CN107046050A - 光电装置以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供发光装置的发光品质稳定，且提高制造工序中的成品率的光电装置以及电子设备。该光电装置具备元件基板(10)，该元件基板(10)具有：排列有多个像素(20)的显示部(12)、和包括在显示部(12)的周边设置的周边电路的周边电路部(14)，显示部(12)在每个像素(20)具有：有机EL元件(30)和驱动有机EL元件(30)的晶体管(T)，有机EL元件(30)经由光反射层(35)和绝缘层(38)而配置在晶体管(T)上，绝缘层(38)在像素(20)的每个显示颜色具有不同的膜厚，周边电路部(14)的绝缘层(38)具有与显示部(12)中膜厚最大的绝缘层(38)相同的层结构。

Description

光电装置以及电子设备
技术领域
本发明涉及光电装置以及电子设备。
背景技术
作为光电装置，公知有在显示区域排列的多个像素的每一个具备发光元件的发光装置。在这样的发光装置中，为了使发光元件发光，连接有用于使电流向构成发光元件的电极流动的配线。例如在专利文献1中，提出有为了使发光元件的第二电极(阴极)与供电流流动用的配线充分导通，而使第二电极与在显示区域的周围形成的周边配线连接的发光装置。
另外，在专利文献1的发光装置中成为下述结构：通过根据光路长度调整层的膜厚而适当地调整构成光谐振构造的第一电源导电体与第二电极之间的光路长度，来对每个显示颜色设定各像素的射出光的谐振波长。
专利文献1：日本特开2015-76300号公报
然而，在专利文献1所记载的发光装置中，在覆盖周边配线的光路长度调整层较薄的情况下，有在周边配线与像素部的电极(阳极)等之间发生短路的情况。详细而言，在上述发光装置的制造工序中，有在成膜时等因微小的异物、垃圾混入光路长度调整层，由此在配线之间发生短路的情况。由于短路的发生会损害发光装置的发光功能，因此存在对发光装置的发光品质带来影响，并且成品率容易降低的课题。
发明内容
本发明是为了解决上述课题的至少一部分所做出的，能够作为以下的方式或者应用例实现。
应用例
在本应用例的光电装置中，具备元件基板，该元件基板具有：排列有多个像素的显示部、和包括设置于所述显示部的周边的周边电路的周边电路部，所述显示部在每个所述像素具有：发光元件和驱动所述发光元件的晶体管，所述发光元件经由光反射层和绝缘层而配置在所述晶体管上，所述绝缘层在所述像素的每个显示颜色具有不同的膜厚，所述周边电路部的绝缘层具有与所述显示部中膜厚最大的所述绝缘层相同的层结构。
根据本应用例，由于周边电路部的绝缘层的膜厚增大(厚)，因此能够抑制显示部周边的周边电路与显示部的像素电极等之间发生短路。详细而言，在发光元件形成的绝缘层作为由发光元件的发光产生的射出光的光路长度调整层发挥作用。例如为了根据红色、绿色、蓝色之类的像素的显示颜色来设定光谐振构造的谐振波长(显示颜色)，而改变上述绝缘层的膜厚来调整光路长度。因此能够容易地将周边电路部的绝缘层设为与上述绝缘层的膜厚最大的像素相同的层结构。因此通过设为这样的结构，由此在制造工序中，即使在成膜时等微小的异物等混入到绝缘层，也能够抑制周边电路部的配线之间发生短路。因此能够提供发光元件的发光功能稳定，并且提高发光品质以及制造工序中的成品率的光电装置。
在上述应用例所记载的光电装置中，优选为，所述光反射层分割配置于每个所述像素，所述绝缘层在配置有所述光反射层的面上进行覆盖，并且具备：具有凹部的绝缘膜、和埋入至所述凹部的埋入绝缘膜，所述凹部形成在相邻的所述光反射层的间隙的内侧。
据此，在显示部中，覆盖相邻的光反射层的绝缘层变得平坦。因此能够使覆盖光反射层的绝缘层平滑，抑制散射光的产生，从而提高像素的发光效率。另外，通过平坦的绝缘层，能够对每个像素正确地进行光路长度的调整。因此能够使发光的色彩再现性提高。
在上述应用例所记载的光电装置中，优选为，所述周边电路包括与所述发光元件的阴极连接的遮光性的迂回配线，所述迂回配线形成在具有所述凹部的绝缘膜上。
据此，遮光性的迂回配线配置为从光反射层离开覆盖光反射层的绝缘膜的膜厚的量。因此迂回配线能够遮挡并减少由发光元件的发光产生的来自光反射层的散射光。由此提高发光元件的对比度。
在上述应用例所记载的光电装置中，优选为，所述绝缘层包括材料结构不同的多层。
据此，能够在显示部的绝缘层使用并组装折射率、绝缘性较高的形成材料。由此不使膜厚变厚地进行光路长度调整、赋予绝缘性变得容易。
本应用例所记载的电子设备的特征为具备上述应用例所记载的光电装置。
根据本应用例，能够提供提高了发光元件的发光品质的电子设备。
附图说明
图1是表示实施方式1的有机EL装置的结构的俯视图。
图2是有机EL装置中的像素的等效电路图。
图3是沿着图1中所示的线段A-A’的有机EL装置的剖视图。
图4是表示光反射层以及第二配线的配置的俯视图。
图5是将图3的一部分放大的剖视图。
图6是表示实施方式2的头戴式显示器的光学结构的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在以下的各图中，为了使各层、各部件成为能够识别的程度的大小而使各层、各部件的尺寸与实际不同。
实施方式1
光电装置
参照图1对本实施方式的光电装置进行说明。在本实施方式中，作为光电装置，列举有机电致发光(EL)装置为例进行说明。图1是表示实施方式1的有机EL装置的结构的俯视图。
如图1所示，本实施方式的有机EL装置100具有元件基板10以及对置基板90。元件基板10与对置基板90在相互对置的状态下，通过后述的填充剂层接合。
