CN108110029A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
公开了一种用于防止由微小气泡导致的有缺陷的驱动和暗斑的显示装置。该显示装置包括：柔性基板；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管被设置在所述柔性基板上；第一电极，所述第一电极连接到所述薄膜晶体管；堤层，所述堤层包括使所述第一电极暴露的像素限定部和与所述像素限定部间隔开的沟槽部；有机层，所述有机层被设置在所述第一电极和所述堤层上；以及第二电极，所述第二电极被设置在所述有机层上。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置，更具体地，涉及一种用于防止由微小气泡导致的有缺陷的驱动并减轻组件应力的显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的需求以各种方式不断增加。在显示装置领域中，大型阴极射线管(CRT)已经被具有外形薄、重量轻和屏幕尺寸大的优点的平板显示器(FPD)迅速取代。平板显示器的示例包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器和电泳显示器(EPD)。
OLED显示器包括能够自己发光的自发光元件，并且具有响应时间块、发光效率高、亮度高和视角宽的优点。具体地，OLED显示器可在柔性塑料基板上制造。此外，与等离子体显示面板或无机电致发光显示器相比，OLED显示器具有较低的驱动电压、更低的功耗和更好的色调的优点。
在包括柔性塑料基板的OLED显示器中，将聚酰亚胺涂覆在玻璃基板上，在聚酰亚胺基板上制造诸如薄膜晶体管和有机发光二极管这样的元件，并且使用粘合剂将金属片附接到聚酰亚胺基板并进行封装。在将膜上芯片(COF)附接到焊盘部并且使玻璃基板与聚酰亚胺基板分离之后，将保护膜附接到聚酰亚胺基板。因此，制造了包括柔性聚酰亚胺基板的OLED显示器。
在将金属片附接到其上形成有元件的基板的工序中，产生细小气泡。细小气泡被捕获在元件的内部并且看起来从金属板的表面突出。然而，因为金属片具有很强的刚性，所以在玻璃基板被分离之后，微小气泡通过金属片的推力被推入有机发光二极管中。因此，存在有机发光二极管的发光层被剥离的问题。因此，由于发光层的剥离而出现许多暗斑，从而导致有缺陷的驱动。
发明内容
本公开提供了一种能够防止由细小气泡导致的有缺陷的驱动和暗斑并减轻应力的显示装置。
在一方面，提供一种显示装置，该显示装置包括：柔性基板；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管被设置在所述柔性基板上；第一电极，所述第一电极连接到所述薄膜晶体管；堤层，所述堤层包括使所述第一电极暴露的像素限定部和与所述像素限定部间隔开的沟槽部；有机层，所述有机层被设置在所述第一电极和所述堤层上；以及第二电极，所述第二电极设置在所述有机层上。
所述沟槽部通过凹陷地压制所述堤层的一部分形成，或者被形成为穿过所述堤层的孔的形状。
所述沟槽部不与所述薄膜晶体管和所述第一电极交叠。
该显示装置还包括：保护层，所述保护层被设置在所述第二电极上；粘合层，所述粘合层被设置在所述保护层上；以及上保护构件，所述上保护构件被设置在所述粘合层上。
第一收集空间在所述像素限定部中被设置在所述保护层与所述粘合层之间，并且第二收集空间在所述沟槽部中被设置在所述保护层与所述粘合层之间。
在另一方面，提供一种显示装置，该显示装置包括：多个子像素，所述多个子像素在柔性基板上由选通线、数据线和电力线的交叉限定，所述数据线和所述电力线与所述选通线交叉；其中，所述多个子像素中的每一个包括：发光部和电路部，所述发光部发射光，所述电路部中至少设置有薄膜晶体管；第一电极，所述第一电极连接到所述薄膜晶体管；堤层，所述堤层包括使所述第一电极暴露的像素限定部和与所述像素限定部间隔开的沟槽部；有机层，所述有机层被设置在所述第一电极和所述堤层上；以及第二电极，所述第二电极被设置在所述有机层上。
所述沟槽部与所述选通线交叠。
所述沟槽部与所述数据线和所述电力线交叠。
所述沟槽部通过凹陷地压制所述堤层的一部分形成，或者被形成为穿过所述堤层的孔的形状。
所述沟槽部不与所述薄膜晶体管和所述第一电极交叠。
该显示装置还包括：保护层，所述保护层被设置在所述第二电极上；粘合层，所述粘合层被设置在所述保护层上；以及上保护构件，所述上保护构件被设置在所述粘合层上。
