CN107094009B - 一种碳化硅场效应管的驱动模块 - Google Patents

一种碳化硅场效应管的驱动模块 Download PDF

Info

Publication number
CN107094009B
CN107094009B CN201710428946.1A CN201710428946A CN107094009B CN 107094009 B CN107094009 B CN 107094009B CN 201710428946 A CN201710428946 A CN 201710428946A CN 107094009 B CN107094009 B CN 107094009B
Authority
CN
China
Prior art keywords
driving circuit
resistor
negative pressure
triode
negative voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710428946.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107094009A (zh
Inventor
王建
徐鲲鹏
李涛
刘瑞
黄亮
吉栋
姚国旺
吴有超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
State Grid Corp of China SGCC
State Grid Information and Telecommunication Co Ltd
Beijing Smartchip Microelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
State Grid Corp of China SGCC
State Grid Information and Telecommunication Co Ltd
Beijing Smartchip Microelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by State Grid Corp of China SGCC, State Grid Information and Telecommunication Co Ltd, Beijing Smartchip Microelectronics Technology Co Ltd filed Critical State Grid Corp of China SGCC
Priority to CN201710428946.1A priority Critical patent/CN107094009B/zh
Publication of CN107094009A publication Critical patent/CN107094009A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107094009B publication Critical patent/CN107094009B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/26—Modifications for temporary blocking after receipt of control pulses
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

本发明公开一种碳化硅场效应管的驱动模块，包括：第一驱动电路、第一负压驱动电路以及第二负压驱动电路；第一驱动电路的输入端用于接收方波输入信号，当方波输入信号为高电平时，第一驱动电路的输出端输出高电平驱动电压；当方波输入信号为低电平时，第一负压驱动电路的输出端输出负电压信号；第二负压驱动电路的输入端与第一负压驱动电路的输出端相连接，第二负压驱动电路的输入端用于接收负电压信号，第二负压驱动电路的输出端与第一驱动电路的输出端相连接，在负电压信号的驱动下，第二负压驱动电路的输出端输出负压关断电压。本发明提供的碳化硅场效应管的驱动模块实现了负压驱动，保证了SiC MOSFET的关断效果。

