CN106950766A

CN106950766A - 液晶显示装置

Info

Publication number: CN106950766A
Application number: CN201611191028.3A
Authority: CN
Inventors: 宋炯真; 金京镐; 朴基凡; 申东熹
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2016-01-06
Filing date: 2016-12-21
Publication date: 2017-07-14
Also published as: US20170192317A1; US10488716B2; KR20170082691A; KR102459575B1

Abstract

本公开提供一种液晶显示装置。该液晶显示装置包括：在第一方向上延伸的栅线；在交叉第一方向的第二方向上延伸的数据线；包括第一区域和第二区域的像素，第一区域具有连接到栅线和数据线的晶体管以及将晶体管连接到像素电极的接触孔，第二区域具有像素电极，其中在第一区域上沿着第一方向的第一宽度的长度长于在第一区域上沿着第二方向的第二宽度的长度，其中在第二区域上沿着第一方向的第三宽度的长度长于在第二区域上沿着第二方向的第四宽度的长度。

Description

液晶显示装置

技术领域

本公开涉及一种显示装置。

背景技术

近来，正在积极地发展平板显示装置，例如液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置。LCD装置通过施加电场到容纳在两个显示面板之间的液晶层并通过控制电场的强度以调节穿过液晶层的光的透射率而获得期望的图像。OLED显示装置利用特定有机材料或者聚合物的电致发光来显示字符或者图像。

平板显示装置可以具有弯曲的表面以通过提供弯曲表面的显示区域而提供具有改善的三维感和沉浸感的图像。显示装置可以形成有遮盖除了显示图像的区域之外的区域的光屏蔽构件。

发明内容

本公开的一方面提供一种具有增大的透射率的显示装置。

根据本公开的示范实施方式，提供一种液晶显示装置。该液晶显示装置包括：栅线，在第一方向上延伸；数据线，在交叉第一方向的第二方向上延伸；像素，包括第一区域和第二区域，在第一区域中设置连接到栅线和数据线的晶体管以及用于连接晶体管和像素电极的接触孔，在第二区域中设置像素电极，其中第一宽度的长度比第二宽度的长度长，第一宽度是在第一区域上沿着第一方向延伸的任意的直线上的两点之间的距离的最大值，第二宽度是在第一区域上沿着第二方向延伸的任意的直线上的两点之间的距离的最大值，第三宽度的长度比第四宽度的长度长，第三宽度是在第二区域上沿着第一方向延伸的任意的直线上的两点之间的距离的最大值，第四宽度是在第二区域上沿着第二方向延伸的任意的直线上的两点之间的距离的最大值。

根据本公开的另一示范实施方式，提供一种液晶显示装置。该液晶显示装置包括：显示区域，其中设置矩阵阵列的多个像素，该多个像素沿着在平面上从左向右的第一方向以及在该平面上与第一方向交叉的第二方向彼此相邻地设置；多个栅线，在显示区域上在第一方向上延伸；多个数据线，在显示区域上在第二方向上延伸；以及光屏蔽构件，设置在显示区域上以交叠每个像素的局部区域以及多个栅线，其中显示区域包括设置在其中心线的左边的第一子显示区域以及设置在其中心线的右边的第二子显示区域，每个像素包括第一区域和第二区域，第一区域是其中设置连接到栅线和数据线的晶体管以及用于连接晶体管和像素电极的接触孔的区域，第二区域中设置像素电极，设置为交叠第一子显示区域的像素的局部区域的光屏蔽构件形成为与第一区域相同的形状并且设置为从第一区域向右偏移，设置为交叠第二子显示区域的局部区域的光屏蔽构件形成为与第一区域相同的形状并设置为从第一区域向左偏移。

附图说明

通过参照附图详细描述示范性实施方式，多个特征对于本领域普通技术人员将变得明显，附图中：

图1示出根据本公开的实施方式的显示装置的方框图；

图2示出图1中的显示装置的显示面板的单个像素的布局图；

图3示出沿图2的线I-I’截取的截面图；

图4示出图1中的显示装置的显示面板的单个像素的布局图，其另外示出光屏蔽构件；

图5示出根据本公开的另一实施方式的显示面板的透视图；

图6示出图5中示出的显示面板的侧视图；

图7示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的显示面板的示意图；

图8示出图7的区域F的放大布局图；

图9示出图7的区域G的放大布局图；

图10示出图7的区域H的放大布局图；

图11示出根据本公开的另一实施方式的显示面板的单个像素的布局图；

图12至图14示出图11中的显示面板的单个像素的布局图，其另外示出光屏蔽构件；

图15示出根据本公开的另一实施方式的显示面板的单个像素的布局图；以及

图16至图18示出图15中的显示面板的单个像素的布局图，其另外示出光屏蔽构件。

具体实施方式

现在将下面参照附图更充分地描述示例实施方式；然而，它们可以以不同的形式实施而不应被解释为限于这里阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式使得本公开透彻和完整，并将示范实施方式充分传达给本领域技术人员。

在附图中，为了图示的清晰，可以夸大层和区域的尺寸。还将理解，当一层或元件被称为“在”另一层或基板“上”时，它可以直接在该另一层或基板“上”，或者也可以存在居间的层。此外，还将理解，当一层被称为在两个层“之间”时，它可以是这两个层之间的仅有的层，或者也可以存在一个或多个居间的层。相同的附图标记始终指代相同的元件。

将理解，尽管这里可以使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区别开。因此，以下论述的第一元件可以被称为第二元件，而没有脱离本公开的教导。

这里使用的术语仅是为了描述特定实施方式的目的，而不旨在进行限制。如这里使用的，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，包括“至少一个”，除非该内容清楚地另外指示。“或”意味着“和/或”。如这里所用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何及所有组合。还将理解的，术语“包括”和/或“包含”当在本说明书中使用时，指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。

为了便于描述，这里可以使用空间关系术语诸如“在...之下”、“在...下面”、“下”、“之上”、“上”等来描述一个元件或特征与另一个(些)元件或特征如附图所示的关系。将理解，空间关系术语旨在涵盖除了附图中绘出的取向之外器件在使用或操作中的不同的取向。例如，如果附图中的装置被翻转，被描述为“在”其它元件或特征“下面”或“之下”的元件将会取向为在其它元件或特征“上面”。因此，示范性术语“在...下面”可以涵盖之上和之下两种取向。装置可以另外地取向(旋转90度或处于其它的取向)，这里使用的空间关系描述符被相应地解释。

在下文，将参照附图详细描述本公开的优选实施方式。

图1是根据本公开的实施方式的显示装置的方框图。作为示例，图1示出液晶显示(LCD)装置。

参照图1，根据实施方式的液晶显示装置可以包括栅驱动器110、数据驱动器120、信号控制器130和显示面板140。

信号控制器130从外部接收各种信号以控制栅驱动器110和数据驱动器120。例如，信号控制器130可以从外部接收第一图像数据DATA1和输入控制信号CONT1用于控制其显示，并可以输出栅驱动器控制信号CONT3、数据驱动器控制信号CONT2、第二图像数据DATA2等。

第一图像数据DATA1可以包括每个像素PX的亮度信息。亮度信息可以具有但是不限于限定数目(例如，1024(＝2¹⁰)、256(＝2⁸)或者64(＝2⁶))的灰阶，并可以具有其它的值。输入的第一图像数据DATA1可以以帧为单位来划分。

传输到信号控制器130的输入控制信号CONT1可以包括例如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、主时钟Mclk、数据使能信号DE等。然而，其它类型的信号可以被另外地输入，而不限于此。

