CN101349848A - 液晶显示面板及其像素结构 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种液晶显示面板及其像素结构，该像素结构包括第一次像素结构与第二次像素结构。第一次像素结构包括第一耦合电容与延伸电容，第二次像素结构包括第二耦合电容与寄生电容，其中第一耦合电容与延伸电容的电容值总和约略等于第二耦合电容与寄生电容的电容值总和。本发明可以有效改善公知液晶显示面板中不同次像素结构的回踢电压差异，以提升显示图像的品质。

Description

液晶显示面板及其像素结构

技术领域

本发明涉及一种液晶显示面板及其像素结构，尤其涉及一种包括亮、暗两种次像素区的像素结构及液晶显示面板。

背景技术

液晶显示器由于具有外型轻薄、耗电量少以及无辐射污染等特性，所以被广泛地应用在笔记本计算机(notebook)、个人计算机显示器与个人数字助理(personal digital assistant，PDA)等信息产品上，并已逐渐取代传统阴极射线管电视，成为家用电视商品的主流。

相较于传统阴极射线管显示器，液晶显示器具有视角不够宽广的限制，因此近年来液晶显示器的发展不断朝向广视角技术的方向发展，例如多区域垂直配向技术(multi-domain vertical alignment，MVA)的成熟，已使得液晶显示器的视角大幅提升。然而，尽管液晶显示器的视角问题已获得改善，却衍生出新的问题，也即在大视角方向观看液晶显视器的画面时会有颜色偏白或伽玛曲线偏移的问题，一般称此现象为色偏。例如随着使用者越远离MVA液晶显示器的正面位置，则所看到的图像的对比会越来越差，导致高辉度之间的亮度差消失而无法看到清楚的图像。色偏现象为目前广视角液晶显示器发展上的一大限制，因此如何在不影响开口率的情况下改善色偏问题，为液晶显示器在发展上的重要课题。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种包括亮、暗区次像素结构的像素结构及液晶显示面板，且通过设置延伸电容于亮区次像素结构内而降低二次像素结构的回踢电压(feedthrough voltage)的差异性，以解决液晶显示器在大视角观看时的色偏问题与显示画面闪烁(flicker)等问题。

根据本发明的权利要求，提供一种像素结构形成于一基板上。该像素结构包括一第一次像素结构与一第二次像素结构，分别形成于基板的第一次像素区与第二次像素区。第一次像素结构包括一第一晶体管、一第一扫描线电性连接于第一晶体管的栅极、一第一像素电极电性连接于第一晶体管的漏极、一延伸电极电性连接于第一晶体管的栅极、一第一耦合电容耦合于第一晶体管的漏极与栅极之间、以及一延伸电容并联于第一耦合电容，其中延伸电容耦合于延伸电极与第一晶体管的漏极之间的一重叠区域。第二次像素结构包括一第二晶体管、一第二扫描线电性连接第二晶体管的栅极、一第二像素电极电性连接于第二晶体管的漏极、一第二耦合电容耦合于第二晶体管的漏极与栅极之间、以及至少一寄生电容并联于第二耦合电容，且耦合于第二像素电极与第一扫描线或第二扫描线之间的一重叠区域。其中，第一耦合电容与延伸电容的电容值总和约略等于第二耦合电容与寄生电容的电容值总和。