第一收集空间在所述像素限定部中被设置在所述保护层与所述粘合层之间，并且第二收集空间在所述沟槽部中被设置在所述保护层与所述粘合层之间。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与本说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中：
图1是根据本公开的实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器的示意性框图；
图2例示了子像素的电路配置的第一示例；
图3例示了子像素的电路配置的第二示例；
图4是根据本公开的实施方式的OLED显示器的平面图；
图5是例示根据本公开的实施方式的OLED显示器的子像素的平面图；
图6、图7和图8是例示制造OLED显示器的方法的截面图；
图9和图10是例示OLED显示器的微小气泡的移动的截面图；
图11是沿图5的I-I'线截取的截面图；
图12、图13和图14是根据本公开的实施方式的子像素的平面图；
图15是沿图12的II-II'线截取的截面图；
图16是根据比较性示例的OLED显示器的截面图；
图17是根据比较性示例的子像素的平面图；
图18、图19和图20例示了当打开根据比较性示例的OLED显示器时的图像；
图21例示了图11的区域“A”中的应力模式；以及
图22例示了图11的区域“B”中的应力模式。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的实施方式，在附图中例示了本公开的实施方式的示例。在任何可能的情况下，相同的附图标记在整个附图中被用于指代相同或相似的部件。将注意到如果确定已经技术会误导本公开的实施方式，则将省略对已知技术的详细描述。以下说明中使用的各个元件的名称仅为了便于书写说明书而选择的，并且可因此与实际产品中使用的名称不同。
根据本公开的实施方式的显示装置是其中显示元件形成在柔性基板上的柔性显示装置。柔性显示装置的示例包括有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)和电泳显示器。使用OLED显示器作为示例来描述实施方式。OLED显示器包括由用作阳极的第一电极与用作阴极的第二电极之间的有机材料形成的有机层。OLED显示器是被配置为通过在有机层内部将从第一电极接收的空穴与从第二电极接收的电子复合而形成空穴-电子对(即，激子)，并且通过在激子返回到基态时产生的能量而发光的自发光显示装置。
下面参照图1至图22描述本公开的实施方式。
图1是根据本公开的实施方式的OLED显示器的示意性框图。图2例示了子像素的电路配置的第一示例。图3例示了子像素的电路配置的第二示例。
参照图1，根据本公开的实施方式的OLED显示器包括图像处理单元10、定时控制器20、数据驱动器30、选通驱动器40和显示面板50。
图像处理单元10输出从外部提供的数据信号DATA和数据使能信号DE。除了数据使能信号DE之外，图像处理单元10还可输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或更多个。为了便于说明，未示出这些信号。图像处理单元10作为集成电路(IC)形成在***电路板上。
定时控制器20从图像处理单元10接收数据信号DATA和包括数据使能信号DE或垂直同步信号、水平同步信号、时钟信号等的驱动信号。
定时控制器20基于驱动信号输出用于控制选通驱动器40的操作定时的选通定时控制信号GDC和用于控制数据驱动器30的操作定时的数据定时控制信号DDC。定时控制器20可作为IC形成在控制电路板上。
数据驱动器30响应于从定时控制器20提供的数据定时控制信号DDC对从定时控制器20接收的数据信号DATA进行采样和锁存，并使用伽马参考电压来转换采样和锁存后的数据信号DATA。数据驱动器30将转换后的数据信号DATA输出到数据线DL1至DLn。数据驱动器30作为IC附接到基板。
选通驱动器40响应于从定时控制器20提供的选通定时控制信号GDC，在对选通电压的电平进行移位的同时输出选通信号。选通驱动器40将选通信号输出到选通线GL1至GLm。选通驱动器40作为IC形成在选通电路板上，或者以面板内选通(GIP)方式形成在显示面板50上。
显示面板50响应于从数据驱动器30接收到的数据信号DATA和从选通驱动器40接收到的选通信号来显示图像。显示面板50包括用于显示图像的子像素SP。