栅驱动器控制信号CONT3可以是控制栅驱动器110的操作的信号，并可以由信号控制器130产生。栅驱动器控制信号CONT3可以包括扫描开始信号、时钟信号等，并且还可以包括其它信号，而不限于此。栅驱动器110可以根据栅驱动器控制信号CONT3产生能够激活像素PX的栅信号，并可以提供栅信号到对应的栅线G1至Gn。

数据驱动器控制信号CONT2可以是控制数据驱动器120的操作的信号，并可以由信号控制器130产生。数据驱动器120可以根据数据驱动器控制信号CONT2产生数据信号，并可以传输数据信号到对应的数据线。

显示面板140包括显示区域DA和非显示区域NDA。像素PX可以设置在显示区域DA中，用于驱动像素PX所需的部件可以设置在非显示区域NDA中。例如，用于驱动像素PX所需的部件可以对应于信号控制器130、数据驱动器120和栅驱动器110。

像素PX是在显示被用户实际可视地识别的图像时能够控制图像的单独的灰阶的最小单位。像素PX可以以矩阵的形式布置在显示区域DA中。

数据线D1至Dm和栅线G1至Gn可以设置在显示面板140上。栅线G1至Gn可以从栅驱动器110接收栅信号，并可以提供栅信号到对应的像素PX。数据线D1至Dm可以从数据驱动器120接收数据信号，并可以提供数据信号到对应的像素PX。

每个像素PX可以连接到数据线D1至Dm中的一条以及栅线G1至Gn中的一条，像素PX可以通过从数据线D1至Dm提供的数据信号和从栅线G1至Gn供应的栅信号来控制。然而，数据线D1至Dm中的一条可以连接到多个像素PX，栅线G1至Gn中的一条可以连接到多个像素PX。

另外，每个像素PX可以唯一地显示原色中的单个颜色以实现彩色显示。原色的示例可以包括红色、绿色和蓝色。在本说明书中，显示红色的像素PX被称为红色像素，显示绿色的像素PX被称为绿色像素，显示蓝色的像素PX被称为蓝色像素，显示白色的像素PX被称为白色像素。

连续地设置的红色像素、绿色像素和蓝色像素可以聚集在一起以形成单个上部像素UPX。上部像素UPX可以通过三个像素PX聚集在一起而形成，三个聚集在一起的像素PX的每个可以仅显示红色、绿色和蓝色之一，但是单个上部像素UPX可以显示任意的颜色。这里，任意的颜色表示能够通过结合红色像素中显示的红色、绿色像素中显示的绿色以及蓝色像素中显示的蓝色而显示的各种颜色的全部。

可以考虑到其中需要数据线D1至Dm之一以及栅线G1至Gn中的三条来控制单个上部像素UPX的操作的情况以及其中需要栅线G1至Gn之一以及数据线D1至Dm中的三条来控制单个上部像素UPX的操作的情况。然而，在前一种情况下，LCD装置的制造成本可以低于后者的情况。例如，随着LCD装置所需的数据线D1至Dm的数目增加，数据驱动器120的制造成本增加，并且随着LCD装置所需的栅线G1至Gn的数目增加，栅驱动器110的制造成本会增加。然而，通常，具有增加的数目的栅线G1至Gn的栅驱动器110的制造成本的增加幅度可以小于具有增加的数目的数据线D1至Dm的数据驱动器120的制造成本的增加幅度。

因此，在本实施方式中，单个上部像素UPX可以连接到数据线D1至Dm之一和栅线G1至Gn中的三条。然而，对于这些连接结构，包含在上部像素UPX中的每个像素PX的宽度可以在特定方向上形成得长。这将在下面更详细地描述。

图2是显示面板140的单个像素PX的布局图，图3是沿图2的线I-I’截取的截面图，图4是其中在显示面板140的单个像素PX中另外示出光屏蔽构件的布局图。参照图2至图4，根据本实施方式的显示面板140可以包括阵列基板AS、相对基板OAS以及液晶层LCL。

参照图3，阵列基板AS形成有用于驱动液晶层LCL的液晶分子的晶体管TR，并且相对基板OAS是与阵列基板AS相对地设置的基板。在下文，将描述阵列基板AS。

阵列基板AS可以包括第一基底基板SUB1。第一基底基板SUB1可以是透明的绝缘基板。例如，第一基底基板SUB1可以由例如玻璃基板、石英基板、透明树脂基板等制成。此外，第一基底基板SUB1也可以包括例如具有高耐热性的聚合物或者塑料。

在一些实施方式中，第一基底基板SUB1还可以具有柔性。也就是，第一基底基板SUB1可以是能够通过滚压、折叠、弯折等变形的基板，并且可以利用第一基底基板SUB1来制造弯曲表面的显示装置。

参照图2，栅线GL、第一栅电极GE_a、第二栅电极GE_b和第三栅电极GE_c可以设置在第一基底基板SUB1上。栅线GL可以传输栅信号并可以在第一方向dr1上延伸。

这里，第一方向dr1对应于平行于第一基底基板SUB1的一侧延伸的方向，并且如图2所示，第一方向dr1可以定义为由从左向右延伸的任意的直线表示的方向。然而，实施方式不限于此，并且第一方向dr1不一定需要平行于第一基底基板SUB1的一侧，并且也可以是由在第一基底基板SUB1上在特定方向上延伸的任意的直线表示的方向。

栅信号可以是从外部提供的具有变化的电压值的信号，并且下面描述的第一至第三晶体管TR_a、TR_b和TR_c的开/关可以根据栅信号的电压值来控制。

第一至第三栅电极GE_a、GE_b和GE_c可以形成为从栅线GL突出的形状，并可以是形成将在后面描述的第一至第三晶体管TR_a、TR_b和TR_c的部件之一。在单个栅线GL，可以形成多个第一栅电极GE_a、多个第二栅电极GE_b和多个第三栅电极GE_c。第一至第三栅电极GE_a、GE_b和GE_c的布置将在下面参照第一至第三晶体管TR_a、TR_b和TR_c的描述更详细地描述。

栅线GL以及第一至第三栅电极GE_a、GE_b和GE_c可以包含铝基金属例如铝(Al)或者铝合金、银基金属例如银(Ag)或者银合金、铜基金属例如铜(Cu)或者铜合金、钼基金属例如钼(Mo)或者钼合金、铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)。栅线GL以及第一至第三栅电极GE_a、GE_b和GE_c可以具有单层结构或者也可以具有多层结构，该多层结构包括具有不同的物理性质的至少两个导电层。例如，单个导电膜可以由低电阻金属例如铝基金属、银基金属、铜基金属等制成，以减小栅线GL以及第一至第三栅电极GE_a、GE_b和GE_c的信号延迟或者电压降。在另一示例中，另一些导电膜可以由其它的材料形成，例如具有与铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的优异的接触特性的材料，诸如钼基金属、铬、钛、钽等。这些组合的示例可以是下铬膜和上铝膜以及下铝膜和上钼膜。然而，本公开不限于此，并且栅线GL以及第一至第三栅电极GE_a、GE_b和GE_c可以由各种导体诸如金属形成。

栅绝缘膜GI可以设置在栅线GL以及第一至第三栅电极GE_a、GE_b和GE_c上。栅绝缘膜GI可以由绝缘材料例如硅氮化物或者硅氧化物制成。栅绝缘膜GI可以由单层结构制成或者可以具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理性质的至少两个绝缘层。

