CN107092168A - 光刻的显影辅助方法及其设备 - Google Patents

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朱刚
杨档
王仁松
张若天
彭明行
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Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种光刻的显影辅助方法及其设备，所述方法包括：获取基板存在光刻线宽异常的区域及所述区域的线宽偏离目标线宽的数值；将非接触式加热装置移动至基板的所述区域，根据所述数值设置加热温度和加热时间对所述基板进行局部加热，以对基板上的光刻胶的显影进行热补偿；对所述光刻胶进行显影。本发明通过对基板存在光刻线宽异常的区域进行局部加热，起到对基板和光刻胶的热补偿作用，减少补偿处光刻胶中溶剂的含量，从而改变光刻胶曝光显影特性，最终实现改善线宽均一性的目的。

Description

光刻的显影辅助方法及其设备
技术领域
本发明涉及光刻工艺，特别是涉及一种光刻的显影辅助方法，还涉及一种光刻的显影辅助设备。
背景技术
目前在显示面板的制造过程中，光刻(黄光)工艺存在线宽(CD)的CPK(ComplexProcess Capability index,工序能力指数)不达标的问题，也就是线宽的均一性不好。因此改善线宽的均一性，提高CPK是当前的光刻工艺需要解决的重要问题。
发明内容
基于此，有必要提供一种光刻的显影辅助方法。
一种光刻的显影辅助方法，包括：获取基板存在光刻线宽异常的区域及所述区域的线宽偏离目标线宽的数值；将非接触式加热装置移动至基板的所述区域，根据所述数值设置加热温度和加热时间对所述基板进行局部加热，以对基板上的光刻胶的显影进行热补偿；对所述光刻胶进行显影。
在一个实施例中，还包括对基板进行光刻和对完成光刻后的基板进行线宽测量的步骤，以得到所述基板存在光刻线宽异常的区域及所述区域的线宽偏离目标线宽的数值。
在一个实施例中，所述进行线宽测量的步骤得到的是基板各位置的线宽数据图。
在一个实施例中，所述对所述基板进行局部加热的步骤还包括根据所述区域的大小调整所述非接触式加热装置的加热面积的步骤。
在一个实施例中，所述对所述基板进行局部加热的步骤是在对基板上的光刻胶进行软烘之后进行。
在一个实施例中，所述对所述基板进行局部加热的步骤包括在显影前进行加热和在显影过程中进行加热。
在一个实施例中，所述基板是显示面板的基板。
还有必要提供一种光刻的显影辅助设备。
一种光刻的显影辅助设备，包括：线宽异常获取模块，用于获取基板存在光刻线宽异常的区域及所述区域的线宽偏离目标线宽的数值；非接触式加热装置，用于对所述基板进行局部加热，以对基板上的光刻胶的显影进行热补偿；位置调节装置，包括用于带动所述非接触式加热装置运动的运动机构；控制器，用于根据所述数值设置所述非接触式加热装置的加热温度和加热时间，以及根据所述存在光刻线宽异常的区域控制所述位置调节装置带动非接触式加热装置移动至该区域。
在其中一个实施例中，所述非接触式加热装置是红外加热装置或热风加热装置。
在其中一个实施例中，所述非接触式加热装置包括设于显影工艺区的第一加热装置，和设于基板进入显影工艺区前的暂存区的第二加热装置。
上述光刻的显影辅助方法及设备，通过对基板存在光刻线宽异常的区域进行局部加热，起到对基板和光刻胶的热补偿作用，减少补偿处光刻胶中溶剂的含量，从而改变光刻胶曝光显影特性，最终实现改善线宽均一性的目的。
附图说明
图1是一实施例中光刻的显影辅助方法的流程图；
图2是非接触式加热装置对基板进行局部加热的示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“竖直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
图1是一实施例中光刻的显影辅助方法的流程图，包括下列步骤：
S110，获取基板存在光刻线宽异常的区域及偏离目标线宽的数值。
S120，通过非接触式加热装置对光刻线宽异常的区域进行热补偿。
S130，对基板上的光刻胶进行显影。
在步骤S110中，获取基板存在光刻线宽异常的区域及偏离目标线宽的数值。
在一个实施例中，是先对一块同种类的基板进行光刻，光刻完成后对基板进行线宽测量，得到基板存在光刻线宽异常的区域及该区域的线宽偏离目标线宽的数值。步骤S110是在批量生产时调取这些数据进行显影辅助处理。
在一个实施例中，对基板进行线宽测量需要得到基板各位置的线宽数据图，即CDMAP。该CD MAP上记录有各个测量点的位置信息(可以用横、纵坐标表示)，和该点的线宽数据。
在步骤S120中，通过非接触式加热装置对光刻线宽异常的区域进行热补偿。
将非接触式加热装置移动至基板的光刻线宽异常区域，对基板进行局部加热。加热的温度和时间根据该区域的线宽偏离目标线宽的数值进行设置，以对基板上的光刻胶的显影进行热补偿。
在一个实施例中，对基板进行局部加热的步骤包括在显影前进行加热和在显影过程中进行加热。显影前的加热能够准确地对光刻线宽异常的区域进行局部加热，显影过程中的加热可以持续对基板和光刻胶进行热补偿，因此最终能获得较好的热补偿效果。
可以理解的，应该在显影前的加热完成后尽快将基板送入显影工艺区进行显影。在一个实施例中，对基板进行局部加热的步骤是在对基板上的光刻胶进行软烘(SoftBake)之后进行。
在步骤S130中，对基板上的光刻胶进行显影。
通过传送装置(例如传送带)将基板送入显影工艺区的显影设备中进行显影。
上述光刻的显影辅助方法及设备，通过对基板存在光刻线宽异常的区域进行局部加热，起到对基板和光刻胶的热补偿作用，减少补偿处光刻胶中溶剂的含量，从而改变光刻胶曝光显影特性，最终实现改善线宽均一性的目的。
在一个实施例中，上述光刻的显影辅助方法应用于显示面板的制造，即该基板为显示面板在制造过程中的基板，基板上形成有半导体元器件结构。
在一个实施例中，对基板进行局部加热的步骤还包括根据光刻线宽异常区域的大小调整非接触式加热装置的加热面积的步骤。即非接触式加热装置是一个加热面积可调的装置。
在一个实施例中，步骤S110是获取线宽相对于目标值偏小的区域，后续热补偿步骤是对线宽相对于目标值偏小的区域进行热补偿。
本发明还提供一种光刻的显影辅助设备。参见图2，光刻的显影辅助设备包括线宽异常获取模块(图2未示)、非接触式加热装置30、控制器(图2未示)及位置调节装置(图2未示)。
线宽异常获取模块用于获取基板20存在光刻线宽异常的区域及该区域的线宽偏离目标线宽的数值。
非接触式加热装置30用于对基板20进行局部加热，以对基板20上的光刻胶的显影进行热补偿。
位置调节装置包括用于带动非接触式加热装置30沿第一方向来回运动的第一方向运动机构，和用于带动非接触式加热装置30沿第二方向来回运动的第二方向运动机构，其中第一方向和第二方向位于基板20上方，且第一方向和第二方向相互交叉。在本实施例中在图2所示实施例中，第一方向为图中的箭头所示方向，第二方向为垂直于第一方向的方向，即图2中的位置调节装置可以左右调节和在垂直于第一方向的方向调节非接触式加热装置30的位置。
第一/第二方向运动机构可以采用习知的运动机构，例如第一/第二方向运动机构通过滑轨带动非接触式加热装置30进行运动，以电机为动力源，通过齿轮或皮带进行传动。
控制器用于根据偏离目标线宽的数值设置非接触式加热装置30的加热温度和加热时间。控制器还用于根据基板存在光刻线宽异常的区域，控制位置调节装置将非接触式加热装置移动至该区域，以对该区域进行加热。
在图2所示实施例中，基板20通过传送装置(本实施例中为传送带10)进行运送，传送装置传送的方向为图2中的箭头方向。基板20在软烘完成后先送入暂存区A，然后送入显影工艺区B。在一个实施例中，非接触式加热装置包括设于显影工艺区B的第一加热装置和设于暂存区A的第二加热装置，由第二加热装置先在显影之前对基板20及基板20上涂覆的光刻胶进行加热，然后再将基板20送入显影工艺区B，由第一加热装置在显影的过程中持续对基板20进行加热。
在一个实施例中，非接触式加热装置30是红外加热装置。即非接触式加热装置30上设有红外线发生装置，通过发射出红外线进行加热。该红外线发生装置可以是远红外线发生装置。被红外线照射到的基板20和/或基板20上的光刻胶局部被加热。
在另一个实施例中，非接触式加热装置30是热风加热装置。即非接触式加热装置30上设有出风口，通过出风口吹出的热风对基板20和/或基板20上的光刻胶进行加热。
在一个实施例中，位置调节装置是在传送装置上方对非接触式加热装置30的位置进行调节，即控制非接触式加热装置30在基板20的上方进行移动。在其他实施例中，位置调节装置也可以是控制非接触式加热装置30在基板20的下方进行移动。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种光刻的显影辅助方法，包括：
获取基板存在光刻线宽异常的区域及所述区域的线宽偏离目标线宽的数值；
将非接触式加热装置移动至基板的所述区域，根据所述数值设置加热温度和加热时间对所述基板进行局部加热，以对基板上的光刻胶的显影进行热补偿；
对所述光刻胶进行显影。
2.根据权利要求1所述的光刻的显影辅助方法，其特征在于，还包括对基板进行光刻和对完成光刻后的基板进行线宽测量的步骤，以得到所述基板存在光刻线宽异常的区域及所述区域的线宽偏离目标线宽的数值。
3.根据权利要求2所述的光刻的显影辅助方法，其特征在于，所述进行线宽测量的步骤得到的是基板各位置的线宽数据图。
4.根据权利要求3所述的光刻的显影辅助方法，其特征在于，所述对所述基板进行局部加热的步骤还包括根据所述区域的大小调整所述非接触式加热装置的加热面积的步骤。
5.根据权利要求1所述的光刻的显影辅助方法，其特征在于，所述对所述基板进行局部加热的步骤是在对基板上的光刻胶进行软烘之后进行。
6.根据权利要求1所述的光刻的显影辅助方法，其特征在于，所述对所述基板进行局部加热的步骤包括在显影前进行加热和在显影过程中进行加热。
7.根据权利要求1所述的光刻的显影辅助方法，其特征在于，所述基板是显示面板的基板。
8.一种光刻的显影辅助设备，其特征在于，包括：
线宽异常获取模块，用于获取基板存在光刻线宽异常的区域及所述区域的线宽偏离目标线宽的数值；
非接触式加热装置，用于对所述基板进行局部加热，以对基板上的光刻胶的显影进行热补偿；
位置调节装置，包括用于带动所述非接触式加热装置运动的运动机构；
控制器，用于根据所述数值设置所述非接触式加热装置的加热温度和加热时间，以及根据所述存在光刻线宽异常的区域控制所述位置调节装置带动非接触式加热装置移动至该区域。
9.根据权利要求8所述的光刻的显影辅助设备，其特征在于，所述非接触式加热装置是红外加热装置或热风加热装置。
10.根据权利要求8所述的光刻的显影辅助设备，其特征在于，所述非接触式加热装置包括设于显影工艺区的第一加热装置，和设于基板进入显影工艺区前的暂存区的第二加热装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019042039A1 (zh) * 2017-09-01 2019-03-07 京东方科技集团股份有限公司 显影装置及其显影方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1940729A (zh) * 2005-09-29 2007-04-04 Asml荷兰有限公司 光刻装置、器件制造方法和由其制造的器件
CN101120434A (zh) * 2005-02-15 2008-02-06 东京毅力科创株式会社 热处理板的温度设定方法、装置、程序及记录该程序的计算机可读取的记录媒体
TW200824022A (en) * 2006-09-25 2008-06-01 Tokyo Electron Ltd Measurement method of substrate, program, computer readable recording medium recorded with program, and measurement system of substrate
CN102169812A (zh) * 2010-02-04 2011-08-31 东京毅力科创株式会社 热处理装置及其方法和涂布显影处理***及其方法
CN104281015A (zh) * 2014-09-26 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显影装置及显影方法
CN104280943A (zh) * 2014-10-31 2015-01-14 合肥鑫晟光电科技有限公司 加热腔室及热固化装置
CN105116695A (zh) * 2015-10-15 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 显影装置及光刻设备
CN106125520A (zh) * 2016-08-12 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 光刻胶前烘方法、装置及光刻设备

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101120434A (zh) * 2005-02-15 2008-02-06 东京毅力科创株式会社 热处理板的温度设定方法、装置、程序及记录该程序的计算机可读取的记录媒体
CN1940729A (zh) * 2005-09-29 2007-04-04 Asml荷兰有限公司 光刻装置、器件制造方法和由其制造的器件
TW200824022A (en) * 2006-09-25 2008-06-01 Tokyo Electron Ltd Measurement method of substrate, program, computer readable recording medium recorded with program, and measurement system of substrate
CN102169812A (zh) * 2010-02-04 2011-08-31 东京毅力科创株式会社 热处理装置及其方法和涂布显影处理***及其方法
CN104281015A (zh) * 2014-09-26 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显影装置及显影方法
CN104280943A (zh) * 2014-10-31 2015-01-14 合肥鑫晟光电科技有限公司 加热腔室及热固化装置
CN105116695A (zh) * 2015-10-15 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 显影装置及光刻设备
CN106125520A (zh) * 2016-08-12 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 光刻胶前烘方法、装置及光刻设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019042039A1 (zh) * 2017-09-01 2019-03-07 京东方科技集团股份有限公司 显影装置及其显影方法
US10768530B2 (en) 2017-09-01 2020-09-08 Hefei Boe Display Technology Co., Ltd. Developing apparatus and developing method thereof

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