元件基板10具备显示部12和周边电路部14(参照图3)。在显示部12排列有多个像素20。每个像素20设置有作为发光元件的有机EL元件30。具体而言，元件基板10具有：能够得到蓝色(B)光的像素20B、能够得到绿色(G)光的像素20G以及能够得到红色(R)光的像素20R。像素20B、像素20G以及像素20R在显示部12以矩阵状排列。像素20B、像素20G以及像素20R在俯视观察(从与元件基板10的表面垂直的方向观察的状态)下均形成为矩形。
在有机EL装置100中，像素20B、像素20G以及像素20R成为显示单位而提供全色的显示。另外在以下的说明中，有时将像素20B、像素20G以及像素20R统称为像素20。另外，将分别配置于像素20B、20G、20R的有机EL元件30设为有机EL元件30B、30G、30R，有时将它们统称为有机EL元件30。
在显示部12设置有滤色层50。在滤色层50中的像素20B的有机EL元件30B上配置有蓝色的滤色层50B，在像素20G的有机EL元件30G上配置有绿色的滤色层50G，在像素20R的有机EL元件30R上配置有红色的滤色层50R。
在本实施方式中，能够得到相同颜色的发光的像素20沿第一方向(附图上的纵向)排列，能够得到不同颜色的发光的像素20沿与第一方向大致正交的第二方向(在附图上为横向)排列。因此像素20的配置成为所谓的条纹(stripe)方式。与该像素的排列相对应，蓝色的滤色层50B、绿色的滤色层50G以及红色的滤色层50R也配置为条纹状。另外，像素20的配置并不限定于上述条纹状，也可以是马赛克(mosaic)方式、三角(delta)方式。
有机EL装置100具有顶部发光构造。因此在有机EL元件30发出的白色光透过元件基板10的滤色层50而从对置基板90侧作为显示光(射出光)射出。由于有机EL装置100是这样的顶部发光构造，因此元件基板10的基材除了透明的石英基板、玻璃基板等之外，也能够使用不透明的陶瓷基板、半导体基板等。在本实施方式中，使用硅基板(半导体基板)作为元件基板10的基材。
周边电路部14在对置基板90与元件基板10对置的区域内，配置于显示部12的周边。
在周边电路部14的外侧，沿着元件基板10的长边侧的一边设置有多个外部连接用端子103。在多个外部连接用端子103与显示部12之间的周边电路部14设置有数据线驱动电路101。在元件基板10的短边侧的两边与显示部12之间的周边电路部14设置有扫描线驱动电路102。另外在以下的说明中，将沿着元件基板10的长边的第二方向设为X方向，将沿着元件基板10的短边的第一方向设为Y方向，将从对置基板90朝向元件基板10的方向设为Z(+)方向。
对置基板90比元件基板10小，并且以使外部连接用端子103露出的方式与元件基板10对置配置。另外，对置基板90具有保护配置于显示部12的有机EL元件30不受损伤的功能，被设定为比显示部12大。作为对置基板90能够使用具有透光性的板状部件，具体而言能够采用石英基板、玻璃基板等。
外部连接用端子103与柔性配线基板(未图示)连接。有机EL装置100能够经由柔性配线基板而与外部电路(未图示)电连接。
像素电路
图2是有机EL装置中的像素的等效电路图。上述的显示部12内的像素20具有像素电路110。如图2所示，像素电路110具有：有机EL元件30、驱动有机EL元件30的驱动晶体管TDR、发光控制晶体管TEL、选择晶体管TSL以及电容元件C。在本实施方式中，将像素20的各晶体管T(TDR、TEL、TSL)设为P沟道型，但也可以使用N沟道型的晶体管。
有机EL元件30通过将作为阳极(像素电极)的第一电极E1与作为阴极(对置电极)的第二电极E2隔着发光功能层32而形成。第一电极E1形成于每个像素20，第二电极E2遍布多个像素20形成。有机EL元件30配置于将第一配线41与第二配线42连结的电流路径上。第一配线41是供给高位侧的电源电位(第一电位)VEL的电源配线，第二配线42是供给低位侧的电源电位(第二电位)VCT的电源配线。
驱动晶体管TDR和发光控制晶体管TEL在连结第一配线41与第二配线42的电流路径上，相对于有机EL元件30串联地配置。具体而言，驱动晶体管TDR的一对电流端中的一方(源极)与第一配线41连接。发光控制晶体管TEL作为控制驱动晶体管TDR的一对电流端中的另一方(漏极)与有机EL元件30的第一电极E1的导通状态(导通或者非导通)的开关发挥作用。驱动晶体管TDR生成与自身的栅极、源极间的电压对应的电流量的驱动电流。发光控制晶体管TEL若被控制为接通状态，则驱动电流从驱动晶体管TDR经由发光控制晶体管TEL而供给至有机EL元件30，从而有机EL元件30以与驱动电流的电流量对应的亮度发光。若发光控制晶体管TEL被控制为断开状态，则对有机EL元件30的驱动电流的供给被切断，从而有机EL元件30熄灭。发光控制晶体管TEL的栅极连接于控制线24。
选择晶体管TSL作为控制信号线26与驱动晶体管TDR的栅极的导通状态(导通或者非导通)的开关发挥作用。选择晶体管TSL的栅极与扫描线22连接。另外，电容元件C是使电介质介于第一电极C1与第二电极C2之间的静电电容。第一电极C1与驱动晶体管TDR的栅极连接，第二电极C2与第一配线41(驱动晶体管TDR的源极)连接。因此通过电容元件C保持驱动晶体管TDR的栅极、源极间的电压。