如图2所示，每个子像素可包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、补偿电路CC和有机发光二极管(OLED)。OLED基于由驱动晶体管DR导致的驱动电流进行操作以发光。
开关晶体管SW响应于通过选通线GL1提供的选通信号执行开关操作，以使得通过第一数据线DL1提供的数据信号作为数据电压被存储在电容器Cst中。驱动晶体管DR使得驱动电流能够基于存储在电容器Cst中的数据电压而在高电位电力线VDD与低电位电力线GND之间流动。补偿电路CC是用于补偿驱动晶体管DR的阈值电压的电路。连接到开关晶体管SW或驱动晶体管DR的电容器可安装在补偿电路CC内部。补偿电路CC包括一个或更多个薄膜晶体管(TFT)以及电容器。补偿电路CC的配置可根据补偿方法被不同地改变。将对补偿电路CC进行简要说明。
如图3所示，包括补偿电路CC的子像素还可包括用于驱动补偿TFT的信号线和用于提供预定信号或电力的电力线。选通线GL1可包括向开关晶体管SW提供选通信号的1-1选通线GL1a以及用于驱动包括在子像素中的补偿TFT的1-2选通线GL1b。所添加的电力线可被限定为用于将子像素的预定节点初始化为预定电压的初始化电力线INIT。然而，这仅仅是示例，并且实施方式不限于此。
图2和图3通过示例例示了一个子像素包括补偿电路CC。然而，当要补偿的对象(例如，数据驱动器30)设置在子像素外部时，可省略补偿电路CC。子像素具有其中设置有开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器和OLED的2T(晶体管)1C(电容器)的配置。然而，当将补偿电路CC添加到子像素时，子像素可具有诸如3T1C、4T2C、5T2C、6T2C、7T2C等的各种配置。另外，图2和图3通过示例例示了补偿电路CC设置在开关晶体管SW与驱动晶体管DR之间。然而，补偿电路CC还可设置在驱动晶体管DR与OLED之间。补偿电路CC的位置和结构不限于图2和图3所示的位置和结构。
图4是根据本公开的实施方式的OLED显示器的平面图。图5是例示根据本公开的实施方式的OLED显示器的子像素的平面图。
参照图4，OLED显示器包括柔性基板PI、显示单元A/A、在显示单元A/A外侧设置在柔性基板PI的右侧的GIP驱动器GIP以及设置在柔性基板PI的下侧的焊盘部PD。显示单元A/A可包括多个子像素SP。例如，显示单元A/A的R(红色)子像素、G(绿色)子像素和B(蓝色)子像素或者R、G、B和W(白色)子像素可发光以表示全色。GIP驱动器GIP设置在显示单元A/A的一侧(例如，右侧)，并向显示单元A/A施加选通驱动信号。膜上芯片COF附接到设置在显示单元A/A的一侧(例如，下侧)的焊盘部PD。数据信号和电力通过膜上芯片COF被施加到与显示单元A/A连接的多条信号线(未示出)。
下面参照图5描述根据本公开的实施方式的OLED显示器的子像素SP的平面结构。
参照图5，根据本公开的实施方式的OLED显示器在柔性基板PI上设置选通线GL1以及与选通线GL1交叉的电力线VDD和数据线DL1以限定子像素SP。子像素SP包括开关TFT S_TFT、驱动TFT D_TFT、电容器Cst以及连接到驱动TFT D_TFT的有机发光二极管(未示出)。开关TFT S_TFT用于选择像素。开关TFT S_TFT包括半导体层121、从选通线GL1分支的栅极123、从数据线DL1分支的源极124以及漏极126。电容器Cst包括与开关TFT S_TFT的漏极126连接的电容器下电极127和连接到电力线VDD的电容器上电极128。驱动TFT D_TFT用于驱动由开关TFT S_TFT选择的像素的第一电极ANO。驱动TFT D_TFT包括半导体层120、连接到电容器下电极127的栅极130、从电力线VDD分支的源极140以及漏极145。有机发光二极管包括与驱动TFT D_TFT的漏极145连接的第一电极ANO、包括形成在第一电极ANO上的发光层的有机层(未示出)以及第二电极(未示出)。
可如下制造根据本公开的实施方式的OLED显示器。图6至图8是例示制造OLED显示器的方法的截面图。图9和图10是例示OLED显示器的微小气泡的移动的截面图。
