CN107039490A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括：基板，该基板包括具有多个子像素的显示区域以及在该显示区域周围的边框区域；以及至少一个绝缘层，所述至少一个绝缘层位于所述基板上并且具有抑制裂纹在所述边框区域中传播的通孔。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本公开涉及显示装置及其制造方法。更具体地，本公开涉及一种用于防止由于划片(scribing)工序中产生的裂纹而导致的湿气渗透的显示装置及其制造方法。
背景技术
最近已开发了可以代替在重量和体积方面不利的阴极射线管显示器(CRT)的各种显示装置。这些显示装置的示例包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)以及有机发光二极管(OLED)显示器。OLED显示器是被配置为通过激发有机化合物而发出光的自发光显示装置。OLED显示器不需要液晶显示器中所使用的背光单元，并因此能够实现外形薄且重量轻的特性并且使制造工序简化。OLED显示器也能够在低温度下被制造，并且具有1ms或更小的快速响应时间、低功耗、宽视角和高对比度的特性。
OLED显示器在用作阳极的第一电极与用作阴极的第二电极之间包括由有机材料形成的发光层。OLED显示器通过在发光层内部使从第一电极接收到的空穴与从第二电极接收到的电子结合而形成空穴-电子对激子，并且通过在激子返回到地电平时产生的能量来发出光。
多个单元被制造在母基板上，并且通过用于单独地使所述多个单元分开的划片工序被制造为单独的OLED显示器。划片工序使用切割轮或激光来执行。多个无机层被布置在使用轮或激光切割的OLED显示器的区域中。当执行使用切割轮或激光的切割工序时，在多个无机层中产生裂纹。这些裂纹可能变成湿气渗透路径。因此，易受湿气影响的发光层劣化。结果，OLED显示器的寿命减少并且可靠性降低。
发明内容
本公开提供了一种能够通过阻挡由于在划片工序中产生的无机层的裂纹而形成的湿气渗透路径来提高寿命和可靠性的显示装置及其制造方法。
在一个方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：基板，该基板包括具有多个子像素的显示区域以及在该显示区域周围的边框区域；以及至少一个绝缘层，所述至少一个绝缘层位于所述基板上并且具有抑制裂纹在所述边框区域中传播的通孔。
所述通孔被配置为阻止湿气渗透通过所述裂纹。
所述显示装置还包括位于所述至少一个绝缘层上的钝化层，该钝化层覆盖所述通孔并且包括被配置为阻止湿气从所述显示装置的边缘渗透的一个或更多个开口。
所述至少一个绝缘层包括第一缓冲层、第二缓冲层、栅极绝缘层、第一层间介质层和第二层间介质层中的至少一个。
所述通孔穿过所述第二缓冲层、所述栅极绝缘层、所述第一层间介质层和所述第二层间介质层。
所述钝化层通过所述通孔与所述第一缓冲层接触。
所述通孔包围所述显示区域。
所述一个或更多个开口与所述通孔分开。
所述一个或更多个开口包围所述显示区域，并且与所述通孔平行地设置。
所述一个或更多个开口和所述通孔被交替地设置。
所述一个或更多个开口和所述通孔从平面的角度来看具有环形状。
每个子像素包括屏蔽层、位于该屏蔽层上的半导体层、位于该半导体层上的第一栅极、位于该第一栅极上的第二栅极、与所述半导体层和所述屏蔽层连接的源极以及与所述半导体层连接的漏极。
在另一方面，提供了一种用于制造显示装置的方法，该方法包括以下步骤：在具有显示区域和边框区域的基板上堆叠至少一个无机绝缘层；以及在所述边框区域中的所述至少一个无机绝缘层上形成被配置为抑制裂纹在所述边框区域中传播的通孔。
所述用于制造显示装置的方法还包括以下步骤：利用具有一个或更多个开口区域的钝化层来覆盖所述至少一个无机绝缘层。
堆叠所述至少一个无机绝缘层的步骤包括以下步骤：在所述基板上形成第一缓冲层；在所述第一缓冲层上形成第二缓冲层；在位于所述第二缓冲层上的半导体层上形成栅极绝缘层；在位于所述栅极绝缘层上的第一栅极上形成第一层间介质层；以及在位于所述第一层间介质层上的第二栅极上形成第二层间介质层。
形成所述通孔的步骤包括以下步骤：对所述第二缓冲层、所述栅极绝缘层、所述第一层间介质层和所述第二层间介质层中的至少一个进行蚀刻，以形成使所述边框区域的所述第一缓冲层暴露的所述通孔。
所述用于制造显示装置的方法还包括以下步骤：对所述显示区域的所述第二缓冲层、所述栅极绝缘层、所述第一层间介质层和所述第二层间介质层中的至少一个进行蚀刻，以形成使所述半导体层和所述第二栅极暴露的接触孔。
