7是本发明另一实施例的阵列基板的结构剖视图；
图8是本发明一实施例的液晶显示装置的结构剖视图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明所提供的各个示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
请参阅图1，为是本发明一实施例的液晶显示面板。所述液晶显示面板10可以为基于VA(Vertical Alignment,垂直配向)技术的液晶显示面板，其包括相对间隔设置的彩膜基板(Color Filter Substrate,CF基板)11和阵列基板(Thin Film TransistorSubstrate,TFT基板或Array基板)12，以及填充于两基板之间的液晶分子13，液晶分子13位于彩膜基板11和阵列基板12叠加形成的液晶盒内。
彩膜基板11设置有公共电极，该公共电极可以为一整面透明导电膜，例如ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡)薄膜。
结合图2所示，阵列基板12包括沿列方向延伸设置的多条数据线21、沿行方向延伸设置的多条扫描线22、以及由多条扫描线22和多条数据线21定义的多个像素区域23。每一像素区域23连接对应的一条数据线21和一条扫描线22，各条扫描线22连接于栅极驱动器以为各像素区域23提供扫描电压，各条数据线21连接于源极驱动器以对各像素区域23提供灰阶电压。鉴于各个像素区域23的结构相同，本发明下文以图3所示的一个像素区域23为例进行描述。
请参阅图3、图4和图5，所述阵列基板12包括衬底基材以及依次形成于该衬底基材上的各层结构：第一金属层M1、第一绝缘层41、半导体层42、第二金属层M2、第二绝缘层43、有机绝缘层44、色阻45、第三绝缘层46以及第三金属层M3。
第一金属层M1可用于形成扫描线22、薄膜晶体管T0的栅极、公共电极40和走线401，该走线401可以横跨阵列基板12的有效显示区域，并在有效显示区域的***与彩膜基板11一侧的公共电极连接以接收公共电压信号。公共电极40和阵列基板12的像素电极通过夹持于两者之间的各层结构绝缘重叠，以形成阵列基板12的存储电容。
第一绝缘层41又称栅极绝缘层，其覆盖于第一金属层M1上。
第二金属层M2可用于形成数据线21、薄膜晶体管T0的源极和漏极。
第三金属层M3可用于形成阵列基板12的像素电极。
在本实施例中，第三绝缘层46、色阻45、有机绝缘层44以及第二绝缘层43开设有暴露薄膜晶体管T0的漏极的接触孔O1，第三金属层M3覆盖于接触孔O1并与第二金属层M2连接，从而实现像素电极与薄膜晶体管T0的漏极之间的电连接。
相比较于现有技术中在第二金属层M2和第三金属层M3之间仅设置有第二绝缘层43、色阻45和第三绝缘层46，本实施例在第二金属层M2和第三金属层M3之间还设置了有机绝缘层44，能够增加第二金属层M2和第三金属层M3之间的距离以及第一金属层M1和第三金属层M3之间的距离，从而减少第二金属层M2和第三金属层M3之间、以及第一金属层M1和第三金属层M3之间的寄生电容，有助于提升像素开口率。
本实施例的有机绝缘层44为覆盖于第二绝缘层43上的一整面结构，其可以由树脂等合适材料制得。
本发明还提供有液晶显示面板10的另一实施例的阵列基板。图6为本实施例的阵列基板的第一结构剖视图，其相当于阵列基板沿图3所示A-A线的结构剖视图。图7为本实施例的阵列基板的第二结构剖视图，其相当于阵列基板沿图3所示B-B线的结构剖视图。
结合图6和图7所示，阵列基板12包括衬底基材及依次形成于该衬底基材上的各层结构：第一金属层M4、第一绝缘层71、半导体层72、第二金属层M5、第二绝缘层73、第一有机绝缘层741、色阻75、第二有机绝缘层742、第三绝缘层76以及第三金属层M6。
第一金属层M4可用于形成扫描线22、薄膜晶体管T0的栅极、以及上述公共电极和走线，所述公共电极和走线与图3所示相同。
第一绝缘层71又称栅极绝缘层，其覆盖于第一金属层M4上。
第二金属层M5可用于形成数据线21、薄膜晶体管T0的源极和漏极。
第三金属层M6可用于形成阵列基板22的像素电极。
在本实施例中，第三绝缘层76、第二有机绝缘层742、色阻75、第一有机绝缘层741以及第二绝缘层73开设有暴露薄膜晶体管T0的漏极的接触孔O2，第三金属层M6覆盖于接触孔O2并与第二金属层M5连接，从而实现像素电极与薄膜晶体管T0的漏极之间的电连接。
相比较于现有技术中在第二金属层M5和第三金属层M6之间仅设置有第二绝缘层73、色阻75和第三绝缘层76，本实施例在第二金属层M5和第三金属层M6之间还设置了第一有机绝缘层741和第二有机绝缘层742，能够增加第二金属层M5和第三金属层M6之间的距离以及第一金属层M4和第三金属层M6之间的距离，从而减少第二金属层M5和第三金属层M6之间、以及第一金属层M4和第三金属层M6之间的寄生电容，有助于提升像素开口率。另外，第二有机绝缘层742设置于色阻75上，相当于将色阻75的上表面进行了平坦化处理，从而能够消除色阻75堆叠***对液晶显示面板10的显示品质的影响。
本实施例的第一有机绝缘层741和第二有机绝缘层742为覆盖于色阻75两侧的一整面结构，其可以由树脂等合适材料制得。
请继续参阅图6和图7，在本实施例的基础上，本发明还可以不设置第三绝缘层76，而是在色阻75和第三金属层M6之间仅设置第二有机绝缘层742，通过第二有机绝缘层742既实现上述发明目的，还能够实现第三绝缘层76的绝缘功能。
本发明实施例还提供一种如图8所示的液晶显示装置80，该液晶显示装置80包括上述液晶显示面板10以及为液晶显示面板10提供光线的背光模组81。由于该液晶显示装置80也可以具有上述阵列基板12的设计，因此亦具有相同的有益效果。
应理解，以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种阵列基板，包括衬底基材及依次形成于所述衬底基材上的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层、第二绝缘层、色阻及第三金属层，所述第一金属层用于形成所述阵列基板的TFT的栅极，所述第二金属层用于形成所述TFT的源极和漏极，所述第三金属层用于形成所述阵列基板的像素电极，其特征在于，所述阵列基板还包括第一有机绝缘层和第二有机绝缘层中的至少一个，所述第一有机绝缘层设置于所述色阻和所述第二绝缘层之间，所述第二有机绝缘层设置于所述色阻和所述第三金属层之间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，所述第二有机绝缘层、所述色阻、所述第一有机绝缘层及所述第二绝缘层开设有接触孔，所述第三金属层覆盖于所述接触孔并与所述第二金属层连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置于所述色阻和所述第三金属层之间的第三绝缘层，且所述第三绝缘层位于所述第二有机绝缘层和所述色阻之间。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，所述第三绝缘层、所述第二有机绝缘层、所述色阻、所述第一有机绝缘层及所述第二绝缘层开设有接触孔，所述第三金属层覆盖于所述接触孔并与所述第二金属层连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有机绝缘层的背向所述色阻的一面为平面。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层的制造材料包括树脂。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还用于形成所述阵列基板的公共电极以及与所述公共电极连接的走线，所述走线横跨所述阵列基板的有效显示区域，并在所述有效显示区域的***连接公共电压信号。
8.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板包括彩膜基板以及与所述彩膜基板相对间隔设置的如权利要求1～7任一项所述的阵列基板。
9.根据权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，所述彩膜基板设置有公共电极，所述第一金属层与所述公共电极连接以接收施加给所述公共电极的公共电压信号。
10.一种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括液晶显示面板和为所述液晶显示面板提供光线的背光模组，其特征在于，所述液晶显示面板为权利要求8或9所述的液晶显示面板。
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20171013 Address after: 518000 No. 9-2 Ming Avenue, Gongming street, Guangming District, Guangdong, Shenzhen Applicant after: Shenzhen Huaxing photoelectric semiconductor display technology Co., Ltd. Address before: 518006 9-2, Guangming Road, Guangming New District, Guangdong, Shenzhen Applicant before: Shenzhen Huaxing Optoelectronic Technology Co., Ltd. |
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| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20170901 |
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |