CN1069291C - α－氧化铝粉末的制造方法及其由该方法得到的α－氧化铝粉末 - Google Patents

α－氧化铝粉末的制造方法及其由该方法得到的α－氧化铝粉末 Download PDF

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Abstract

将过渡氧化铝和/或氧化铝化合物，或它们的混合物，在卤化氢气、卤素气体、或它们的混合气浓度为0.1(体积)%的含卤化氢气气氛，含卤素气的气氛或含卤素气体和水蒸汽的气氛中进行烧结，再从得到的烧结物中去除卤素，以此为特征的α-氧化铝粉末的制造方法，和用该方法得到的α-氧化铝粉末。根据将原料粉末在卤素存在下烧结后，进行除卤的采用本发明的方法，可控制粒径、形状均匀、粒度分布狭窄，具有至今没有过的很高的填充性和可均匀填充的优良特性，并能够获得卤素含量低的α-氧化铝粉末，该α-氧化铝粉末可以用作高纯度烧结体的原料、研磨材料、陶瓷过滤器等多孔体的原料、密封材料的原料。

Description

α-氧化铝粉末的制造方法及其由该方法得到的α-氧化铝粉末
本发明是关于粒径和形状可控的，粒度分布狭窄、卤素含量低的α-氧化铝粉末的制造方法，和利用该方法制得的α-氧化铝粉末。
α-氧化铝粉末广泛用作研磨剂原料、烧结体原料，虽然已知过去有种种制造方法，但存在以下种种问题。
例如，用在特开平3-131517号公报中记载的方法(熔化法)制得的α-氧化铝是六方密实晶格，当把平行于α-氧化铝的六方晶格面的最大粒子直径取为D，垂直于六方晶格面的粒子直径取为H时，只能合成D/H比为5-40的六角板状粒子，而且具有形状不均匀的问题。
用英国专利990801号和德国专利1767511号中记载的方法制得的α-氧化铝，形状不均匀，粒度分布广、使用特公昭43-8929号公报中记载的方法制得的α-氧化铝，虽然杂质少，但粒度分布广，等问题。
再有，特公昭57-22886号公报中记载的方法，将氧化铝磨料作为晶种添加，虽然能够控制α-氧化铝的粒径，但在其制造中由于要求高压下，而且时间长，所以不能说在工业上是效率良好的方法。
再有，使用特开昭59-97528号公报中记载的方法制得的α-氧化铝，平均粒径为1～10μm，如前所述的D/H是接近于1的形状，但制造时作为矿化剂使用的硼或氟仍残留在α-氧化铝中，所以含有很多烧结时生成的凝聚体。
如上所述，到目前为止所知道的制造方法，由于难以控制所获得的α-氧化铝的粒径，且形状也不均匀，还含有很多多结晶体的凝聚粒子，粒子分布很广等理由，所以存在填充性能低，不能均质地填充等问题。
本发明者们经过重复认真研究，结果发现将过渡氧化铝或氧化铝化合物，通过在含有0.1(体积)％以上卤素的气氛气体中进行烧结，可以得到粒径和形状可以控制，并很容易获得粒度分布狭窄的α-氧化铝粉末，继续对其进行脱除卤素，可维持上述优良特性，而且可以获得卤素含量低的α-氧化铝粉末。
发现这样获得的α-氧化铝粉末，具有高填充性，并能均质填充的特性，而且，由于卤素含量低，能有利地用作高纯度烧结体原料、研磨材料、陶瓷过滤器等多孔体用的原料，单结晶原料，至此完成本发明。
本发明是关于α-氧化铝粉末的制造方法及其用该方法获得的α-氧化铝粉末，其特重在于将过渡氧化铝或氧化铝化合物，或它们的混合物，在卤化氢气、卤素气体或它们的混合气体浓度为0.1(体积)％以上的含有卤化氢气体气氛、含卤素气体气氛或含有卤素气体和水蒸汽的气氛中进行烧结，并从获得的烧结物中除去卤素。
以下将详细说明本发明。
本发明中的是具有上述特征的α-氧化铝粉末，是通过将过渡氧化铝或氧化铝化合物或它们的混合物，作为原料粉末，在含有0.1(体积)％以上的卤素的气氛中烧结后，继续进行脱除卤素，而可以获得。
作为本发明方法中的初始原料，可以使用过渡氧化铝、氧化铝化合物，或它们的混合物。或者，根据需要在这些原料中添加晶种、形状控制剂、或晶种和形状控制剂。
此处所说的过渡氧化铝是指以Al2O3表示的具有多晶形氧化铝之中的，除α晶形以外的所有氧化铝，具体实例可举出γ-氧化铝、δ-氧化铝、θ-氧化铝等。
作为用作原料的氧化铝化合物可举出，如氢氧化铝、硫矾(硫酸铝)、硫酸铝钾和硫酸铝铵等所谓的明矾类、铵铝碳酸盐、利用铝的水中放电法而获得的氧化铝凝胶等过渡氧化铝的先躯体。
过渡氧化铝或氧化铝化合物的制造方法，并没有特殊限定，可使用公知的方法，例如热处理氢氧化铝的方法，分解硫酸铝的方法，分解明矾的方法、气相分解氯化铝的方法、分解铵铝碳酸盐的方法、拜耳法、加水分解有机铝化合物的方法，或者把从冷凝器等腐蚀废液中得到的铝化合物作为原始原料的方法，等等。
根据本发明的制造方法，将使用像拜耳法这样的在工业上廉价的方法，得到的粒子直径为10μm以上的氢氧化铝和过渡氧化铝用作原料，即可获得本目的α-氧化铝粉末。
根据本发明，利用添加晶种可控制α-氧化铝粉末的粒径。
不添加晶种的情况下，通常可以得到粒径为0.1～30μm的α-氧化铝粉末。这种情况下，可根据原始原料将粒径控制在某种程度上。
例如，将利用加水分解有机铝化合物得到的氢氧化铝作为原料时，可得到粒径约为18μm的α-氧化铝粉末，把烧结这种氢氧化铝所得到的过渡氧化铝作为原料，可制得粒径约为10μm的α-氧化铝粉末。再有，通过改变加水分解条件、烧结温度、烧结气氛等，可以改变所得α-氧化铝粉末的粒径。例如将高温下烧结得到的过渡氧化铝作原料时，可使生成的α-氧化铝粒子的粒径变小。
添加晶种时，通常可得到0.1-10μm的α-氧化铝粉末。这种情况下，根据晶种的添加量可以控制粒径，晶种数量越多，粒子直径越小。