上述的数据线驱动电路101(参照图1)将与从外部电路供给的图像信号对每个像素20(参照图1)指定的灰度相对应的灰度电位(数据信号)，在每次写入期间(水平扫描期间)对多个信号线26供给。另外，各扫描线驱动电路102(参照图1)通过向各扫描线22供给扫描信号，由此在每次写入期间依次选择多个扫描线22的每一个。与扫描线驱动电路102选择的扫描线22对应的像素20的选择晶体管TSL，迁移至导通状态。因此经由信号线26和选择晶体管TSL向各像素20的驱动晶体管TDR的栅极供给灰度电位，并通过电容元件C保持与灰度电位对应的电压。另外，若写入期间内的扫描线22的选择结束，则各扫描线驱动电路102向各控制线24供给控制信号，与控制线24对应的各像素20的发光控制晶体管TEL被控制为导通状态。因此与在之前的写入期间被电容元件C保持的电压对应的驱动电流，从驱动晶体管TDR经由发光控制晶体管TEL向有机EL元件30供给。如以上那样，通过各有机EL元件30以与灰度电位相对应的亮度发光，由此图像信号指定的任意的图像显示于显示部12。
有机EL装置的构造
接下来，参照图3对有机EL装置100的显示部12的构造进行说明。图3是沿着图1中所示的线段A-A’的有机EL装置的剖视图。
如图3所示，在有机EL装置100中的元件基板10以及对置基板90之间，形成有多个绝缘层以及电极配线、有机EL元件30、滤色层50等。在此为了便于说明，在有机EL装置100的剖面中，将Z方向(+)设为下方，将Z方向(-)设为上方。
配置于显示部12的各像素20B、20G、20R分别具有有机EL元件30B、30G、30R。在各有机EL元件30B、30G、30R之间，设置有像素定义层29。像素定义层29包括绝缘材料，从而使相邻的有机EL元件30B、30G、30R之间电绝缘。在本实施方式中，作为像素定义层29，例如形成膜厚25nm的氧化硅(SiO2)。像素定义层29设置为覆盖各有机EL元件30B、30G、30R中的第一电极E1的周边部。即，在像素定义层29设置有使各像素20B、20G、20R的第一电极E1的一部分露出的开口29CT。开口29CT在俯视观察下形成为矩形状，来规定各像素20的发光区域。
像素20B、20G、20R具有光谐振构造(空腔构造)，该光谐振构造是在覆盖构成像素电路110的晶体管T(TDR、TEL、TSL)、与晶体管T(TDR、TEL、TSL)连接的配线等的层间绝缘层34上层叠有光反射层35、增反射层(high-reflectivity layer)36、绝缘层38、透光性的第一电极E1、发光功能层32、半透过反射性的第二电极E2而成的。
在光谐振构造中，能够通过调整光反射层35与第二电极E2之间的光路长度(光学距离)，使发光功能层32发出的光在光反射层35与第二电极E2之间反复反射，并使特定波长(谐振波长)的光的强度增强并射出。对于光路长度的调整方法详见后述。
层间绝缘层34形成于光反射层35的下方的面。此外，在下方的层间绝缘层34与元件基板10之间形成有多层配线层。多层配线层具有：多个配线层W(WA、WB、WC)、和用于使这些W(WA、WB、WC)相互绝缘的多个绝缘层L(L0、LA、LB、LC)。绝缘层L0位于元件基板10的面上。在层间绝缘层34以及多个绝缘层L的形成材料中使用氮化硅、氧化硅为代表的硅化合物等绝缘性的无机材料。在多个配线层W的形成材料中使用包括铝、银等的低电阻的导电材料。另外，在以下的说明中，将通过选择性地除去导电层(单层或者多层)而在同一工序中一并形成多个要素的关系称为“由同层形成”。
在元件基板10形成有像素20的各晶体管T(TDR、TEL、TSL)。在图3中图示出选择晶体管TSL。另外，也形成各晶体管T的有源区域10A(源极、漏极区域)。离子被注入有源区域10A。像素20的各晶体管T(TDR、TEL、TSL)的有源层存在于源极区域与漏极区域之间，并被注入与有源区域10A不同种类的离子，但为了便于图示而省略。形成有有源区域10A的元件基板10的表面由绝缘膜L0(栅极绝缘膜)覆盖。在绝缘膜L0的面上(上方的面)形成有各晶体管T的栅极G(GDR、GEL、GSL)。在图3中图示出栅极GSL。各晶体管T的栅极G隔着绝缘膜L0而与有源层对置。
绝缘层LA配置于形成有各晶体管T的栅极G的绝缘膜L0的面上。在绝缘层LA的面上由同层(配线层WA)形成有包括扫描线22(未图示)、控制线24(未图示)、中继电极QA1等的导电图案。中继电极QA1是将选择晶体管TSL的有源区域10A与驱动晶体管TDR(未图示)的栅极GDR(未图示)连接的配线。
绝缘层LB在形成有配线层WA的绝缘层LA的面上形成。在绝缘层LB的面上配置有第一电极C1等。另外在图3中虽然没有图示，但在绝缘层LB的面上由同层(配线层WB)形成有包括信号线、中继电极QA1以外的中继电极等的导电图案。
绝缘层LC在形成有配线层WB的绝缘层LB的面上形成。在绝缘层LC的面上由同层(配线层WC)形成有包含第二电极C2的导电图案。第二电极C2配置为俯视观察下与第一电极C1重叠的形状以及位置。由第一电极C1以及第二电极C2和绝缘层LC构成电容元件C。
层间绝缘层34在形成有配线层WC的绝缘层LC的面上形成。优选对层间绝缘层34的上方的表面实施平坦化处理。作为平坦化处理，能够使用化学机械抛光(CMP：ChemicalMechanical Polishing)等公知的表面处理技术。在通过平坦化处理而高度平坦化的层间绝缘层34的上方的表面形成有包括光反射层35、第二配线42等的导电图案。另外，在层间绝缘层34中，在每个像素20形成有贯通层间绝缘层34的第一接触电极28。作为第一接触电极28的形成材料，例如能够使用钨、钛、氮化钛等导电材料。
光反射层35在每个像素20中被分割，并分别设置于像素20B、20G、20R。即，如上述那样，有机EL元件30经由光反射层35、绝缘层38以及多个绝缘层L而配置在对应的晶体管T的上方。另外，在相邻的光反射层35之间设置有间隙35CT，从而每个像素20被电分离，能够施加不同的电位。
光反射层35包括具有光反射性的导电性材料，且俯视观察下形成为矩形状。光反射层35比第一电极E1的形成面积大，来规定各像素20的反射区域。在本实施方式中，光反射层35成为下方的第一层35a与上方的第二层35b的双层构造。作为第一层35a形成膜厚30nm的钛膜，并在其面上形成膜厚100nm的铝和铜的合金膜作为第二层35b。