第一至第三半导体层AL_a、AL_b和AL_c可以设置在栅绝缘膜GI上。第一半导体层AL_a可以至少部分地交叠第一栅电极GE_a，第二半导体层AL_b可以至少部分地交叠第二栅电极GE_b，第三半导体层AL_c可以至少部分地交叠第三栅电极GE_c。第一至第三半导体层AL_a、AL_b和AL_c可以包括例如非晶硅、多晶硅或者氧化物半导体。第一至第三半导体层AL_a、AL_b和AL_c分别交叠第一至第三栅电极GE_a、GE_b和GE_c中的对应一个，并可以根据工艺而设置为交叠将在后面描述的数据线DL、源电极SE或漏电极DE的至少部分或者全部。

在一些实施方式中，欧姆接触构件可以进一步设置在第一至第三半导体层AL_a、AL_b和AL_c之上。欧姆接触构件可以由掺杂有高密度的n型杂质的n+氢化非晶硅形成或者由硅化物形成。欧姆接触构件可以成对地设置在第一至第三半导体层AL_a、AL_b和AL_c之上。在一些实施方式中，当第一至第三半导体层AL_a、AL_b和AL_c是氧化物半导体时，可以省略欧姆接触构件。

数据线DL、第一至第三源电极SE_a、SE_b和SE_c、第一至第三漏电极DE_a、DE_b和DE_c、以及存储线CSTL设置在第一至第三半导体层AL_a、AL_b和AL_c以及栅绝缘膜GI上。数据线DL可以在第二方向dr2上延伸以与栅线GL交叉。

这里，第二方向dr2可以是与第一方向dr1垂直地交叉的方向。如图2所示，第二方向dr2可以是由从上侧朝向下侧延伸的任意的直线表示的方向。然而，实施方式不限于此，并且第二方向dr2和第一方向dr1之间形成的角度可以不是垂直的，在这种情况下，第二方向dr2也可以是由不平行于第一方向dr1延伸的直线表示的方向。

数据线DL可以通过栅绝缘膜GI而与栅线GL绝缘。数据线DL可以提供从外部输入的数据信号到第一源电极SE_a和第二源电极SE_b。这里，数据信号可以是从外部提供的具有改变的电压值的信号，并且每个像素PX的灰阶可以被控制为对应于数据信号。

参照图2，第一源电极SE_a从数据线DL分支，并可以至少部分地交叠第一栅电极GE_a。此外，第二源电极SE_b从数据线DL分支，并可以至少部分地交叠第二栅电极GE_b。

存储线CSTL可以在第二方向dr2上延伸以与栅线GL交叉。存储线CSTL可以由与数据线DL相同的材料形成在与数据线DL相同的层上，并可以设置为不交叠数据线DL。然而，存储线CSTL还可以包括在第一方向dr1上延伸的区段用于与将在后面描述的第三源电极SE_c连接。存储线CSTL可以通过栅绝缘膜GI而与栅线GL绝缘。

存储线CSTL可以将从外部输入的存储信号提供到第三源电极SE_c。这里，存储信号可以是从外部提供的具有恒定电压值的信号，并可以是具有小于数据信号的最大电压值并大于数据信号的最小电压值的电压值的信号。第三源电极SE_c从存储线CSTL分支并可以至少部分地交叠第三栅电极GE_c。

第一漏电极DE_a可以设置为与第一源电极SE_a间隔开而使第一半导体层AL_a插置在其间，并至少部分地交叠第一栅电极GE_a。此外，第二漏电极DE_b可以设置为与第二源电极SE_b间隔开而使第二半导体层AL_b插置在其间，并可以至少部分地交叠第二栅电极GE_b。此外，第三漏电极DE_c可以设置为与第三源电极SE_c间隔开而使第三半导体层AL_c插置在其间，并至少部分地交叠第三栅电极GE_c。在这种情况下，如图2所示，第一源电极SE_a可以形成为以规则的间距以“U”形状围绕第一漏电极DE_a。类似地，第二源电极SE_b可以形成为以规则的间距以“U”形状围绕第二漏电极DE_b。然而，第三源电极SE_c可以设置为以规则的间距平行于第三漏电极DE_c间隔开。

如上所述的第一至第三源电极SE_a、SE_b和SE_c以及第一至第三漏电极DE_a、DE_b和DE_c的形状是示例，并且不限于此。例如，第三源电极SE_c也可以形成为以规则的间距以“U”形状围绕第三漏电极DE_c。

第一半导体层AL_a可以设置在第一源电极SE_a和第一漏电极DE_a之间的区域中，该区域通过彼此间隔开的第一源电极SE_a和第一漏电极DE_a形成。也就是，第一源电极SE_a和第一漏电极DE_a部分地交叠或者接触第一半导体层AL_a，并可以设置为彼此面对而使第一半导体层AL_a插置在其间。

类似地，第二半导体层AL_b可以设置在第二源电极SE_b和第二漏电极DE_b之间的区域中，该区域通过彼此间隔开的第二源电极SE_b和第二漏电极DE_b形成。也就是，第二源电极SE_b和第二漏电极DE_b部分地交叠或者接触第二半导体层AL_b，并可以设置为彼此面对而使第二半导体层AL_b插置在其间。

此外，第三半导体层AL_c可以设置在第三源电极SE_c和第三漏电极DE_c之间的区域中，该区域通过彼此间隔开的第三源电极SE_c和第三漏电极DE_c形成。也就是，第三源电极SE_c和第三漏电极DE_c部分地交叠或者接触第三半导体层AL_c，并可以设置为彼此面对而使第三半导体层AL_c插置在其间。

数据线DL、存储线CSTL、第一至第三源电极SE_a、SE_b和SE_c、以及第一至第三漏电极DE_a、DE_b和DE_c可以由例如铝、铜、银、钼、铬、钛、钽或者其合金形成。此外，它们可以具有但是不限于由例如难熔金属的下膜和形成在其上的低电阻上膜制成的多层结构。

第一晶体管TR_a由第一栅电极GE_a、第一半导体层AL_a、第一源电极SE_a和第一漏电极DE_a形成。此外，第二晶体管TR_b由第二栅电极GE_b、第二半导体层AL_b、第二源电极SE_b和第二漏电极DE_b形成。此外，第三晶体管TR_c由第三栅电极GE_c、第三半导体层AL_c、第三源电极SE_c和第三漏电极DE_c形成。

第一晶体管TR_a可以将第一源电极SE_a和第一漏电极DE_a电连接到彼此以对应于供给到第一栅电极GEa的栅信号的电压值。例如，当供给到第一栅电极GE_a的栅信号的电压值对应于使第一晶体管TR_a截止的电压值时，第一源电极SE_a和第一漏电极DE_a可以彼此电绝缘。当供给到第一栅电极GE_a的栅信号的电压值对应于使第一晶体管TR_a导通的电压时，第一源电极SE_a和第一漏电极DE_a通过形成在设置于其间的第一半导体层AL_a中的沟道而电连接到彼此。

沟道可以形成在第一半导体层AL_a的在第一源电极SE_a和第一漏电极DE_a之间的区域中。也就是，当第一晶体管TR_a处于导通状态时，沟道形成在设置于第一源电极SE_a和第一漏电极DE_a之间的区域中的第一半导体层AL_a中，电压被传输并且电流可以沿着沟道流动。

结果，提供到数据线DL的数据信号可以通过第一漏电极DE_a传输到连接到第一漏电极DE_a的第一子像素电极PE_h，并且数据信号的传输或者不传输可以通过提供在栅线GL上的栅信号来控制。将在下面具体地描述第一子像素电极PE_h。

类似地，第二晶体管TR_b可以电连接第二源电极SE_b和第二漏电极DE_b以对应于供给到第二栅电极GE_b的栅信号的电压值。因此，提供到数据线DL的数据信号可以通过第二漏电极DE_b传输到连接到第二漏电极DE_b的第二子像素电极PE_l。将在下面具体地描述第二子像素电极PE_l。

此外，第三晶体管TR_c可以电连接第三源电极SE_c和第三漏电极DE_c以对应于供给到第三栅电极GE_c的栅信号的电压值。因此，提供到存储线CSTL的存储信号可以通过第三漏电极DE_c传输到连接到第三漏电极DE_c的第二子像素电极PE_l。

这里，不同于仅从第一漏电极DE_a接收数据信号的第一子像素电极PE_h，第二子像素电极PE_l可以从第二漏电极DE_b接收数据信号并可以从第三漏电极DE_c接收存储信号。因此，尽管第一子像素电极PE_h接收对应于数据信号的电压值，但是数据信号的电压值和存储信号的电压值之间的电压值可以被提供到第二子像素电极PE_l。

这里，当数据信号的电压值大于存储信号的电压值时，数据信号的电压值与存储信号的电压值之间的一个电压值表示小于数据信号的电压值且大于存储信号的电压值的电压值中的任何一个电压值。此外，当数据信号的电压值小于存储信号的电压值时，该一个电压值表示大于数据信号的电压值且小于存储信号的电压值的电压值中的任何一个电压值。此外，数据信号的电压值与存储信号的电压值之间的该一个电压值可以被确定为对应于第二源电极SE_b和第二漏电极DE_b的间隔形状以及第三源电极SE_c和第三漏电极DE_c的间隔形状。由于第一至第三晶体管TR_a、TR_b和TR_c被包括在单个像素PX中，并且不同的电压值相应地最终施加到第一子像素电极PE_h和第二子像素电极PE_l，所以可以改善显示装置的可见度。

钝化膜PA可以设置在栅绝缘膜GI以及第一至第三晶体管TR_a、TR_b和TR_c上。钝化膜PA可以由有机绝缘材料或者无机绝缘材料制成，并可以覆盖第一至第三晶体管TR_a、TR_b和TR_c。

平坦化膜IL可以设置在钝化膜PA上。平坦化膜IL可以具有平坦化钝化膜PA的顶部的作用。平坦化膜IL可以由有机材料制成。平坦化膜IL可以由光敏有机成分制成，并且额外的光敏有机成分可以进一步形成在平坦化膜IL的底部，而不限于此。此外，平坦化膜IL也可以由包含用于实现颜色的颜料的材料制成，并且包含用于实现颜色的颜料的光敏有机成分层可以另外形成在另一平坦化膜IL的底部。例如，平坦化膜IL也可以包含光敏有机成分中的红色、绿色和蓝色颜料中的任何一个。也就是，绝缘膜IL也可以具有将在后面描述的滤色器CF的功能。

第一接触孔CH_h和第二接触孔CH_l可以形成在平坦化膜IL和钝化膜PA以及薄膜晶体管的一部分上，例如穿过平坦化膜IL和钝化膜PA以及薄膜晶体管的一部分形成。具体地，第一至第三漏电极DE_a、DE_b和DE_c中的一些可以通过第一接触孔CH_h和第二接触孔CH_l暴露。

更具体地，第一接触孔CH_h可以垂直地穿过平坦化膜IL和钝化膜PA。第一接触孔CH_h暴露第一漏电极DE_a的一部分，并可以形成为交叠第一漏电极DE_a的一部分。第一漏电极DE_a的一部分和设置在平坦化膜IL上的将在后面描述的第一子像素电极PE_h可以通过形成在第一接触孔CH_h内的导电材料物理连接和电连接到彼此。这里，形成在第一接触孔CH_h内的导电材料可以是将在后面描述的第一子像素电极PE_h的一部分。

此外，第二接触孔CH_l也可以垂直地穿过平坦化膜IL和钝化膜PA。第二接触孔CH_l暴露第二漏电极DE_b的一部分和第三漏电极DE_c的一部分，并可以形成为交叠第二漏电极DE_b的一部分和第三漏电极DE_c的一部分。第二漏电极DE_b的一部分、第三漏电极DE_c的一部分以及设置在平坦化膜IL上的将在后面描述的第二子像素电极PE_l可以通过形成在第二接触孔CH_l内的导电材料物理连接和电连接到彼此。这里，形成在第二接触孔CH_l内的导电材料可以是将在后面描述的第二子像素电极PE_l的一部分。

第一子像素电极PE_h和第二子像素电极PE_l可以设置在平坦化膜IL上。第一子像素电极PE_h可以通过第一接触孔CH_h物理地连接到第一漏电极DE_a以从第一漏电极DE_a接收电压。此外，第二子像素电极PE_l可以通过第二接触孔CH_l物理地连接到第二漏电极DE_b和第三漏电极DE_c以从第二漏电极DE_b和第三漏电极DE_c接收电压。

第一子像素电极PE_h和第二子像素电极PE_l可以由透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)和铝掺杂的锌氧化物(AZO)制成。第一子像素电极PE_h和第二子像素电极PE_l可以包括形成为“+”形状的主干电极ST和从主干电极ST延伸的多个分支电极BR。第一子像素电极PE_h和第二子像素电极PE_l的每个可以通过主干电极ST分成多个域。例如，如图2所示，第一子像素电极PE_h可以通过主干电极ST分成四个象限，并且每个象限可以对应于一个域。此时，分支电极BR的延伸方向对于每个域可以彼此不同。在相同的域内的分支电极BR也可以彼此平行设置并以间距彼此间隔开，并且其中不形成透明导电材料的作为开口的狭缝SL可以形成在相邻的分支电极BR之间。由于在相同的域内的分支电极BR彼此平行设置并且以间距彼此间隔开，所以在相同的域内的狭缝SL也可以彼此平行设置并且以间距彼此间隔开。

每个像素PX设置在像素区域PXA中。像素区域PXA被定义为包括第一区域AR_1和第二区域AR_2的区域。第一区域AR_1是包括用于控制液晶分子的部件的区域，例如包括图2中的在数据线DL的两侧的晶体管的区域。第二区域AR_2是包括液晶分子的区域，例如包括图2中的像素电极的分支电极BR的区域，分支电极BR在不同的时间通过不同的数据信号控制。

用于控制液晶分子的部件可以包括设置在像素区域PXA中的第一至第三晶体管TR_a、TR_b和TR_c。也就是，像素区域PXA包括第一区域AR_1和第二区域AR_2。此外，由于液晶分子通过由第一子像素电极PE_h和第二子像素电极PE_l形成的电场控制，所以第二区域AR_2可以与其中设置第一子像素电极PE_h和第二子像素电极PE_l的区域相同，例如第二区域AR_2可以是包括第一子像素电极PE_h和第二子像素电极PE_l的区域。

第二区域AR_2在第一方向dr1上延伸的宽度形成得比在第二方向dr2上延伸的宽度更长。这里，当第二区域AR_2的布置平面上沿着第一方向dr1的任意的直线上的两点之间的距离具有最大值时，第二区域AR_2在第一方向dr1上延伸的宽度指的是两点之间的距离。类似地，当第二区域AR_2的布置平面上沿着第二方向dr2延伸的任意的直线上的两点之间的距离具有最大值时，第二区域AR_2在第二方向dr2上延伸的宽度指的是两点之间的距离。例如，第二区域AR_2在第一方向dr1上的宽度可以从第一子像素电极PE_h的最外边缘(图2中的左侧)到第二子像素电极PE_l的最外边缘(图2中的右侧)测量，并且第二区域AR_2在第二方向dr2上的宽度可以沿着第二方向dr2在第二子像素电极PE_l的相反的两个边缘之间测量(例如，在图4中的灰色区域之上的由虚线围绕的区域)。

此外，第二区域AR_2在第一方向dr1上延伸的宽度形成得比在第二方向dr2上延伸的宽度更长，沿着第一方向dr1连续地设置的像素PX的显示颜色彼此相同，并且沿着第二方向dr2连续地设置的像素PX的显示颜色可以彼此不同。例如，在第二方向dr2上连续地设置的每个像素PX可以设置为使得红色像素、绿色像素和蓝色像素交替地重复，并且红色像素、绿色像素和蓝色像素中的任何一个可以沿第一方向dr1连续地设置。在这种情况下，沿着第二方向dr2连续地设置的三个像素PX(即，沿着第二方向dr2连续地设置的红色像素、绿色像素和蓝色像素)可以一个接一个地聚在一起以形成单个上部像素UPX。

然而，实施方式不限于此。例如，显示除了红色、绿色和蓝色之外的其它颜色的像素PX也可以被另外地设置，并且不显示颜色的白色像素也可以被设置，并且像素PX可以聚在一起而变成用于显示单个颜色的基本单位。当第二区域AR_2在第一方向dr1上延伸的宽度形成得比在第二方向dr2上延伸的宽度更长时，尽管设置在第二方向dr2上的像素PX的数目增加，但是沿着第一方向dr1设置的像素PX的数目相应地减少。因此，尽管在第一方向dr1上延伸的栅线GL的数目增加，但是沿着第二方向dr2延伸的数据线DL的数目相应地减少。结果，尽管用于提供栅信号到栅线GL的栅驱动器110的所要求的容量增大，但是用于提供数据信号到数据线DL的数据驱动器120的所要求的容量相应地减少，因此液晶显示装置的制造成本降低，如以上参照图1所述的。

第一配向膜RM1可以设置在第一子像素电极PE_h和第二子像素电极PE_l上。第一配向膜RM1可以使设置在将在后面描述的液晶层LCL中的液晶分子预倾斜。也就是，在电场没有施加到液晶层LCL的状态下，第一配向膜RM1可以使液晶分子配向为指向一方向，该方向与垂直于其上形成第一配向膜RM1的平面的方向形成在恒定方向上的0.5°至3°的角度。然而，第一配向膜RM1也可以被省略。也可以由于液晶分子的自身的物理性质而形成预倾斜，而不是第一配向膜RM1的预倾斜。

在下文，将描述相对基板OAS。相对基板OAS可以包括第二基底基板SUB2、光屏蔽构件BM、公共电极CE、盖层OC和第二配向膜RM2。第二基底基板SUB2设置为面对第一基底基板SUB1。第二基底基板SUB2可以具有能够承受来自外部的冲击的耐久性。第二基底基板SUB2可以是透明的绝缘基板。例如，第二基底基板SUB2可以由例如玻璃基板、石英基板、透明树脂基板等制成。此外，第二基底基板SUB2也可以包括例如具有高耐热性的聚合物或者塑料。第二基底基板SUB2可以是平板型，但是它也可以在特定方向上弯曲。在一些实施方式中，第二基底基板SUB2也可以具有柔性。也就是，第二基底基板SUB2可以是能够通过滚压、折叠、弯曲等而变形的基板。

光屏蔽构件BM可以设置在第二基底基板SUB2上(在附图中的下部)。光屏蔽构件BM可以设置为交叠每个像素PX的第一区域AR_1和栅线GL，如图4所示，从而防止由于液晶分子的错排(misalignment)引起的光泄漏。

第一区域AR_1在第一方向dr1上延伸的宽度形成得比在第二方向dr2上延伸的宽度更长。这里，当第一区域AR_1的布置平面上沿着第一方向dr1的任意的直线上的两点之间的距离具有最大值时，第一区域AR_1在第一方向dr1上延伸的宽度指的是两点之间的距离。类似地，当第一区域AR_1的布置平面上沿着第二方向dr2延伸的任意的直线上的两点之间的距离具有最大值时，第一区域AR_1在第二方向dr2上延伸的宽度指的是两点之间的距离。例如，第一区域AR_1在第一方向dr1上的宽度可以从第一接触孔CH_h的最外边缘(图2中的左侧)到第三晶体管TR_c的最外边缘(图2中的右侧)测量，并且第一区域AR_1在第二方向dr2上的宽度可以沿着第二方向dr2在晶体管的相反的两个边缘之间测量(例如，在图2和图4中的被虚线围绕的区域)。

在这种情况下，当形成光屏蔽构件BM时，即使与沿着第一方向dr1的想要的布置相比发生一些误差，在误差发生的区域中，误差可能发生在将沿着第一方向dr1的误差发生长度乘以第一区域AR_1在第二方向dr2上延伸的宽度的长度获得的面积。也就是，由于误差的发生区域的一侧的长度对应于第一区域AR_1在第二方向dr2上延伸的宽度而不是第一区域AR_1在第一方向dr1上延伸的宽度，所以可以最小化其中发生误差的区域的面积。

滤色器CF可以设置在第二基底基板SUB2和光屏蔽构件BM上(在附图中的下部)。滤色器CF可以使从第一基底基板SUB1的外部入射并发射到第二基底基板SUB2的外部的光具有特定的颜色。滤色器CF可以由包含用于实现颜色的颜料的光敏有机成分制成，并可以包含红色、绿色和蓝色颜料中的任何一个。

盖层OC可以设置在光屏蔽构件BM和滤色器CF上(在附图中的下部)。盖层OC可以减小由光屏蔽构件BM和滤色器CF引起的高度差。在一些实施方式中，盖层OC可以根据需要而被省略。

公共电极CE可以设置在盖层OC上(在附图中的下部)。然而，当盖层OC被省略时，公共电极CE可以设置在光屏蔽构件BM和滤色器CF上。公共电极CE可以由透明的导电材料制成，并可以完全形成在第二基底基板SUB2的整个表面之上。公共信号被施加到公共电极CE，并可以与第一子像素电极PE_h和第二子像素电极PE_l一起形成电场。

第二配向膜RM2可以设置在公共电极CE上(在附图中的下部)。第二配向膜RM2可以具有与以上描述的第一配向膜RM1类似的功能。也就是，第二配向膜RM2可以使设置在液晶层LCL中的液晶分子预倾斜。在下文，将描述液晶层LCL。

液晶层LCL可以包括具有介电各向异性的多个液晶分子。液晶分子可以是在阵列基板AS和相对基板OAS之间布置在垂直于阵列基板AS和相对基板OAS的方向上的垂直配向型液晶分子。当电场施加在阵列基板AS和相对基板OAS之间时，液晶分子可以在阵列基板AS和相对基板OAS之间在特定方向上旋转以透射或阻挡光。表述“液晶分子旋转”可以包括液晶分子的取向通过电场而变化的含义以及液晶分子实际上旋转的含义。

图5是根据本公开的另一实施方式的显示面板的透视图，图6是图5中示出的显示面板的侧视图。

参照图5和图6，显示面板140可以包括阵列基板AS、面对阵列基板AS的相对基板OAS以及插置在阵列基板AS和相对基板OAS之间的液晶层LCL。阵列基板AS和相对基板OAS可以具有沿着特定方向的弯曲形状。更具体地，如图5和图6所示的，它们可以具有沿着第一方向dr1弯曲的形状以具有围绕作为轴的在第二方向dr2上延伸的任意的直线的恒定曲率。因此，阵列基板AS和相对基板OAS可以在沿第一方向dr1截取的截面中具有弯曲的形状，如图6所示。

实施方式不限于此，阵列基板AS和相对基板OAS也可以具有沿着第二方向dr2弯曲的形状以具有围绕作为轴的在第一方向dr1上延伸的任意的直线的恒定曲率。

在显示装置具有弯曲形状的情况下，它可以在初始制造状态被制造为具有平面形状之后经受被弯曲成弯曲形状的工艺。然而，在将相对基板OAS和阵列基板AS弯曲为弯曲形状的过程中，由于液晶层LCL如上所述设置在相对基板OAS和阵列基板AS之间，所以包括在相对基板OAS和阵列基板AS中的部件的布置会由于相对基板OAS和阵列基板AS之间的距离差而不同于具有平面形状的情况。

例如，在光屏蔽构件BM被包括在相对基板OAS中的情况下，光屏蔽构件BM需要设置为交叠形成包括在阵列基板AS中的栅线GL以及第一至第三晶体管TR_a、TR_b和TR_c的部件，也就是，设置为交叠栅线GL以及每个像素PX的第一区域AR_1。然而，由于阵列基板AS和相对基板OAS被弯曲，所以发生光屏蔽构件BM设置为交叠栅线GL、第二区域AR_2和第一区域AR_1的未对准，这会降低透射率。

例如，当从弯曲形状的显示装置的侧表面观看时，这样的现象会发生在图6的区域B和区域D中。具体地，液晶层LCL被注入在阵列基板AS和相对基板OAS之间，并且相对基板OAS和阵列基板AS沿着边缘通过密封件接合，使得注入的液晶层LCL的液晶分子***漏。由于从密封件(即，从阵列基板AS和相对基板OAS的接合边缘)到区域B和D的距离大于从密封件到区域A和E的距离，所以与光屏蔽构件BM的未对准会发生在区域B和D中。此外，由于区域C是显示装置的中心区域并且在两侧对称地弯曲至相同的程度，所以光屏蔽构件BM的未对准会发生在区域B和区域D中而不发生在区域C中。

作为示例，当具有48英寸大小的显示面板140的曲率半径为约3000mm并且光屏蔽构件BM设置在区域B和D中时，会发生光屏蔽构件BM的从第二区域AR_2向左或向右约26.7μm的未对准。类似地，当具有48英寸大小的显示面板140的曲率半径为约4000mm时，会发生光屏蔽构件BM的约19.9μm的未对准，并且当具有48英寸大小的显示面板140的曲率半径为约5000mm时，在光屏蔽构件BM中会发生约15.8μm的未对准。也就是，随着曲率半径减小，光屏蔽构件BM的未对准会增大。

当具有55英寸大小的显示面板140的曲率半径为约3000mm时，会发生光屏蔽构件BM的约32μm的未对准，并且当具有65英寸大小的显示面板140的曲率半径为约3000mm时，在光屏蔽构件BM中会发生约38.9μm的未对准。此外，当具有105英寸大小的显示面板140的曲率半径为约3000mm时，在光屏蔽构件BM中会发生约72.2μm的未对准。也就是，随着显示面板140的尺寸增大，光屏蔽构件BM的未对准会增大。

因此，通过改变光屏蔽构件BM的结构，可以最小化以上描述的光屏蔽构件BM的未对准，并可以改善透射率。这将参照图7到图10更详细地描述。

图7是示出根据本公开的另一实施方式的液晶显示装置的显示面板的示意图，图8是示出图7的区域F的放大布局图，图9是示出图7的区域G的放大布局图，图10是示出图7的区域H的放大布局图。

参照图7，区域F示出设置在显示面板140的第一子显示区域SDA1的中心处的像素PX以及设置在其附近的像素PX所设置的区域。区域G示出设置在显示面板140的第二子显示区域SDA2的中心处的像素PX以及设置在其附近的像素PX所设置的区域。区域H示出其中设置在第一子显示区域SDA1和第二子显示区域SDA2之间的边界上的像素PX以及设置在其附近的像素PX所设置的区域。

在下面的实施方式中，与上述构造相同的构造将由相同的附图标记表示，并且将省略或简化重复的描述。图7至图10中示出的液晶显示装置对应于在特定方向上弯曲之前的图5和图6的液晶显示装置。

参照图7至图10，显示面板140可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。如上所述，像素PX可以设置在显示区域DA中，用于驱动像素PX所需的部件可以设置在非显示区域NDA中。

显示区域DA包括第一子显示区域SDA1和第二子显示区域SDA2。第一子显示区域SDA1是当沿着在第二方向dr2上延伸的直线将显示区域DA二等分时对应于显示区域DA的左半部的区域，第二子显示区域SDA2是当沿着在第二方向dr2上延伸的直线将显示区域DA二等分时对应于显示区域DA的右半部的区域。也就是，显示区域DA包括设置在其中心线的左侧的第一子显示区域SDA1和设置在其中心线的右侧的第二子显示区域SDA2。

设置在第一子显示区域SDA1中的像素PX和提供在第二子显示区域SDA2中的像素PX可以在光屏蔽构件BM的布置上彼此不同。具体地，在第一子显示区域SDA1和第二子显示区域SDA2中，光屏蔽构件BM设置为部分地交叠栅线GL和每个像素PX的局部区域。这里，由于栅线GL在第一方向dr1上延伸以穿过第一子显示区域SDA1和第二子显示区域SDA2，所以光屏蔽构件BM的设置为在第一方向dr1上延伸穿过第一子显示区域SDA1和第二子显示区域SDA2的区域对应于交叠栅线GL的区域。另外，光屏蔽构件BM的设置为从光屏蔽构件BM的交叠上述栅线GL的区域突出到在第二方向dr2上的一侧或者另一侧的区域对应于光屏蔽构件BM的设置为交叠像素PX的局部区域的区域。

这里，光屏蔽构件BM的设置为交叠像素PX的局部区域的区域形成为与每个像素PX的第一区域AR_1相同的形状。光屏蔽构件BM设置在第一子显示区域SDA1中从而从第一区域AR_1偏移(例如偏离)到右侧，并且设置在第二子显示区域SDA2中从而从第一区域AR_1偏移(例如偏离)到左侧。例如，如图8和图9中所示的，光屏蔽构件BM可以不完全交叠第一区域AR_1，而是可以略微偏移以暴露其一小部分。

因此，即使显示面板140如图5和图6所示的实施方式一样被弯曲，通过上述光屏蔽构件BM的布置，可以最小化由于光屏蔽构件BM的未对准引起的透射率的降低。具体地，如图5和图6中示出的实施方式中，当根据本实施方式的显示面板140沿着第一方向dr1被弯曲以具有围绕作为轴的在第二方向dr2上延伸的任意的直线的恒定曲率时，设置在第一子显示区域SDA1中的光屏蔽构件BM可以设置为与显示面板140被弯曲之前相比偏移(例如移位)到相对左侧，设置在第二子显示区域SDA2中的光屏蔽构件BM可以设置为与显示面板140被弯曲之前相比偏移(例如移位)到相对右侧。

当设置在第一子显示区域SDA1中的光屏蔽构件BM被设置为从第一区域AR_1偏移到右侧并且设置在第二子显示区域SDA2中的光屏蔽构件BM被设置为从第一区域AR_1偏移到左侧时，随着显示面板140的弯曲而移动的光屏蔽构件BM可以准确地交叠第一区域AR_1，从而提高透射率，例如最小化与像素电极的交叠。然而，如图10所示，在设置于其中不发生光屏蔽构件BM的未对准的、在第一子区域SDA1和第二子区域SDA2之间的边界上的像素PX的情况下，光屏蔽构件BM和第一区域AR_1可以彼此交叠从而不移位。另外，如图6的说明中所描述的，光屏蔽构件BM的未对准可以最显著地发生在设置于第一子显示区域SDA1和第二子显示区域SDA2的中心处的像素PX中，光屏蔽构件BM的未对准可以不明显地发生在远离该像素PX设置的光屏蔽构件BM中。