如图6所示，在玻璃基板GLS上涂覆聚酰亚胺以形成柔性基板PI。在柔性基板PI上形成TFT阵列TFTA和有机发光二极管OLED，并且在柔性基板PI上形成保护TFT阵列TFTA和有机发光二极管OLED的保护层PRL。由金属片形成的上保护构件UP使用粘合层ADH附接到柔性基板PI并封装上述组件。随后，膜上芯片使用各向异性导电膜(ACF)附接到柔性基板PI的焊盘部，并且将塔菲胶(tuffy)TUF施加到焊盘部。接下来，如图7和图8所示，使用激光将设置在柔性基板PI下方的玻璃基板GLS与柔性基板PI分离。将由树脂膜形成的下保护构件LP附接到柔性基板PI的去除了玻璃基板GLS的下表面。因此，制造了OLED显示器。
如图9所示，在将上保护构件UP附接到大面积柔性基板PI的过程中不可避免地出现微小气泡。微小气泡被收集在由限定有机发光二极管的发光部的堤层的高度差形成的空间(或阶梯部)中。然而，当大量微小气泡产生并超过空间的收集能力时，在堤层的阶梯部以及平坦部中存在微小气泡。微小气泡看起来从上保护构件UP的表面突出，因此造成OLED显示器的外观问题。然而，微小气泡不会在OLED显示器的驱动中造成故障。
然而，如图10所示，由于具有最强刚性的玻璃基板GLS与柔性基板PI分离，所以柔性基板PI不再具有最强的刚性。因此，位于OLED显示器的上部的气泡通过上保护构件UP的推力沿垂直方向被推压。由于上保护构件UP的刚性而被推到OLED显示器的下部的气泡使具有最弱粘合力的有机层OLE与阴极CAT之间的界面剥离，从而用物理力破坏了OLED显示器。因此，产生组件的有缺陷的驱动和子像素的许多暗斑，并且柔性基板PI的下表面(即，图像显示表面)突出。
因此，本公开的实施方式提供了一种能够通过充分确保微小气泡的收集空间来防止有缺陷的驱动、暗斑等的OLED显示器。
图11是沿图5的I-I'线截取的截面图。图12至图14是子像素的平面图。图15是沿图12的II-II'线截取的截面图。图16是根据比较性示例的OLED显示器的截面图。图17是根据比较性示例的子像素的平面图。
如图11所示，在根据本公开的实施方式的OLED显示器中，在柔性基板PI上设置第一缓冲层BUF1。柔性基板PI可以是例如聚酰亚胺基板。因此，根据本公开的实施方式的柔性基板PI可具有柔性特性。第一缓冲层BUF1保护后续工序中形成的薄膜晶体管不受从柔性基板PI排出的杂质(例如，碱离子)的影响。第一缓冲层BUF1可由硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层形成。
在第一缓冲层BUF1上设置屏蔽层LS。屏蔽层LS防止可通过使用聚酰亚胺基板产生的面板驱动电流的降低。在屏蔽层LS上设置第二缓冲层BUF2。第二缓冲层BUF2保护在后续工序中形成的薄膜晶体管不受从屏蔽层LS排出的杂质(例如，碱离子)的影响。第二缓冲层BUF2可由硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层形成。
半导体层120设置在第二缓冲层BUF2上，并且可由硅半导体或氧化物半导体形成。硅半导体可包括非晶硅或结晶的多晶硅。多晶硅具有高迁移率(例如，大于100cm2/Vs)、低功耗和优异的可靠性。因此，可将多晶硅应用到用于驱动元件的选通驱动器和/或复用器(MUX)或应用于OLED显示器的每个像素的驱动TFT。因为氧化物半导体具有低的截止电流，所以氧化物半导体适合具有短导通时间和长截止时间的开关TFT。此外，因为氧化物半导体由于低截止电流而增加了像素的电压保持时间，所以氧化物半导体适合需要低速驱动和/或低功耗的显示装置。此外，半导体层120包括各自包含p型或n型杂质的漏极区域和源极区域，并且还包括在漏极区域与源极区域之间的沟道区域。
栅极绝缘层GI设置在半导体层120上，并且可由硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层形成。栅极130在与半导体层120的预定区域(即，注入杂质时的沟道区域)对应的位置处设置在栅极绝缘层GI上。电容器下电极127设置在半导体层120的一部分上，栅极绝缘层GI插置于其间。选通线GL1设置在第二缓冲层BUF2上，栅极绝缘层GI插置于其间。栅极130和电容器下电极127可由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其组合形成。此外，栅极130和电容器下电极127可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其组合形成的多层。例如，栅极130和电容器下电极127可被形成为Mo/Al-Nd或Mo/Al的双层。