本发明还提供一种液晶显示面板，其包括一第一基板；一第二基板平行相对该第一基板设置；一液晶层设于该第一基板与该第二基板之间；以及该第一基板与该第二基板之间定义至少一像素区，该像素区包括一第一次像素区与一第二次像素区，该第二基板的该像素区上具有一像素结构，包括一第一次像素结构形成于该基板的该第一次像素区上，该第一次像素结构包括：一第一晶体管；一第一扫描线，电性连接于该第一晶体管的一栅极；一第一像素电极，电性连接于该第一晶体管的一漏极；一延伸电极，电性连接于该第一晶体管的该栅极，且与该第一晶体管的该漏极相重叠；一第一耦合电容，耦合于该第一晶体管的该漏极与该栅极之间；以及一延伸电容，并联于该第一耦合电容，且耦合于该延伸电极与该第一晶体管的该漏极之间的一重叠区域；以及一第二次像素结构形成于该基板的该第二次像素区上，该第一次像素结构包括一第二晶体管；一第二扫描线，电性连接于该第二晶体管的一栅极；一第二像素电极，电性连接于该第二晶体管的一漏极，且该第二像素电极至少与部分该第一扫描线或部分该第二扫描线相重叠；一第二耦合电容，耦合于该第二晶体管的该漏极与该栅极之间；以及一寄生电容，并联于该第二耦合电容，且耦合于该延伸电极与该第一晶体管的该漏极之间的一重叠区域；其中该第一耦合电容与该延伸电容的电容值总和等于该第二耦合电容与该寄生电容的电容值总和。

由于本发明一像素结构内同时包括第一、第二次像素结构，为了能降低第一、第二次像素结构内晶体管在操作时的回踢电压差异，因此在第一次像素结构内设置延伸电极与延伸电容，通过调整延伸电容、第一耦合电容以及第一次像素结构内其他寄生电容的电容和总值约略相等于第二次像素结构内各电容的电容值总和，可以有效改善公知液晶显示面板中不同次像素结构的回踢电压差异，以提升显示图像的品质。

附图说明

图1为同时包含亮区与暗区的一像素区的等效电路图。

图2为本发明液晶显示面板的剖面示意图。

图3为液晶显示面板的一像素区的等效电路图。

图4为像素区的像素结构的俯视示意图。

图5为沿着图4所示切线5-5’的剖面示意图。

图6为本发明像素结构的另一实施例的俯视示意图。

其中，附图标记说明如下：

10  液晶显示面板         12  第一基板

14  第二基板             16  液晶层

18  像素区               18A 第一次像素区

18B 第二次像素区         20  像素结构

20A 第一次像素结构       20B 第二次像素结构

22a 第一扫描线           22b 第二扫描线

24  第一晶体管           24G、56G 栅极

24D、56D 漏极            24S、24S 源极

26  第一像素电极         30 接触元件

32  延伸电极             34 介电层

36  第一耦合电容         38 第一图案化导电层

40a、40b 信号线          42 第二图案化导电层

44  反射区               46 第一存储电容

48  共通电极             50 介电层

52  第三图案化导电层     54 延伸电容

56 第二晶体管          58 第二像素电极

60 第二透射电极        62 反射电极

64 第二耦合电容        66 接触洞

68 图案化透明导电层    70 第二存储电容

72 平坦层              74 第一寄生电容

76 第二寄生电容        78 欧姆接触层

80 半导体层            C_gd ^A、C_gd ^B  耦合电容

C_gd ^B1、C_gd ^B2 寄生电容  C_LCA、C_LCB  液晶电容

C_stA、C_stB   存储电容  C_gd ^Ae  延伸电容

TFT_A、TFT_B薄膜晶体管

具体实施方式

为了改善公知液晶显示面板的色偏问题，本发明设计使液晶显示面板的各像素区都包括第一次像素区与第二次像素区，分别当作像素区的一亮区与一暗区，并于各像素区设置二扫描线与一信号线以控制亮、暗区，通过提供亮、暗区不同的灰阶电压而改善色偏问题。请参考图1，图1为同时包含亮区与暗区的一像素区的等效电路图。像素区P包含第一次像素区A与第二次像素区B。第一次像素区A包含作为开关元件的薄膜晶体管TFT_A、液晶电容C_LCA和存储电容C_stA，而第二次像素区B包含薄膜晶体管TFT_B、液晶电容C_LCB、和存储电容C_stB。薄膜晶体管TFT_A、TFT_B分别与扫描线G_A、G_B电性连接，并与信号线D_n电性连接，液晶电容C_LCA、C_LCB分别与薄膜晶体管TFT_A、TFT_B的漏极电性连接，存储电容C_stA、C_stB也分别与薄膜晶体管TFT_A、TFT_B的漏极电性连接，并联于液晶电容C_LCA、C_LCB且电性连接于存储电容线C_st线(或称共通电极线)。除此之外，并设计第二次像素区B(即暗区)的透射像素电极面积较大于第一次像素区A(即亮区)的透射像素电极面积，通过分别对第一次像素区A与第二次像素区B充电，使第一次像素区A与第二次像素区B在灰阶当中的亮度分别为一亮区与一暗区，则可以产生抑制色偏问题的效果，改善MVA液晶显示面板的侧面可视性。

上述在同一像素区P设置不同面积大小的亮、暗次像素区可应用于MVA半透射式液晶显示面板并改善其色偏问题。然而，在半透射式液晶显示面板中，一像素区还包括一反射区设于透射区的第一次像素区A与第二次像素区B之间，且反射像素电极电性连接于第二次像素区B的透射像素电极，并跨过第一次像素区A与第二次像素区B的两条扫描线G_A、G_B，因此会在反射像素电极与扫描线G_A、G_B的重叠区域形成两个寄生电容C_gd ^B1、C_gd ^B2，增加第二次像素区B的耦合电容值。此外，由于薄膜晶体管TFT_A的栅极与漏极之间的距离不大，因此在其栅极与漏极之间会耦合形成第一耦合电容C_gd ^A。同样地，在薄膜晶体管TFT_B的栅极与漏极之间也会耦合形成第二耦合电容C_gd ^B。

由于在操作像素结构时，其薄膜晶体管关闭的瞬间会产生回踢电压V_ft，而决定回踢电压V_ft数值大小的关系式如下：

V_ft＝(V_gh-V_gl)C_gd/(C_gd+C_LC+C_st)

其中V_gh为薄膜晶体管处于开启状态的电压，而V_gl为薄膜晶体管处于关闭状态的电压。因此，第一与第二次像素区A、B内的电容值总和都会影响第一与第二次像素区A、B的回踢电压大小与两者的差异，故在设计包含亮、暗次像素区的半透射式液晶显示面板时，需要同时考虑第一耦合电容C_gd ^A、第二耦合电容C_gd ^B与寄生电容C_gd ^B1、C_gd ^B2对于各次像素区的回踢电压的影响，避免因寄生电容C_gd ^B1、C_gd ^B2的存在而造成第一与第二次像素区A、B的回踢电压差异变大以及共用电压电平差异过大，使得面板发生闪烁而影响显示品质。

本发明的设计，主要即在于增加半透射式液晶显示面板的第一次像素区A的耦合电容总值，以平衡第一与第二次像素区A、B的回踢电压。图2为本发明液晶显示面板10的剖面示意图。液晶显示面板10优选为半透射式液晶显示面板，其包括互相平行且相对设置的第一基板12与第二基板14，以及设于第一基板12与第二基板14之间的液晶层16。第一基板12与第二基板14之间定义有多个像素区排列呈一阵列，而各像素区上具有一第一次像素区与一第二次像素区。

请参考图3至图5，图3为液晶显示面板10的一像素区18的等效电路图，图4为像素区18的像素结构20的俯视示意图，而图5为沿着图4所示切线5-5’的剖面示意图。像素区18包括第一次像素区18A、第二次像素区18B及反射区44，其中第一次像素区18A与第二次像素区18B分别作为像素区18内透射区的亮区与暗区。像素区18内的像素结构如图4所示，像素结构20包括第一次像素结构20A与第二次像素结构20B，分别形成于第一基板12的第一次像素区18A与第二次像素区18B之内。第一次像素结构20A的范围约略由第一扫描线22a、二信号线40a、40b及第一像素电极26的下缘所定义，而第二次像素结构20B的范围也约略由第二扫描线22b、信号线40a、40b及第二像素电极58的上缘所定义。第一次像素结构20A包括第一晶体管24(对应图3的TFT_A)、第一扫描线22a及第一像素电极26。其中，第一晶体管24包括栅极24G、漏极24D与源极24S，第一扫描线22a电性连接栅极24G，第一像素电极26通过接触元件30而电性连接漏极24D，源极24S则电性连接于信号线40a。

请参考图5，像素结构20内包括第一图案化导电层38、第二图案化导电层42以及第三图案化导电层52依序设于第一基板12上。栅极24G与第一扫描线22a包括部分第一图案化导电层38，源极24S、漏极24D与信号线40a、40b都由第二图案化导电层42所形成。此外，由于第一次像素结构20A属于液晶显示面板10的透射区，因此第一像素电极26也可视为一透射电极，包括图案化透明导电层68。

由于栅极24G与漏极24D、欧姆接触层78(例如为n+掺杂层)之间具有当作栅极绝缘层的介电层34与包括非晶硅材料的半导体层80，因此在栅极24G与漏极24D的重叠区域会存在第一耦合电容C_gd ^A36。第一像素电极26则会和第二基板14内表面上的透明共通电极耦合形成第一液晶电容C_LCA(图未示)，其中液晶层16作为第一液晶电容C_LCA的上、下电极板之间的介电层。为了节省开口率，像素结构20还包括共通电极48设于第一次像素结构20A与第二次像素结构20B的边缘部分，其中共通电极48可包括第三图案化金属层52。在第一次像素结构20A内，共通电极48沿着信号线40a、40b与第一像素电极26的下缘设置于第一像素电极26下方，也即约略沿着第一像素电极26的左、右边界及下边界而设置，并与第一像素电极26之间通过介电层50而电性隔绝，因此共通电极48与第一像素电极26的重叠区域具有一U形面积，耦合形成第一存储电容C_stA46，电性连接于漏极24D，如图中虚线标示的部分。

请再同时参阅图4与图5，第一次像素结构20A还包括延伸电极32，电性连接于栅极24G，且可与栅极24G和第一扫描线22a由同一第一图案化导电层38所制作。延伸电极32设于栅极24G的一侧，且与漏极24D具有一重叠区域，又由于延伸电极32和漏极24D之间通过介电层34而电性隔绝，因此在延伸电极32和漏极24D的重叠区域另耦合形成延伸电容C_gd ^Ae54。

另一方面，第二次像素结构20B包括第二晶体管56(对应图3的TFT_B)、第二扫描线22b及第二像素电极58。类似于第一次像素结构20B，第二晶体管56包括栅极56G、源极56S及漏极56D，分别电性连接于第二扫描线22b、信号线40a及第二像素电极58。值得注意的是，由于液晶显示面板10为半透射式液晶显示面板，因此在反射区44还包括由第三图案化导电层52所形成的反射电极62，覆盖部分第一与第二扫描线22a、22b，并通过接触洞66而电性连接漏极56D与第二次像素区18B内的第二像素电极58，两者在操作时具有相同的电位。因此，反射电极62可视为第二像素电极58的一部分，也即第二像素电极58包括了以金属材料形成的反射电极62以及利用图案化透明导电层68形成的第二透射电极60，其中反射电极62和第二透射电极60分别设于反射区44与第二次像素区18B。第二像素电极58的面积优选大于第一像素电极26的面积，例如前者约略为后者的两倍，更进一步地讲，第二透射电极60的面积优选大于第一像素电极26的面积，以在操作时通过第一、第二像素电极26、58来提供第一次像素区18A与第二次像素区18B不同的灰阶电压，改善色偏问题。

第二次像素结构20B还包括共通电极48，设于第二次像素结构20B的边缘部分，也即沿着第二次像素区18B的信号线40a、40b与第二透射电极60的上缘而设于第二透射电极60下方。共通电极48与第二像素电极58通过介电层50而电性隔绝，因此共通电极48与第二像素电极58的重叠区域形成第二存储电容C_stB70，如图4的虚线部分所示，其电性连接漏极56D。此外，第二像素电极58另与位于第二基板14内表面的透明共通电极耦合形成第二液晶电容C_LCB，并联于第二存储电容C_stB70。

第二次像素结构20B还包括第二耦合电容C_gd ^B64，耦合于栅极56G与漏极56D之间。再者，由于反射电极62同时覆盖第一、第二扫描线22a、22b，且反射电极62与第一、第二扫描线22a、22b之间设有以介电材料形成的平坦层72，因此在反射电极62与第一、第二扫描线22a、22b的重叠区域分别形成第一寄生电容C_gd ^B174与第二寄生电容C_gd ^B276，并联于第二耦合电容C_gd ^B64。然而，在本发明的其他实施例中，若第一扫描线22a没有设在反射电极62下方，则反射电极62仅会覆盖第二扫描线22b而耦合形成单一第二寄生电容C_gd ^B276。相反的，若第二扫描线22b没有设于反射区44，例如设于第二透射电极60上缘附近，反射电极62仅覆盖了第一扫描线22a，则第二次像素结构20B便只会包括第一寄生电容C_gd ^B174。

有关于第一次像素区18A内的第一液晶电容C_LCA、第一存储电容C_stA46、第一寄生电容C_gd ^A36与延伸电容C_gd ^Ae54以及第二次像素区18B内的第二耦合电容C_gd ^B64、第一寄生电容C_gd ^B174、第二寄生电容C_gd ^B276、第二存储电容C_stB70及第二液晶电容C_LCB的相对电性关系可参考图3。如前所述，一像素区内的回踢电压会受到其耦合电容、寄生电容、液晶电容与存储电容的影响，因此第一像素结构20A的回踢电压V_ftA为：

V_ftA＝(V_ghA-V_glA)(C_gd ^A+C_gd ^Ae)/(C_gd ^A+C_gd ^Ae+C_LCA+C_stA)

而第二像素结构20B的回踢电压V_ftB为：

V_ftB＝(V_ghB-V_glB)(C_gd ^B+C_gd ^B1+C_gd ^B2)/(C_gd ^B+C_gd ^B1+C_gd ^B2+C_LCB+C_stB)

由于第二像素电极58的面积大于第一像素电极26面积，因此第二液晶电容C_LCB会较大于第一液晶电容C_LCA。且第二像素电极58与共用电极48的重叠区域面积也较大，因此本实施例的第二存储电容C_stB70也较大于第一存储电容C_stA46。再者，第二像素结构20B内共包括第二耦合电容C_gd ^B64、第一寄生电容C_gd ^B174及第二寄生电容C_gd ^B276等寄生电容，其电容值总和一般会大于第一耦合电容C_gd ^A36，进而增大第一、第二薄膜晶体管24、56的回踢电压V_ftA、V_ftB的差异。因此，为了能使第一、第二回踢电压V_ftA、V_ftB具有约略相同的电压值，本发明特别设计在第一像素结构20B内设置延伸电极32，进而与漏极24D耦合形成延伸电容C_gd ^Ae54。通过设置延伸电容C_gd ^Ae54，而使第一、第二像素结构20A、20B内的电容值满足下式关系：

C_gd ^A+C_gd ^Ae＝C_gd ^B+C_gd ^B1+C_gd ^B2

也即第一耦合电容C_gd ^A36与延伸电容C_gd ^Ae54的电容值总和约略等于第二耦合电容C_gd ^B64、第一寄生电容C_gd ^B174及第二寄生电容C_gd ^B276的电容值总和。在此情况下，可以使回踢电压V_ftA、V_ftB具有较接近的电压值，进而改善共用电压电平的差异性，并有效改善显示画面闪烁的问题。值得注意的是，由于延伸电容C_gd ^Ae的大小受延伸电容32与漏极24D的重叠区域的影响，因此延伸电容32的面积可随不同像素结构内部的设置而不同，不限于本实施例所揭示的内容。