在本实施方式中，光反射层35形成为作为上述的第一配线41(参照图2)发挥作用，并经由贯通层间绝缘层34的第一接触电极28而与第二电极C2电连接。详细而言，光反射层35的第一层35a与第一接触电极28连接。
增反射层36具有提高光反射层35的反射特性的功能。增反射层36配置为在光反射层35的面上进行覆盖。作为增反射层36能够使用具有透光性的绝缘材料。在本实施方式中，作为增反射层36，形成膜厚40nm的氧化硅膜。
绝缘层38配置为覆盖层间绝缘层34的一部分以及增反射层36的面上。另外在绝缘层38的面上形成有第一电极E1。绝缘层38具有：埋入绝缘膜(embedded insulating film)38a、光路长度调整层38b、光路长度调整层38c以及光路长度调整层38d。
作为具有凹部的绝缘膜的光路长度调整层38b设置于层间绝缘层34的一部分以及增反射层36的面上，另外也沿着间隙35CT的内表面形成。因此光路长度调整层38b具有与间隙35CT对应的凹部39。埋入绝缘膜38a形成为填充凹部39。通过该结构，光路长度调整层38b以及埋入绝缘膜38a与光路长度调整层38c相接的一侧的面上(表面)被平坦化。
光路长度调整层38c以及光路长度调整层38d形成于光路长度调整层38b以及埋入绝缘膜38a的面上。构成为通过作为绝缘层38的一部分的光路长度调整层38b、38c、38d，对每个像素20B、20G、20R进行光反射层35与第二电极E2之间的上述的光路长度的调整。
上述光路长度按照像素20B、像素20G、像素20R的顺序变长。在像素20B中，以谐振波长(亮度为最大的峰值波长)例如成为470nm的方式省略光路长度调整层38c、38d，而仅设置光路长度调整层38b。在像素20G中，以谐振波长例如成为540nm的方式设置有光路长度调整层38b、38d。在像素20R中，以谐振波长例如成为610nm的方式设置有光路长度调整层38b、38c、38d。因此在本实施方式中，像素20R的光路长度形成为最长，绝缘层38的膜厚形成为最大(厚)。这样，成为通过光路长度调整层38b、38c、38d的有无，根据像素20的显示颜色而使绝缘层38的膜厚不同的结构，来调整上述光路长度。另外，由于增反射层36的膜厚也影响光路长度的调整，因此上述的谐振波长的数值也加上增反射层36的膜厚来设定。
由此，从像素20B发出以470nm为峰值波长的蓝色(B)的光，从像素20G发出以540nm为峰值波长的绿色(G)的光，从像素20R发出以610nm为峰值波长的红色(R)的光。在有机EL装置100中，通过具有以上光谐振构造的有机EL元件30，能够提高从各像素20发出的显示颜色(射出光)的颜色纯度，从而提高色彩再现性。
在本实施方式中，绝缘层38中除了光路长度调整层38b以外使用相同的形成材料。具体而言，在光路长度调整层38b中使用氮化硅(膜厚例如为80nm)，在埋入绝缘膜38a、光路长度调整层38c以及光路长度调整层38d中使用氧化硅。将光路长度调整层38c形成为例如膜厚为40nm，光路长度调整层38d形成为例如膜厚为50nm。
由于氮化硅与氧化硅相比蚀刻速率低(小)，因此在通过氟气等进行的干式蚀刻中，相对于氮化硅，能够选择性地对氧化硅进行蚀刻。因此配置为光路长度调整层38c或者光路长度调整层38d的至少一部分的端部位于光路长度调整层38b的面上。因此能够使光路长度调整层38b作为光路长度调整层38c或者光路长度调整层38d的蚀刻限位器发挥作用。
发光功能层32形成为在第一电极E1以及像素定义层29的面上进行覆盖。发光功能层32包括由有机EL材料形成的发光区域，通过电流的供给而发光。发光功能层32中像素定义层29的各开口29CT的内侧的被第一电极E1和第二电极E2夹着的区域成为发光区域。换言之，上述发光区域作为有机EL元件30发挥作用，第一电极E1相当于阳极，第二电极E2相当于阴极。
第一电极E1由导电材料形成，具备透光性。第二电极E2具备使到达表面的光的一部分透过，并且将剩余部分反射的半透过反射性。这些特性是上述的光谐振构造所必须的特性。作为第一电极E1的形成材料，例如能够使用ITO(Indium Tin Oxide)等。作为第二电极E2，例如能够将包含银、镁的合金等的光反射性的导电材料形成为薄膜来使用。
在第二电极E2的面上形成有具有透光性的密封层70。密封层70覆盖第二电极E2的整个面并使面上平坦化，并且通过作为钝化膜的功能来抑制水分、氧气等向有机EL元件30侵入。密封层70具有第一密封层71、第二密封层72以及第三密封层73，从第二电极E2的面上朝向上方按顺序层叠有第三密封层73、第一密封层71以及第二密封层72。
第三密封层73与第二电极E2的上方的表面相接，形成于从显示部12到周边电路部14的整个区域。第三密封层73使用硅化合物等绝缘性的无机材料，形成为200nm至400nm左右的膜厚。第三密封层73的形成能够使用等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition)法、或者ECR(Electron Cyclotron Resonance)等离子体溅射法、离子镀法等高密度等离子体成膜技术。另外，作为第三密封层73的形成材料，也可以使用包含氧化钛等金属氧化物的无机氧化物。
第一密封层71在第三密封层73的面上，形成为比形成有发光功能层32的区域大且连续。第一密封层71的层厚度形成为大约2至3μm左右，比第三密封层73以及第二密封层72厚。第一密封层71例如能够将环氧树脂、丙烯酸树脂等具有透光性的高分子化合物作为形成材料来使用，并通过公知的涂覆技术形成。
