CN107022791A - 一种高效硅晶片热场长晶装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种高效硅晶片热场长晶装置,包括炉体,以及设置于炉体外的冷却器,炉体内设置有保温装置,保温装置内设置有坩埚,坩埚的外侧包覆有坩埚护板,坩埚护板外设置有用于对坩埚加热形成热场的加热器,所述坩埚护板底部设置有冷凝板,冷凝板连接有冷却管,冷却管与冷却器连接。本发明实现了对坩埚点局部强冷,实现了对小块籽晶熔化、生长的有效控制,减少单埚籽晶的投放量,已达到提高硅片质量降低成本目的。
Description
技术领域
本发明涉及光伏行业,多晶硅片制成领域、准单晶制造领域,具体为一种硅晶片热场长晶装置。
背景技术
硅晶片热场长晶装置是多晶硅片制成领域、准单晶制造领域常用的装置。现有的硅晶片热场长晶装置,对坩埚的冷气范围大,冷却气体不能重复利用,要求籽晶投放量大,籽晶质量很难控制,籽晶成本偏高。
发明内容
本发明的目的是提供一种高效硅晶片热场长晶装置及方法,以实现对坩埚点局部强冷,实现对小块籽晶熔化、生长的有效控制,减少单埚籽晶的投放量,以达到提高硅片质量降低成本目的。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种高效硅晶片热场长晶装置,包括炉体,以及设置于炉体外的冷却器,炉体内设置有保温装置,保温装置内设置有坩埚,坩埚的外侧包覆有坩埚护板,坩埚护板外设置有用于对坩埚加热形成热场的加热器,所述坩埚护板底部设置有冷凝板,冷凝板连接有冷却管,冷却管与冷却器连接。
所述冷却管内设置有导流管。
所述冷却管通过接头连接有连接管,连接管与冷却器连接。
所述冷却管的端部***冷凝板内部,与坩埚护板底部接触。
所述冷却管与坩埚护板接触位置位于坩埚护板底部的中心点处。
所述加热器包括设置于坩埚护板侧边的环形加热器,以及位于坩埚护板顶部上方的加热器。
一种高效硅晶片热场长晶方法,包括以下步骤:
将籽晶和陶瓷板置于坩埚内,开启加热器和冷却器;通过冷却器中的惰性气体循环对冷却管上部冷却,从而对坩埚护板底中部、坩埚底中部、坩埚底中部的籽晶冷却,控制籽晶的熔化及长晶速度。
有益效果:本发明以实现了对坩埚点局部强冷,实现了对小块籽晶熔化、生长的有效控制,减少单埚籽晶的投放量,达到了提高硅片质量降低成本目的。本发明通过惰性气体循环对冷却管上部冷却,从而对坩埚护板底中部、坩埚底中部、坩埚底中部的籽晶冷却,控制籽晶的熔化及长晶速度。可以用更少的籽晶来完成铸锭,从而达到降低铸锭成本。用更好的籽晶来完成铸锭,从而达到提高铸锭质量目的。解决了现有工艺籽晶用量多,质量、成本难控制的问题。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做更进一步的解释。
一种高效硅晶片热场长晶装置,包括炉体9,以及设置于炉体外的冷却器8,炉体9内设置有保温装置11,保温装置11内设置有坩埚2,坩埚2的外侧包覆有坩埚护板1,坩埚护板1外设置有用于对坩埚2加热形成热场的加热器10,所述坩埚护板1底部设置有冷凝板3,冷凝板3连接有冷却管4,冷却管4内设置有导流管5,冷却管4通过接头6连接有连接管7,连接管7与冷却器8连接。
冷却管4的端部***冷凝板3内部,与坩埚护板1底部接触;冷却管4与坩埚护板1接触位置位于坩埚护板1底部的中心点处。
加热器10包括设置于坩埚护板1侧边的环形加热器,以及位于坩埚护板1顶部上方的加热器,分别对坩埚2的侧面以及顶部提供热场。
一种高效硅晶片热场长晶方法,包括以下步骤:
将籽晶12和陶瓷板13置于坩埚2内,开启加热器10和冷却器8;通过冷却器8中的惰性气体循环对冷却管4上部冷却,从而对坩埚护板1底中部、坩埚2底中部、坩埚2底中部的籽晶12冷却,控制籽晶12的熔化及长晶速度。
本发明可以用更少的籽晶来完成铸锭,从而达到降低铸锭成本。用更好的籽晶来完成铸锭,从而达到提高铸锭质量目的。解决了现有工艺籽晶用量多,质量、成本难控制的问题。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种高效硅晶片热场长晶装置,其特征在于:包括炉体(9),以及设置于炉体外的冷却器(8),炉体(9)内设置有保温装置(11),保温装置(11)内设置有坩埚(2),坩埚(2)的外侧包覆有坩埚护板(1),坩埚护板(1)外设置有用于对坩埚(2)加热形成热场的加热器(10),所述坩埚护板(1)底部设置有冷凝板(3),冷凝板(3)连接有冷却管(4),冷却管与冷却器(8)连接。
2.根据权利要求1所述的高效硅晶片热场长晶装置,其特征在于:所述冷却管(4)内设置有导流管(5)。
3.根据权利要求1或2所述的高效硅晶片热场长晶装置,其特征在于:所述冷却管(4)通过接头(6)连接有连接管(7),连接管(7)与冷却器(8)连接。
4.根据权利要求1所述的高效硅晶片热场长晶装置,其特征在于:所述冷却管(4)的端部***冷凝板(3)内部,与坩埚护板(1)底部接触。
5.根据权利要求4所述的高效硅晶片热场长晶装置,其特征在于:所述冷却管(4)与坩埚护板(1)接触位置位于坩埚护板(1)底部的中心点处。
6.根据权利要求1所述的高效硅晶片热场长晶装置,其特征在于:所述加热器(10)包括设置于坩埚护板(1)侧边的环形加热器,以及位于坩埚护板(1)顶部上方的加热器。
7.一种高效硅晶片热场长晶方法,其特征在于:包括以下步骤:
将籽晶和陶瓷板置于坩埚内,开启加热器和冷却器;通过冷却器中的惰性气体循环对冷却管上部冷却,从而对坩埚护板底中部、坩埚底中部、坩埚底中部的籽晶冷却,控制籽晶的熔化及长晶速度。
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CN101906657A (zh) * | 2010-07-08 | 2010-12-08 | 王敬 | 制造单晶锭的*** |
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CN206418219U (zh) * | 2017-05-24 | 2017-08-18 | 镇江仁德新能源科技有限公司 | 一种高效硅晶片热场长晶装置 |
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