Description

一种碳化硅场效应管的驱动模块
技术领域
本发明电源、电力电子技术领域，尤其涉及一种碳化硅场效应管的驱动模块。
背景技术
碳化硅(英文：Silicon Carbide，缩写：SiC)是当前国际上最先进的第三代新型半导体材料之一，应用领域也极其广泛。碳化硅金属-氧化物半导体场效应管(SiliconCarbide metal-oxide semiconductor Field Effect Transistor，缩写：SiC MOSFET)，简称碳化硅场效应管，是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。
SiC MOSFET器件具有低导通电阻的特点，导通损耗小、具有很高的击穿电压和很低的热阻系数、工作耐受温度高，但是SiC MOSFET对驱动要求比较高，推荐开启电压达到16V-20V，而关断电压最好有负压关断才能达到良好的关断效果。
但是，现有的驱动电路的输出电平无法达到Si MOSFET驱动电平的要求，导致栅极电压在关断点附近震荡，产生SiC MOSFET误导通，严重影响SiC MOSFET的关断效果。
发明内容
本发明提供一种碳化硅场效应管的驱动模块，以克服现有技术中SiC MOSFET的关断效果不好的技术问题。
本发明提供一种碳化硅场效应管的驱动模块，包括：第一驱动电路、第一负压驱动电路以及第二负压驱动电路；所述第一驱动电路的输入端用于接收方波输入信号，当所述方波输入信号为高电平时，所述第一驱动电路的输出端输出高电平驱动电压；所述第一负压驱动电路的输入端与所述第一驱动电路的输入端相连接，当所述方波输入信号为低电平时，所述第一负压驱动电路的输出端输出负电压信号；第二负压驱动电路的输入端与所述第一负压驱动电路的输出端相连接，所述第二负压驱动电路的输入端用于接收所述负电压信号，所述第二负压驱动电路的输出端与所述第一驱动电路的输出端相连接，在所述负电压信号的驱动下，所述第二负压驱动电路的输出端输出负压关断电压。
在一种可能的实现方式中，所述第一驱动电路包括：电阻(R2)、电阻(R3)、三极管(Q1)；所述电阻(R2)的一端与所述三极管(Q1)的发射极相连接，且所述电阻(R2)的一端作为所述第一驱动电路的输入端；所述电阻(R2)的另一端与所述三极管(Q1)的基极相连接，且所述电阻(R2)的另一端通过所述电阻(R3)接地；所述三极管(Q1)的集电极作为所述第一驱动电路的输出端。
在一种可能的实现方式中，所述第一驱动电路还包括：电阻(R1)；所述电阻(R2)的一端作为所述第一驱动电路的输入端包括：所述电阻(R1)的一端作为所述第一驱动电路的输入端，所述电阻(R1)的另一端分别与所述电阻(R2)的一端以及所述三极管(Q1)的发射极相连接。
在一种可能的实现方式中，所述第一驱动电路还包括：电容(C1)；所述电阻(R2)的另一端通过所述电容(C1)接地。
在一种可能的实现方式中，所述第一负压驱动电路包括：电容(C2)、二极管(D1)；所述电容(C2)的一端作为所述第一负压驱动电路的输入端，所述电容(C2)的另一端作为所述第一负压驱动电路的输出端；所述电容(C2)的另一端与所述二极管(D1)的正极相连接，所述二极管(D1)的负极接地。
在一种可能的实现方式中，所述第一负压驱动电路还包括：二极管(D2)；所述二极管(D1)的负极接地包括：所述二极管(D1)的负极与所述二极管(D2)的负极相连接，所述二极管(D2)的正极接地。
在一种可能的实现方式中，所述二极管(D2)为稳压二极管。
在一种可能的实现方式中，所述第二负压驱动电路包括：三极管(Q2)、电阻(R4)、电阻(R5)；所述三极管(Q2)的发射极与所述第一负压驱动电路的输出端相连接；所述三极管(Q2)的集电极和所述电阻(R4)的一端相连接；且所述三极管(Q2)的集电极作为所述第二负压驱动电路的输出端；所述三极管(Q2)的基极和所述电阻(R4)的另一端相连接，且所述电阻(R4)的另一端通过所述电阻(R5)接地。
在一种可能的实现方式中，所述第二负压驱动电路还包括：电容(C3)；所述三极管(Q2)的基极通过所述电容(C3)接地。
本发明提供的碳化硅场效应管的驱动模块，通过当所述方波输入信号为高电平时，所述第一驱动电路1的输出端输出高电平驱动电压；当所述PWM信号为低电平时，所述第一负压驱动电路2的输出端输出负电压信号，所述第二负压驱动电路3的输入端用于接收所述负电压信号，在所述负电压信号的驱动下输出负压关断电压，可以实现负压驱动，保证了SiC MOSFET的可靠关断，避免了在驱动SiC MOSFET关断过程中产生谐振造成开关管误开启的情况。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的碳化硅场效应管的驱动模块的结构示意图；
图2为本发明实施例二提供的碳化硅场效应管的驱动模块的结构示意图；
图3为本发明实施例三提供的碳化硅场效应管的驱动模块的结构示意图；
图4为本发明实施例三提供的方波输入信号为高电平时驱动模块的电流流向的示意图；
图5为本发明实施例三提供的方波输入信号为低电平时驱动模块的电流流向的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
图1为本发明实施例一提供的碳化硅场效应管的驱动模块10的结构示意图，如图1，本实施例提供的碳化硅场效应管的驱动模块10，包括：第一驱动电路1、第一负压驱动电路2以及第二负压驱动电路3。
第一驱动电路1的输入端用于接收方波输入信号，当所述方波输入信号为高电平时，所述第一驱动电路1的输出端输出高电平驱动电压。
第一负压驱动电路2的输入端与所述第一驱动电路1的输入端相连接，当所述方波输入信号为低电平时，所述第一负压驱动电路2的输出端输出负电压信号。
第二负压驱动电路3的输入端与所述第一负压驱动电路2的输出端相连接，所述第二负压驱动电路3的输入端用于接收所述负电压信号，所述第二负压驱动电路3的输出端与所述第一驱动电路1的输出端相连接，在所述负电压信号的驱动下，所述第二负压驱动电路3的输出端输出负压关断电压。
具体地，方波输入信号可以为脉冲宽度调制PWM信号。第二负压驱动电路3的输出端与所述第一驱动电路1的输出端的连接节点与SiC MOSFET相连接。
由此，本实施例提供的碳化硅场效应管的驱动模块10，当所述方波输入信号为高电平时，所述第一驱动电路1的输出端输出高电平驱动电压；当所述PWM信号为低电平时，所述第一负压驱动电路2的输出端输出负电压信号，所述第二负压驱动电路3的输入端用于接收所述负电压信号，在所述负电压信号的驱动下输出负压关断电压。本实施例提供的碳化硅场效应管的驱动模块10实现了负压驱动，保证了SiC MOSFET的关断效果，避免了在驱动SiC MOSFET关断过程中产生谐振的情况。
实施例二
图2为本发明实施例二提供的碳化硅场效应管的驱动模块的结构示意图，如图2，本实施例在上述实施例的基础上，对驱动模块进行进一步限定。
本实施例中，第一驱动电路1包括：电阻(R2)、电阻(R3)、三极管(Q1)；所述电阻(R2)的一端与所述三极管(Q1)的发射极相连接，且所述电阻(R2)的一端作为所述第一驱动电路的输入端；所述电阻(R2)的另一端与所述三极管(Q1)的基极相连接，且所述电阻(R2)的另一端通过所述电阻(R3)接地；所述三极管(Q1)的集电极作为所述第一驱动电路的输出端。
其中，所述电阻(R2)的一端与所述三极管(Q1)的发射极接收方波输入信号。
第一负压驱动电路2包括：电容(C2)、二极管(D1)；所述电容(C2)的一端作为所述第一负压驱动电路的输入端，所述电容(C2)的另一端作为所述第一负压驱动电路的输出端；所述电容(C2)的另一端与所述二极管(D1)的正极相连接，所述二极管(D1)的负极接地。
第二负压驱动电路3包括：三极管(Q2)、电阻(R4)、电阻(R5)；所述三极管(Q2)的发射极与所述第一负压驱动电路的输出端相连接；所述三极管(Q2)的集电极和所述电阻(R4)的一端相连接；且所述三极管(Q2)的集电极作为所述第二负压驱动电路的输出端；所述三极管(Q2)的基极和所述电阻(R4)的另一端相连接，且所述电阻(R4)的另一端通过所述电阻(R5)接地。
其中，三极管(Q2)的发射极与所述第一负压驱动电路的输出端相连接，用于接收所述负电压信号；所述三极管(Q2)的集电极与所述电阻(R4)的共同连接点作为所述第二负压驱动电路22的输出端也就是所述第二驱动电路2的输出端。
具体地，以下以方波输入信号为PWM信号为例，进行详细说明。
当PWM信号为高电平时，三极管(Q1)的基极通过电阻(R3)被拉低，三极管(Q1)的基极电压低于发射极电压，三极管(Q1)处于开启状态，驱动SiC MOSFET的开启；当PWM信号为高电平时，PWM信号通过二极管(D1)为电容(C2)进行充电，三极管(Q2)基极通过电阻(R5)被拉低，使Q2处于关断状态。当PWM输入为低电平时，三极管(Q1)基极电压与发射极电位相同，Q1处于关闭状态；电容(C2)因两端电压不变特性，会使Q2发射极电压低于基极电压，Q2打开，拉低DRIVER点电平，由此实现输出负压关断电压。
由此，本实施例提供的碳化硅场效应管的驱动模块，当所述方波输入信号为高电平时，所述第一驱动电路1的输出端输出高电平驱动电压；当所述PWM信号为低电平时，所述第一负压驱动电路2的输出端输出负电压信号，所述第二负压驱动电路3的输入端用于接收所述负电压信号，在所述负电压信号的驱动下输出负压关断电压。本实施例提供的碳化硅场效应管的驱动模块实现了负压驱动，驱动方式更加合理，增加负电压关断，保证了SICMOS的可靠关断，避免了在驱动SiC MOSFET关断过程中产生谐振的情况。
实施例三
图3为本发明实施例三提供的碳化硅场效应管的驱动模块的结构示意图，如图3，本实施例在上述实施例的基础上，对驱动模块进行进一步限定。
本实施例中，第一驱动电路1还包括：电阻(R1)。
所述电阻(R2)的一端作为所述第一驱动电路的输入端包括：所述电阻(R1)的一端作为所述第一驱动电路的输入端，所述电阻(R1)的另一端分别与所述电阻(R2)的一端以及所述三极管(Q1)的发射极相连接。
第一驱动电路1还包括：电容(C1)；所述电阻(R2)的另一端通过所述电容(C1)接地。
通过调节电阻(R2)以及电容(C1)，可以调节三极管(Q1)的开启速度，进而调节驱动的上升沿时间。具体地，电阻(R2)以及电容(C1)越大，三极管(Q1)的开启速度越慢，上升沿越长。
所述第一负压驱动电路2还包括：二极管(D2)；
所述二极管(D1)的负极接地包括：所述二极管(D1)的负极与所述二极管(D2)的负极相连接，所述二极管(D2)的正极接地。
其中，二极管(D2)可以为稳压二极管。通过调节二极管(D2)稳压值的大小来调节输出驱动负压的电压值，以保证SiC MOSFET非对称的驱动波形。
所述第二负压驱动电路3还包括：电容(C3)；所述三极管(Q2)的基极通过所述电容(C3)接地。
通过调节电阻(R4)以及电容(C3)可以调节三极管(Q2)的开启速度进而调节驱动的下降沿时间。具体地，电阻(R4)以及电容(C3)越大，三极管(Q2)的开启速度越慢，下降沿越长。
具体地，以下以方波输入信号为PWM信号为例，进行详细说明。
当PWM信号为高电平时，三极管(Q1)的基极通过电阻(R3)被拉低，三极管(Q1)的基极电压低于发射极电压，三极管(Q1)处于开启状态，通过R1驱动SiC MOSFET的开启；通过二极管(D1)为电容(C2)进行充电，电容两端充电电压为Vpwm-Vd2，三极管(Q2)基极通过电阻(R5)被拉低，使Q2处于关断状态。当PWM输入为低电平时，三极管(Q1)基极电压与发射极电位相同，Q1处于关闭状态；电容(C2)因两端电压不变特性，会使Q2发射极电压低于基极电压，Q2打开，拉低DRIVER点电平，此时DRIVER电平为Vdriver＝-(Vpwm-Vd2),通过调节稳压二极管(D2)稳压值的大小来调节输出驱动负压的电压值，以保证SiC MOSFET非对称的驱动波形，通过调节C3电容值的大小，来调节驱动的下降沿时间，实现负值和时间的调节。
图4为本发明实施例三提供的方波输入信号为高电平时驱动模块的电流流向的示意图；图5为本发明施例三提供的方波输入信号为低电平时驱动模块的电流流向的示意图；如图4所示，当方波输入信号为高电平时，i1为电容(C2)的充电电流，使电容(C2)形成电压差，i3分流后，其中i4为三极管(Q1)基极驱动电流，同时通过i5为电容C1充电，开启三极管(Q1)，i2为SiC MOSFET驱动电流，完成SiC MOSFET高电平驱动,通过i6、i7拉低三极管(Q2)基极电压保持三极管(Q2)处于关断。如图5所示，当方波输入信号为低电平时，i1为电容(C2)的放电电流，因电容(C2)在充电完成后形成电压差固定不变，电容(C2)放电时会使电容形成低于地电位的负压差，使i3电流形成，i4提供开启(Q2)三极管的基极电流，拉低SiCMOSFET驱动电压至负电位，形成负压驱动，完成SiC MOSFET关断。
由此，本实施例提供的碳化硅场效应管的驱动模块，当所述方波输入信号为高电平时，所述第一驱动电路1的输出端输出高电平驱动电压；当所述PWM信号为低电平时，所述第一负压驱动电路2的输出端输出负电压信号，所述第二负压驱动电路3的输入端用于接收所述负电压信号，在所述负电压信号的驱动下输出负压关断电压。本实施例提供的碳化硅场效应管的驱动模块实现了负压驱动电路，驱动方式更加合理，增加负电压关断，保证了SICMOS的可靠关断，避免了在驱动SiC MOSFET关断过程中产生谐振的情况。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (9)