晶种的添加量，是将原料换算成氧化铝，将其为100分(重量)时，可添加10-3～50份(重量)，较好的是10-3～30份(重量)，更好的是10-3～10份(重量)。此处所说氧化铝的量是指过渡氧化铝或氢氧化铝原料中含有吸附水或结晶水时，除去这些水重量时的氧化铝的量。
晶种是指α-氧化铝结晶生长的核，只要是把该晶种作为核，在它周围生长α-氧化铝，对此就没有特殊的限定，作为晶种使用的可举出铝、钛、钒、铬、铁、镍的氧化物、氮化物、氧氮化物、碳化物、碳氮化物、卤化物、硼化物等、氧化物、氮化物较好，而最好使用氧化物。
这些金属氧化物可以单独使用，或二种以上混合使用。
作为添加晶种的方法，可采用搅拌、球磨机、超声波分散等方法。利用混合装置材料的磨损物代替添加晶种，也能够控制作为目的的α-氧化铝粉末的粒径。例如，通过使用氧化铝球的球磨机，可以把氧化铝的磨损粉作为晶种混合在原料中，依此可控制粒径。
为了控制α-氧化铝粉末的形状，最好向过渡氧化铝、氧化铝化合物或它们的混合物原始原料中添加形状控制剂。
形状控制剂在晶体生长过程中起作用，其作用是改变D/H比(六方密实晶格的α-氧化铝的六方晶格平面，与其平行的最大粒子直径为D，和与六方晶格平面垂直的粒子直径为H时的D与H之比)和结晶习性，因而只要具有这样机能的形状控制剂，没有做特殊的限定。
作为形状控制剂可举出，如镁、钙、锶、钇、锆、铌、钒、钼、铜、锌、硼、硅、镧、铈、钕等单体金属和这些金属的氧化物、氮化物、氧氮化物、碳化物、碳氮化物、卤化物、硼化物等金属化合物，而氧化物较好。
上述单体金属，金属化合物可单独使用，也可二种以上混合使用。钒还具有作晶种的机能。
形状控制剂的添加量，可换算成原料的氧化铝，将其为100份重量时，可添加10-3～50份重量，较好的是10-3～30份重量，最好是10-3～10份重量。
例如，作为使D/H增大的形状控制剂，可以使用镁、钙、硅、铜、钼、铌、锌、锆、钒、锶。再有，作为使D/H减小的形状控制剂，可以使用镧、铈、钕。
当控制结晶习性时，例如，作为产生N面形状控制剂，可以使用镧、铈、钕、氧化锆，而在合成由C面和R面形成的粒子中，可以使用钙，为消去a面可以使用氧化锆，在由a面和c面形成六角柱状时，可以使用硼。
对于形状控制剂的添加方法没有特殊规定，可举出如球磨机、超声波分散等方法。另外也可以利用混合装置等的混合装置材料在混合时的磨损物作形状控制剂。
进而为了控制目的的α-氧化铝粉末的粒径和形状，也可以同时添加晶种和形状控制剂。依此可以一次制造出具有适用最终用途的粒子直径和形状的α-氧化铝粉末。
同时添加晶种和形状控制剂时，添加剂的合量是，将原料按氧化铝计算，将其为100份重量时可添加10-3～50份重量，较好是10-3～30份重量，最好是10-3～10份重量。
烧结，是在含有卤化氢气体、卤素气体、或卤素气体和水蒸汽的气氛气体中实施。
在烧结工序中使用卤化氢气体时，针对总体积的气氛气体，可以使用含0.1(体积)％以上卤化氢气体的气氛，较好是0.5(体积)％以上，更好是1(体积)％以上。作为卤化氢气的稀释气体，可使用氮气和氢气或氩等惰性气体或空气。含卤化氢的气氛气体压力，通常为常压，没有特殊限定，可在工业上应用范围内任意选择。在这样的气氛气体中进行烧结，低温下也可以获得目的α-氧化铝粉末。
烧结温度为500-1400℃，600-1300℃为较好，800-1200℃为更好。
在烧结工序中使用卤素气体时，对于总体积的气氛气体，可使用含0.1(体积)％以上卤素气体的气氛，含0.5(体积)％以上为较好，而含1(体积)％以上为更好。作为卤素气体的稀释气体，可使用氮气和氢气或氩等惰性气体或空气。含卤素气体的气氛气体压力，通常为常压，没有特殊限定，可在工业使用范围内任意选择。在这样的气氛气体中进行烧结，可以在低温下获得目的的α-氧化铝粉末。
烧结温度为950～1500℃，1050～1400℃较好1100～1300℃更好。
在烧结工序中使用卤素气体和水蒸汽时，对于总体积的气氛气体，可使用含0.1(体积)％以上的卤素气体，0.5(体积)％以上较好，1(体积)以上为更好，和0.01(体积)％以上的水蒸汽，0.1(体积)％以上较好，0.5(体积)％以上更好的气氛气体。作为卤素气体的稀释气体，可使用氮气和氢气或氩等惰性气体或空气。水蒸汽可用氮气载入烧结炉内，它的体积可根据水温所产生的饱和水蒸汽压变化加以控制。含有卤素气体和水蒸汽的气氛气体压力，通常为常压，没有做特殊限定，可在工业上所用范围内任意选择。在这样的气氛气体中进行烧结，可获得目的的α-氧化铝粉末。
使用卤素气体和水蒸气时的烧结温度为500～1400℃，600～1200℃为较好，800～1200℃为更好。
使用上述气氛气体，通过在每种情况相应的烧结温度进行烧结可以得到以工业有利的生成速度，α-氧化铝粒子彼此之间难以产生凝聚，即使刚烧结后边由粒度分布狭窄的α-氧化铝粒子构成的α-氧化铝粉末。
烧结时间要足以使过渡氧化铝或氧化铝化合物进行烧结使结晶生长成α-氧化铝，1分钟以上为好，10分钟以上更好。与老的方法相比，本发明的制造方法可在短时间内获得目的的α-氧化铝。
气氛气体的供给源和供给方法，只要能将上述气氛气体送入过渡氧化铝等原料存在的反应***内，没有特殊限定。例如，作为卤化氢气体和卤素气体供给源，通常使用压缩气体，把得到的卤化氢气体和卤素气体作为所规定的气体成分，也可以使用固体的或液体的卤素化合物代替压缩气体。
作为固体或液体的卤化氢气体供给源可举出：氟酸、盐酸、溴化氢酸等的卤化氢溶液、氟化铵、氯化铵、溴化铵、碘化铵等的卤化铵，等卤素化合物，含有卤素的高分子化合物等，使用氯化铵为好。例如，卤化铵约在400℃升华，所以可与原料混合，或者和原料同时送入炉内，进行升华，可作为氯化氢气体气氛。使用氯化铵，以批量形式实施时，氯化铵在本发明的烧结温度下完全分解，根据摩尔分率，形成体积％分别为氯化氢33(体积)％、氮气17(体积)％、氢气50(体积)％的气氛，氯化氢气体浓度根据氯化铵的填充量和炉的大小来调整。
作为固体或液体的卤素气体供给源可举出，如固体的K2N2F6·KF和固体碘、液体溴和液体溴酸，含卤素的高分子化合物等。关于固体的卤素气体供给源同样可以使用氯化铵。
卤化氢气体浓度越高，越能在更低的温度下短时间内获得高纯度的α-氧化铝粉末。作为气体的供给方法可使用连续方式或间歇方式的任何一种方法。
烧结装置不必进行限定，可采用通常的烧结炉。希望烧结炉由不受卤化氢气体、卤素气体腐蚀的材料制成，更希望备有调整气体的气氛的机构。
另外，由于使用卤化氢气体和卤素气体等酸性气体，所以希望烧结炉是密封性的，工业上可以使用隧道炉、回转炉、或推进炉等。
作为制造工序中所用装置的材料，由于是在酸性气氛中进行反应，所以最好使用氧化铝、石英、耐酸砖、白金、碳化硅、莫来石或石墨制的坩埚和舟皿等。
作为工业上实施上述过渡氧化铝等原料烧结的效率良好的方法，可以举出，直接将固体或液体的卤化氢气源和/或卤素气体源送入烧结炉内，在含有卤化氢气体和/或卤素气体的气氛中连续烧结的方法。
这种情况下，最好是对于总体气氛，将能形成含有1(体积)％，较好是5(体积)％，更好是10(体积)％以上的卤化氢气体、卤素气体或它们的混合物的气氛的固体或液体卤化氢源、卤素气源，或它们的混合物直接送入烧结炉内，以烧结过渡氧化铝和或氧化铝化合物。
卤素气体源和水蒸气最好同时供入。这时，烧结炉内的含有的卤素气体和水蒸汽的气氛气体的压力，通常为常压，但没有特殊限定，可在工业上所应用的范围内任意选择。
烧结氧化铝原料的烧结炉内的气氛中，卤化氢气体或卤素气体的浓度，因为要充分保持上述所规定的浓度，所以对形成卤化氢气源或卤素气源的固体的或液体的物质，只要供给，将在烧结炉内气氛中的卤化氢气体或卤素气体以浓度维持在上述浓度范围内的量就可以。另外，即使供给过剩也不会产生问题，没有必要排出。
最好直接将产生卤化氢气体源或卤素气体源的固体或液体的物质送入烧结炉内。这些气体源既可以单独供给，也可以与氧化铝原料混合起来供给。例如像连续操作的推进式隧道炉，间歇供入原料的炉的情况下，将气体源供入装氧化铝原料的容器内而***炉内，与使用高压储气瓶相比，而不需要为供给气体设置设备。
进而，为了将烧结炉内最高均温区中的卤化氢气体和/或卤素气体的浓度保持在必要的浓度以上，最好使固体或液体的卤化氢气体源和/或卤素气体源分解生成的卤化氢气体和/或卤素气体与过渡氧化铝和/或氧化铝化合物的供入方向同流流动。
作为使卤化氢气体和/或卤素气体与氧化铝原料供入方向同流流动的方法，可举出如使该气体从氧化铝原料入口一侧向炉内最高均温区方向流动，用氮气载带这些气体的方法，或者从烧结获得α-氧化铝粉末取出口，用鼓风机吸引的方法等，采用这些方法很容易将进行炉内烧结的区域气氛保持在所规定的浓度的气氛。
此处所说的最高均温区是指过渡氧化铝和/或氧化铝化合物与卤化氢气体和/或卤素气体进行反应的区域，必须维持炉内此温度在最适于反应的最高温度。
烧结温度在600℃以上，1400℃以下为好，较好的是700℃以上，1300℃以下，更好的是800℃以上，1200℃以下。控制在这个温度范围内进行烧结，能够得到以工业上有利的生成速度获得即使刚烧结后也由粒度分布狭窄的α-氧化铝粒子构成的粉末状α-氧化铝。
烧结装置，可使用能连续供原料，并取出产品的隧道式炉和回转式炉等连续烧结的炉，但最好使用电加热方式或间接气体加热方式的隧道式炉。
依照本发明方法，由于是在含有卤化氢气体或卤素气体，或卤素气体和水蒸汽的气氛下进行烧结，所以将残存在烧结物中的卤素除去。
例如，所得到粒径为1μm以下的α-氧化铝微粒粉末，由于表面积大，刚烧结后，残存的卤素在200ppm以上。即使粒径为数μm的表面积小的α-氧化铝粉末，有时也会残留几十个ppm卤素。卤素残留在数百个ppm以上时，例如，作密封材料用时，密封IC后，会发生因腐蚀性卤素离子流出，而使铝配线产生断线等问题。因此，这类卤素离子涉及到恶烈影响的用途，例如，高纯度烧结体原料，研磨材料、陶瓷过滤器、密封材料的原料，单晶的原料等用途时，必须除去残存的卤素。
作为卤素去除方法，可举出以下方法，如
(a)将含有卤素的α-氧化铝粉末置于空气中、氮气中，或在它们中含有0.1(体积)％，较好是1(体积)％以上，更好是10(体积)％以上的选自水蒸气、氧、氢、二氧化碳、醇、氨中的一种以上的气体的气氛中，于550℃～1400℃的温度范围，较好是600～1200℃，更好是800～1200℃的温度范围内进行热处理的方法。热处理时间为1分钟以上，较好是在10分钟以上，最好在1小时以上。例如，根据用途将卤素的残留浓度定为10ppm以下时，可以在含有1(体积)％上述气体的气氛中，于800℃以上，热处理30分钟以上为好。
(b)将含有卤素的α-氧化铝粉末，置于惰性气体气氛中，于600～1400℃，较好是在900～1200℃的温度范围内进行热处理的方法，热处理时间为1分钟以上，较好是30分钟以上，最好1小时以上。
(c)将含有卤素的α-氧化铝粉末，在1托以下，较好是在0.1托以下的减压下，于400～1400℃，较好在700～1200℃的温度范围内进行热处理的方法。热处理时间为1分钟以上，而10分钟以上较好，1小时以上更好。
(d～f)将含有卤素的α-氧化铝粉末，(d)在水、碱性溶液(pH9～13)或醇溶液中洗净处理后，在70～300℃的温度范围内进行干燥处理的方法；(e)将水、碱性溶液(pH9～13)或醇溶液加热到沸点，进行煮沸处理后，在70～300℃的温度范围内进行干燥处理的方法；或(f)用水、碱性溶液(pH9～13)或醇溶液，于70～200℃的温度范围内进行高压处理后，再在70～300℃的温度范围内进行干燥处理的方法。