请参考图6，图6为本发明像素结构的另一实施例的俯视示意图，为简化说明，本实施例使用图4的元件符号来表示图式中相同的元件。在本实施例中，为了使回踢电压V_ftA、V_ftB具有相同的电压值，可以进一步调整第一存储电容C_stA与第二存储电容C_stB的大小，使两者相等。与前一实施例不同的是，本实施例的第二像素电极58的面积较小而没有覆盖横向设置的共通电极48，因此第二像素电极58与共通电极48的重叠区域面积具有两个I形面积而耦合形成第二存储电容C_stB。通过缩小第二像素电极58与共通电极48的重叠区域面积，使其较小于或等于第一像素电极26与共通电极48的重叠区域面积，进而减少第二存储电容C_stB的电容值，例如使其约略小于或等于第一存储电容C_stA，并配合前述C_gd ^A+C_gd ^Ae＝C_gd ^B+C_gd ^B1+C_gd ^B2的条件，便可进一步缩小回踢电压V_ftA、V_ftB的差异，使两者共用电压电平更接近，并改善显示画面闪烁的问题。

在本发明的其他实施例中，当液晶显示面板10为透射式液晶显示面板时，则反射电极62则会被整片以图案化透明导电层68形成的第二透射电极60所取代。因此，本发明的设计并不限于半透射式液晶显示面板，也可应用于透射式或其他种类的液晶显示面板。

相比于公知技术，本发明半透射式液晶显示面板包括了具有亮、暗区功能的第一、第二次像素结构于单一像素区中，以改善MVA液晶显示器的色偏问题。更进一步地，本发明另于亮区次像素结构中设置延伸电极与延伸电容，又可通过改变像素电极与共通电极的重叠面积来改变存储电容大小，使得第一、第二次像素结构内存储电容和寄生电容的电容值总和约略相等，进而使第一、第二次像素结构的回踢电压达到平衡，有效改善共用电压电平的差异性与画面品质。

以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求书所做的均等变化与修饰，都应属于本发明涵盖的保护范围。

Claims (20)

1.一种像素结构，形成于一基板上，其包括：

一第一次像素结构形成于该基板的一第一次像素区上，该第一次像素结构包括：

一第一晶体管；

一第一扫描线，电性连接于该第一晶体管的一栅极；

一第一像素电极，电性连接于该第一晶体管的一漏极；

一延伸电极，电性连接于该第一晶体管的该栅极，且与该第一晶体管的该漏极相重叠；

一第一耦合电容，耦合于该第一晶体管的该漏极与该栅极之间；以及

一延伸电容，并联于该第一耦合电容，且耦合于该延伸电极与该第一晶体管的该漏极之间的一重叠区域；以及

一第二次像素结构形成于该基板的一第二次像素区上，该第二次像素结构包括：

一第二晶体管；

一第二扫描线，电性连接于该第二晶体管的一栅极；

一第二像素电极，电性连接于该第二晶体管的一漏极，且该第二像素电极与部分该第一扫描线或部分该第二扫描线相重叠；

一第二耦合电容，耦合于该第二晶体管的该漏极与该栅极之间；以及

一寄生电容，并联于该第二耦合电容，耦合于该第二像素电极与该第一扫描线或该第二扫描线之间的一重叠区域；

其中该第一耦合电容与该延伸电容的电容值总和约略等于该第二耦合电容与该寄生电容的电容值总和。

2.如权利要求1所述的像素结构，其中该第二像素电极同时覆盖部分该第一扫描线与部分该第二扫描线。

3.如权利要求2所述的像素结构，其中该寄生电容具有：

一第一寄生电容，位于该第二像素电极与该第一扫描线的一重叠区域；以及

一第二寄生电容，位于该第二像素电极与该第二扫描线的一重叠区域。

4.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一像素电极包括一第一透射电极。

5.如权利要求1所述的像素结构，其中该第二像素电极包括：

一反射电极，覆盖部分该第一扫描线或部分该第二扫描线；以及

一第二透射电极，电性连接该反射电极。

6.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一次像素区还包括一第一存储电容，电性连接于该第一晶体管的该漏极，而该第二次像素区还包括一第二存储电容，电性连接于该第二晶体管的该漏极，且该第一存储电容的电容值较大于该第二存储电容的电容值。

7.如权利要求6所述的像素结构，其还包括一共通电极设于该基板上，且该第一存储电容位于该共通电极与该第一像素电极的一重叠区域，而该第二存储电容位于该共通电极与该第二像素电极的一重叠区域。

8.如权利要求7所述的像素结构，其中该共通电极与该第一像素电极的该重叠区域面积较大于该共通电极与该第二像素电极的该重叠区域面积。

9.如权利要求7所述的像素结构，其中该共通电极与该第一像素电极的该重叠区域具有一“U”形面积。

10.如权利要求7所述的像素结构，其中该共通电极与该第二像素电极的该重叠区域具有一“I”形面积。

11.如权利要求7所述的像素结构，其包括一第一图案化导电层、一第二图案化导电层以及一第三图案化导电层依序设于该基板上，且该第一与该第二扫描线包括该第一图案化导电层，该第一晶体管的该漏极与该第二晶体管的该漏极包括该第二图案化导电层，而该第二像素电极与该共通电极包括该第三图案化导电层。

12.如权利要求11所述的像素结构，其中该延伸电容位于部分该第一图案化导电层与部分该第二图案化导电层的一重叠区域。

13.如权利要求11所述的像素结构，其中该第一与该第二像素电极包括一图案化透明导电层。

14.如权利要求13所述的像素结构，其中该第一存储电容位于该图案化透明导电层与该第三图案化导电层于该第一次像素区的一重叠区域，而该第二存储电容位于该图案化透明导电层与该第三图案化导电层于该第二次像素区的一重叠区域。

15.如权利要求1所述的像素结构，其中当该像素结构在操作时，该第一次像素区与该第二次像素区具有约略相同的回踢电压值。

16.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一次像素区与该第二次像素区分别为该像素结构的一亮区与一暗区。

17.如权利要求1所述的像素结构，其设于一液晶显示面板中。

18.如权利要求17所述的像素结构，其中该液晶显示面板为一半透射式液晶显示面板。

19.一种液晶显示面板，其包括：

一第一基板；

一第二基板平行相对该第一基板设置；

一液晶层设于该第一基板与该第二基板之间；以及

该第一基板与该第二基板之间定义至少一像素区，该像素区包括一第一次像素区与一第二次像素区，该第二基板的该像素区上具有一像素结构，包括：

一第一次像素结构形成于该基板的该第一次像素区上，该第一次像素结构包括：一第一晶体管；一第一扫描线，电性连接于该第一晶体管的一栅极；一第一像素电极，电性连接于该第一晶体管的一漏极；一延伸电极，电性连接于该第一晶体管的该栅极，且与该第一晶体管的该漏极相重叠；一第一耦合电容，耦合于该第一晶体管的该漏极与该栅极之间；以及一延伸电容，并联于该第一耦合电容，且耦合于该延伸电极与该第一晶体管的该漏极之间的一重叠区域；以及

一第二次像素结构形成于该基板的该第二次像素区上，该第一次像素结构包括：一第二晶体管；一第二扫描线，电性连接于该第二晶体管的一栅极；一第二像素电极，电性连接于该第二晶体管的一漏极，且该第二像素电极至少与部分该第一扫描线或部分该第二扫描线相重叠；一第二耦合电容，耦合于该第二晶体管的该漏极与该栅极之间；以及一寄生电容，并联于该第二耦合电容，且耦合于该延伸电极与该第一晶体管的该漏极之间的一重叠区域；

其中该第一耦合电容与该延伸电容的电容值总和等于该第二耦合电容与该寄生电容的电容值总和。

20.如权利要求19所述的液晶显示面板，其中该第一次像素区包含一延伸电极，电性连接于该第一晶体管的该漏极，而该延伸电容位于该第一晶体管的该漏极与该延伸电极的一重叠区域。

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