第二密封层72覆盖包含显示部12以及周边电路部14的区域。第二密封层72使用耐水性、耐热性优异的无机材料，形成为层厚度成为300nm至700nm左右。作为第二密封层72的形成材料能够例举出氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。第二密封层72的形成方法能够使用与上述第三密封层73相同的方法。
在密封层70的面上形成有滤色层50。滤色层50除了上述的滤色层50B、50G、50R之外，还具有堤部(bank)52和保护部56。堤部52使用具有透光性的材料形成，在每个对应的像素20中，将滤色层50B、50G、50R分别分离而形成区划。
滤色层50具备使特定波长的光透过的功能。滤色层50B使波长大约470nm的蓝色光透过，滤色层50G使波长大约540nm的绿色光透过，滤色层50R使波长大约610nm的红色光透过。
堤部52的一部分以及保护部56在俯视观察下以遍布整周包围显示部12的方式在周边电路部14内形成为框状，保护部56配置于堤部52的上方。保护部56具备保护层56G、56R、56B共三层。保护层56G的形成材料与滤色层50G相同，保护层56R的形成材料与滤色层50R相同，保护层56B的形成材料与滤色层50B相同。因此在周边电路部14被外部光照射的情况下，减少外部光的进入，从而能够使后述的迂回配线引起的外部光的反射光难以被观察者感觉到。另外，在本实施方式中，保护部56成为从堤部52朝向上方按照保护层56G、56R、56B的顺序层叠的结构，但并不限于该结构。也可以使用保护层56G、56R、56B中的至少一层形成保护部56，另外也能够变更上述的层叠顺序。
在滤色层50的面上，通过填充剂层80而接合有上述的对置基板90。填充剂层80通过在滤色层50的表面涂覆粘接剂等具有固化性的树脂而形成。粘接剂的涂覆能够采用公知的技术，其中优选使用旋涂法。另外，作为粘接剂能够使用具有热固化性、电子射线固化性、紫外线固化性等公知的粘接剂。作为这样的粘接剂，例如能够例举出环氧树脂、丙烯酸树脂等。
图4是表示光反射层以及第二配线的配置的俯视图。图4所示的光反射层35如上述那样，担负光谐振构造，并且也是供给第一电位VEL的第一配线41。光反射层35由间隙35CT(参照图3)分割为大致矩形状，并遍布显示部12的整个区域配置。第二配线42是配置于周边电路部14，并且是供给第二电位VCT的电源配线。如图4所示，第二配线42形成为在俯视观察下包围光反射层35(显示部12)的矩形框状。第二配线42的宽度(从内周缘到外周缘的距离)例如为1.5mm。另外，在俯视观察下，显示部12与周边电路部14的边界位于由显示部12的周缘与第二配线42的内周缘包围的区域。
另外，如图4所示，在与第二配线42大致一致的区域配置有第二导电体58。第二导电体58(第一配线)形成于光反射层35以及第二配线42的面上。在图4中用实线图示第二导电体58的一部分，另一部分的外形用点划线表示。第二导电体58在俯视观察下，形成为与第二配线42类似的环状(矩形框状)。第二导电体58的内周缘相对于第二配线42的内周缘略向外侧偏移，第二导电体58的外周缘相对于第二配线42的外周缘略向外侧偏移。
周边电路部的构造
接下来，参照图5对有机EL装置100的周边电路部14的构造进行说明。图5是将图3的一部分放大的剖视图。另外，图5所示的有机EL装置100，在Z方向上，省略从第二配线42到第二电极E2之间以外的结构，在X方向上，图示出周边电路部14以及与周边电路部14相邻的显示部12的像素20R。
周边电路部14作为迂回配线，具有第一导电体63、第二导电体58、第二配线42等周边电路。另外，在这些周边电路中比第二配线42靠上方，与显示部12相同地形成有增反射层36、绝缘层38、像素定义层29。周边电路部14的绝缘层38具有与显示部12中膜厚最大的像素20R的绝缘层38相同的层结构。即，周边电路部14的绝缘层38也具备光路长度调整层38b、38c、38d。
设置于显示部12的第二电极E2配置为延伸到周边电路部14。第二电极E2下层的发光功能层32形成为以显示部12与周边电路部14的边界为其大致起点而层厚逐渐变小。因此第二电极E2形成为相对于X方向倾斜。第二电极E2在发光功能层32的层厚消失的位置，与发光功能层32的下层的像素定义层29的面上相接。
在第二电极E2与像素定义层29相接的区域，形成有贯通像素定义层29的导通孔HG。第二电极E2沿着导通孔HG的内表面延伸至像素定义层29的下层。在像素定义层29的下方的设置有导通孔HG的区域设置有第一导电体63。由此第二电极E2经由导通孔HG而与第一导电体63电连接。
第一导电体63能够通过与第一电极E1相同的形成材料、方法形成。在第一导电体63的下方(下层)配置有光路长度调整层38c、38d。在光路长度调整层38c、38d中不与导通孔HG重叠的位置形成有导通孔HF。第一导电体63沿着导通孔HF的内表面延伸至光路长度调整层38c、38d的下层。在光路长度调整层38c、38d的下层形成有第二导电体58。由此第一导电体63经由导通孔HF与第二导电体58电连接。
第二导电体58形成在光路长度调整层38c的下层，亦即作为具有凹部的绝缘膜的光路长度调整层38b上。即，在第二导电体58的上方配置有光路长度调整层38c、38d。作为第二导电体58的形成材料能够使用包含铝、银等的低电阻的导电材料。优选采用具有遮光性的形成材料，或者优选设为显现遮挡性的膜厚。通过使第二导电体58具有遮光性，由此能够遮挡并减少有机EL元件30的发光被光反射层35反射而产生的散射光。
