CN107109640A - 用于盖覆物体的方法以及由此生产的盖覆物 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及用于盖覆物体(1)的工艺,其中具有一个或更多个盖覆层(3、4、5)的盖覆物(2)被施加于所述物体(1),其中至少一个盖覆层(5)基本上由铝、钛和氮形成,其中至少在一些区域中,所述盖覆层(5)具有邻接的不同化学组成的片层,并且从包括至少一种铝前体和至少一种钛前体的气相沉积所述盖覆层(5)。根据本发明,通过设置铝与钛的摩尔比,所述不同化学组成的片层各自形成立方结构,通过保留立方结构,铝和钛被其它金属部分地代替,并且氮被氧和/或碳部分地代替是可能的。本发明进一步涉及相应被生产的盖覆物(2)。
Description
本发明涉及一种用于盖覆物体的方法,其中具有一个或更多个盖覆层的盖覆物被施加于物体,其中至少一个盖覆层基本上由铝、钛和氮形成,其中至少在一些区域中,盖覆层包括互相邻接的不同化学组成的片层,并且从具有至少一种铝前体和至少一种钛前体的气相沉积所述盖覆层。
此外,本发明涉及一种借助于化学气相沉积(CVD)法被施加于物体的盖覆物,其中盖覆物包括一个或更多个盖覆层,并且其中至少一个盖覆层基本上由铝、钛和氮形成,并且至少在一些区域中所述至少一个盖覆层包括互相邻接的不同化学组成的片层。
从现有技术中已知,切割工具或切割插件被盖覆有盖覆层,所述盖覆层由钛、铝和氮构成,以增加在切割应用中的使用寿命。就这一点而言,不管在盖覆层中是否存在一个或更多个相,常常通常参考TiAlN盖覆层,其中平均化学组成由Ti1-xAlxN指定。对于包含比钛更多的铝的盖覆层,命名AlTiN或者更准确地来说AlxTi1-xN是普遍的。
从WO 03/085152 A2已知在AlTiN***中具有立方结构的单相盖覆层的生产,其中在高达67摩尔百分数(mol%)的氮化铝(AlN)相对含量时,获得了立方结构的AlTiN。在高达75mol%的更高的AlN含量时,生产了立方AlTiN和六方AlN的混合物,并且在大于75mol%的AlN含量时,排他地生产了六方AlN和立方氮化钛(TiN)。根据被引用的文件,所描述的AlTiN盖覆层是借助于物理气相沉积(PVD)被沉积的。采用PVD法,AlN的最大相对含量由此事实上被限于67mol%,因为否则的话有可能转换成仅以六方AlN的形式包含铝的相。然而,根据专家意见,更高的相对含量的立方AlN是符合期望的,以在最大程度上使耐磨性最大化。
从现有技术中还已知,使用化学气相沉积(CVD)法取代PVD法,其中CVD法是在相对低的温度下,在700℃至900℃的温度窗口之内进行的,因为归因于立方AlTiN盖覆层的亚稳结构,这种类型的盖覆层不能在例如,≥1000℃的温度被生产。如果必要的话,根据US 6,238,739 B1,温度甚至还可以更低,即,在从550℃至650℃的温度窗口之内,然而,其中盖覆层中高的氯含量将被接受,其被证明对于应用是不利的。因此,已经做出尝试来优化CVD方法,以致于可以用所述方法生产具有高含量的铝以及盖覆层的立方结构的AlTiN盖覆层(I.Endler等,Proceedings Euro PM 2006,根特市,比利时,10月23-25日,2006年,第1,219卷)。尽管这些盖覆层具有高显微硬度,以及因此从根本上针对在使用期间的高耐磨性的有益的性质,但已经示出这种类型的盖覆层的粘合强度可能是过低的。因此,鉴于此,在DE 102007 000 512 B3中已经提出,作为相梯度层被形成的并且是由六方AlN、TiN和立方AlTiN的混合相构成的1μm厚的盖覆层被提供在3μm厚的立方AlTiN盖覆层下面,其中立方AlTiN含量随着向外或朝向(排他地)立方AlTiN盖覆层具有增加的比例。以这样的方式被盖覆的切板被用于铣削钢材,然而,其中与借助于PVD法生产的盖覆层相比较,在耐磨性上仅获得很少的改进。
除了在耐磨性上仅有的微小的改进,根据DE 10 2007 000 512 B3,结合层进一步的缺点是,结合层或相梯度层生长得极其快速,甚至在实验室规模的实验中(I.Endler等,Proceedings Euro PM 2006,根特市,比利时,10月23-25日,2006年,第1,219卷)。在为工业的切板的盖覆物所设计的较大的反应器中的生产的情况下,这导致在提供的盖覆工艺中,结合层或相梯度层变得极其厚,因为用于形成最终预期的立方AlΤiΝ盖覆层的温度必须被降低,其需要大量的时间。然而,在此工艺温度的降低期间,结合层或相梯度层的厚度快速增加,因为在工业的反应器中快速冷却是不可能的。将可想到的是中断盖覆工艺较长时期或中断冷却,但是这会增加成本。
从WO 2013/134796 A1中已经已知盖覆的坯体以及用于盖覆坯体的方法,其中AlxTi1-xN的特殊的盖覆层在单个区域中被形成为具有片层状结构。此片层状结构由Ti1- xAlxN(主要地Ti作为金属)以及与其交替的AlxTi1-xN(主要地Al作为金属)的交替的片层构成。Ti1-xAlxN作为立方相存在,而AlxTi1-xN具有六方结构。根据上述解释,虽然六方AlN或AlxTi1-xN本身不是期望的,但是在具有立方TiN或Ti1-xAlxN的替换的实施方案中的六方AlN或AlxTi1-xN已证明在此特殊的结构中是有益的,这是归因于在纳米尺度上片层的形成。
根据WO 2013/134796 A1,尽管AlxTi1-xN盖覆层已经展现优异的性质,但是优选的是能够在硬度方面提供甚至更好的盖覆层。这是本发明所达到的目标,其目的在于指定一种起初即指定类型的方法,采用所述方法具有相应的盖覆层的盖覆物可以被生产。
本发明的另一目标是指定一种起初即指定类型的盖覆物,所述盖覆物包括具有高硬度的AlxTi1-xN盖覆层。
在起初即指定类型的方法中,如果通过调整铝与钛的摩尔比,不同化学组成的片层各自形成立方结构,那么可以实现方法相关的目标,其中通过保存晶体结构,铝和钛可以被其它金属部分地代替,并且氮可以被氧和/或碳部分地代替。
可以看出通过根据本发明的方法实现的一个优点在于,经由至少一种铝前体和至少一种钛前体的相应的引入,借助于调整铝与钛的摩尔比,片层中的晶体结构可以被有针对性地朝向立方结构或相调整。与现有技术相比,如果钛含量保持相对高,则形成以交替的方式包括Ti1-xAlxN和立方AlxTi1-xN的片层。在一种交替的片层中,存在接近TiN的组成;在另一种中,存在接近AlN的组成。如果两种片层的形成是立方的,则钛前体的成比例地更高的引入可以导致在邻接的AlxTi1-xN片层上施加立方结构的立方Ti1-xAlxN片层,虽然原则上六方相将被预期。
有益的是,交替片层的各自地立方结构导致相应的盖覆层的优异的硬度。然而,此外,还已经示出,尽管与现有技术相比,铝含量降低,但是提供了优异的抗氧化性。原则上,随着铝含量的降低,较差的抗氧化性将被预期,但是在具有不同化学组成的立方片层的片层结构中没有观察到此现象。显然,由于较高的钛含量,片层的集列不仅导致较高的硬度,而且导致高抗氧化性。