层间介电层ILD设置在栅极130上并使栅极130绝缘。层间介电层ILD可由硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层形成。在层间介电层ILD的一部分中形成使半导体层120的一部分暴露的接触孔CH。
在层间介电层ILD上设置源极140和漏极145。漏极145通过使半导体层120的漏极区域暴露的接触孔CH连接到半导体层120，并且源极140通过使半导体层120的源极区域暴露的接触孔CH连接到半导体层120。此外，在层间介电层ILD上设置电容器上电极128。源极140、漏极145和电容器上电极128中的每一个可被形成为单层或多层。当源极140、漏极145和电容器上电极128中的每一个被形成为单层时，源极140、漏极145和电容器上电极128中的每一个可由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其组合形成。当源极140、漏极145和电容器上电极128中的每一个被形成为多层时，源极140、漏极145和电容器上电极128中的每一个可被形成为Mo/Al-Nd的双层或者被形成为Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo或Mo/Al-Nd/Mo的三层。因此，形成包括半导体层120、栅极130、源极140和漏极145的驱动薄膜晶体管D_TFT。
此外，在包括驱动薄膜晶体管D_TFT的柔性基板PI上设置钝化层PAS。钝化层PAS是保护钝化层PAS下面的组件的绝缘层，并且可由硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层形成。在钝化层PAS上设置滤色器CF。滤色器CF用于将由有机发光二极管OLED发出的白光转换成红光、绿光或蓝光。在滤色器CF上设置涂覆层OC。涂覆层OC可以是用于降低底层结构的高度差(或阶梯覆盖)的平整层，并且可由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂和丙烯酸酯这样的有机材料形成。例如，涂覆层OC可通过旋涂玻璃(SOG)方法形成，以用于以液态涂覆有机材料，然后固化有机材料。
在钝化层PAS的一部分中设置使驱动薄膜晶体管D_TFT的漏极145暴露的通孔VIA。在涂覆层OC上设置有机发光二极管OLED。更具体地，在涂覆层OC上设置第一电极ANO。第一电极ANO用作像素电极，并且通过通孔VIA连接到驱动薄膜晶体管D_TFT的漏极145。第一电极ANO是阳极，并且由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和锌氧化物(ZnO)这样的透明导电材料形成。当第一电极ANO是反射电极时，第一电极ANO还可包括反射层。反射层可由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)、钯(Pd)或其组合形成。例如，反射层可由Ag/Pd/Cu(APC)合金形成。
此外，在包括第一电极ANO的柔性基板PI上设置限定像素的堤层BNK。堤层BNK可由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂和丙烯酸酯这样的有机材料形成。堤层BNK包括使第一电极ANO暴露的像素限定部OP。与第一电极ANO接触的有机层OLE设置在柔性基板PI的前表面处。有机层OLE是电子和空穴复合并发光的层。空穴注入层和/或空穴传输层可设置在有机层OLE与第一电极ANO之间，而电子注入层和/或电子传输层可设置在有机层OLE上。
第二电极CAT设置在有机层OLE上，并且可设置在显示单元A/A(参见图4)的前表面上。此外，第二电极CAT是阴极，并且可由具有低功函数的镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)或其组合形成。当第二电极CAT是透射电极时，第二电极CAT可足够薄以透射光。此外，当第二电极CAT是反射电极时，第二电极CAT可足够厚以反射光。
保护层PRL设置在柔性基板PI的其上形成有驱动薄膜晶体管D_TFT和有机发光二极管OLED的上表面上，并且上保护构件UP通过粘合层ADH附接到保护层PRL的上部。上保护构件UP可以是金属片。此外，下保护构件LP通过粘合层ADH附接到柔性基板PI的下表面。由于下保护构件LP必须透光，所以下保护构件LP可由透明树脂膜形成。
根据本公开的实施方式的OLED显示器包括从有机层OLE发射光的发光部LEP，以及其中形成有诸如驱动薄膜晶体管D_TFT、开关薄膜晶体管(未示出)和电容器Cst的电路部DEP。