在第二导电体58与第二配线42之间，在第二导电体58的下方的表面配置有光路长度调整层38b，在该光路长度调整层38b的下方配置有增反射层36。光路长度调整层38b以及增反射层36是从显示部12延伸形成的部分。另外，在周边电路部14与显示部12之间也设置有间隙35CT，从而将第二配线42与光反射层35电分离。
在光路长度调整层38b以及增反射层36的不与导通孔HF重叠的位置形成有导通孔HE。第二导电体58形成为沿着导通孔HE的内表面到达下层的第二配线42。由此第二导电体58经由导通孔HE与第二配线42电连接。通过上述的结构，第二电极E2与第一导电体63、第二导电体58、第二配线42电连接，构成周边电路的一部分。
第二配线42能够通过与光反射层35相同的形成材料、方法形成。在本实施方式中，第二配线42与光反射层35同样，形成在层间绝缘层34(参照图3)的面上，作为第一层42a、第二层42b的双层结构，分别使用与光反射层35的第一层35a、第二层35b相同的形成材料。
如以上说明的那样，根据本实施方式的光电装置，能够得到以下效果。
(1)根据本实施方式的有机EL装置100，在周边电路部14中，与用光路长度调整层38b、38c、38d的任意一层构成绝缘层38的情况相比，能够将绝缘层38的膜厚形成得较大。因此能够抑制周边电路部14中的第一导电体63、第二导电体58、第二配线42等的周边电路与显示部12的第一电极E1等之间发生短路。详细而言，由于在像素20设定了光谐振构造，因此在像素20R中，能够使光反射层35与第一电极E1之间的绝缘层38的膜厚比其他像素20B、20G大。通过将该像素20R的绝缘层38的结构也导入周边电路部14，从而能够使上述周边电路与第一电极E1等的距离与以往相比分离。因此在制造工序中，即使微小的异物等混入绝缘层38等，也能够抑制配线间发生短路。由此能够提供发光元件的发光功能稳定，并且提高发光品质以及制造工序中的成品率的有机EL装置100。
(2)通过在像素20设定有光谐振构造，由此能够调整光反射层35上的绝缘层38的膜厚。因此能够调整由有机EL元件30的发光产生的射出光的光路长度，从而能够调节射出光的波长。
(3)由于通过光路长度调整层38b以及埋入绝缘膜38a平坦地形成覆盖光反射层35的绝缘层38，因此光反射层35变得更平滑，从而反射效率提高。另外，能够对每个像素20准确地进行由有机EL元件30的发光产生的射出光的光路长度的调整。由此能够使显示部12的发光的色彩再现性提高。
(4)由于具有遮光性的第二导电体58以从光反射层35离开覆盖光反射层35的绝缘层38的膜厚的量的方式配置，因此来自光反射层35的散射光被遮挡而减少，从而提高发光的对比度。另外，通过使周边电路部14的绝缘层38成为与显示部12的绝缘层38相同的结构，来抑制制造工序中的成膜工序的增加，从而能够简化。
实施方式2
电子设备
参照图6对本实施方式的电子设备进行说明。在本实施方式中，作为电子设备，以具备有机EL装置的头戴式显示器(以下，也称为HMD：Head Mounted Display)为例进行说明。图6是表示实施方式2的头戴式显示器的光学结构的示意图。
如图6所示，HMD200是能够目视确认HMD200的显示以及外界双方的透射型(透视型)。HMD200具有：用于显示信息的一对光学单元214a、214b、用于安装于头部的镜腿部(未图示)、电源以及控制部(未图示)等。HMD200通过光学单元214a、214b在眼前显示各种信息，能够同时目视确认这些信息和外界(景观)。在此，由于光学单元214a、214b是左右对称的结构，因此以右侧的光学单元214a为例进行说明。
光学单元214a具有：有机EL装置(面板)100a、聚光光学部210a、导光体211a以及半透半反镜层218a，并以该顺序相互相邻设置。由光学单元214a形成将有机EL装置100a的射出光向配置于右眼1a前的半透半反镜层218a投影的投影仪。
导光体211a是四棱柱状的透镜(杆式透镜)，形成杆式积分仪(Rodintegrator)。该导光体211a配置于聚光光学部210a的旁边。通过该配置，成为上述杆式透镜接受从聚光光学部210a被投影的光束的结构。另外，内置于导光体211a的半透半反镜层218a位于与右眼1a对置的位置，且倾斜设置。详细而言，半透半反镜层218a具有将从聚光光学部210a被投影并通过杆式透镜内的折射反射而到达的光束，朝向右眼1a反射的角度。
有机EL装置100a将从控制部(未图示)传送的显示信号作为信息显示。所显示的信息作为射出光向聚光光学部210a投影。聚光光学部210a根据有机EL装置100a的射出光(实像)形成虚像，并作为信息光300a向导光体211a的端部投影。
在导光体211a中，所投影的信息光300a(光束)在内表面被全反射，而向半透半反镜层218a传送。
半透半反镜层218a将信息光300a朝向右眼1a(瞳孔)反射引导的同时，使外界光400a透过而到达右眼1a。由此成为能够重叠目视确认外界和显示于HMD200的信息的结构。
另外，如上述那样，左眼1b用的光学单元214b也具有有机EL装置100b，并且结构、功能与上述右侧的光学单元214a相同。
如以上说明的那样，根据本实施方式能够得到以下效果。
根据本实施方式，能够提供信息等的显示品质优异的电子设备。详细而言，通过具备发光元件的发光品质稳定，并且提高了制造工序中的成品率的有机EL装置100a、100b，由此能够使电子设备的信息显示功能的可靠性提高。
另外，应用了本实施方式的有机EL装置100的HMD200不限定于具备与两眼对应的一对光学单元214a、214b的结构，例如也可以是具备一方的光学单元214a的结构。并且不限定于透视型，也可以是在将外部光遮挡的状态下目视确认显示的沉浸型。
本发明不限定于上述的实施方式，能够对上述的实施方式施加各种变更、改进等。以下列举变形例进行说明。