所述用于制造显示装置的方法还包括以下步骤：对所述钝化层进行蚀刻以在所述钝化层中形成所述一个或更多个开口区域。
在另一方面中，提供了一种显示设备，该显示设备包括：基板，该基板具有显示区域和非显示区域；以及裂纹防止图案，该裂纹防止图案形成在所述非显示区域中并且包围所述显示区域，所述裂纹防止图案包括所述非显示区域处的一个或更多个绝缘层中的一个或更多个不连续部分。
所述不连续部分由所述非显示区域处的所述一个或更多个绝缘层中的壁和间隙构成。
所述显示设备还包括覆盖所述壁中的一个或更多个并且填充在所述间隙内的钝化层，并且所述钝化层具有与所述裂纹防止图案的所述间隙不交叠的一个或更多个开口。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与本说明书一起用来说明本发明的原理。在附图中：
图1是有机发光二极管(OLED)显示器的示意框图；
图2例示了子像素的电路配置的第一示例；
图3例示了子像素的电路配置的第二示例；
图4是OLED显示器的平面图；
图5是OLED显示器的子像素的截面图；
图6是OLED显示器的母基板的平面图；
图7是沿着图6的线I-I’截取的截面图；
图8是沿着图4的II-II’截取的OLED显示器的边框区域的截面图；
图9是OLED显示器的平面图；
图10和图11是沿着图4的II-II’截取的OLED显示器的边框区域的截面图；
图12是根据本发明的第二实施方式的OLED显示器的边框区域的截面图；以及
图13、图14、图15、图16、图17和图18是依次例示了根据本发明的实施方式的用于制造OLED显示器的方法中的阶段中的每一个的截面图。
具体实施方式
现在将详细地参照本发明的实施方式，其示例被例示在附图中。只要可能，相同的附图标记将在整个附图中用于指代相同或相似的部分。应当注意的是，如果确定了技术可能误导本发明的实施方式，则将省去对已知技术的详细描述。
根据本发明的实施方式的显示装置是显示元件形成在柔性基板上的显示装置。该显示装置的示例包括有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)和电泳显示器。本发明的实施方式使用OLED显示器作为显示装置的示例来描述。OLED显示器包括在用作阳极的第一电极与用作阴极的第二电极之间的由有机材料形成的发光层。OLED显示器是被配置为通过在发光层内部使从第一电极接收到的空穴与从第二电极接收到的电子结合而形成空穴-电子对激子并且通过在激子返回到地电平时产生的能量来发出光的自发光显示装置。根据本发明的实施方式的OLED显示器可以使用玻璃基板以及塑料基板。
下面参照图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17和图18对本发明的实施方式进行描述。
图1是有机发光二极管(OLED)显示器的示意框图。图2例示了子像素的电路配置的第一示例。图3例示了子像素的电路配置的第二示例。图4是OLED显示器的平面图。图5是OLED显示器的子像素的截面图。
参照图1，OLED显示器包括图像处理单元10、定时控制器20、数据驱动器30、选通驱动器40和显示面板50。
图像处理单元10输出从外部供应的数据信号DATA和数据使能信号DE。图像处理单元10除了可以输出数据使能信号DE之外，还可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或更多个。然而，为了简洁起见和易于阅读，未示出这些信号。图像处理单元10按照集成电路(IC)形式形成在***电路板上。
定时控制器20从图像处理单元10接收数据信号DATA以及包括数据使能信号DE或者垂直同步信号、水平同步信号、时钟信号等的驱动信号。
定时控制器20基于驱动信号来输出用于控制选通驱动器40的操作定时的选通定时控制信号GDC以及用于控制数据驱动器30的操作定时的数据定时控制信号DDC。定时控制器20按照集成电路(IC)形式形成在控制电路板上。
数据驱动器30响应于从定时控制器20供应的数据定时控制信号DDC而对从定时控制器20接收到的数据信号DATA进行采样和锁存，并且将经采样和锁存的数据信号DATA转换成伽玛基准电压。数据驱动器30然后输出该伽玛基准电压。数据驱动器30通过数据线DL1至DLn来输出数据信号DATA。数据驱动器30按照IC形式附接到板。
选通驱动器40响应于从定时控制器20供应的选通定时控制信号GDC而在使选通电压的电平移位的同时输出选通信号。选通驱动器40通过选通线GL1至GLm来输出选通信号。选通驱动器40按照IC形式形成在选通电路板上或者按照面板内选通(GIP)方式形成在显示面板50上。
显示面板50响应于分别从数据驱动器30和选通驱动器40接收到的数据信号DATA和选通信号而显示图像。显示面板50包括显示图像的子像素SP。
参照图2，每个子像素包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、补偿电路CC和有机发光二极管(OLED)。OLED操作以基于由驱动晶体管DR产生的驱动电流而发出光。
开关晶体管SW执行开关操作，使得响应于通过第一选通线GL1供应的选通信号而将通过第一数据线DL1供应的数据信号作为数据电压存储在电容器Cst中。驱动晶体管DR按照使得驱动电流基于存储在电容器Cst中的数据电压而在高电位电力线VDD与低电位电力线GND之间流动的方式进行操作。补偿电路CC是用于对驱动晶体管DR的阈值电压进行补偿的电路。可以将连接到开关晶体管SW或驱动晶体管DR的电容器Cst安装在补偿电路CC内部。
补偿电路CC包括一个或更多个薄膜晶体管(TFT)和电容器。可以根据补偿方法不同地改变补偿电路CC的配置。可以简要地做出其详细描述或者可以完全省去其详细描述。
如图3中所示，包括补偿电路CC的子像素还包括用于驱动补偿TFT并且供应预定信号或电力的信号线和电力线。所添加的信号线可以被定义为用于驱动包括在子像素中的补偿TFT的1-2选通线GL1b。所添加的电力线可以被定义为用于以预定电压使子像素的预定节点初始化的初始化电力线INIT。然而，这仅仅是示例，并且本发明的实施方式不限于此。在图3中，“GL1a”是用于驱动开关晶体管SW的1-1选通线。
作为示例，图2和图3例示了一个子像素包括补偿电路CC。然而，当要补偿的对象(例如，数据驱动器30)被设置在子像素外部时，可以省去补偿电路CC。子像素基本上具有包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器和OLED的2T(晶体管)1C(电容器)的配置。然而，当补偿电路CC被添加到子像素时，子像素可以具有3T1C、4T2C、5T2C、6T2C、7T2C等的各种配置。
作为示例，图2和图3例示了补偿电路CC被设置在开关晶体管SW与驱动晶体管DR之间。然而，还可以将补偿电路CC设置在驱动晶体管DR与OLED之间。补偿电路CC的位置和结构不限于图2和图3。
参照图4，OLED显示器的显示面板包括基板110、显示区域DP和非显示区域NDP。多个子像素SP被布置在显示区域DP中。显示区域DP中的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素或者红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)子像素发出光并且实现填充颜色。非显示区域NDP占据基板110的除了显示区域DP之外的剩余区域。多条信号线被布置在显示区域DP周围，并且数据驱动器60被设置在显示区域DP的一面上。
下面参照图5描述根据本发明的实施方式的OLED显示器100的子像素SP的截面结构。
参照图5，在根据本发明的实施方式的OLED显示器100中，第一缓冲层112被设置在基板110上。基板110由玻璃、塑料或金属等制成。在本发明的实施方式中，基板110可以由塑料制成，并且更具体地，可以是聚酰亚胺基板。因此，根据本发明的实施方式的基板110具有柔性特性。第一缓冲层112保护后续工序中形成的TFT不受杂质(例如，从基板110排出的碱离子)的影响。第一缓冲层112可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层。
屏蔽层114被设置在第一缓冲层112上。屏蔽层114防止可以通过使用聚酰亚胺基板110来产生的面板驱动电流的减小。第二缓冲层116被设置在屏蔽层114上。第二缓冲层116保护后续工序中形成的TFT不受杂质(例如，从屏蔽层114排出的碱离子)的影响。第二缓冲层116可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层。
半导体层120被设置在第二缓冲层116上。半导体层120可以由硅半导体或氧化物半导体形成。硅半导体可以包括非晶硅或晶化多晶硅。多晶硅具有高迁移率(例如，100cm2/Vs或更大)、低能耗和极好的可靠性，并因此可以被应用于驱动元件中使用的选通驱动器和/或复用器(MUX)或者应用于OLED显示器100的每个像素的驱动TFT。因为氧化物半导体具有低截止电流，所以氧化物半导体适合于具有短导通时间和长截止时间的开关TFT。此外，因为氧化物半导体由于低截止电流而使像素的电压保持时间增加，所以氧化物半导体适合于需要慢驱动和/或低功耗的显示装置。半导体层120包括各自包括p型或n型杂质的漏极区域123和源极区域124以及位于漏极区域123与源极区域124之间的沟道121。半导体层120还包括与沟道121相邻的位于漏极区域123与源极区域124之间的轻掺杂区域122。
栅极绝缘层GI被设置在半导体层120上。栅极绝缘层GI可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层。第一栅极130被设置在半导体层120的预定区域中的栅极绝缘层GI上，即，在当杂质被注入时与沟道121对应的位置处。第一栅极130用作驱动晶体管DR的栅极。第一栅极130由从由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其组合构成的组中选择的一种形成。此外，第一栅极130可以是由从由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其组合构成的组中选择的一种所形成的多层。例如，第一栅极130可以被形成为Mo/Al-Nd或Mo/Al的双层。
第一层间介质层ILD1被设置在第一栅极130上以使第一栅极130绝缘。第一层间介质层ILD1可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层。第二栅极135被设置在第一层间介质层ILD1上。第二栅极135是与第一栅极130一起形成电容器的电容器电极并且不用作驱动晶体管DR的栅极。第二层间介质层ILD2被设置在第二栅极135上以使第二栅极135绝缘。
第一接触孔CH1被设置在第二层间绝缘层ILD2、第一层间介质层ILD1、栅极绝缘层GI和第二缓冲层116中的每一个的一部分中，以使屏蔽层114的一部分暴露。第二接触孔CH2和第三接触孔CH3被设置在第二层间绝缘层ILD2、第一层间介质层ILD1和栅极绝缘层GI中的每一个的一部分中，以使半导体层120的一部分暴露。更具体地，第二接触孔CH2使半导体层120的漏极区域123暴露，并且第三接触孔CH3使半导体层120的源极区域124暴露。第四接触孔CH4被设置在第二层间介质层ILD2的一部分中，以使第二栅极135暴露。
漏极140和源极145被设置在第二层间介质层ILD2上。漏极140通过使半导体层120的漏极区域123暴露的第二接触孔CH2连接到半导体层120。源极145通过使半导体层120的源极区域124暴露的第三接触孔CH3连接到半导体层120。此外，源极145通过穿过第二层间介质层ILD2、第一层间介质层ILD1、栅极绝缘层GI和第二缓冲层116并且使屏蔽层114暴露的第一接触孔CH1连接到屏蔽层114。源极145通过第四接触孔CH4连接到第二栅极135。漏极140和源极145中的每一个可以被形成为单层或多层。当漏极140和源极145中的每一个被形成为单层时，漏极140和源极145中的每一个可以由从由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其组合构成的组中选择的一种形成。当漏极140和源极145中的每一个被形成为多层时，漏极140和源极145中的每一个可以被形成为Mo/Al-Nd的双层或者Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo或Mo/Al-Nd/Mo的三层。
因此，包括半导体层120、第一栅极130、漏极140和源极145的驱动晶体管DR被形成。
钝化层PAS被设置在包括驱动晶体管DR的基板110上。钝化层PAS是保护位于钝化层PAS之下的元件的绝缘层。钝化层PAS可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层。平整层PLN被设置在钝化层PAS上。平整层PLN可以是用于减小底层结构的高度差的平整层。平整层PLN可以由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂和丙烯酸酯这样的有机材料形成。可以通过用于涂覆液体状态下的有机材料并且接着使该有机材料固化的旋涂玻璃(SOG)方法来形成平整层PLN。
第五接触孔CH5被设置在平整层PLN的一部分中，以使源极145暴露。第一电极160被设置在平整层PLN上。第一电极160用作像素电极，并且通过第五接触孔CH5连接到驱动晶体管DR的源极145。第一电极160是阳极，并且可以由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和氧化锌(ZnO)这样的透明导电材料形成。当第一电极160是反射电极时，第一电极160还包括反射层。反射层可以由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)、Pd(钯)或其组合形成。反射层可以由Ag/Pd/Cu(APC)合金形成。
岸层BNK被设置在包括第一电极160的基板110上，以划分像素。岸层BNK可以由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂和丙烯酸酯这样的有机材料形成。岸层BNK包括使第一电极160暴露的像素限定部分OP。与第一电极160接触的发光层170被设置在岸层BNK的像素限定部分OP上。发光层170是电子和空穴结合并发出光的层。空穴注入层或空穴传输层可以被设置在发光层170与第一电极160之间，并且电子注入层或电子传输层可以被设置在发光层170上。
第二电子180被设置在发光层170上。第二电极180被设置在基板110的前表面上。第二电极180是阴极，并且可以由各自具有低功函数的镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)或其组合形成。当第二电极180是透射电极时，第二电极180足够薄以透射光。当第二电极180是反射电极时，第二电极180足够厚以反射光。
根据本发明的实施方式的OLED显示器具有随着在划片工序中在无机层中产生的裂纹用作湿气渗透路径而导致装置劣化的问题。
图6是OLED显示器的母基板的平面图。图7是沿着图6的线I-I’截取的截面图。
参照图6，第一单元C1和第二单元C2形成在母基板GLA上。为了简洁起见和易于阅读，图6仅示出了两个单元。然而，可以在母基板GLA上形成多个单元。上面形成有第一单元C1和第二单元C2的母基板GLA被沿着划片线SL划片，并因此第一单元C1和第二单元C2彼此分开。分开后的第一单元C1和第二单元C2中的每一个被形成为OLED显示器。
参照图7，多个层被堆叠在母基板GLA的划片线SL上。例如，牺牲层SAC被设置在母基板GLA上，基板110被设置在牺牲层SAC上，并且第一缓冲层112和第二缓冲层116被设置在基板110上。此外，栅极绝缘层GI、第一层间介质层ILD1和第二层间介质层ILD2被设置在第二缓冲层116上，并且钝化层PAS被设置在第二层间介质层ILD2上。
这些层(例如，布置在母基板GLA的划片线SL上的第一缓冲层112、第二缓冲层116、栅极绝缘层GI、第一层间介质层ILD1、第二层间介质层ILD2和钝化层PAS)被形成为无机绝缘层。因此，可以通过用于单元分开的划片工序中所使用的切割轮或激光在无机绝缘层中产生裂纹。
因此，即使裂纹在无机绝缘层中产生并传播，本发明的实施方式也能够防止裂纹用作湿气渗透路径。
<第一实施方式>
图8是沿着图4的II-II’截取的OLED显示器的边框区域的截面图。图9是OLED显示器的平面图。图10和图11是沿着图4的II-II’截取的OLED显示器的边框区域的截面图。
参照图8，在根据本发明的实施方式的OLED显示器100中，第一缓冲层112被设置在基板110上，并且第二缓冲层116被设置在第一缓冲层112上。栅极绝缘层GI被设置在第二缓冲层116上，并且第一层间介质层ILD1和第二层间介质层ILD2被依次设置在栅极绝缘层GI上。
钝化层PAS被设置在第二层间介质层ILD2上。根据本发明的实施方式的钝化层PAS通过至少一个通孔与第一缓冲层112接触。更具体地，钝化层PAS通过穿透第二缓冲层116、栅极绝缘层GI、第一层间介质层ILD1和第二层间介质层ILD2而形成的第一通孔VIA1和第二通孔VIA2与第一缓冲层112接触。第一通孔VIA1和第二通孔VIA2是通过依次穿透第二缓冲层116、栅极绝缘层GI、第一层间介质层ILD1和第二层间介质层ILD2而形成的通孔，并且使钝化层PAS与第一缓冲层112接触。
通过第一通孔VIA1和第二通孔VIA2与第一缓冲层112接触的钝化层PAS用作当在第二缓冲层116、栅极绝缘层GI、第一层间介质层ILD1和/或第二层间介质层ILD2中产生裂纹时抑制湿气渗透的阻挡物。本发明的实施方式例示并描述了总共两个通孔VIA1和VIA2，但是不限于此。例如，可以使用一个或更多个通孔，并且可以使用多个通孔，只要使边框区域的大小保持最小即可。
根据本发明的实施方式的钝化层PAS包括与基板110的边框区域BP相邻的至少一个开口。因为钝化层PAS被设置在基板110的前表面上，所以当在钝化层PAS中产生裂纹时钝化层PAS可以创建湿气的渗透路径。因此，本发明的实施方式采用开口、间隙或不连续图案以用于阻止、分离或者切断钝化层PAS的连续形成，以便阻碍钝化层PAS创建不希望的湿气渗透路径。
更具体地，钝化层PAS包括第一开口(或间隙)PAH1和第二开口(或间隙)PAH2。第一开口PAH1和第二开口PAH2通过部分地去除钝化层PAS而形成，并且使钝化层PAS下面的第二层间介质层ILD2暴露。第一开口PAH1和第二开口PAH2从平面的角度来看可以具有环形状，使得显示区域DP被包围。作为示例，图8示出了矩形环形状的第一开口PAH1和第二开口PAH2。第一开口PAH1和第二开口PAH2可以根据显示区域DP的形状而具有包括圆、椭圆等在内的各种形状。本发明的实施方式例示并描述了总共两个开口PAH1和PAH2，但是不限于此。例如，可以使用一个或更多个开口，并且可以使用多个开口，只要考虑边框区域的大小即可。
参照图9，根据本发明的实施方式的第一通孔VIA1和第二通孔VIA2各自具有包围显示区域DP的平面环形状。因此，填充在第一通孔VIA1和第二通孔VIA2中的钝化层PAS能够阻止湿气从显示装置的边缘渗透。此外，根据本发明的实施方式的第一开口PAH1和第二开口PAH2各自具有包围显示区域DP中的大多数或全部的包围形状。因此，第一开口PAH1和第二开口PAH2能够有效地阻止湿气沿着钝化层PAS的裂纹从显示装置的边缘渗透。通孔(VIA1和VIA2)可以被设置为与开口(PAH1和PAH2)分开。也就是说，通孔(VIA1和VIA2)可以在垂直方向上不与开口(PAH1和PAH2)交叠。
参照图10，可以通过对第一缓冲层112的一部分进行蚀刻在第一缓冲层112内部形成根据本发明的实施方式的第一通孔(或间隙)VIA1和第二通孔(或间隙)VIA2。本发明的实施方式能够通过对第一缓冲层112的内部进行蚀刻以使得第二缓冲层116在用于对第一通孔VIA1和第二通孔VIA2进行蚀刻的工序中被完全蚀刻来阻止湿气沿着第二缓冲层116的裂纹渗透。
参照图11，本发明的实施方式可以包括一个通孔VIA1和一个开口PAH1。本发明的实施方式能够通过增加通孔VIA1的大小和/或开口PAH1的大小来改进湿气的渗透路径的阻止效果。
<第二实施方式>
图12是根据本发明的第二实施方式的OLED显示器的边框区域的截面图。
参照图12，钝化层PAS被设置在第二层间介质层ILD2上。根据本发明的实施方式的钝化层PAS通过穿透第二缓冲层116、栅极绝缘层GI、第一层间介质层ILD1和第二层间介质层ILD2而形成的第一通孔VIA1和第二通孔VIA2与第一缓冲层112接触。根据本发明的实施方式的钝化层PAS可以包含包括有第一开口PAH1、第二开口PAH2和第三开口PAH3的三个开口，所述三个开口通过部分地去除钝化层PAS而形成并且使钝化层PAS下面的第二层间介质层ILD2暴露。
在本发明的第二实施方式中，可以交替地设置通孔和开口。更具体地，第一通孔VIA1可以被设置为与第一开口PAH1相邻，第二开口PAH2可以被设置为与第一通孔VIA1相邻，第二通孔VIA2可以被设置为与第二开口PAH2相邻，并且第三开口PAH3可以被设置为与第二通孔VIA2相邻。
第一开口PAH1至第三开口PAH3以及第一通孔VIA1和第二通孔VIA2的交替结构能够通过在开口的工艺余量之间形成通孔来防止边框区域的大小的增加。
本发明的实施方式例示并描述了三个开口PAH1、PAH2和PAH3以及两个通孔VIA1和VIA2的交替结构，但是不限于此。例如，可以交替地布置两个开口和一个通孔，或者可以交替地布置两个通孔和一个开口。
下面描述根据本发明的实施方式的用于制造OLED显示器的方法。
图13、图14、图15、图16、图17和图18是依次例示了根据本发明的实施方式的用于制造OLED显示器的方法中的阶段中的每一个的截面图。
参照图13，牺牲层SAC被设置在母基板GLA上。母基板GLA由玻璃制成并且用来支承母基板GLA上的结构。牺牲层SAC受热而膨胀并且使得塑料基板能够从母基板GLA释放。
可以在牺牲层SAC上涂覆聚酰亚胺以形成基板110。第一缓冲层112形成在基板110上。不透明材料被堆叠在第一缓冲层112上并且使用第一掩模被构图以形成屏蔽层114。随后，第二缓冲层116形成在上面形成有屏蔽层114的基板110上。硅半导体或氧化物半导体被堆叠在第二缓冲层116上并且使用第二掩模被构图以形成半导体层120。
接下来，参照图14，栅极绝缘层GI形成在半导体层120上。金属材料被堆叠在栅极绝缘层GI上并且使用第三掩模被构图以形成第一栅极130。随后，n型杂质被轻掺杂在基板110的前表面上以对半导体层120进行掺杂。在这种情况下，半导体层120的除了第一栅极130的下部之外的剩余部分使用半导体层120上的第一栅极130作为掩模被掺杂。
接下来，n型杂质被重掺杂在基板110的前表面上以对半导体层120进行掺杂。在这种情况下，半导体层120的预定区域使用第四掩模来掩盖并且被掺杂以在半导体层120中形成沟道121、轻掺杂区域122、漏极区域123和源极区域124。
随后，第一层间介质层ILD1形成在第一栅极130上。金属材料被堆叠在第一层间介质层ILD1上并且使用第五掩模被构图以形成第二栅极135。第一栅极130和第二栅极135被形成为彼此交叠，并且可以形成电容。随后，第二层间介质层ILD2形成在上面形成有第二栅极135的基板110上。
接下来，参照图15，光刻胶被涂覆到第二层间介质层ILD2，并且使用第六掩模来对第二层间介质层ILD2、第一层间介质层ILD1、栅极绝缘层GI和第二缓冲层116进行干蚀刻。更具体地，第二层间介质层ILD2、第一层间介质层ILD1、栅极绝缘层GI和第二缓冲层116被蚀刻以形成使屏蔽层114暴露的第一接触孔CH1。同时，第二层间介质层ILD2、第一层间介质层ILD1和栅极绝缘层GI被蚀刻以形成使半导体层120的漏极区域123暴露的第二接触孔CH2以及使半导体层120的源极区域124暴露的第三接触孔CH3。同时，第二层间介质层ILD2被蚀刻以形成使第二栅极135暴露的第四接触孔CH4。
此外，在以上干蚀刻的同时，对边框区域BP中的第二层间介质层ILD2、第一层间介质层ILD1、栅极绝缘层GI和第二缓冲层116进行蚀刻以形成第一通孔VIA1和第二通孔VIA2。
接下来，参照图16，金属材料被堆叠在上面形成有第二层间介质层ILD2的基板110上，并且使用第七掩模被构图以形成漏极140和源极145。漏极140通过第二接触孔CH2连接到半导体层120的漏极区域123，并且源极145通过第三接触孔CH3连接到半导体层120的源极区域124。此外，源极145通过第一接触孔CH1连接到屏蔽层114并且通过第四接触孔CH4连接到第二栅极135。因此，包括半导体层120、第一栅极130、漏极140和源极145的驱动晶体管被形成。
随后，钝化层PAS形成在基板110的前表面上。钝化层PAS在被填充在边框区域BP中的第一通孔VIA1和第二通孔VIA2中的同时完全覆盖显示区域DP并且完全覆盖边框区域BP。钝化层PAS通过边框区域BP中的第一通孔VIA1和第二通孔VIA2与第一缓冲层112接触。
接下来，参照图17，使用第八掩模对钝化层PAS的一部分进行蚀刻，以在显示区域DP中形成使源极145暴露的第五接触孔CH5并且在边框区域BP中形成第一开口PAH1和第二开口PAH2。
接下来，参照图18，有机材料被施加到基板110的前表面以形成平整层PLN。使用第九掩模对平整层PLN执行蚀刻工序，以扩大钝化层PAS的第五接触孔CH5并且去除边框区域BP的平整层PLN。随后，透明导电层被堆叠在平整层PLN上并且使用第十掩模被构图以形成第一电极160。第一电极160可以通过第五接触孔CH5连接到驱动晶体管的源极145。随后，岸层BNK形成在包括第一电极160的基板110上。岸层BNK是使第一电极160的一部分暴露并且限定像素的像素限定层。岸层BNK可以由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂和丙烯酸酯这样的有机材料形成。岸层BNK包括使用第十一掩模来使第一电极160暴露的像素限定部分OP。随后，发光层170形成在通过岸层BNK的像素限定部分OP暴露的第一电极160上。第二电极180形成在上面形成有发光层170的基板110上。因此，根据本发明的实施方式的OLED显示器使用总共十一个掩模来制造。
如上所述，根据本发明的实施方式的OLED显示器通过用于同时在显示区域中形成第一接触孔至第四接触孔的干蚀刻工序来在边框区域中形成第一通孔和第二通孔，因此阻止由于填充在第一通孔和第二通孔中的钝化层而导致的湿气的渗透路径。此外，根据本发明的实施方式的OLED显示器在钝化层中形成第一开口和第二开口，因此阻止湿气沿着钝化层的任何裂纹渗透的渗透路径。因此，根据本发明的实施方式的OLED显示器能够通过防止由于湿气渗透而导致的发光层的有机材料的劣化来防止寿命减少，并且能够提高可靠性。
尽管已经参照本发明的许多示例性实施方式描述了实施方式，但是应该理解的是，本领域技术人员能够设计出将落入本公开的原理的范围内的许多其它变型和实施方式。更具体地，在本公开、附图和所附的权利要求的范围内，主题组合布置的组成部分和/或布置方面的各种变化和修改是可能的。除组成部分和/或布置方面的变化和修改之外，替代使用对于本领域技术人员而言也将是显而易见的。

Claims (20)

1.一种显示装置，该显示装置包括：
基板，该基板包括具有多个子像素的显示区域以及在该显示区域周围的边框区域；以及
至少一个绝缘层，所述至少一个绝缘层位于所述基板上并且具有抑制裂纹在所述边框区域中传播的通孔。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述通孔被配置为阻止湿气渗透通过所述裂纹。
3.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：
位于所述至少一个绝缘层上的钝化层，该钝化层覆盖所述通孔并且包括被配置为阻止湿气从所述显示装置的边缘渗透的一个或更多个开口。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述至少一个绝缘层包括第一缓冲层、第二缓冲层、栅极绝缘层、第一层间介质层和第二层间介质层中的至少一个。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述通孔穿过所述第二缓冲层、所述栅极绝缘层、所述第一层间介质层和所述第二层间介质层。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述钝化层通过所述通孔与所述第一缓冲层接触。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述通孔包围所述显示区域。
8.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述一个或更多个开口与所述通孔分开。
9.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述一个或更多个开口包围所述显示区域，并且与所述通孔平行地设置。
10.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述一个或更多个开口和所述通孔被交替地设置。
11.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述一个或更多个开口和所述通孔从平面的角度来看具有环形状。
12.一种用于制造显示装置的方法，该方法包括以下步骤：
在具有显示区域和边框区域的基板上堆叠至少一个无机绝缘层；以及
在所述边框区域中的所述至少一个无机绝缘层上形成被配置为抑制裂纹在所述边框区域中传播的通孔。
13.根据权利要求12所述的方法，该方法还包括以下步骤：
利用具有一个或更多个开口区域的钝化层来覆盖所述至少一个无机绝缘层。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，堆叠所述至少一个无机绝缘层的步骤包括以下步骤：
在所述基板上形成第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上形成第二缓冲层；
在位于所述第二缓冲层上的半导体层上形成栅极绝缘层；
在位于所述栅极绝缘层上的第一栅极上形成第一层间介质层；以及
在位于所述第一层间介质层上的第二栅极上形成第二层间介质层。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述通孔的步骤包括以下步骤：
对所述第二缓冲层、所述栅极绝缘层、所述第一层间介质层和所述第二层间介质层中的至少一个进行蚀刻，以形成使所述边框区域的所述第一缓冲层暴露的所述通孔。
16.根据权利要求15所述的方法，该方法还包括以下步骤：
对所述显示区域的所述第二缓冲层、所述栅极绝缘层、所述第一层间介质层和所述第二层间介质层中的至少一个进行蚀刻，以形成使所述半导体层和所述第二栅极暴露的接触孔。
17.根据权利要求13所述的方法，该方法还包括以下步骤：
对所述钝化层进行蚀刻以在所述钝化层中形成所述一个或更多个开口区域。
18.一种显示设备，该显示设备包括：
基板，该基板具有显示区域和非显示区域；以及
裂纹防止图案，该裂纹防止图案形成在所述非显示区域中并且包围所述显示区域，
所述裂纹防止图案包括所述非显示区域处的一个或更多个绝缘层中的一个或更多个不连续部分。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述不连续部分由所述非显示区域处的所述一个或更多个绝缘层中的壁和间隙构成。
20.根据权利要求19所述的显示设备，该显示设备还包括覆盖所述壁中的一个或更多个并且填充在所述间隙内的钝化层，并且所述钝化层具有与所述裂纹防止图案的所述间隙不交叠的一个或更多个开口。
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