根据本公开的实施方式的堤层BNK包括通过凹陷地压制堤层BNK的一部分而形成的沟槽部GOP。堤层BNK具有与暴露第一电极ANO的像素限定部OP对应的高度差(或阶梯部)。由堤层BNK的像素限定部OP形成的阶梯部形成保护层PRL与上保护构件UP的粘合层ADH之间的第一收集空间SPC1，并且可收集气泡。然而，由于第一收集空间SPC1不能收集OLED显示器的所有气泡，所以本公开的实施方式另外在堤层BNK中形成沟槽部GOP，并且还包括第二收集空间SPC2。由堤层BNK的沟槽部GOP形成的高度差(或阶梯部)形成保护层PRL与上保护构件UP的粘合层ADH之间的第二收集空间SPC2，并且能够收集气泡。
参照图11和图12，堤层BNK的沟槽部GOP设置在除子像素的发光部LEP和电路部DEP之外的剩余区域中。堤层BNK的沟槽部GOP可与选通线GL1、数据线DL1和电力线VDD中的至少一条交叠。像素限定部OP形成在发光部LEP中，并且由于沟槽部GOP的大高度差，所以难以在电路部DEP中形成沟槽部GOP。因此，沟槽部GOP不与第一电极ANO和驱动薄膜晶体管D_TFT交叠。
如图13所示，堤层BNK的沟槽部GOP可被设置成与数据线DL1和电力线VDD交叠。此外，如图14所示，堤层BNK的沟槽部GOP可被设置成与选通线GL1交叠。因此，根据本公开的实施方式的堤层BNK的沟槽部GOP可设置在除发光部LEP和电路部DEP之外的任何位置。
再次参照图11，堤层BNK的沟槽部GOP可通过去除堤层BNK的一部分而形成为沟槽的形状，但不限于此。例如，沟槽部GOP可通过完全去除堤层BNK来形成为使堤层BNK下面的钝化层PAS暴露的孔的形状。此外，沟槽部GOP的深度没有特别限制。即，只要堤层BNK的沟槽部GOP可形成高度差，沟槽部GOP的深度没多大关系。
参照图15，当堤层BNK的沟槽部GOP被设置成与数据线DL1和电力线VDD交叠时，堤层BNK的沟槽部GOP设置在相邻子像素的发光部LEP之间。
如上所述，根据本公开的实施方式的OLED显示器可通过在堤层BNK中形成沟槽部GOP来充分确保气泡的收集空间，从而防止由气泡导致的有缺陷的驱动和暗斑。
参照图16和图17，因为根据比较性示例的OLED显示器仅包括发光部LEP中的第一收集空间SPC1，所以根据比较性示例的OLED显示器在收集大量气泡方面存在困难。因此，比较性示例在防止由气泡导致的有缺陷的驱动和许多暗斑方面存在困难。
图18至图20例示了当打开根据比较性示例的OLED显示器时的图像。
如图18所示，在根据比较性示例的OLED显示器中，在有机层与第二电极之间出现了由气泡导致的剥离。如图19所示，在执行了用于将下保护构件附接到柔性基板的下部的层压工序之后，在有机层与第二电极之间更深入地出现了由气泡导致的剥离。如图20所示，当打开根据比较性示例的OLED显示器时，出现许多暗斑。
另一方面，根据本公开的实施方式的OLED显示器在堤层中形成沟槽部，并且因此可充分确保能够收集气泡的气泡收集空间。
根据比较性示例的OLED显示器和根据本公开的实施方式的OLED显示器中的气泡收集空间的平面面积被测量并示出在下面的表1中。
[表1]
如上表1所示，根据本发明的实施方式的OLED显示器包括堤层中的沟槽部，因此与比较性示例相比，可使气泡收集空间的平面面积增加约1.6倍。
此外，根据本公开的实施方式的OLED显示器包括堤层中的沟槽部，并且因此可减轻层压结构的应力。
图21例示了图11的区域“A”中的应力模式，并且图22例示了图11的区域“B”中的应力模式。
如图22所示，在其中形成堤层中的沟槽部的区域“B”中，应力通过堤层的沟槽部减轻。然而，如图21所示，在堤层中未形成沟槽部的区域“A”中，堤层被施加大的应力。
因此，本公开的实施方式包括堤层中的沟槽部，并且因此可完全减轻施加到OLED显示器的应力。因此，即使重复执行弯曲或拉伸OLED显示器的操作，本公开的实施方式也可防止层压层被应力损坏。
如上所述，根据本公开的实施方式的OLED显示器包括堤层中的沟槽部并且另外确保气泡的收集空间，从而防止由气泡导致的有缺陷的驱动和暗斑。此外，即使重复执行弯曲或拉伸OLED显示器的操作，根据本公开的实施方式的OLED显示器也可通过减轻OLED显示器的整个应力来防止层压层被应力损坏。
尽管已经参照本公开的多个示例性实施方式描述了实施方式，但是应该理解的是，本领域技术人员能够设计出将落入本公开的原理的范围内的众多其它修改和实施方式。更具体地，可在本公开、附图和所附的权利要求的范围内对主题组合布置的组成部分和/或布置进行各种变型和修改。除了对这些组成部分和/或布置的变型和修改之外，对于本领域技术人员而言替代使用也将是显而易见的。
Claims (17)
1.一种显示装置，该显示装置包括：
柔性基板；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管被设置在所述柔性基板上；
第一电极，所述第一电极连接到所述薄膜晶体管；
堤层，所述堤层包括使所述第一电极暴露的像素限定部和与所述像素限定部间隔开的沟槽部；
有机层，所述有机层被设置在所述第一电极和所述堤层上；以及
第二电极，所述第二电极被设置在所述有机层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽部通过凹陷地压制所述堤层的一部分形成，或者被形成为穿过所述堤层的孔的形状。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽部不与所述薄膜晶体管和所述第一电极交叠。
4.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：
保护层，所述保护层被设置在所述第二电极上；
粘合层，所述粘合层被设置在所述保护层上；以及
上保护构件，所述上保护构件被设置在所述粘合层上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，第一收集空间在所述像素限定部中被设置在所述保护层与所述粘合层之间，并且
其中，第二收集空间在所述沟槽部中被设置在所述保护层与所述粘合层之间。
6.根据权利要求4所述的显示装置，该显示装置还包括：
下保护构件，所述下保护构件被设置在所述柔性基板下方。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽部通过凹陷地移除所述堤层的一部分形成。
8.一种显示装置，该显示装置包括：
多个子像素，所述多个子像素在柔性基板上由选通线、数据线和电力线的交叉限定，所述数据线和所述电力线与所述选通线交叉；
其中，所述多个子像素中的每一个包括：
发光部和电路部，所述发光部发射光，所述电路部中至少设置有薄膜晶体管；
第一电极，所述第一电极连接到所述薄膜晶体管；
堤层，所述堤层包括使所述第一电极暴露的像素限定部和与所述像素限定部间隔开的沟槽部；
有机层，所述有机层被设置在所述第一电极和所述堤层上；以及
第二电极，所述第二电极被设置在所述有机层上。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述沟槽部与所述选通线交叠。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述沟槽部与所述数据线和所述电力线交叠。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述沟槽部通过凹陷地压制所述堤层的一部分形成，或者被形成为穿过所述堤层的孔的形状。
12.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述沟槽部不与所述薄膜晶体管和所述第一电极交叠。
13.根据权利要求8所述的显示装置，该显示装置还包括：
保护层，所述保护层被设置在所述第二电极上；
粘合层，所述粘合层被设置在所述保护层上；以及
上保护构件，所述上保护构件被设置在所述粘合层上。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，第一收集空间在所述像素限定部中被设置在所述保护层与所述粘合层之间，并且
其中，第二收集空间在所述沟槽部中被设置在所述保护层与所述粘合层之间。
15.根据权利要求13所述的显示装置，该显示装置还包括：
下保护构件，所述下保护构件被设置在所述柔性基板下方。
16.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述沟槽部通过凹陷地移除所述堤层的一部分形成。
17.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述像素限定部被形成在所述发光部中，并且所述沟槽部未被形成在所述发光部或所述电路部中。
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