虽然对使用的碱性溶液没有特殊限定，但可以用氨、氢氧化钠等将溶液调整到所规定的pH值。再有，作为所使用的醇类，虽没有特殊限定，但可以使用乙醇、甲醇等。
在进行高压处理时，若在各溶剂的饱和蒸汽压下进行处理，卤素的脱除效果非常充分，但想要处理时间短，最好使用具有加压机构的高压釜。
因为无论哪种情况被去除的卤素量都是微量的，所以通常可使用市售的烧结炉和高压釜。
再有，由于α-氧化铝粉末为微粒的情况下，一部分总是以轻微凝聚的粒子存在，所以最好根据用途增加粉碎工序。
粉碎工序可以选在脱卤素工序之前或之后，在考虑工业生产设备时，无论哪种情况都可以按最好的顺序设计工艺程序。
虽然对粉碎方法没有特殊限定，但可以使用如喷射式磨机，振动磨机，球磨机等，最好使用喷射式磨机。采用本发明得到的α-氧化铝粉末凝聚力很弱，即使用很小的粉碎能量都可能粉碎得很充分，例如，使用喷射式磨机时，供给的空气压力，按老方法制造的α-氧化铝粉末不能充分粉碎的压力：1～6kg/cm，但对本发明的α-氧化铝粉末却能充分粉碎。
根据本发明方法制得的α-氧化铝粒子，粒径得以控制，形状是均匀的，粒度分布是狭窄的，因此具有填充性能高和均匀填充的优良特性，而且还具有所说的卤素含量低的优良性质。另外，由于本发明的粒子，内部结晶是均匀的，不添加晶种所制得的α-氧化铝粒子，均匀性也特别好。
该α-氧化铝粒子是具有8个以上面的多面体形状的六方密实晶格，与它的六方晶格面平行的最大粒子直径取为D，与六方晶格面垂直的粒子直径取为H时，D/H在0.5以上3.0以下，它的粒度分布从微粒一侧垒积10％，垒积90％的粒径分别取为D10、D90时，由D90/D10为10以下的α-氧化铝粒子所构成，而卤素含量在40ppm以下。该α-氧化铝粒子的粉平均粒径在0.1μm以上，30μm以下。
该α-氧化铝粒子，由于填充性高，可均匀填充，而且卤素含量低，所以可用作单晶的原料、高纯度烧结体的原料、研磨材料、陶瓷过滤器等多孔体的原料，密封材料的原料等。
粒度分布，D90/D10在10以下，最好在7以下。由于D90/D10在7以下时，填充性能好，所以最好用作要求填充性高的单晶原料、密封材料的原料等的用途。
卤素含量在40ppm以下，较好的是20ppm以下，而10ppm以下更好。用作单晶原料、高纯度烧结体的原料等的用途中时，卤素含量最好是20ppm以下。用作由卤素而产生腐蚀问题的密封材料的原料时，进而卤素含量最好在10ppm以下。
氧化铝的纯度取决于所用原料的纯度，根据本发明的方法，可以制得氧化铝纯度与使用的原料同等或更高的α-氧化铝粒子。氧化铝的纯度最好在99.90(重量)％以上，在99.95(重量)％以上为特别好。
作单晶原料用的氧化铝纯度最好在99.90(重量)％以上，而用作高纯度烧结体原料的氧化铝纯度最好在99.95(重量)％以上。氧化铝纯度在99.95(重量)％以上时，不会引起异常粒子的生长，可得到具有均匀组织结构的高强度烧结体，而且也可以在单晶原料、固体激光器等，对纯度要求特别高的用途中使用。特别是根据本发明的方法，由于所生成的α-氧化铝粉末中的杂质铁和钙的含量和原料中的含量相等或低些，不会引起异常粒子的生长，所以作为高纯度烧结体的原料最好。
例如，α-氧化铝粒子，可按以下所示的方法加工后用于上述用途中。
制造单晶时，例如，将α-氧化铝粉末填充到坩埚内，升温到熔点，待熔解后，反复n次进行所谓冷却工序，将熔液完全填充到坩埚内后，将其提高按照切克劳斯基单晶拉制法进行制造。使用这种方法，从成本方面和防止杂物混入观点考虑，希望减少升温、熔解的次数，由于这个原因，最好提高原料α-氧化铝粉末的填充密度。因为本发明的α-氧化铝粉末，粒径可控制，形状均匀、粒度分布狭窄，与过去的α-氧化铝相比，由于填充密度高，作单晶原料最好。
制造高纯度烧结体和陶瓷过滤器等多孔体时，利用压力成形法、滑动铸造法、喷射成形法、挤压成形法，进行成形，并将其烧结，加工而制造本发明的α-氧化铝粉末。
高纯度烧结体，在成形体中填充粉末不均匀时，烧结时引起不均匀收缩，导致尺寸精度降低，而且粒度分布宽广而产生聚积粒子，并存在杂物时，其强度和耐磨性要降低，所以在该用途中，最好使用能获得没有凝聚粒子，填充均匀的成形体的α-氧化铝粉末。由于本发明的α-氧化铝粉末形状均匀，粒度分布狭窄，并能填充均匀，所以用于高纯度烧结体最好。
陶瓷过滤器等多孔体，根据用途，过滤物质的粒径而不同，而且对过滤效率要求高，所以能够控制多孔体中的细小孔径，最好是细小孔径狭窄的多孔体。由于本发明的α-氧化铝粉末形状均匀，粒度分布狭窄，粒径又能控制，所以成形体中的细小孔径能够控制，由于能够制造具有任意细小孔径的陶瓷过滤器等多孔体，所以能很好地被使用。
再有，本发明的α-氧化铝粉末和环氧树脂混合，将其涂敷在工C和LSI上，可以用作提高IC和LSI的机械强度，耐热性、耐久性、热传导性等的密封材料使用。本发明的α-氧化铝粉末的形状均匀，粒度分布狭窄，可均匀地填充，而且成为腐蚀原因的卤素含量少，纯度高，所以作密封材料的原料最好。再有，本发明的α-氧化铝粉末具有很高的抗压强度，可以很好地用作研磨材料。
再有，该α-氧化铝粉末具有填充性高、可均匀填充的优良特性，而且卤素含量低，可以用作钇铝石榴红(YAG)、兰宝石、红宝石等单晶用的原料，高纯度烧结体的原料，研磨材料、陶瓷过滤器，密封材料的原料。
以下将根据实施例具体说明本发明，但不能说实施例对本发明加以限定。
再者，本发明使用以下方法进行各种测定。
1.α-氧化铝粉末的数平均粒径和粒度分布(D90/D10)的测定。