变形例1
上述实施方式的有机EL元件30作为能够得到白色发光的部件进行了说明，但发光颜色不限定于白色。例如也可以成为在每个像素20B、20G、20R具备能够得到所希望的发光颜色的有机EL元件的结构。据此，除了上述实施方式中的效果之外，还能够去除滤色层50。
变形例2
上述实施方式的光反射层35作为使用第一配线41形成的部件进行了说明，但并不限定于该结构。例如，也可以在元件基板10与第一电极E1之间设置与第一配线41不同且电气独立的光反射层。由此能够不在每个像素分割光反射层，而是遍布显示部12的大致整个区域形成为面状(连续)。
变形例3
上述实施方式的电子设备以HMD为例进行了说明，在其他领域中也能够应用搭载了本发明的电子光学装置的电子部件以及电子设备。
例如，作为电子部件能够例举电子取景器。通过将本发明的光电装置应用于电子取景器，从而使影像等的显示功能稳定。由此在搭载有电子取景器的电子设备中，能够使信息显示功能的可靠性提高。
附图标记说明：10…元件基板；12…显示部；14…周边电路部；20、20B、20G、20R…像素；30、30B、30G、30R…有机EL元件；35…光反射层；35CT…间隙；38…绝缘层；38a…埋入绝缘膜；38b、38c、38d…光路长度调整层；58…第二导电体；100、100a、100b…有机EL装置；200…HMD；E1…第一电极；E2…第二电极；T…晶体管。

Claims (5)

1.一种光电装置，其特征在于，
具备元件基板，该元件基板具有：排列有多个像素的显示部、和包括设置于所述显示部的周边的周边电路的周边电路部，
所述显示部在每个所述像素具有：发光元件和驱动所述发光元件的晶体管，
所述发光元件经由光反射层和绝缘层而配置在所述晶体管上，
所述绝缘层在所述像素的每个显示颜色具有不同的膜厚，
所述周边电路部的绝缘层具有与所述显示部中膜厚最大的所述绝缘层相同的层结构。
2.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于，
所述光反射层分割配置于每个所述像素，
所述绝缘层在配置有所述光反射层的面上进行覆盖，并且具备：具有凹部的绝缘膜、和埋入至所述凹部的埋入绝缘膜，所述凹部形成在相邻的所述光反射层的间隙的内侧。
3.根据权利要求2所述的光电装置，其特征在于，
所述周边电路包括与所述发光元件的阴极连接的遮光性的迂回配线，
所述迂回配线形成在具有所述凹部的绝缘膜上。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的光电装置，其特征在于，
所述绝缘层包括材料结构不同的多层。
5.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1～4中的任一项所述的光电装置。
CN201611182095.9A 2016-02-09 2016-12-20 光电装置以及电子设备 Active CN107046050B (zh)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113078272A (zh) * 2020-01-06 2021-07-06 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置和电子设备
CN113078273A (zh) * 2020-01-06 2021-07-06 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置和电子设备

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4020572A4 (en) * 2019-08-23 2022-09-07 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DRIVING SUBSTRATE
KR20210099246A (ko) * 2020-02-03 2021-08-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2022071601A (ja) 2020-10-28 2022-05-16 キヤノン株式会社 発光装置、表示装置、撮像装置および電子機器、ならびに発光装置の製造方法
WO2022126450A1 (zh) * 2020-12-16 2022-06-23 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
TW202243238A (zh) * 2020-12-25 2022-11-01 日商索尼半導體解決方案公司 顯示裝置及電子機器

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080018243A1 (en) * 2006-01-13 2008-01-24 Seiko Epson Corporation Light-emitting device and electronic apparatus
CN101241284A (zh) * 2007-02-08 2008-08-13 精工爱普生株式会社 电光装置用基板、电光装置以及电子设备
CN103426400A (zh) * 2012-05-15 2013-12-04 精工爱普生株式会社 光电装置及电子设备
CN103915466A (zh) * 2013-01-15 2014-07-09 厦门天马微电子有限公司 有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法