1.一种碳化硅场效应管的驱动模块，其特征在于，包括：第一驱动电路、第一负压驱动电路以及第二负压驱动电路；
所述第一驱动电路的输入端用于接收方波输入信号，当所述方波输入信号为高电平时，所述第一驱动电路的输出端输出高电平驱动电压；
所述第一负压驱动电路的输入端与所述第一驱动电路的输入端相连接，当所述方波输入信号为低电平时，所述第一负压驱动电路的输出端输出负电压信号；
第二负压驱动电路的输入端与所述第一负压驱动电路的输出端相连接，所述第二负压驱动电路的输入端用于接收所述负电压信号，所述第二负压驱动电路的输出端与所述第一驱动电路的输出端相连接，在所述负电压信号的驱动下，所述第二负压驱动电路的输出端输出负压关断电压。
2.根据权利要求1所述的驱动模块，其特征在于，
所述第一驱动电路包括：电阻(R2)、电阻(R3)、三极管(Q1)；
所述电阻(R2)的一端与所述三极管(Q1)的发射极相连接，且所述电阻(R2)的一端作为所述第一驱动电路的输入端；
所述电阻(R2)的另一端与所述三极管(Q1)的基极相连接，且所述电阻(R2)的另一端通过所述电阻(R3)接地；
所述三极管(Q1)的集电极作为所述第一驱动电路的输出端。
3.根据权利要求2所述的驱动模块，其特征在于，所述第一驱动电路还包括：电阻(R1)；
所述电阻(R2)的一端作为所述第一驱动电路的输入端包括：所述电阻(R1)的一端作为所述第一驱动电路的输入端，所述电阻(R1)的另一端分别与所述电阻(R2)的一端以及所述三极管(Q1)的发射极相连接。
4.根据权利要求3所述的驱动模块，其特征在于，所述第一驱动电路还包括：电容(C1)；
所述电阻(R2)的另一端通过所述电容(C1)接地。
5.根据权利要求1所述的驱动模块，其特征在于，
所述第一负压驱动电路包括：电容(C2)、二极管(D1)；
所述电容(C2)的一端作为所述第一负压驱动电路的输入端，所述电容(C2)的另一端作为所述第一负压驱动电路的输出端；
所述电容(C2)的另一端与所述二极管(D1)的正极相连接，所述二极管(D1)的负极接地。
6.根据权利要求5所述的驱动模块，其特征在于，所述第一负压驱动电路还包括：二极管(D2)；
所述二极管(D1)的负极接地包括：
所述二极管(D1)的负极与所述二极管(D2)的负极相连接，所述二极管(D2)的正极接地。
7.根据权利要求6所述的驱动模块，其特征在于，
所述二极管(D2)为稳压二极管。
8.根据权利要求5或6所述的驱动模块，其特征在于，
所述第二负压驱动电路包括：三极管(Q2)、电阻(R4)、电阻(R5)；
所述三极管(Q2)的发射极与所述第一负压驱动电路的输出端相连接；所述三极管(Q2)的集电极和所述电阻(R4)的一端相连接；且所述三极管(Q2)的集电极作为所述第二负压驱动电路的输出端；
所述三极管(Q2)的基极和所述电阻(R4)的另一端相连接，且所述电阻(R4)的另一端通过所述电阻(R5)接地。
9.根据权利要求8所述的驱动模块，其特征在于，所述第二负压驱动电路还包括：电容(C3)；
所述三极管(Q2)的基极通过所述电容(C3)接地。
CN201710428946.1A 2017-06-08 2017-06-08 一种碳化硅场效应管的驱动模块 Active CN107094009B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710428946.1A CN107094009B (zh) 2017-06-08 2017-06-08 一种碳化硅场效应管的驱动模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710428946.1A CN107094009B (zh) 2017-06-08 2017-06-08 一种碳化硅场效应管的驱动模块