只要保存晶体结构,铝和钛可以被其它金属部分地代替。特别地,由此可以使用硅。替代金属(如硅)的含量可以,例如,限于20%,优选地10%,特别是7.5%,以防止过度干扰片层的最初的形成。另一方面,以低含量使用替代金属(如铬)导致有针对性地将盖覆层的性质微调到使用要求的可能性。
同样可能的是,同样在保存晶体结构的条件下,氮可以被氧和/或碳部分地代替。例如,对于某些加工应用,以氧对氮的少量替代可能是有利的。同样必需的是,在用氧和/或碳部分的代替氮时始终保存设置在片层中的晶体结构,产生对于氮的可能的代替的上限阈值。
特别是对于至少在盖覆层的个体区域中具有立方结构的片层的形成,有利的是,对于基本上具有铝、钛和氮的至少一个盖覆层的沉积,气相中的摩尔Al/Ti比被,至少暂时,限于最大3.0,优选地最大2.0,特别是最大1.5。在钛的较高摩尔含量时,促进了立方Ti1- xAlxN片层(具有比Al含量更高的Ti含量)的形成,所述片层与AlxTi1-xN片层(具有比Ti含量更高的Al含量)以交替的方式生长,其中第一类型的片层被立方地形成,并且将此立方结构或晶体结构施加在第二类型的片层上。
也可以通过调整铝与钛的摩尔比来修改片层的厚度。优选的是,片层被沉积为具有小于20nm,优选地3nm至17nm,特别是5nm至15nm的片层周期性。特别是在约8nm至13nm的范围之内,那产生具有片层的优异的盖覆层,至少在盖覆层的一些区域中,片层被排他地立方地形成。
优选的是,基本上具有铝、钛和氮的至少一个盖覆层被沉积为具有AlxTi1-xN的平均组成,并且从包括三氯化铝、四氯化钛和氨的气相沉积基本上具有铝、钛和氮的至少一个盖覆层。当然,运载气体(如氮和/或氢)也可以被使用。虽然原则上分别使用一种铝前体和一种钛前体是可能的,但应当理解,如果需要的话,针对单个金属的多种前体也可以被使用。特别是如果铝和/或钛被其它金属略微替代,混合附加的前体也是可能的,以便精细调整盖覆层的性质。例如,铬化合物和/或硅化合物可以被混合到反应气体中,以便分别将铬或硅并入盖覆层。例如,高达5%的铬和/或5%的硅可以被提供以代替铝和/或钛。
还优选的是,基本上具有铝、钛和氮的至少一个盖覆层被沉积为具有0.70≤x≤0.90,优选地0.75≤x≤0.85的AlxTi1-xN的平均组成。与现有技术相比,根据所述现有技术,目的在于生产具有最高可能铝含量的通式AlxT1-xN的立方结构,以便最大化抗氧化性,根据本发明,铝的稍微较低的相对含量可以有意地在盖覆层中被提供,而不会不利地降低抗氧化性。
基本上具有铝、钛和氮的至少一个盖覆层以CVD法被沉积,其中10mbar至80mbar,特别是20mbar至50mbar的压力可以被设置。通过反应气体或具有运载气体的前体的相应的引入,可以进行压力的设置。
对于在CVD法中的沉积,温度控制被选择以致于基本上具有铝、钛和氮的至少一个盖覆层在约750℃至850℃的温度下被沉积。在此温度窗口之内,通过改变反应气体中的铝与钛的摩尔分数,具有立方结构的片层期望的形成可以被容易地设置。
基本上具有铝、钛和氮的至少一个盖覆层通常被沉积为具有1μm至20μm,特别是3μm至8μm的厚度。
如果基本上具有铝、钛和氮的至少一个盖覆层在合适基体(如蓝宝石)上被沉积,则可以发生外延沉积。
虽然根据本发明公开的方法,任何期望的物体可以被盖覆,但是当盖覆由硬质金属制成的物体,特别是切割插件(如分度切板)时,优选地使用所述方法。
在根据本发明的方法中,基本上具有铝、钛和氮的盖覆层可以是被施加到物体的唯一的盖覆层。然而,特别是对于切割插件(如切板或刀片)的盖覆,有利的是沉积多层盖覆物。作为第一盖覆层,TiN的结合层可以优选地被沉积为具有小于1.0μm的厚度。
可以证明有利的是,基本上具有铝、钛和氮的至少一个盖覆层在TiCN的盖覆层上被沉积。TiCN的盖覆层优选地为现有技术已知的中等温度的TiCN(MT-TiCN)盖覆层。这种类型的TiCN盖覆层包括尖状结构,所述尖状结构垂直地从基体表面向外延伸。在这种类型的盖覆层上,具有不同化学组成但是每个均具有立方结构的片层的基本上具有铝、钛和氮的盖覆层可以被优异地沉积并且具有高的粘合强度,这对于应用目的是最佳的。
如果在第一盖覆层的沉积和每个附加盖覆层的随后沉积中分别降低或保持沉积温度,则根据本发明的方法可以被特别有效地管理。因此,在其上被创建盖覆物的基体或物体首先可以被带入特定的期望的温度,之后开始具有多重盖覆层的盖覆物的沉积。由于在第一盖覆层的沉积之后进一步加热不是必需的,具有多重盖覆层的盖覆物的施加可以相对快速地进行,并且因此是有成本效率的。特别是,如果TiN的结合层、然后MT-TiCN盖覆层和最终在所述盖覆层之内具有片层状结构的基本上具有铝、钛和氮的盖覆层被提供,则所有盖覆层可以在从750℃至900℃的温度窗口之内被沉积。由于用于所有盖覆层的沉积的温度窗口已经相对狭窄,并且因此因为仅需要等待在短时期内的冷却以创建下一个盖覆层,或者也可能在其中在相同的温度下进行工作,那导致具有多重盖覆层的盖覆物的极其快速的产生。
基本上具有铝、钛和氮的至少一个盖覆层借助于CVD法被沉积。如果附加的盖覆层被提供,则借助于CVD法沉积也是有利的。
本发明的另一个目的是通过最初即指定类型的盖覆层实现的,其中不同化学组成的片层各自形成立方结构,其中通过保存立方结构,铝和钛可以被其它金属部分地代替,并且氮可以被氧和/或碳代替。
根据本发明的盖覆物,特别地,其特征在于,由于与不同化学组成的片层但是不同片层之内的相同的晶体结构的形成,它们本身是盖覆层的组分,所述盖覆物产生优异的性质。特别是在具有各自地立方结构的片层的形成中,那导致具有片层的盖覆层具有高硬度同时具有抗氧化性。
片层优选地被形成具有小于20nm,优选地3nm至17nm,特别是5nm至15nm的片层周期性。因此,可以通过用铝前体的固定含量对钛前体的引入含量的修改在生产期间调整片层周期性。特别地,对于片层周期性,从5nm至15nm的范围,优选地约8nm至13nm,已经证明对于高硬度是特别有益的。不同化学组成的两个片层的序列的厚度被认为是片层周期性,如可以在透射电子显微镜中看到的。
基本上具有铝、钛和氮的至少一个盖覆层可以被形成具有0.70≤x≤0.90,优选地0.75≤x≤0.85的AlxTi1-xN的平均组成,以便获得最佳的高硬度同时具有高抗氧化性。
基本上具有铝、钛和氮的至少一个盖覆层可以具有1μm至20μm,特别是3μm至8μm的厚度。
如果合适的基体(如蓝宝石)被提供,则在基本上具有铝、钛和氮的至少一个盖覆层中外延生长是可能的。
为了微调用于各种不同切割应用的盖覆物属性,可以有利的是盖覆层具有多层结构。如果切割插件是硬质金属,但是也在其他情况下,结合层作为第一盖覆层可以是有利的。对于硬质金属,就这一点而言已经被证明有利的是提供优选地具有小于1.0μm的厚度的TiN的第一盖覆层。在此第一盖覆层或结合层上,随后多重附加的盖覆层可以被沉积。对于基本上具有铝、钛和氮的盖覆层,由此已被证明有利的是,所述层在TiCN的盖覆层(典型地MT-TiCN)上被沉积。由此,TiCN的盖覆层直接在TiN的盖覆层上被沉积是可能的。然而,多重附加的层在其间被沉积也是可能的。多重基本上具有铝、钛和氮的盖覆层与其他盖覆层以交替的方式被沉积,和/或完成例如TiN、Al2O3或金刚石的盖覆的外盖覆层被提供也是可能的。
