CN106932990A - 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。该显示面板的一具体实施方式包括:显示区和非显示区;显示区包括公共电极、多条沿第一方向延伸的数据线和多条沿第二方向延伸的扫描线;非显示区包括静电释放单元、移位寄存器以及围绕显示区的封框胶区域;静电释放单元与公共电极、移位寄存器电连接,移位寄存器与多条扫描线电连接;封框胶区域的中心线包括由多个弧线连通的多条线段;静电释放单元与移位寄存器的连接线的一部分位于弧线对应的封框胶区域;连接线包括在弧线对应的区域内的第一子连接线,第一子连接线形成于第一透明电极层。该实施方式提高了在弧线对应区域的封框胶的透过率,从而提高了封框胶的紫外固化效率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。
背景技术
随着显示技术的极速进步,液晶显示面板得到广泛普及。液晶显示面板主要由对向设置的彩膜基板、阵列基板以及位于该两个基板之间的液晶层组成。
阵列基板一般包括显示区与非显示区,显示区内包括像素电极,每个像素电极中设置有薄膜晶体管。薄膜晶体管的漏极与数据线电连接,薄膜晶体管的栅极与扫描线电连接。非显示区一般包括移位寄存器与静电释放单元,上述移位寄存器与多条扫描线以及静电释放单元电连接,以向扫描线提供移位信号;上述静电释放单元将显示面板中产生的静电予以释放。
彩膜基板和阵列基板进行对盒工艺时,一般使用封框胶进行封装,并通过紫外线进行紫外固化。然而,移位寄存器与静电释放单元的金属连接线一般会与封框胶区域重叠。尤其是对于矩形显示面板,往往在拐角区域的封框胶的量较多。此时,上述金属连接线会影响封框胶区域的透过率,降低了对封框胶进行紫外固化的效率。
发明内容
本申请的目的在于提出一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法,来解决以上背景技术部分提到的技术问题。
第一方面,本申请提供了一种显示面板,显示面板包括显示区和非显示区,非显示区包围显示区;上述显示区包括公共电极、多条沿第一方向延伸的数据线和多条沿第二方向延伸的扫描线;上述公共电极形成于第一透明电极层和第一金属层;多条上述数据线和多条上述扫描线交叉限定出多个像素区域,每个上述像素区域包括一个像素电极和与上述像素电极电连接的薄膜晶体管;上述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层,上述有源层在上述源极和上述漏极之间形成导电沟道;上述栅极形成于上述第一金属层,上述源极和上述漏极形成于第二金属层,上述有源层形成于上述第一金属层和上述第二金属层之间,上述像素电极形成于第二透明电极层;上述漏极通过过孔与上述像素电极电连接;上述第一金属层和上述有源层之间形成有第一绝缘层,上述第二金属层和上述第二透明电极层之间形成有第二绝缘层;上述非显示区包括静电释放单元、移位寄存器以及围绕上述显示区的封框胶区域;上述静电释放单元与上述公共电极、上述移位寄存器电连接,上述移位寄存器与多条上述扫描线电连接;上述封框胶区域的中心线包括由多个弧线连通的多条线段;上述静电释放单元与上述移位寄存器的连接线的一部分位于上述弧线对应的封框胶区域;上述连接线包括在上述弧线对应的封框胶区域内的第一子连接线,上述第一子连接线形成于上述第一透明电极层。
第二方面,本申请提供了一种显示面板的制作方法,上述方法包括:在上述基板上依次沉积第一透明电极层、第一金属层和第一光刻胶层;利用第一掩膜版通过光刻工艺使上述第一透明电极层和上述第一金属层形成栅极、公共电极以及封框胶区域中弧线对应区域中的连接线,其中,上述封框胶区域的中心线包括由多个上述弧线连通的多条线段,上述连接线用于电连接静电释放单元和移位寄存器,上述连接线包括第一子连接线,上述第一子连接线形成于上述第一透明电极层;在上述栅极和上述公共电极上依次沉积第一绝缘层、多晶硅层、第二金属层和第二光刻胶层;利用第二掩膜版通过光刻工艺使上述多晶硅层形成有源层,使上述第二金属层形成源极和漏极;在上述源极、上述漏极和上述有源层上依次沉积第二绝缘层和第三光刻胶层;利用第三掩膜版通过光刻工艺在上述第二绝缘层上形成与上述源极连接的过孔;在上述第二绝缘层上依次沉积第二透明电极层和第四光刻胶层;利用第四掩膜版通过光刻工艺使上述第二透明电极层形成像素电极。