因此，光屏蔽构件BM从第一区域AR_1向右侧偏移的程度可以在设置于第一子显示区域SDA1的中心处的像素PX中是最大的。此外，光屏蔽构件BM从第一区域AR_1向右侧偏移的程度可以设置为在设置于从第一子显示区域SDA1的中心的左边或右边的像素PX(即，设置得更远的像素PX)中是相对小的，在此情况下，可以最大化提高透射率的效果。

类似地，光屏蔽构件BM从第一区域AR_1向左侧偏移的程度可以在设置于第二子显示区域SDA2的中心处的像素PX中是最大的。此外，光屏蔽构件BM从第一区域AR_1向左侧偏移的程度可以在设置于从第二子显示区域SDA2的中心的左边或右边的像素(即，设置得更远的像素PX)中是相对小的，在此情况下，可以最大化提高透射率的效果。

图11是根据本公开的另一实施方式的显示面板的单个像素的布局图。在下面的示例中，与上述构造相同的构造将由相同的附图标记表示，并且将省略或简化重复的描述。

根据图11中示出的实施方式的单个像素PX在第二子像素电极PE_l的布置结构上不同于根据图2中示出的实施方式的单个像素PX。根据图11中示出的实施方式，不同于图2中示出的第二子像素电极PE_l，像素PX可以包括两个第二子像素电极PE_la和PE_lb。尽管第二子像素电极PE_la和第二子像素电极PE_lb可以起到与之前描述的单个第二子像素电极PE_l相同的作用，但是两个第二子像素电极PE_la和PE_lb可以设置为彼此物理地间隔开。

具体地，第二子像素电极PE_la和第二子像素电极PE_lb可以设置为彼此间隔开而使第一子像素电极PE_h插置在其间。相同的电压被施加到第二子像素电极PE_la和第二子像素电极PE_lb，并且与施加到第二子像素电极PE_la和第二子像素电极PE_lb的电压不同的电压可以被施加到第一子像素电极PE_h。通过在第二子像素电极PE_la和第二子像素电极PE_lb之间设置小于第二子像素电极PE_la和第二子像素电极PE_lb的总面积的第一子像素电极PE_h，可以获得均匀的显示质量。第二子像素电极PE_la和PE_lb两者可以连接到第二漏电极DE_b和第三漏电极DE_c，这与图2的实施方式的说明中所描述的相同。

除了图2中示出的实施方式的第一区域AR_1、第二区域AR_2和像素区域PXA内的布置之外的其它说明可以直接适用于本示例中示出的第一区域AR_1和第二区域AR_2。然而，像素区域PXA内的第一区域AR_1和第二区域AR_2的布置可以部分地不同，例如第一区域AR_1可以邻近于相邻的数据线DL设置。然而，实施方式不限于此，第一区域AR_1和第二区域AR_2的布置可以考虑到第一子像素电极PE_h的面积以及第二子像素电极PE_la和PE_lb的面积比而被自由地确定。例如，第一区域AR_1可以设置在第一子像素电极PE_h之下，并可以设置为使得由第二子像素电极PE_la和PE_lb的每个占据的面积是相同的。

图12至图14是在图11中的显示面板140的不同单个像素中另外地示出光屏蔽构件BM的布局图。在下面的实施方式中，与上述构造相同的构造将由相同的附图标记表示，并且将省略或简化重复的描述。

参照图12，光屏蔽构件BM可以设置为交叠第一区域AR_1和栅线GL。光屏蔽构件BM可以设置在第二基底基板SUB2上，并可以阻挡由于液晶分子的未对准而引起的光泄漏，如上所述。另外，虽然图12示出其中光屏蔽构件BM精确地交叠第一区域AR_1的结构，但是光屏蔽构件BM也可以设置为从第一区域AR_1移位，而不限于此。

在图13中示出的像素的情况下，光屏蔽构件BM设置为交叠栅线GL，并可以设置为从第一区域AR_1向右偏移。光屏蔽构件BM的布置结构可以是设置在对应于图7的第一子显示区域SDA_1的区域中的像素PX的光屏蔽构件BM的布置结构。

类似地，在图14中示出的像素PX的情况下，光屏蔽构件BM设置为交叠栅线GL，并可以设置为从第一区域AR_1向左偏移。光屏蔽构件BM的布置结构可以是设置在对应于图7的第二子显示区域SDA_2的区域中的像素PX的光屏蔽构件BM的布置结构。

如上所述，由于光屏蔽构件BM的布置结构，当显示面板140被弯曲以具有曲率时会发生的光屏蔽构件BM的未对准被预先补偿，因此可以最小化由于在显示面板140被弯曲时会发生的光屏蔽构件BM的未对准引起的透射率的降低。

图15是根据本公开的另一实施方式的显示面板的单个像素的布局图。在下面的实施方式中，与上述构造相同的构造将由相同的附图标记表示，并且将省略或简化重复的描述。

根据图15中示出的实施方式的单个像素PX在像素电极的结构上不同于根据图2中示出的实施方式的单个像素PX。根据图15中示出的实施方式，代替包括图2中示出的第一子像素电极PE_h和第二子像素电极PE_l，像素PX可以仅包括单个像素电极PE_u。不同于图2中示出的实施方式(其将第二区域AR_2划分为两个区域以在液晶层LCL中形成具有不同强度的电场)，本实施方式的单个像素电极PE_u可以在设置于第二区域AR_2中的整个液晶层LCL中形成具有相同强度的电场。

此外，由于仅设置通过第二区域AR_2接收单个相同的电压的单个像素电极PE_u，所以可以仅利用一个开关元件驱动液晶器件。也就是，可以仅利用图2中示出的实施方式的第一晶体管TR_a驱动液晶器件，第二晶体管TR_b和第三晶体管TR_c可以被省略。此外，由于第二晶体管TR_b和第三晶体管TR_c被省略，所以第二接触孔CH_l和存储线CSTL可以被省略。

另外，第一晶体管TR_a和第一接触孔CH_h可以设置在第一区域AR_1中，单个像素电极PE_u可以设置在第二区域AR_2中。在像素PX包括单个像素电极PE_u的情况下，如本实施方式中，由于像素区域PXA中由第一区域AR_1占据的比例减小，所以液晶显示装置的透射率可以提高。

与图2中示出的实施方式的说明中所描述的相同的内容可以应用于除此之外的所有部件，这将被省略。

图16至图18是其中光屏蔽构件被另外设置在根据图15中示出的实施方式的显示面板的单个像素中的布局图。在下面的示例中，与上述构造相同的构造将由相同的附图标记表示，并且将省略或简化重复的描述。

参照图16，光屏蔽构件BM可以设置为交叠第一区域AR_1和栅线GL。光屏蔽构件BM可以设置在第二基底基板SUB2上，并可以阻挡由于液晶分子的错排引起的光泄漏，如上所述。

另外，尽管图16示出其中光屏蔽构件BM正确地交叠第一区域AR_1的结构，但是光屏蔽构件BM可以设置为从第一区域AR_1移位，而不限于此。

在图17中示出的像素PX中，光屏蔽构件BM设置为交叠栅线GL，并可以设置为从第一区域AR_1向右偏移。光屏蔽构件BM的布置结构可以是设置在对应于图7的第一子显示区域SDA1的区域中的像素PX的光屏蔽构件BM的布置结构。

类似地，在图18中示出的像素PX的情况下，光屏蔽构件BM设置为交叠栅线GL，并可以设置为从第一区域AR_1向左偏移。光屏蔽构件BM的布置结构可以是设置在对应于图7的第二子显示区域SDA2的区域中的像素PX的光屏蔽构件BM的布置结构。