(1)数平均粒径，从α-氧化铝粉末的电子扫描显微镜(日本电子株式会社制、T-300)的照片上选出80-100个粒子，进行图像分析，求出相当于园的直径和它的分布。所谓相当于园的直径，是说换算成面积等于真园的直径值。
(2)(D90/D10)的值，将激光散射法作为测定原理，用熟练分粒器(マスタ-サイザ-)(マルバ-ン社制)进行测定。这里，从垒积粒度分布的微粒一侧，垒积10％、垒积90％处的粒径分别称为D10、D90。
2.α-氧化铝粉末形状的(D/H)测定。
在本发明中所说的α-氧化铝粉末的形状，是指六方密实晶格，将平行于α-氧化铝六方晶格面的最大粒子直径为D、垂直于六方晶格面的粒子直径为H的D/H比。从α-氧化铝粉末的电子扫描显微镜(日本电子株式会社制、T-300)的照片上选出5-10个粒子，测定D/H，并求出它的平均值。
3.卤素残留浓度的测定。
10ppm以上的卤素残留量，利用X射线紫光进行测定。将α-氧化铝粉末装入直径40mm的容器内，用X射线辐照。
不足10ppm的卤素残留量，利用辉光放电质量分析法测定。将α-氧化铝粉末附着在In线上进行分析。
4.结晶面数和结晶习性的评价
(1)结晶面数
排照α-氧化铝的SEM(电子扫描显微镜，日本电子株式会社制：T-300)照片，根据照片的图像分析求得。
(2)结晶习性的评价
作为对本发明中α-氧化铝粒子形状的评价、观察结晶的习性。将依照本发明获得的α-氧化铝粒子的结晶习性(以A-I表示)示于图5。α-氧化铝是六方型结晶，所谓结晶习性是说，用由a面{1120}、c面{0001}、n面{2243}和r面{1012}形成的结晶面的表现方式，以呈现结晶特征的形态。图5中，结晶面记为a、c、n和r。
5.氧化铝纯度的测定
利用发射光谱分析测定杂质离子的混入量，将杂质换算成氧化物求得。卤素的含量利用X射线萤光分析法或辉光放电质量分析法求得。将这样求得的杂质含量(重量％)从100(重量)％中扣除，作为氧化铝的纯度。
6.粒子的破坏强度
利用超微型电动硬度计(岛津制作所制)测定粒子的破坏强度。
实施例中所用过渡氧化铝等原料如下所示。
1.过渡氧化铝
利用异丙氧基铝加水分解法获得的氢氧化铝，进行烧结得过渡氧化铝(商品名：AKP-G15住友化学工业(株)制、2次粒径：约4μm)。
2.氢氧化铝
利用异丙氧基铝加水分解，合成获得的粉末，2次粒径为约8μm。
3.卤化氢气和卤素气体
作为卤化氢气，可用氯化氢。氯化氢气，可用鹤见ソ-ダ(株)制的高压储气瓶装氯化氢气(纯度为99.9％)。氯气体，可用藤本产业(株)制的高压储气瓶装氯气(纯度99.4)。
实施例1
作为过渡氧化铝，可使用加水分解有机铝化合物而获得过渡氧化铝粉末(商品名AKP-G15，住友化学工业株式会社制)。
将200g该过渡氧化铝粉末装入石墨舟内，在使用石英管的管式炉内进行烧结。采用氮气作为稀释气体，以500℃/小时的升温速率进行升温，当升温到800℃时，通入瓶装氯化氢气体、气氛的浓度调节，可用流量计分别调节氮气和瓶装氯化氢的流量，气氛气体的总流量调整到线速度为20mm/分。气氛气体的总压力为大气压。升温到1100℃后，保持此温度30分钟后自然冷却。再将获得的α-氧化铝粉末在600℃空气中进行除氯30分钟，从而获得目的的α-氧化铝粉末，结果示于表1。图1中示出了由实施例1得到的粉末状α-氧化铝SEM照片，图2示出了粒度分布。粒子的压碎强度为580kg/mm。
实施例2
除了使用有机铝化合物加水分解合成的氢氧化铝(有时简称为水铝)作原料氧化铝外，进行和实施例1相同的操作，得到α-氧化铝粉末，结果示于表1。
实施例3
除了用明矾(バン)(和光纯药株式会社制)作过渡氧化铝外，进行和实施例1相同的操作，得到α-氧化铝粉末。结果示于表1。
实施例4
除了用硫矾(バン)(和光纯药株式会社制)作过渡氧化铝外，进行和实施例1相同的操作，得到α-氧化铝粉末，结果示于表1。
实施例5
用加水分解有机铝化合物制得的过渡氧化铝粉末(商品名AKP-G15，住友化学工业株式会社制)作为过渡氧化铝。
用11.6gα-氧化铝粉末(商品名AKP-50、住友化学工业株式会社制)作晶种，与上述过渡氧化铝粉末混合成211.6g，并将该混合物装入石墨舟内，以下操作和实施例1相同，得到α-氧化铝粉末。结果示于表1。
实施例6
用喷射式磨机(日本ニユ-マチツク工业株式会社制，PJM-100SP)将实施例5中得到的α-氧化铝粉末进行粉碎。粉碎条件为空气压力6kg/cm2，粉末供入速度2.4kg/小时。结果示于表1。
Fe和Ca的含量分别为7ppm和4ppm。
实施例7
用加水分解有机铝化合物制得的过渡氧化铝粉末(商品名AKP-G15，住友化学工业株式会社制)作为过渡氧化铝。
用11.6gα-氧化铝粉末(商品名AKP-50，住友化学工业株式会社制)作晶种，与上述过渡氧化铝粉末混合成211.6g，并将该混合物装入石墨舟内，以下操作和实施例1相同，在气氛温度1100℃下保持30分钟后，自然冷却，得到α-氧化铝粉末。接着用喷射式磨机，将得到的α-氧化铝粉末粉碎(空气在6kg/cm2，粉末的供给速度2.4kg/小时，在600℃的空气中进行除氯30分钟，得到目的的α-氧化铝粉末。结果示于表1中。
实施例8
用加水分解有机铝化合物制得的过渡氧化铝粉末(商品名AKP-G15，住友化学工业株式会社制)作为过渡氧化铝。
用11.6gα-氧化铝粉末(商品名AKP-50，住友化学工业株式会社制)作为晶种，与上述过渡氧化铝末混合成211.6g，装入石墨舟内，在使用石英炉芯管的管式炉内烧结。以500℃/小时的升温速率升温，当达到400℃时通入瓶装氯化氢气体。气氛的浓度的调整是利用流量计调整瓶装氯化氢气体的流量而进行的。气氛气体的总流量调为线速率20mm/分。气氛气体的总压力全部为大气压力。当达到600℃后，在此温度下保持90分钟后进行自然冷却。将得到的α-氧化铝粉末在600℃空气中进行除氯30分钟后，利用喷射式磨机粉碎(空气压力为6kg/cm2，粉末供入速度为2.4kg/小时)，得到目的的α-氧化铝粉末。结果示于表1。