第三方面,本申请提供了一种显示装置,上述显示装置包括上述实施例上述的显示面板。
本申请提供的显示面板、显示装置及显示面板的制作方法,移位寄存器与静电释放单元的连接线的一部分位于封框胶区域内,且上述封框胶区域的中心线包括多条弧线连通的多条线段,上述连接线在弧线对应的封框胶区域内的第一子连接线有透明电极层形成,提高了在弧线对应区域的封框胶的透过率,从而提高了封框胶的紫外固化效率。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1a是根据本申请的显示面板的一个实施例的俯视图;
图1b是图1a所示显示面板的像素区域的俯视图;
图1c是图1b所示像素区域沿XX’方向的截面示意图;
图1d是图1a所示显示面板的弧线对应的封框胶区域的结构示意图;
图2a是图1a所示的显示面板100的静电释放单元与移位寄存器之间的连接线的结构示意图;
图2b是图2a所示的结构沿YY’方向的截面示意图;
图3是根据本申请的显示面板的静电释放单元的结构示意图;
图4是根据本申请的显示面板的制作方法的一个实施例的流程示意图;
图4a~图4i是图4所示方法的显示面板的具体形成步骤的结构示意图;
图5是根据本申请的显示装置的一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明,而非对该发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与有关发明相关的部分。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
图1a示出了根据本申请的显示面板的一个实施例的俯视图。本实施例的显示面板包括显示区AA和显示区AA之外的非显示区DA。显示区AA是指用于显示图像的区域,其包括多个像素电极10b、公共电极(图1a中未示出)、多条沿第一方向D1延伸的数据线12和多条沿第二方向D2延伸的扫描线11。非显示区DA是指没有显示图像的区域,其包括静电释放单元、移位寄存器以及围绕显示区AA的封框胶区域13。上述多条扫描线11和多条数据线12交叉限定出多个像素区域10,每个像素区域10包括一个像素电极10b和与像素电极10b电连接的薄膜晶体管10a。
像素区域10的具体结构示意图可参考图1b,如图1b所示,每个像素区域10包括公共电极101、栅极102、有源层103、源极104、漏极105以及像素电极106。栅极102、有源层103、漏极104以及源极105组成薄膜晶体管,有源层103在漏极104和源极105之间形成导电沟道。漏极104可以通过过孔107与像素电极106电连接,源极105可以与数据线12电连接。
本实施例的像素电极包括多条刻缝,这样可以增强像素电极与公共电极之间的水平电场,有利于显示面板中液晶分子的旋转。
进一步参考图1c,其示出了图1b所示的像素区域在XX’方向的截面示意图。公共电极101包括形成于第一透明电极层的第一部分1011和形成于第一金属层的第二部分1012;栅极102形成于第一金属层以及第一透明电极层;漏极104和源极105形成于第二金属层;有源层103形成于第一金属层和第二金属层之间;像素电极106形成于第二透明电极层;漏极104通过过孔107与像素电极106电连接。在上述第一金属层和有源层103之间形成有第一绝缘层108,在上述第二金属层和上述第二透明电极层之间形成有第二绝缘层109,上述各层均形成于基板110之上。
现有的像素电极结构,在基板上形成的各层的顺序一般为第一金属层(用于形成栅极)、第一绝缘层、有源层、第二金属层(用于形成源极和漏极)、第二绝缘层、公共电极层、像素电极层。在这种像素电极的制作过程中,通常需要五道掩膜版来制作,上述五道掩膜版分别用于制作栅极、有源层、源极和漏极、公共电极以及像素电极。
相比于现有的像素电极结构,本实施例的像素电极结构只需要四道掩膜版,上述四道掩膜版分别用于制作栅极和公共电极、有源层、源极和漏极以及像素电极。这样,有效地减少了像素电极的制作工艺,节省了制作过程中所使用的掩膜版,降低了制作成本。
在本实施例的一些可选的实现方式中,公共电极101也可以只包括形成于第一透明电极层的第一部分1011。由于透明电极层一般由ITO(Indium tin oxide,氧化铟锡)制成,其电阻较大。形成于第一金属层的第二部分1012的电阻相对于形成于第一透明电极层的第一部分1011的电阻要小很多。通过将形成于第一金属层的第二部分1012与形成于第一透明电极层的第一部分1011并联,可以有效地减小公共电极101的整体电阻,有利于信号在公共电极101中的传输。
本实施例的上述像素结构,可以将第一连接线的制作集成在栅极和公共电极的制作工艺中,从而在不增加工艺复杂度的前提下提高了弧线对应的封框胶区域的透过率;进一步地,上述连接线可以利用同一个半色调掩膜版制成,节约了制作成本。
进一步参考图1d,其示出了图1a所示显示面板100的弧线对应的封框胶区域的结构示意图。如图1d所示,非显示区DA内还包括静电释放单元14、移位寄存器15以及围绕显示区AA的封框胶区域13。其中,静电释放单元14分别与公共电极101、移位寄存器15电连接,移位寄存器15与多条扫描线11电连接。封框胶区域13为一条围绕显示区AA的带状结构,其中心线131包括多个弧线连通的多条线段。可以理解的是,本实施例中的中心线131为封框胶区域13各中心点依次连接而成的特征线,上述中心点为封框胶区域13的每两个相对的边之间的中心点。
上述静电释放单元14与移位寄存器15的连接线的一部分可以位于上述弧线对应的封框胶区域(如图1d中的扇形区域),即上述连接线可以横跨上述弧线对应的封框胶区域,也可以被上述弧线对应的封框胶区域覆盖。本实施例中,上述连接线的在弧线对应的封框胶区域内的第一子连接线161形成于第一透明电极层,也就是说,上述第一子连接线161只由ITO形成。可以理解的是,尽管图1d中对上述弧线对应的封框胶区域进行了限定,但这仅仅是示意性的,不构成对弧线对应的封框胶区域的形状的限定,本领域技术人员可以根据实际应用场景设置弧线对应的封框胶区域的形状。
本申请的上述实施例提供的显示面板,移位寄存器与静电释放单元的连接线的一部分位于弧线对应的封框胶区域,通过将位于弧线对应的封框胶区域的第一子连接线设置为只由第一透明电极层形成,有效地增加了弧线对应的封框胶区域的透过率,提高了对封框胶进行紫外固化的效率。
在本实施例的一些可选的实现方式中,上述静电释放单元14还可以位于封框胶区域13与显示区AA之间,这样,可以减小静电释放单元14与公共电极101之间的连接线的长度,可以尽快将显示面板100中产生的静电予以释放。
在本实施例的一些可选的实现方式中,上述公共电极101为块状电极,每块公共电极101向基板110的正投影可以覆盖多个像素区域。上述显示面板100还可以包括公共信号线,每个公共电极101可以与至少一条公共信号线对应电连接,各公共信号线与驱动芯片电连接。进一步地,多个公共电极101可以在显示面板100上呈阵列排布,且各公共电极101在触控阶段可以复用为触控电极。触控电极在触控阶段接收触控扫描信号,并感应触控操作生成触控感应信号,之后向驱动芯片返回触控感应信号以供驱动芯片根据返回的触控感应信号确定触控位置。
参见图2a,其示出了图1a所示的显示面板100的静电释放单元与移位寄存器之间的连接线的结构示意图。如图2a所示,静电释放单元24与移位寄存器25之间的连接线26还包括位于弧线对应的封框胶区域之外的第二子连接线262和第三子连接线263,上述第二子连接线262连接静电释放单元24及第一子连接线261,上述第三子连接线263连接第一子连接线261及移位寄存器25。
结合图2b,其示出了图2a所示的结构沿YY’方向的截面示意图。如图2b所示,第二子连接线262包括第一段2621及第二段2622,上述第一段2621形成于第一金属层,上述第二段2622形成于第一透明电极层;第三子连接线263包括第三段2631及第四段2632,上述第三段2631形成于第一金属层,上述第四段2632形成于第一透明电极层。且上述第一金属层与第一透明电极层电连接,即第一段2621与第二段2622相互电连接,第三段2631与第四段2632相互电连接。在这里,第一透明电极层与第一金属层相互接触。