作为总结和回顾，平板显示装置可以具有弯曲表面以通过提供弯曲表面的显示区域而提供具有改善的三维感和沉浸感的图像。显示装置可以形成有覆盖除了显示图像的区域之外的区域的光屏蔽构件。

然而，当形成光屏蔽构件时，在其布置中会发生一些误差。例如，在具有弯曲表面的显示装置的情况下，光透射率会由于在制造弯曲表面期间发生的光屏蔽构件的布置误差等(例如未对准)而降低。

相反，根据本公开的实施方式，可以提供能够最小化透射率的降低的显示装置。此外，可以提供能够提高光透射率的显示装置。也就是，根据本公开的实施方式，光屏蔽构件可以布置为使得其未对准(例如，当显示面板被弯曲以具有曲率时可能发生的)被预先补偿。因此，可以防止或基本上最小化光屏蔽构件与显示面板的显示图像(例如，发光)的区域之间的交叠。因而，可以防止或者基本上最小化由于光屏蔽构件的未对准引起的光透射率的降低。

这里已经公开了示例实施方式，尽管采用了特定的术语，但是它们应当以一般的和描述的意义上来理解而不是为了限制的目的。在一些情况下，到本申请提交时为止对于本领域普通技术人员来说将是明显的，结合特定实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独地使用，或者与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合地使用，除非明确地另外指示。因此，本领域技术人员将理解，可以在形式和细节上进行各种变化而没有背离由权利要求所阐述的本发明的精神和范围。

于2016年1月6日在韩国知识产权局提交的名称为“显示装置”的韩国专利申请第10-2016-0001642号通过引用整体结合于此。

Claims

1.一种液晶显示装置，包括：

栅线，在第一方向上延伸；

数据线，在交叉所述第一方向的第二方向上延伸；

像素，包括：

第一区域，具有晶体管和接触孔，所述晶体管连接到所述栅线和所述数据线，所述接触孔将所述晶体管连接到像素电极，和

第二区域，包括所述像素电极，

其中第一宽度的长度比第二宽度的长度长，所述第一宽度是在所述第一区域上沿着所述第一方向的任意的直线上的两点之间的距离的最大值，所述第二宽度是在所述第一区域上沿着所述第二方向的任意的直线上的两点之间的距离的最大值，并且

其中第三宽度的长度比第四宽度的长度长，所述第三宽度是在所述第二区域上沿着所述第一方向的任意的直线上的两点之间的距离的最大值，所述第四宽度是在所述第二区域上沿着所述第二方向的任意的直线上的两点之间的距离的最大值。

2.如权利要求1所述的液晶显示装置，还包括交叠所述栅线和所述第一区域的光屏蔽构件。

3.如权利要求2所述的液晶显示装置，包括多个所述像素，所述光屏蔽构件不在所述多个像素中的在所述第一方向上彼此相邻的两个像素的像素电极之间的区域中。

4.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中：

所述像素电极包括被提供不同的电压的第一子像素电极和第二子像素电极，

所述晶体管包括连接到所述第一子像素电极的第一晶体管和连接到所述第二子像素电极的第二晶体管，并且

所述接触孔包括连接所述第一子像素电极和所述第一晶体管的第一接触孔以及连接所述第二子像素电极和所述第二晶体管的第二接触孔。

5.如权利要求4所述的液晶显示装置，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管以及所述第一接触孔和所述第二接触孔在所述第一区域中，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极在所述第二区域中。

6.如权利要求5所述的液晶显示装置，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述第一区域中以在所述第一方向上彼此相邻。

7.如权利要求5所述的液晶显示装置，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管邻近所述栅线。

8.如权利要求1所述的液晶显示装置，包括多个所述像素，所述多个像素中的在所述第二方向上彼此相邻的相应的像素透射不同波长带宽的光。

9.如权利要求8所述的液晶显示装置，其中所述多个像素中的在所述第一方向上彼此相邻的相应的像素透射相同波长带宽的光。

10.一种液晶显示装置，包括：

显示区域，包括布置为矩阵图案的多个像素，所述多个像素沿着在平面上从左至右延伸的第一方向以及沿着在所述平面上交叉所述第一方向的第二方向彼此相邻；

多个栅线，在所述显示区域上在所述第一方向上延伸；

多个数据线，在所述显示区域上在所述第二方向上延伸；以及

光屏蔽构件，在所述显示区域上，所述光屏蔽构件交叠每个像素的局部区域和所述多个栅线，

其中所述显示区域包括在其中心线的左侧的第一子显示区域以及在其中心线的右侧的第二子显示区域，

其中所述多个像素的每个包括第一区域和第二区域，所述第一区域包括连接到所述多个栅线中的相应栅线和所述多个数据线中的相应数据线的晶体管以及将所述晶体管连接到像素电极的接触孔，所述第二区域包括所述像素电极，

其中交叠所述第一子显示区域的所述光屏蔽构件具有与所述第一区域相同的形状，所述光屏蔽构件从所述第一区域向右侧偏移，

其中交叠所述第二子显示区域的所述光屏蔽构件具有与所述第一区域相同的形状，所述光屏蔽构件从所述第一区域向左侧偏移。

11.如权利要求10所述的液晶显示装置，其中交叠所述第一子显示区域和所述第二子显示区域之间的边界的所述光屏蔽构件交叠所述第一区域。

12.如权利要求10所述的液晶显示装置，其中在所述第一子显示区域的中心像素中的所述光屏蔽构件从所述第一区域向右偏移的程度大于在所述第一子显示区域的中心的左边或右边的像素中的所述光屏蔽构件从所述第一区域向右偏移的程度。

13.如权利要求10所述的液晶显示装置，其中在所述第二子显示区域的中心像素中的所述光屏蔽构件从所述第一区域向左偏移的程度大于设置在所述第二子显示区域的中心的左边或右边的像素中的所述光屏蔽构件从所述第一区域向左偏移的程度。

14.如权利要求10所述的液晶显示装置，其中第一宽度的长度比第二宽度的长度长，所述第一宽度是在所述第一区域上沿着所述第一方向延伸的任意的直线上的两点之间的距离的最大值，所述第二宽度是在所述第一区域上沿着所述第二方向延伸的任意的直线上的两点之间的距离的最大值，并且

第三宽度的长度比第四宽度的长度长，所述第三宽度是在所述第二区域上沿着所述第一方向延伸的任意的直线上的两点之间的距离的最大值，所述第四宽度是在所述第二区域上沿着所述第二方向延伸的任意的直线上的两点之间的距离的最大值。

15.如权利要求14所述的液晶显示装置，其中：

所述晶体管包括连接到所述第一子像素电极的第一晶体管和连接到所述第二子像素电极的第二晶体管，

所述接触孔包括连接所述第一子像素电极和所述第一晶体管的第一接触孔以及连接所述第二子像素电极和所述第二晶体管的第二接触孔，

所述第一晶体管和所述第二晶体管以及所述第一接触孔和所述第二接触孔设置在所述第一区域中，并且

所述第一子像素电极和所述第二子像素电极在所述第二区域中。

16.如权利要求15所述的液晶显示装置，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述第一区域中以在所述第一方向上彼此相邻。

17.如权利要求15所述的液晶显示装置，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管邻近所述栅线。

18.如权利要求10所述的液晶显示装置，其中在所述第二方向上彼此相邻的相应的像素透射不同波长带宽的光。

19.如权利要求18所述的液晶显示装置，其中在所述第一方向上彼此相邻的相应的像素透射相同波长带宽的光。

20.如权利要求10所述的液晶显示装置，其中所述光屏蔽构件不设置在沿所述第一方向彼此相邻的两个像素的像素电极之间的区域中。