实施例9
作为过渡氧化铝，用加水分解有机铝化合物制得的过渡氧化铝粉末(商品名AKP-G15，住友化学工业株式会社制)。
作为晶种用11.6gα-氧化铝粉末(商品名AKP-50，住友化学工业株式会社制)，与上述过渡氧化铝粉末混合成211.6g，并将该混合物装入石墨舟内，在用石英管的管式炉内烧结。以500℃/小时升温速率进行升温，当达到800℃时通入瓶装氯气。气氛的浓度调整是利用流量计调整瓶装氯气的流量而进行的。气氛总流量调为线速度20mm/分。气氛气体的总压力全部为大气压力。当达到1200℃后，在此温度下保持30分钟后进行自然冷却，将得到的α-氧化铝粉末在600℃空气中进行除氯30分钟后，利用喷射式磨机粉碎(空气压力6kg/cm2，粉末供入速度2.4kg/小时)，得到目的的α-氧化铝粉末。结果示于表1。
实施例10
用加水分解有机铝化合物制得的过渡氧化铝粉末(商品名AKP-G15，住友化学工业株式会社制)作为过渡氧化铝。
用11.6gα-氧化铝粉末(商品名AKP-50，住友化学工业株式会社制)作为晶种，将其与上述过渡氧化铝粉末进行混合成211.6g，并将该混合物装入石墨舟内，在用石英炉芯管的管式炉内烧结。采用氮气作稀释气体，以500℃/小时升温速率进行升温，当达到600℃时，通入瓶装氯气和水蒸汽。气氛的浓度调整是利用流量计分别调整瓶装氯气和氮气的流量。气氛的总流量调为线速度20mm/分。气氛气体的总压力为大气压力。当达到800℃后，在此温下保持90分钟后进行自然冷却。接着，利用喷射式磨机将得到的α-氧化铝粉末进行粉碎(空气压力6kg/cm2，粉末供入速度2.4kg/小时)，然后在空气中，600℃进行30分钟除氯，得到目的的α-氧化铝粉末。结果示于表1。
实施例11
用加水分解有机铝化合物制得的过渡氧化铝粉末(商品名AKP-50，住友化学工业株式会社制)作为过渡氧化铝。
用6g MgO粉末(和光纯药株式会社制)作形状控制剂，将其与上述过渡氧化铝粉末混合成206g，并把该混合物装入石墨舟内，在用石英炉芯管的管式炉内烧结。用氮气作稀释气体，以500℃/小时的升温速率进行升温，当达到800℃时，通入瓶装氯化氢气体。气氛的浓度调整是利用流量计分别调整氮气和瓶装氯化氢气体的流量。气氛全体的总流量调为线速度20mm/分。气氛气体的总压力全部为大气压力。达到1100℃时，在此温下保持30分钟，进行自然冷却。将得到的α-氧化铝粉末在600℃空气中进行30分钟除氯。得到目的的α-氧化铝粉末。结果示于表1。
实施例12
用加水分解有机铝化合物制得的过渡氧化铝粉末(商品名AKP-G15，住友化学工业株式会社制)作为过渡氧化铝。
用11.6gα-氧化铝粉末(商品名AKP-50，住友化学工业株式会社制)作为晶种。用6g MgO(和光纯药株式会社制)作形状控制剂。将这些与上述过渡氧化铝粉末混合成217.6g，并将该混合物装入石墨舟内，在用石英炉芯管的管式炉内进行烧结。用氮气作稀释气体，以500℃/小时的升温速率进行升温，当达到800℃时，通入瓶装氯化氢气。气氛的浓度的调整是利用流量计分别调整氮气和瓶装氯化氢气的流量。气氛的总流量调整到线速度20mm/分。气氛气体的总压力全部为大气压，当达到1100℃后，在此温度下保持30分钟后，进行自然冷却。接着，将得到的α-氧化铝粉末，利用喷射式磨机进行粉碎，在600℃空气中进行30分钟除氯，得到目的的α-氧化铝粉末。结果示于表1。
实施例13
作为过渡氧化铝用加水分解有机铝化合物制得的过渡氧化铝粉末(商品名AKP-G15，住友化学工业株式会社制)。
作为晶种，用11.6gα-氧化铝粉末(商品名AKP-50，住友化学工业株式会社制)，并将其与上述过渡氧化铝粉末混合成211.6g，该混合物装入石墨舟内，以下操作和实施例1相同，在气氛温度1100℃下保持30分钟后，自然冷却，得到α-氧化铝粉末。接着在1000℃的空气中，将得到的α-氧化铝粉末进行30分钟除氯后，用喷射式磨机粉碎(空气压力6kg/cm2，粉末供入速度2.4kg/小时)，得到目的的α-氧化铝粉末。结果示于表1。
实施例14
除了将除氯温度定为900℃外，进行和实施例13相同的操作，得到目的的α-氧化铝粉末。结果示于表1。
实施例15
除了在1100℃氮气气氛中进行180分钟除氯外，进行和实施例13相同的操作，得到目的的α-氧化铝粉末。结果示于表1。
实施例16
除了用回转泵(真空机工株式会社制、GVD-050A)降压到0.1托，在1000℃下除氯60分钟外，进行和实施例13相同的操作，得到目的α-氧化铝粉末。结果示于表1。
图1为表示α-氧化铝粉末的电子扫描显微镜照片(4900倍)。
图2为表示粒度分布。
实施例17
除了用水洗净后，在250℃下干燥60分钟进行除氯外，进行和实施例13相同的操作，得到目的的α-氧化铝粉末。结果示于表1。
实施例18
将由实施例5得到的α-氧化铝粉末用水浸泡，在高压釜中180℃下处理2小时后，用喷射式磨机粉碎(空气压力6kg/cm2，粉末供入速度2.4kg/小时)，得到目的α-氧化铝粉末。结果示出表1。
实施例19-22
除了取表1中所示气氛气体组成、烧结温度、烧结时间外，进行和实施例5相同的操作得到α-氧化铝粉末。结果示于表1。
比较例1
作为原料氧化铝，使用200g和实施例2中所用相同的水铝，在用石英炉芯管的管式炉内空气中进行烧结。以500℃/小时的升温速率进行升温至1100℃，在此温度下保持30分钟后自然冷却，却得不到目的的α-氧化铝粉末。结果示于表1。
比较例2
在实施例5中没有进行除氯工序的情况下，得到氯含量310ppm的α-氧化铝粉末。结果示于表1。
实施例23
根据前面工序的除卤处理，进行和实施例1相同的操作，得到α-氧化铝粉末。将约1g所获得的α-氧化铝粉末装入氧化铝制坩埚内，在减压下进行真空烧结，并进行除氯处理。将装有α-氧化铝的坩埚放入室温的电炉内(金属单元炉)，封闭后用真空泵，将真空度上升到约0.1托后，一边运转真泵，一边以5℃/分钟的升温速率升温到200℃，在达到200℃后，在200℃ 0.1托真空度下保持2小时。接着以20℃/分钟的降温速度降到室温，并在炉内冷却。氯含量为3ppm。实验条件和结果示于表1。
实施例24
依照前面的除卤工序，进行和实施例1相同的操作，得到α-氧化铝粉末。将得到的α-氧化铝粉末在高压釜内180℃下进行2小时脱卤处理，得到目的的α-氧化铝。氯含量为1ppm。实验条件和结果示于表1。
比较例3
除了不进行脱卤处理外，进行和实施例1相同的操作，将过渡氧化铝进行烧结，得到α-氧化铝。所得到的α-氧化铝粉末的粒子形状和粒度分布极好，但是氯含量相当多，达48ppm。
实施例25
将200g作为氧化铝原料的过渡氧化铝(r-氧化铝、AKP-G15、住友化学工业(株)制)和11.6g作为晶种的α-氧化铝(AKP-50、平均粒径0.6μm、住友化学工业(株)制)和作为溶剂的异丙醇混合，并搅拌。用蒸发除去溶剂并干燥。
将这样获得的氧化铝原料和晶种的混合物约200g装入石墨舟内，在用石英炉芯管的管式炉内进行烧结。一边通着氮气，一边以500℃/小时的升温速率进行升温，当达到800℃时，通入瓶装氯化氢气体。
气氛气体浓度的调整是利用流量计进行气体流量调节而进行的。气氛气体的流量调整到线速度20mm/分。气氛气体的总压力为大气压力，温度达到1100℃后，在此温下保持30分钟后，自然冷却，得到α-氧化铝粉末。利用辉光放电质量分析法测定所得α-氧化铝粉末的氯含量，为310ppm。
将得到的α-氧化铝粉末约1g装入氧化铝制坩埚内，在减压下进行真空烧结，并进行脱卤处理。将装有α-氧化铝的坩埚放入室温电炉内(金属单元炉)，进行封闭，用真空泵抽真空，真空度升到约0.1托后，边运转真空泵，边以5℃/分的升温速率升温到1000℃，到达1000℃后，在0.1托真空度下保持1小时。接着，以20℃/分的降温速度降到室温，并在炉内冷却，得到目的的脱卤处理的α-氧化铝粉末，实验条件和结果示于表1。
实施例26
用氯气代替氯化氢气作为气氛气体，通入反应***内，进行和实施例28相同的烧结操作。将所得的α-氧化铝粉末用喷射式磨机(空气压力6kg/cm2，粉末供入速度2.4kg/hr)进行粉碎。接着进行和实施例25相同的操作，不进行除卤处理，得到目的的α-氧化铝粉末。实验条件和结果示于表1。
比较例4
测定利用水热法制造的粒径为10μm的α-氧化铝粒子的压碎强度，为13kg/mm。
图1为表示实施例1中所观察到的α-氧化铝粒子结构。代替图面的照片，放大900倍的电子扫描显微镜照片。
图2为表示实施例1中所观察到的α-氧化铝粒度分布。
图3为在实施例16观察到的α-氧化铝粉末的粒子结构。代替图面的照片。放大4900倍的电子扫描显微镜照片。
图4为表示在实施例16中所观察到的α-氧化铝粉末的粒度分布图。
图5为表示α-氧化铝单晶粒子的结晶习性。
(表1)
原料 品种 形状控制剂      气氛气体组成   烧结温度℃  烧结时间分 粉碎工序                      α-氧化铝粉末               除氯方法 α-氧化铝粉末  氧化铝纯度(重量)％
HCl Cl2 H2O N2   粒径μm D/H D90/D10   结晶习性 面数 环境气 温度℃ 时间分   氯残留量
实施例1实施例2实施例3实施例4实施例5实施例6实施例7实施例8实施例9实施例10 过渡氧化铝氢氧化铝明矾碳矾过渡氧化铝过渡氧化铝过渡氧化铝过渡氧化铝过渡氧化铝过渡氧化铝 无无无无有有有有有有 无无无无无无无无无无  30303030303030100 10030 5  707070707070700065   11001100110011001100110011006001200800   30303030303030903090   无无无无无有有有有有   1114260.60.60.60.60.60.6   1111111111     43991033   GG   8＞20 空气中空气中空气中空气中空气中空气中空气中空气中空气中空气中   600600600600600600600600600600   30303030303030303030   4ppm4ppm10ppm8ppm33ppm32ppm32ppm30ppm30ppm25ppm     99.96＞99.95
实施例11实施例13实施例13实施例14实施例15实施例16实施例17实施例18实施例19实施例20 过渡氧化铝过渡氧化铝过渡氧化铝过渡氧化铝过渡氧化铝过渡氧化铝过渡氧化铝过渡氧化铝过渡氧化铝过渡氧化铝 无有有有有有有有有有 有有无无无无无无无无  303030303030303051  70707070707070709599   1100110011001100110011001100110011001100   3030303030303030180600   无有有有有有有有有有   110.60.60.60.60.60.60.60.60.6   1.21.211111111 33333333   C，H   10-15 空气中空气中空气中空气中氦气中减压中   600600100091011001000   3030606018060   8ppm32ppm4ppm8ppm27ppm7ppm22ppm19ppm27ppm35ppm
       用水洗净后干燥处理用高压釜处理
空气中空气中   600600   3030
实施例21实施例22实施例23实施例24实施例25实施例26 过渡氧化铝过渡氧化铝过渡氧化铝过渡氧化铝过渡氧化铝过渡氧化铝 有有无无有有 无无无无无无  100100303030 30  0070707070   8009001100110011001100   1303030303030   有有无无无有   0.60.611110.60.6   111111     4310 GGF，HF，H 18-2018-20＞12＞12 空气中空气中减压中高压釜减压中减压中   60060020018010001000   30301201206060   26ppm32ppm3ppm1ppm7ppm7ppm
比较例1 氢氧化铝 无 无         空气中   1100   30   无   0.1   不能评价     3             无除氯工序   未测
比较例2 过渡氧化铝 有 无 30  70   1100   30   无   0.6   1             无除氯工序   3100pm
比较例3 过渡氧化铝 无 无 30  70   1100   30   无   11   1   G   18-20             无除氯工序   48ppm

Claims (17)

1.一种α-氧化铝粉末的制造方法，其特征在于将过渡氧化铝或氧化铝化合物，或它们的混合物，在卤化氢气、卤素气体或它们的混合气体浓度为0.1(体积)％以上的含有卤化氢气体气氛、含有卤素气体气氛或含有卤素气体和水蒸汽的气氛中进行烧结，再从得到的烧结物中除去卤素。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于向过渡氧化铝或氧化铝化合物，或它们的混合物中，添加晶种或形状控制剂或它们的混合物。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于：卤化氢气体、卤素气体，或它们的混合气体浓度为1(体积)％以上。
4.根据权利要求3记载的α-氧化铝粉末的制造方法，其特征在于在含有将固体的或液体的卤化氢气源或卤素气源或它们的混合物直接供入烧结炉内而产生的卤化氢气体或卤素气体或它们的混合物1(体积)％以上的气氛中，烧结过渡氧化铝或氧化铝化合物或它们的混合物。
5.根据权利要求4记载的α-氧化铝粉末的制造方法，其特征在于将固体的或液体的卤化氢气体源或卤素气体源或它们的混合物直接供入烧结炉内，预先和过渡氧化铝或氧化铝化合物或它们的混合物进行混合。
6.根据权利要求4或5记载的方法，其烧结温度为600～1400℃。
7.根据权利要求4或5记载的方法，卤化氢气源是卤化铵。
8.根据权利要求7记载的方法，卤化铵是氯化铵。
9.根据权利要求1～4记载的α-氧化铝粉末的制造方法，其特征在于：作为晶种，选自铝、钛、钒、铬、铁、镍的氧化物、氮化物、氧氮化物、碳化物、碳氮化物、卤化物和硼化物中的一种或二种以上。
10.根据权利要求1～4记载的α-氧化铝粉末的制造方法，其特征在于作为形状控制剂是选自镁、钙、锶、钇、锆、铌、钒、钼、铜、锌、硼、硅、镧、铈、钕的各单体金属和它们的化合物中的一种或二种以上。
11.根据权利要求1记载的α-氧化铝粉末的制造方法，其特征在于：在含有0.1(体积)％以上的卤化氢气体的气氛中，于500-1400℃下进行烧结。
12.根据权利要求1记载的α-氧化铝粉末的制造方法，其特征在于，在含有0.1(体积)％以上的卤素气体气氛中，于950-1500℃下进行烧结。
13.根据权利要求1记载的α-氧化铝粉末的制造方法，其特征在于，在含有0.1(体积)％以上的卤素气体和0.01(体积)％以上水蒸汽的气氛中，于500-1400℃下进行烧结
14.根据权利要求1～4记载的α-氧化铝的制造方法，其特征在于除卤工序是从下述(a)～(f)中选取的工序：
(a)在空气中、氮气中，或者在这些中含有0.1(体积)％以上的选自水蒸汽、氧、氢、二氧化碳、醇、氨中的一种以上的气氛中，在550-1400℃下进行热处理的工序；
(b)在惰性气体气氛中，于600-1400℃下进行热处理的工序；
(c)在1托以下的减压条件下，于400-1400℃下进行热处理工序；
(d)用水、碱性溶液或醇溶液洗净后，进行干燥处理的工序；
(e)将水、碱性溶液或醇溶液加热到沸点进行煮沸处理后，再进行干燥处理的工序；
(f)在高压釜内，用水、碱性溶液或醇溶液，于70-200℃下处理后，再进行干燥处理的工序。
15.根据权利要求1～5，8和11-13中的任一项方法制备的α-氧化铝粉末，其特征是具有8个面以上的多面体形状的六方密实晶格，当把平行于α-氧化铝的六方晶格面的最大粒子直径为D，垂直于六方晶格面的粒子直径为H时，D/H比在0.5以上，3.0以下，从累积粒度分布的微粒一侧累积10％，累积90％的粒径分别为D10、D90时，由具有D90/D10在10以下的粒子分布的α-氧化铝粒子构成，该α-氧化铝粒子的卤素含量在40ppm以下。
16.根据权利要求15记载的α-氧化铝粉末，其特征是卤素含量在10ppm以下。
17.根据权利要求15记载的α-氧化铝粉末，其特征是氧化铝的纯度为99.90(重量)％以上。
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