本申请的上述实施例提供的显示面板,为了提高弧线对应的封框胶区域的封框胶的紫外固化效率,将弧线对应的封框胶区域的第一子连接线设置为由第一透明电极层形成,这样增加了弧线对应的封框胶区域的透过率,有利于该区域的封框胶的固化;而对于其它区域,由于封框胶的量相对于弧线对应的区域的封框胶的量较少,设置该区域内的连接线由第一透明电极层和第一金属层并联形成,可以有效地减小该区域内的连接线的电阻,同时不影响该区域内的封框胶的固化;并且上述连接线的制作可以集成于栅极和公共电极的制作工艺中,不会增加显示面板的制作工艺难度,节约了制作成本。
图3示出了根据本申请的显示面板的静电释放单元的结构示意图,如图3所示,本实施例的静电释放单元包括第一晶体管301及第二晶体管302。其中,第一晶体管301的栅极、第一晶体管301的第一极以及第二晶体管302的第二极与移位寄存器VSR电连接;第一晶体管301的第二极、第二晶体管302的栅极以及第二晶体管302的第一极与公共电极电连接。
本实施例中,移位寄存器VSR的输出端通常与多条扫描线电连接,用以向各扫描线提供移位信号,其输入端通常包括至少一条时钟信号线、至少一条输入信号线等,这些输入端都与一个静电释放单元电连接,这样,扫描线上产生的静电可通过移位寄存器VSR导入公共电极,并通过公共电极释放。
本申请的上述实施例提供的显示面板,可以将扫描线产生的静电通过静电释放单元予以释放,减小了静电对显示面板的损伤,提高了显示面板的制作良率。
图4示出了根据本申请的显示面板的制作方法的一个实施例的流程400。如图4所示,本实施例的显示面板的制作方法包括以下步骤:
步骤401,在基板上依次沉积第一透明电极层、第一金属层和第一光刻胶层。
本实施例中,第一透明导电层可以由透明金属氧化物半导体掺杂离子而形成。例如,向透明金属氧化物半导体注入金属离子或氢离子等,以提高第一透明导电层的电导率。
步骤402,利用第一掩膜版通过光刻工艺使第一透明电极层和第一金属层形成栅极、公共电极以及封框胶区域中弧线对应区域中的连接线。
其中,封框胶区域的中心线包括由多个弧线连通的多条线段,上述连接线用于电连接静电释放单元和移位寄存器,上述连接线包括第一子连接线,且第一子连接线形成于第一透明电极层。
本实施例中,静电释放单元与移位寄存器之间的连接线的一部分位于弧线对应的封框胶区域。一般情况下,矩形显示面板的拐角处所涂覆的封框胶的量较大,造成显示面板拐角处的封框胶难以紫外固化。本实施例中,设置位于弧线对应的封框胶区域(即拐角区域)内的连接线只由第一透明电极层形成,可以提高此处的封框胶的透过率,从而提高了此处的封框胶的紫外固化效率。
本实施例中,第一掩膜版可以是能形成具有厚度差的光刻胶图案的掩膜版。
在本实施例的一些可选的实现方式中,上述步骤402具体可以通过图4中未示出的以下步骤来实现:
利用第一掩膜版通过光刻工艺使所述第一光刻胶层形成第一光刻胶图案,上述第一光刻胶图案覆盖第一金属层中栅极对应的区域和公共电极对应的区域,暴露第一金属层中与封框胶区域中的弧线对应的区域;通过刻蚀工艺将暴露区域去除;去除所述第一光刻胶图案。
步骤403,在栅极和公共电极上依次沉积第一绝缘层、多晶硅层、第二金属层和第二光刻胶层。
本实施例中,多晶硅层用以在薄膜晶体管的源极和漏极间提供载流子。
步骤404,利用第二掩膜版通过光刻工艺使多晶硅层形成有源层,使第二金属层形成源极和漏极。
步骤405,在源极、漏极和有源层上依次沉积第二绝缘层和第三光刻胶层。
步骤406,利用第三掩膜版通过光刻工艺在第二绝缘层上形成于源极电连接的过孔。
步骤407,在第二绝缘层上依次沉积第二透明电极层和第四光刻胶层。
步骤408,利用第四掩膜版通过光刻工艺使第二透明电极层形成像素电极。
本领域技术人员可以明白,在阵列基板的制作工艺中,除了本实施例公开的各工艺步骤之外,还包括其它的一些公知的工艺步骤(例如,形成衬底基板的工艺等)。为了不模糊本实施例的核心工艺步骤,在描述本实施例的阵列基板的制作方法时,略去了对这些公知的工艺步骤的描述。
下面结合图4a~图4i来进一步展示本实施例的显示面板的具体形成步骤。
首先,如图4a所示,在基板410上依次沉积第一透明电极层401、第一金属层402以及第一光刻胶层(图4a中未示出)。然后利用第一掩膜版通过光刻工艺使第一透明电极层401以及第一金属层402形成栅极411、公共电极412以及封框胶区域中弧线对应区域中的连接线(图4b中未示出),如图4b所示。在得到的栅极411、公共电极412以及封框胶区域中弧线对应区域中的连接线上沉积第一绝缘层403,如图4c所示。
在图4c所示的结构上依次沉积多晶硅层404、第二金属层405以及第二光刻胶层(图4d中未示出),如图4d所示。然后利用第二掩膜版通过光刻工艺使多晶硅层404形成有源层413,使第二金属层405形成漏极414和源极415,如图4e所示。在得到的有源层413、漏极414和源极415的结构上沉积第二绝缘层406,如图4f所示。
在图4f所示的结构上沉积第三光刻胶层,然后利用第三掩膜版通过光刻工艺在第二绝缘层406上形成与源极415连接的过孔416,如图4g所示。在上述第二绝缘层406上依次沉积第二透明电极层407和第四光刻胶层(图4h中未示出),如图4h所示。然后利用第四掩膜版通过光刻工艺使上述第二透明电极层407形成像素电极417,如图4i所示。
在本实施例的一些可选的实现方式中,上述第一掩膜版为半色调掩膜版。
在本实施例的一些可选的实现方式中,上述第一光刻胶图案还覆盖第一金属层402中待形成扫描线的区域。
本申请的上述实施例提供的显示面板的制作方法,提高了显示面板的拐角区域的封框胶的透过率,从而提高了封框胶的紫外固化效率;同时,在显示面板的制作过程中只需要四道掩膜版,有效地简化了显示面板的制作工艺流程,提高了显示面板的制作效率。
如图5所示,本申请还提供了一种显示装置500,包括上述各实施例描述的显示面板。该显示装置通过将位于弧线对应的封框胶区域的第一子连接线设置为只由第一透明电极层形成,有效地增加了弧线对应的封框胶区域的透过率,提高了对封框胶进行紫外固化的效率。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解,本申请中所涉及的发明范围,并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案,同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下,由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (12)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区和非显示区,所述非显示区包围所述显示区;
所述显示区包括公共电极、多条沿第一方向延伸的数据线和多条沿第二方向延伸的扫描线;
所述公共电极形成于第一透明电极层和第一金属层;
多条所述数据线和多条所述扫描线交叉限定出多个像素区域,每个所述像素区域包括一个像素电极和与所述像素电极电连接的薄膜晶体管;
所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层,所述有源层在所述源极和所述漏极之间形成导电沟道;
所述栅极形成于所述第一金属层,所述源极和所述漏极形成于第二金属层,所述有源层形成于所述第一金属层和所述第二金属层之间,所述像素电极形成于第二透明电极层;
所述漏极通过过孔与所述像素电极电连接;
所述第一金属层和所述有源层之间形成有第一绝缘层,所述第二金属层和所述第二透明电极层之间形成有第二绝缘层;
所述非显示区包括静电释放单元、移位寄存器以及围绕所述显示区的封框胶区域;
所述静电释放单元与所述公共电极、所述移位寄存器电连接,所述移位寄存器与多条所述扫描线电连接;
所述封框胶区域的中心线包括由多个弧线连通的多条线段;
所述静电释放单元与所述移位寄存器的连接线的一部分位于所述弧线对应的封框胶区域;
所述连接线包括在所述弧线对应的封框胶区域内的第一子连接线,所述第一子连接线形成于所述第一透明电极层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述连接线包括在所述弧线对应的封框胶区域外的第二子连接线和第三子连接线;
所述第二子连接线连接所述静电释放单元及所述第一子连接线;
所述第三子连接线连接所述第一子连接线及所述移位寄存器。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第二子连接线包括形成于所述第一金属层的第一段以及形成于所述第一透明电极层的第二段;
所述第三子连接线包括形成于所述第一金属层的第三段以及形成于所述第一透明电极层的第四段;
所述第一金属层与所述第一透明电极层电连接。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述静电释放单元位于所述封框胶区域与所述显示区之间。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述静电释放单元包括第一晶体管和第二晶体管;
所述第一晶体管的栅极、所述第一晶体管的第一极以及所述第二晶体管的第二极与所述移位寄存器电连接;
所述第一晶体管的第二极、所述第二晶体管的栅极以及所述第二晶体管的第一极与所述公共电极电连接。
6.根据权利要求1-5任一项所述的显示面板,其特征在于,所述公共电极为块状电极,多个所述公共电极在所述显示面板上呈阵列排布,各所述公共电极在触控阶段复用为触控电极。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括公共信号线,各所述公共信号线与所述公共电极对应电连接。
8.一种显示面板的制作方法,所述显示面板包括基板,其特征在于,所述方法包括:
在所述基板上依次沉积第一透明电极层、第一金属层和第一光刻胶层;
利用第一掩膜版通过光刻工艺使所述第一透明电极层和所述第一金属层形成栅极、公共电极以及封框胶区域中弧线对应区域中的连接线,其中,所述封框胶区域的中心线包括由多个所述弧线连通的多条线段,所述连接线用于电连接静电释放单元和移位寄存器,所述连接线包括第一子连接线,所述第一子连接线形成于所述第一透明电极层;
在所述栅极和所述公共电极上依次沉积第一绝缘层、多晶硅层、第二金属层和第二光刻胶层;
利用第二掩膜版通过光刻工艺使所述多晶硅层形成有源层,使所述第二金属层形成源极和漏极;
在所述源极、所述漏极和所述有源层上依次沉积第二绝缘层和第三光刻胶层;
利用第三掩膜版通过光刻工艺在所述第二绝缘层上形成与所述漏极连接的过孔;
在所述第二绝缘层上依次沉积第二透明电极层和第四光刻胶层;
利用第四掩膜版通过光刻工艺使所述第二透明电极层形成像素电极。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述利用第一掩膜版通过光刻工艺使所述第一透明电极层和所述第一金属层形成栅极、公共电极以及封框胶区域中弧线对应区域中的连接线,包括:
利用所述第一掩膜版通过光刻工艺使所述第一光刻胶层形成第一光刻胶图案,所述第一光刻胶图案覆盖所述第一金属层中所述栅极对应的区域和所述公共电极对应的区域,暴露所述第一金属层中与封框胶区域中的弧线对应的区域;
通过刻蚀工艺将暴露区域去除;
去除所述第一光刻胶图案。
10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述第一掩膜版为半色调掩膜版。
11.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述第一光刻胶图案覆盖所述第一金属层中待形成扫描线的区域。
12.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1-9任一项所述的显示面板。
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GR01 | Patent grant | ||
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