根据阐明的优点,切割工具(如切板)可以包括根据本发明的盖覆物。
本发明的附加的特征、优点和效果遵从下面描述的示例性实施方案。由此所参考的附图如下所示:
图1物体上盖覆物的基本结构;
图2使用透射电子显微镜(TEM)拍摄的图像;
图3用于根据图2的图像的衍射图案;
图4 X射线衍射图;
图5硬度和弹性模量图;
图6TEM图像;
图7极像图的说明。
在图1中,根据本发明的物体1被示意性地示出。物体1典型地由烧结的硬质金属以及粘结金属形成,所述硬质金属由钨、钛、铌或其它金属的碳化物和/或碳氮化物构成,所述粘结金属选自包括钴、镍和/或铁的组。由此,粘结金属含量通常高达10重量%。典型地,物体1由高达10重量%的钴和/或其他粘结金属构成,其余的是碳化钨,以及高达5重量%的其他金属的其他碳化物和/或碳氮化物。
充当结合层的TiN的盖覆层3被沉积在物体1上。盖覆层3通常具有小于2μm,优选地0.4至1.2μm的厚度。在盖覆层3上,充当中间层的TiCN盖覆层4被沉积。此盖覆层4是MT-TiCN盖覆层。这种类型的盖覆层4通常具有有尖状晶体的柱状结构,所述尖状晶体以平行于物体1上的曲面法线的方式基本上对齐。最后,一个附加的盖覆层5被沉积在盖覆层4上。盖覆层5基本上由铝、钛和氮形成,并且是借助于CVD法被沉积的。取决于所使用的工艺管理和气体,较小含量的氯和氧也可能存在于盖覆层5中。其他盖覆层3、4也可以使用CVD法被沉积。
物体1可以特别地是切割插件(如分度切板)。为了盖覆所述切板或者创建盖覆物2,在第一步,TiN结合层和/或盖覆层3在从880℃to 900℃的工艺温度从包含或由氮、氢和四氯化钛构成的气体被沉积。然后温度被降低,并且在从例如820℃至840℃的温度由MT-TiCN形成的具有2μm至5μm的厚度的盖覆层4被沉积。由此,沉积是从由氮、氢、乙腈和四氯化钛构成的气体进行的。对应的工艺温度和乙腈作为碳和/或氮源的使用确保具有TiCN的柱形生长或尖状晶体的中间层的形成。因而,TiCN盖覆层包括在横截面上的纵向延伸的晶体,所述晶体优选地与物体1的曲面法线平行,但是至少大部分地与物体1的曲面法线成±30°角。对应的TiCN盖覆层导致后续沉积的具有AlxTi1-xΝ平均组成的盖覆层5的合适的结合。就这一点而言,TiCN盖覆层具有TiCaN1-a的平均组成是有利的,其中a的范围是0.3至0.8,特别是0.4至0.6。
在TiCN的中间层上,其中钛可以被铝代替高达40mol%以增强硬度,具有铝、钛和氮的盖覆层5被最后施加,其中温度被降低至约800℃至830℃。是但不必须是最外面的盖覆层的盖覆层5是由包含三氯化铝、氮、氢、四氯化钛的气体和分开引入的氨和氮的混合物创建的。因而,在为了生产中间层的第二步中和在为了生产盖覆层5的第三步中,用于每一步的工艺温度被降低,这是有极其有成本效率的并且允许在切割插件上的盖覆物2的快速创建。盖覆层5优选地在20mbar至80mbar,特别是25mbar至55mbar的压力下被沉积,其中经由所引入的气体的体积流率调节压力。
在下面的表1和表2中,提供典型的工艺参数和组成。
表1-用于以具有交替的立方片层的AlTiN CVD盖覆层盖覆的工艺参数
表2——AlTiN盖覆层的性质
在图2中,盖覆物结构的TEM图像被示出,其中AlTiN梯度层结构被施加于硬质金属,其层基本上如上所述被施加,尽管钛前体的含量稍有增加,并且铝前体的含量保持不变。梯度层在Al90Ti10N处开始并且在Al70Ti30N处结束。在其间的范围中,由WO 2013/134796A1已知的具有六方和立方结构的交替的片层的结构最初形成,而钛前体的含量仍然较低。在较高含量下,随后形成其中仅仍存在立方相的结构,其遵从图3。因此,通过改变前体的比例,结构可以有针对性地在纳米级上被设置。片层周期性为约9nm。
在图4中,可以看到盖覆层5的X射线衍射图,由此评述盖覆层5被形成为具有立方结构,并且六方相是不可检测的,这证实了针对梯度层的图3的结果。
令人惊奇的是,盖覆层5不仅展现高硬度,而且展现合适的韧性。如针对根据图2的梯度层的图5中所示的测量结果表明,在排他地立方形成的范围内,梯度层的硬度和韧性两者均达到了最大值。
在图6中,盖覆层5的高分辨率TEM图像被示出,所述盖覆层5如上所述被生产。在这个图像中,可以看到具有几纳米的片层周期性的形成的片层。具有比Ti含量更高的Al含量的AlxTi1-xN组成和立方结构的片层和具有比Al含量更高的Ti含量的也是立方结构的Ti1- xAlxN片层连续交替形成片层。推断这种特殊的纳米结构导致盖覆层5的优异的性质,特别是高硬度和强度。盖覆层5不仅体现特别地氧化稳定性和具有高硬度和强度,而且非常热稳定。在950℃至1050℃下1小时的持续热负荷示出,裂缝在硬质金属基体中出现起始于1000℃,而除了与硬质金属部件同时破碎,盖覆层5禁得起热负荷。
如果盖覆层5在合适的基体(如蓝宝石)上被沉积,则也可以发生外延生长,这可以由图7中的极像图得到,这基于在蓝宝石上直接沉积盖覆层5。
虽然盖覆层5,也可能与附加的盖覆层3、4一起,优选地被用于切割插件(如分度切板),但任何其它期望的在使用期间暴露于高温和机械应力并且由此还必须展现高抗氧化性的切割工具,当然也可以被盖覆。
Claims (23)
1.一种盖覆物体(1)的方法,其中具有一个或更多个盖覆层(3、4、5)的盖覆物(2)被施加于所述物体(1),其中至少一个盖覆层(5)基本上由铝、钛和氮形成,其中至少在一些区域中,所述盖覆层(5)包括互相邻接的不同化学组成的片层,并且从具有至少一种铝前体和至少一种钛前体的气相沉积所述盖覆层(5),其特征在于,通过调整铝与钛的摩尔比,所述不同化学组成的片层各自形成立方结构,其中通过保存立方结构,铝和钛可以被其它金属部分地代替,并且氮可以被氧和/或碳部分地代替。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对于基本上具有铝、钛和氮的所述至少一个盖覆层(5)的沉积,气相中的摩尔Al/Ti比被(至少暂时)限于最大3.0,优选地最大2.0,特别是最大1.5。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述片层被沉积为具有小于20nm,优选地3nm至17nm,特别是5nm至15nm的片层周期性。
4.根据权利要求1至3中一项所述的方法,其特征在于,基本上具有铝、钛和氮的所述至少一个盖覆层(5)被沉积为具有AlxTi1-xN的平均组成,并且从包含三氯化铝、四氯化钛和氨的气相沉积基本上具有铝、钛和氮的所述至少一个盖覆层(5)。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,基本上具有铝、钛和氮的所述至少一个盖覆层(5)被沉积为具有0.70≤x≤0.90,优选地0.75≤x≤0.85的AlxTi1-xN的平均组成。
6.根据权利要求1至5中一项所述的方法,其特征在于,基本上具有铝、钛和氮的所述至少一个盖覆层(5)在10mbar至80mbar,特别是20mbar至50mbar的压力下被沉积。
7.根据权利要求1至6中一项所述的方法,其特征在于,基本上具有铝、钛和氮的所述至少一个盖覆层(5)在约750℃至850℃的温度下被沉积。
8.根据权利要求1至7中一项所述的方法,其特征在于,基本上具有铝、钛和氮的所述至少一个盖覆层(5)被沉积为具有1μm至20μm,特别是3μm至8μm的厚度。
9.根据权利要求1至8中一项所述的方法,其特征在于,基本上具有铝、钛和氮的所述至少一个盖覆层(5)被外延地沉积。
10.根据权利要求1至9中一项所述的方法,其特征在于,由硬质金属制成的物体(1)被盖覆,特别是切割插件,如分度切板。
11.根据权利要求1至10中一项所述的方法,其特征在于,多层盖覆物(2)被沉积在所述物体(1)上,其中作为第一盖覆层(3)的TiN结合层优选被沉积为具有小于1.0μm的厚度。
12.根据权利要求1至11中一项所述的方法,其特征在于,基本上具有铝、钛和氮的所述至少一个盖覆层(5)被沉积在TiCN盖覆层(4)上。
13.根据权利要求11或12所述的方法,其特征在于,在第一盖覆层(3)的沉积中和每个附加的盖覆层(4、5)的随后沉积中,沉积温度分别被降低或被保持。
14.根据权利要求1至13中一项所述的方法,其特征在于,基本上具有铝、钛和氮的所述至少一个盖覆层(5),优选地全部盖覆层(3、4、5),借助于CVD法被沉积。
15.一种借助于CVD法被施加于物体(1)的盖覆物(2),其中所述盖覆物(2)包括一个或更多个盖覆层(3、4、5),并且其中至少一个盖覆层(5)基本上由铝、钛和氮形成,并且至少在一些区域中所述至少一个盖覆层(5)包括互相邻接的不同化学组成的片层,其特征在于,所述不同化学组成的片层各自形成立方结构,其中通过保存立方结构,铝和钛可以被其它金属部分地代替,并且氮可以被氧和/或碳代替。
16.根据权利要求15所述的盖覆物(2),其特征在于,所述片层被形成为具有小于20nm,优选地3nm至17nm,特别是5nm至15nm的片层周期性。
17.根据权利要求15或16所述的盖覆物(2),其特征在于,基本上具有铝、钛和氮的所述至少一个盖覆层(5)具有0.70≤x≤0.90,优选地0.75≤x≤0.85的AlxTi1-xN的平均组成。
18.根据权利要求15至17中一项所述的盖覆物(2),其特征在于,基本上具有铝、钛和氮的所述至少一个盖覆层(5)具有1μm至20μm,特别是3μm至8μm的厚度。
19.根据权利要求15至18中一项所述的盖覆物(2),其特征在于,基本上具有铝、钛和氮的所述至少一个盖覆层(5)外延地生长。
20.根据权利要求15至19中一项所述的盖覆物(2),其特征在于,所述盖覆物(2)具有多层结构。
21.根据权利要求20所述的盖覆物(2),其特征在于,第一盖覆层(3)被提供作为物体(1)上的结合层,其中所述第一盖覆层(3)优选地由TiN形成并且具有小于1.0μm的厚度。
22.根据权利要求20或21所述的盖覆物(2),其特征在于,基本上具有铝、钛和氮的所述至少一个盖覆层(5)被沉积在TiCN盖覆层(4)上。
23.一种具有根据权利要求15至22中一项所述的盖覆物(2)的物体(1),特别是切割工具,如切板。
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