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107094009A CN107094009A (zh) 2017-08-25
CN107094009B true CN107094009B (zh) 2023-03-21

Family

ID=59640123

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710428946.1A Active CN107094009B (zh) 2017-06-08 2017-06-08 一种碳化硅场效应管的驱动模块

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107094009B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201134792Y (zh) * 2007-12-27 2008-10-15 青岛海信电器股份有限公司 大功率mos管驱动电路
CN102340237A (zh) * 2011-08-18 2012-02-01 深圳市核达中远通电源技术有限公司 一种驱动电路
CN104506028A (zh) * 2015-01-13 2015-04-08 山东大学 一种SiC MOSFET半桥电路驱动器以及半桥电路驱动方法
CN104883038A (zh) * 2015-06-15 2015-09-02 山东大学 一种应用负压关断半桥电路驱动器的半桥电路及其方法
CN106452024A (zh) * 2016-11-30 2017-02-22 深圳市能隙科技有限公司 开关电源及单电源供电的负压驱动电路

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9762119B2 (en) * 2015-03-27 2017-09-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Switch driving circuit, and power factor correction circuit having the same
JP6610154B2 (ja) * 2015-10-15 2019-11-27 Ｔｄｋ株式会社 スイッチ駆動装置およびスイッチ駆動方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201134792Y (zh) * 2007-12-27 2008-10-15 青岛海信电器股份有限公司 大功率mos管驱动电路
CN102340237A (zh) * 2011-08-18 2012-02-01 深圳市核达中远通电源技术有限公司 一种驱动电路
CN104506028A (zh) * 2015-01-13 2015-04-08 山东大学 一种SiC MOSFET半桥电路驱动器以及半桥电路驱动方法
CN104883038A (zh) * 2015-06-15 2015-09-02 山东大学 一种应用负压关断半桥电路驱动器的半桥电路及其方法
CN106452024A (zh) * 2016-11-30 2017-02-22 深圳市能隙科技有限公司 开关电源及单电源供电的负压驱动电路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘仿 ; 肖岚 ; .SiC MOSFET开关特性及驱动电路的设计.2016,(第06期),全文. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN107094009A (zh) 2017-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20180191339A1 (en) Gate Driver Controlling a Collector to Emitter Voltage Variation of an electronic Switch and Circuits Including the Gate Driver
US9912332B2 (en) Semiconductor device
US10700604B2 (en) High performance switch devices and methods for operating the same
CN111865053A (zh) 基于宽禁带功率器件的负压关断驱动电路
US10135426B1 (en) Gate charge and discharge regulating circuit for gate control device
CN111555595B (zh) 一种开启速率可控的GaN功率管栅驱动电路
CN108075755B (zh) 功率模块与其控制方法
US8638134B2 (en) Gate drive circuit and power semiconductor module
CN115632539A (zh) 具有能量收集栅极驱动器的集成功率器件
CN109889026B (zh) 功率器件及电器
CN109240408B (zh) SiCMOSFET门极驱动电压控制电路及其控制方法
CN203722596U (zh) 一种高频抗干扰的mos管负压驱动电路
CN107094009B (zh) 一种碳化硅场效应管的驱动模块
US6813169B2 (en) Inverter device capable of reducing through current
JP6706875B2 (ja) パワーモジュール及び半導体装置
CN115314038A (zh) 基于SiC功率器件的门级缓冲电路
WO2021057450A1 (zh) 开关变换器及其低压启动电路
CN204089759U (zh) 高频功率器件开关保护电路
CN116418326A (zh) 用于功率管的驱动电路
JP2018078533A (ja) パワーモジュール
CN109861503B (zh) 用于功率器件的驱动电路
JP6734007B2 (ja) パワーモジュール
CN220234482U (zh) 一种自举式sic负压驱动电路
CN212543643U (zh) 一种控制超级结mosfet开关速度的电路
CN214228225U (zh) 一种GaN晶体管驱动电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant