CN106876249B - 一种二氧化硅厚膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种二氧化硅厚膜的制备方法,步骤如下:S1,选取基片,并采用LPCVD工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜,厚度为0.7um~1.8um;S2,对多晶硅薄膜热氧化处理,热氧化温度为1000℃~1300℃,温度由低到高,热氧化时间为78~3个小时,形成二氧化硅膜,二氧化硅膜的厚度为1.49~4.10μm;S3,在二氧化硅膜上生长新的多晶硅薄膜,厚度为0.7um~1.8um;S4,对新的多晶硅薄膜进行热氧化处理,热氧化温度为1000℃~1300℃,热氧化时间为78~3个小时,形成另一层二氧化硅膜,二氧化硅膜的厚度为1.49~4.10um;S5,重复步骤S3和步骤S4,直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。本发明分层制备,二氧化硅厚膜氧化热预算较低,成品率稳定,作为硅基二氧化硅光波导器件下包层的SiO2厚膜可在多种基片上进行制备。
Description
技术领域
本发明涉及一种二氧化硅的制备方法,尤其涉及一种利用热氧化工艺制备二氧化硅厚膜的制备方法。
背景技术
目前,硅基二氧化硅光波导器件下包层二氧化硅厚膜制备时,大部分采用的是将单晶硅片直接放入氧化炉中进行热氧化,因氧化速率随着SiO2的厚度增加在逐渐变慢,所以生长较厚的SiO2层需要相当长的时间(1080℃下生长15.0μm氧化层大约需要21天的时间),并且由于长时间高温氧化,单晶硅片会出现粘舟或崩边的现象,如图1所示,此方法热预算较高且成品率不稳定;另外,目前以SiO2厚膜为下包层硅基二氧化硅光波导器件基本都是在硅片上制备,基材比较单一。
发明内容
本发明提供了一种新型的二氧化硅厚膜的制备方法,可以解决传统的氧化热预算较高,成品率不稳定,作为硅基二氧化硅光波导器件下包层的SiO2厚膜只能在单晶硅片上进行制备等问题。
为解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案如下:
一种二氧化硅厚膜的制备方法,步骤如下:
S1,选取基片,并采用LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,低压力化学气相沉积法)工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜,生长的多晶硅薄膜厚度为0.7μm~1.8μm;
S2,对生成的多晶硅薄膜进行热氧化处理,热氧化温度为1000℃~1300℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为78~3个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.49~4.10μm;
S3,在生成的二氧化硅膜上采用LPCVD工艺生长一层新的多晶硅薄膜,生长的多晶硅薄膜厚度为0.7μm~1.8μm;
S4,对新的多晶硅薄膜进行热氧化处理,热氧化温度为1000℃~1300℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为78~3个小时,形成另一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.49~4.10μm;
S5,重复步骤S3和步骤S4,直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。
优选地,在步骤S1和步骤S3中,生长的多晶硅薄膜厚度为0.8μm~1.6μm。
优选地,在步骤S2和步骤S4中,热氧化温度为1050℃~1200℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为35~4.5个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71~3.65μm。
优选地,在步骤S2和步骤S4中,当多晶硅薄膜厚度为0.8μm时,所述热氧化温度为1050℃~1200℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为9~4.5个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm;当多晶硅薄膜厚度为1.6μm时,所述热氧化温度为1050℃~1200℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为35~18个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm。
优选地,在步骤S2中,所述多晶硅薄膜厚度为0.8μm,热氧化温度为1050℃,热氧化时间为9个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm。
优选地,在步骤S2中,所述多晶硅薄膜厚度为0.8μm,热氧化温度为1200℃,热氧化时间为4.5个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm。
优选地,在步骤S2中,所述多晶硅薄膜厚度为1.6μm,热氧化温度为1050℃,热氧化时间为35个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm。
优选地,在步骤S2中,所述多晶硅薄膜厚度为1.6μm,热氧化温度为1200℃,热氧化时间为18个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm。
所述基片为单晶硅片或者石英片。
本发明具有以下有益效果:本发明分层制备,二氧化硅厚膜氧化热预算较低,成品率稳定,作为硅基二氧化硅光波导器件下包层的SiO2厚膜可在多种基片上进行制备。
附图说明
图1为1200℃时硅氧化速率表。
图2为单晶硅基材第一次氧化数据,图a为膜厚仪测量数据,图b为棱镜耦合仪测量数据。
图3为膜厚仪测量的多晶硅第一次生长数据。
图4为多晶硅第一次氧化数据;其中,图a为棱镜耦合仪测量,图b为SEM测量。
图5为膜厚仪测量的多晶硅第二次生长数据。
图6为多晶硅第二次氧化数据;其中,图a为棱镜耦合仪测量,图b为SEM测量。
图7为膜厚仪测量的多晶硅第三次生长数据。
图8为多晶硅第三次氧化数据;其中,图a为棱镜耦合仪测量,图b为SEM测量。
具体实施方式
实施例1:一种二氧化硅厚膜的制备方法,步骤如下:
S1,选取基片,并采用LPCVD工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜,生长的多晶硅薄膜厚度为0.7μm~1.8μm;
S2,对生成的多晶硅薄膜进行热氧化处理,热氧化温度为1000℃~1300℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为78~3个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.49~4.10μm;
S3,在生成的二氧化硅膜上采用LPCVD工艺生长一层新的多晶硅薄膜,生长的多晶硅薄膜厚度为0.7μm~1.8μm;
S4,对新的多晶硅薄膜进行热氧化处理,热氧化温度为1000℃~1300℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为78~3个小时,形成另一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.49~4.10μm;
S5,重复步骤S3和步骤S4,直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。
实施例2:一种二氧化硅厚膜的制备方法,已知,SiO2的分子量为60,其中Si的相对原子质量为28,O2的相对原子质量为16,由此可知,Si在SiO2中所占的比例为:
Si/(Si+2*O)*100%=28/(28+2*16)*100%≈46.67%;
由以上公式可知,生长1μm的SiO2需要消耗0.4667μm的Si,反过来可得,1.6μm的Si能氧化出约3.43μm的SiO2,根据图1,在1200℃的温度下,生长3.43μm的SiO2需要15个小时,以上为理论数据,为了将多晶硅完全氧化,本实施方式采用20个小时的工艺时间进行氧化。
本实施方式预计生长氧化层15.0μm(以SEM测量为准),均匀性要求±2%以内,采用1200℃的氧化条件,第一步,将单晶硅片直接生长17个小时形成第一层二氧化硅膜,测试数据如图2所示,SiO2膜厚度约3.7μm。
第二步,在第一层二氧化硅膜上生长1.6μm的多晶硅薄膜,测试数据如图3所示。
第三步,将生成的1.6μm的多晶硅薄膜进行20个小时氧化,形成第二层二氧化硅膜,测试数据如图4所示。
第四步,在第二层二氧化硅膜继续生长1.6μm多晶硅薄膜,测试数据如图5所示。
第五步,将生成的1.6μm的多晶硅薄膜进行20个小时氧化,形成第三层二氧化硅膜,测试数据如图6所示。
第六步,在第三层二氧化硅膜上继续生长1.6μm多晶硅薄膜,测试数据如图7所示。
第七步,将形成的1.6μm的多晶硅薄膜多晶硅进行20个小时氧化,形成第四层二氧化硅膜,测试数据如图8所示。
由以上数据可知,最后SiO2膜层的厚度、均匀性及折射率均能满足工艺需求。
在本实施方式中,氧化时间大约为100个小时,多晶硅生长时间大约为36个小时(包括炉管升降温和操作时间),合计136个小时,约5.67天,而单晶硅直接氧化生长15.0μm的氧化层需要288小时,也就是12天(参照图1,不包括炉管升降温和操作时间),由此可见,新型SiO2厚膜的制备方法可以有效的降低氧化热预算,并且由于本发明氧化时间短,所以并不会出现粘舟和崩边的情况。
另外,如果换一种基材(如:石英),那么可以直接在基材上先沉积多晶硅,然后再进行氧化,通过计算而得出所需的氧化层厚度。
实施例3:一种二氧化硅厚膜的制备方法,S1,选取基片,所述基片为石英片;采用LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,低压力化学气相沉积法)工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜,厚度为0.8μm;
S2,对生成的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1050℃,热氧化时间为9个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm;
S3,在生成的二氧化硅膜上采用LPCVD工艺生长一层新的多晶硅薄膜,生长的多晶硅薄膜厚度为0.8μm;
S4,对新的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1050℃,热氧化时间为9个小时,形成另一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm;
S5,重复步骤S3和步骤S4,直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。
实施例4:一种二氧化硅厚膜的制备方法,在步骤S4中,对新的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1200℃,热氧化时间为4.5个小时,形成另一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm;其余均与实施例3相同。
实施例5:一种二氧化硅厚膜的制备方法,S1,选取基片,所述基片为石英片;采用LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,低压力化学气相沉积法)工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜,厚度为0.8μm;
S2,对生成的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1050℃,热氧化时间为9个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm;
S3,在生成的二氧化硅膜上采用LPCVD工艺生长一层新的多晶硅薄膜,生长的多晶硅薄膜厚度为1.6μm;
S4,对新的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1050℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为35个小时,形成另一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm;
S5,重复步骤S3和步骤S4,直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。
实施例6:一种二氧化硅厚膜的制备方法,在步骤S4中,对新的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1200℃,热氧化时间为18个小时,形成另一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm;其余均与实施例5相同。
实施例7:一种二氧化硅厚膜的制备方法,在步骤S2中,对生成的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1200℃,热氧化时间为4.5个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm;其余均与实施例3相同。
实施例8:一种二氧化硅厚膜的制备方法,在步骤S2中,对生成的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1200℃,热氧化时间为4.5个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm;其余均与实施例4相同。
实施例9:一种二氧化硅厚膜的制备方法,在步骤S2中,对生成的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1200℃,热氧化时间为4.5个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm;其余均与实施例5相同。
实施例10:一种二氧化硅厚膜的制备方法,在步骤S2中,对生成的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1200℃,热氧化时间为4.5个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm;其余均与实施例6相同。
实施例11:一种二氧化硅厚膜的制备方法,步骤如下,S1,选取基片,所述基片为石英片;采用LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,低压力化学气相沉积法)工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜,厚度为1.6μm;
S2,对生成的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1050℃,热氧化时间为35个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm;
S3,在生成的二氧化硅膜上采用LPCVD工艺生长一层新的多晶硅薄膜,生长的多晶硅薄膜厚度为1.6μm;
S4,对新的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1050℃,热氧化时间为35个小时,形成另一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm;
S5,重复步骤S3和步骤S4,直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。
实施例12:一种二氧化硅厚膜的制备方法,在步骤S4中,热氧化温度为1200℃,热氧化时间为18个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm;其余均与实施例11相同。
实施例13:一种二氧化硅厚膜的制备方法,在步骤S3中,在生成的二氧化硅膜上采用LPCVD工艺生长一层新的多晶硅薄膜,生长的多晶硅薄膜厚度为0.8μm;其余均与实施例11相同。
实施例14:一种二氧化硅厚膜的制备方法,在步骤S4中,热氧化温度为1200℃,热氧化时间为18个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm;其余均与实施例13相同。
实施例15:一种二氧化硅厚膜的制备方法,在步骤S2中,热氧化温度为1200℃,热氧化时间为18个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm;其余均与实施例11相同。
实施例16:一种二氧化硅厚膜的制备方法,在步骤S4中,热氧化温度为1200℃,热氧化时间为18个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm;其余均与实施例15相同。
实施例17:一种二氧化硅厚膜的制备方法,在步骤S3中,在生成的二氧化硅膜上采用LPCVD工艺生长一层新的多晶硅薄膜,生长的多晶硅薄膜厚度为0.8μm;其余均与实施例16相同。
实施例18:一种二氧化硅厚膜的制备方法,在步骤S3中,在生成的二氧化硅膜上采用LPCVD工艺生长一层新的多晶硅薄膜,生长的多晶硅薄膜厚度为0.8μm;其余均与实施例15相同。
实施例19:一种二氧化硅厚膜的制备方法,S1,选取基片,所述基片为石英片;采用LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,低压力化学气相沉积法)工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜,厚度为1μm。
S2,对生成的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1100℃,热氧化时间为11个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为2.28μm。
S3,在生成的二氧化硅膜上采用LPCVD工艺生长一层新的多晶硅薄膜,生长的多晶硅薄膜厚度为1.45μm。
S4,对新的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1150℃,热氧化时间为17个小时,形成另一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为3.31μm。
S5,重复步骤S3和步骤S4,直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。
实施例20:一种二氧化硅厚膜的制备方法,步骤如下:
S1,选取基片,并采用LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,低压力化学气相沉积法)工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜,厚度为0.8μm~1.6μm;
S2,对生成的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1050℃~1200℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为35~4.5个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71~3.65μm。
具体地,当多晶硅薄膜厚度为0.8μm时,所述热氧化温度为1050℃~1200℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为9~4.5个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm;当多晶硅薄膜厚度为1.6μm时,所述热氧化温度为1050℃~1200℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为35~18个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm。
S3,在生成的二氧化硅膜上采用LPCVD工艺生长一层新的多晶硅薄膜,生长的多晶硅薄膜厚度为0.8μm~1.6μm;
S4,对新的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1050℃~1200℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为35~4.5个小时,形成另一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71~3.65μm;所述基片为单晶硅片或者石英片。
具体地,当多晶硅薄膜厚度为0.8μm时,所述热氧化温度为1050℃~1200℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为9~4.5个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm;当多晶硅薄膜厚度为1.6μm时,所述热氧化温度为1050℃~1200℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为35~18个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm。
S5,重复步骤S3和步骤S4,直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。
实施例21,一种二氧化硅厚膜的制备方法,步骤如下,S1,选取基片,所述基片为石英片;采用LPCVD工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜,厚度为1.8μm;
S2,对生成的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1000℃,热氧化时间为78个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为4.10μm;
S3,在生成的二氧化硅膜上采用LPCVD工艺生长一层新的多晶硅薄膜,生长的多晶硅薄膜厚度为1.8μm;
S4,对新的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1000℃,热氧化时间为78个小时,形成另一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为4.10μm;
S5,重复步骤S3和步骤S4,直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。
实施例22,一种二氧化硅厚膜的制备方法,步骤如下,S1,选取基片,所述基片为石英片;采用LPCVD工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜,厚度为0.7μm;
S2,对生成的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1300℃,热氧化时间为3个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.49μm;
S3,在生成的二氧化硅膜上采用LPCVD工艺生长一层新的多晶硅薄膜,生长的多晶硅薄膜厚度为0.7μm;
S4,对新的多晶硅薄膜进行完全热氧化处理,热氧化温度为1300℃,热氧化时间为3个小时,形成另一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.49μm;
S5,重复步骤S3和步骤S4,直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。
在实施例中的步骤S1和步骤S3中所生成的多晶硅薄膜厚度可以不同,步骤S2和步骤S4中所使用的温度也可以不相同,根据实际需要进行调整。
Claims (8)
1.一种二氧化硅厚膜的制备方法,其特征在于,步骤如下:
S1,选取基片,并采用LPCVD工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜,生长的多晶硅薄膜厚度为0.7μm~1.8μm;
S2,对生成的多晶硅薄膜进行热氧化处理,热氧化温度为1000℃~1300℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为78~3个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.49~4.10μm;
当多晶硅薄膜厚度为0.8μm时,所述热氧化温度为1050℃~1200℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为9~4.5个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm;
当多晶硅薄膜厚度为1.6μm时,所述热氧化温度为1050℃~1200℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为35~18个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm;
S3,在生成的二氧化硅膜上采用LPCVD工艺生长一层新的多晶硅薄膜,生长的多晶硅薄膜厚度为0.7μm~1.8μm;
S4,对新的多晶硅薄膜进行热氧化处理,热氧化温度为1000℃~1300℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为78~3个小时,形成另一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.49~4.10μm;
当多晶硅薄膜厚度为0.8μm时,所述热氧化温度为1050℃~1200℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为9~4.5个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm;
当多晶硅薄膜厚度为1.6μm时,所述热氧化温度为1050℃~1200℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为35~18个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm;
S5,重复步骤S3和步骤S4,直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。
2.根据权利要求1所述的一种二氧化硅厚膜的制备方法,其特征在于,在步骤S1和步骤S3中,生长的多晶硅薄膜厚度为0.8μm~1.6μm。
3.根据权利要求2所述的一种二氧化硅厚膜的制备方法,其特征在于,在步骤S2和步骤S4中,热氧化温度为1050℃~1200℃,根据氧化温度由低到高,热氧化时间为35~4.5个小时,形成一层二氧化硅膜,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71~3.65μm。
4.根据权利要求1所述的一种二氧化硅厚膜的制备方法,其特征在于:在步骤S2中,所述多晶硅薄膜厚度为0.8μm,热氧化温度为1050℃,热氧化时间为9个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm。
5.根据权利要求1所述的一种二氧化硅厚膜的制备方法,其特征在于:在步骤S2中,所述多晶硅薄膜厚度为0.8μm,热氧化温度为1200℃,热氧化时间为4.5个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm。
6.根据权利要求1所述的一种二氧化硅厚膜的制备方法,其特征在于:在步骤S2中,所述多晶硅薄膜厚度为1.6μm,热氧化温度为1050℃,热氧化时间为35个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm。
7.根据权利要求1所述的一种二氧化硅厚膜的制备方法,其特征在于:在步骤S2中,所述多晶硅薄膜厚度为1.6μm,热氧化温度为1200℃,热氧化时间为18个小时,形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm。
8.根据权利要求1所述的一种二氧化硅厚膜的制备方法,其特征在于:所述基片为单晶硅片或者石英片。
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