US20140361273A1 (en) * 2013-06-05 2014-12-11 Seiko Epson Corporation Electro-optic apparatus, method of manufacturing electro-optic apparatus, and electronic apparatus
JP2015011917A (ja) * 2013-07-01 2015-01-19 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
CN105742314A (zh) * 2014-12-25 2016-07-06 精工爱普生株式会社 光电装置以及其制造方法、电子设备

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101407309B1 (ko) * 2011-11-15 2014-06-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
JP6221386B2 (ja) * 2013-06-18 2017-11-01 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP6217161B2 (ja) 2013-06-19 2017-10-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP6221413B2 (ja) * 2013-06-27 2017-11-01 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP6286941B2 (ja) * 2013-08-27 2018-03-07 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器
JP6331320B2 (ja) * 2013-10-10 2018-05-30 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP6393972B2 (ja) * 2013-10-10 2018-09-26 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
CN104576688B (zh) 2013-10-10 2018-11-09 精工爱普生株式会社 发光装置以及电子设备
JP6361181B2 (ja) * 2014-03-11 2018-07-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080018243A1 (en) * 2006-01-13 2008-01-24 Seiko Epson Corporation Light-emitting device and electronic apparatus
CN101241284A (zh) * 2007-02-08 2008-08-13 精工爱普生株式会社 电光装置用基板、电光装置以及电子设备
CN103426400A (zh) * 2012-05-15 2013-12-04 精工爱普生株式会社 光电装置及电子设备
CN103915466A (zh) * 2013-01-15 2014-07-09 厦门天马微电子有限公司 有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法
US20140361273A1 (en) * 2013-06-05 2014-12-11 Seiko Epson Corporation Electro-optic apparatus, method of manufacturing electro-optic apparatus, and electronic apparatus
JP2015011917A (ja) * 2013-07-01 2015-01-19 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
CN105742314A (zh) * 2014-12-25 2016-07-06 精工爱普生株式会社 光电装置以及其制造方法、电子设备

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113078272A (zh) * 2020-01-06 2021-07-06 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置和电子设备
CN113078273A (zh) * 2020-01-06 2021-07-06 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置和电子设备
CN113078272B (zh) * 2020-01-06 2023-05-05 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置和电子设备
CN113078273B (zh) * 2020-01-06 2023-08-11 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置和电子设备

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