CN106856086B - 一种电学补偿方法和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例提供一种电学补偿方法和显示面板，涉及显示技术领域。用于驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿。该方法包括：控制第一晶体管和第二晶体管导通并在数据线上施加第一电压；控制第一晶体管截止、第二晶体管导通，预设时间后检测感应线上的电压获取第一检测电压；控制第一晶体管和第二晶体管导通并在数据线上施加第二电压；控制第一晶体管截止、第二晶体管导通，预设时间后检测感应线上的电压获取第二检测电压；根据第一电压、第二电压、第一检测电压和第二检测电压获取驱动晶体管的阈值电压和迁移率，并根据驱动晶体管的阈值电压和迁移率对驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿。本发明的实施例用于阈值电压和迁移率的补偿。

Description

一种电学补偿方法和显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电学补偿方法和显示面板。
背景技术
有机发光显示器(英文名称：Organic Light-Emitting Diode,简称：OLED)作为新一代显示器，是当今平板显示器研究领域的热点之一，与传统液晶显示器(英文名称：Liquid Crystal Display,简称：LCD)相比，OLED具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。目前，在手机、掌上电脑(英文名称：Personal Digital Assistant，英文名称：PAD)、数码相机等显示领域OLED已经开始逐渐取代传统的液晶显示屏。
参照图1所示，图1为传统OLED中一个子像素的像素驱动电路图。子像素的驱动电路图由驱动TFT T1、开关TFT T2、电容C1、数据线Yn、扫描线Gm、阳极电源ELVDD、阴极电源ELVSS以及OLED器件组成。流过驱动晶体管T1的电流可同过如下公式来表示：
I＝k(Vgs-Vth)2；
其中，Vth为驱动晶体管T1的阈值电压，Vgs为电容C1两极上的电压差，k为驱动晶体管T1的迁移率。
然而，由于晶化工艺的局限性，不同的驱动晶体管(英文名称：Thin FilmTransistor，英文名称：TFT)的阈值电压以及迁移率会存在一定差异。这种差异会转化为OLED显示器件的电流差异和亮度差异，并被人眼所感知，即mura现象。并且OLED使用过程中驱动晶体管的阈值电压还会产生飘移，且由于OLED不同位置显示画面不同，因此OLED各部分驱动晶体管的阈值漂移量不同，会造成显示亮度差异，由于这种差异与之前显示的图像有关，因此常呈现为残影现象，也就是通常所说的残像。因此如何对驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿，从而提高OLED的显示效果是本领域技术人员不断研究的一个问题。
发明内容
本发明的实施例提供一种电学补偿方法和显示面板，用于对驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种电学补偿方法，用于对电路进行补偿，所述电路包括：驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管以及电容；所述驱动晶体管的第一极连接第一电平端，所述驱动晶体管的第二极连接所述第二晶体管的第一极，所述驱动晶体管的栅极连接所述第一晶体管的第二极以及所述电容的第一极，所述第一晶体管的第一极连接数据线，所述第一晶体管的栅极连接所述第一扫描信号端，所述电容的第二极连接所述第二晶体管的第一极，所述第二晶体管的第二极连接感应线，所述第二晶体管的栅极连接第二扫描信号端；所述方法包括：
控制所述第一晶体管和所述第二晶体管导通并在所述数据线上施加第一电压；
控制所述第一晶体管截止、所述第二晶体管导通，预设时间后检测所述感应线上的电压获取第一检测电压；
控制所述第一晶体管和所述第二晶体管导通并在所述数据线上施加第二电压；
控制所述第一晶体管截止、所述第二晶体管导通，预设时间后检测所述感应线上的电压获取第二检测电压；
根据所述第一电压、所述第二电压、所述第一检测电压和所述第二检测电压获取所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率，并根据所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率对所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿。
可选的，所述方法还包括：
获取第一差值；所述第一差值为所述驱动晶体管的阈值电压与预存阈值电压的差值；
判断所述第一差值的绝对值是否大于第一阈值；
若是，则使用所述驱动晶体管的阈值电压替换所述预存阈值电压；
所述根据所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率对所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿包括：根据预存阈值电压和驱动晶体管的迁移率对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿。
可选的，所述方法还包括：
获取第二差值；所述第二差值为所述驱动晶体管的迁移率与预存迁移率的差值；
判断所述第二差值的绝对值是否大于第二阈值；
若是，则使用所述驱动晶体管的迁移率替换所述预存迁移率；
所述根据所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率对所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿包括：根据预存迁移率和驱动晶体管的阈值电压对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿。
可选的，根据所述第一电压、所述第二电压、所述第一检测电压和所述第二检测电压获取所述驱动晶体管的阈值电压，包括：
根据公式：获取所述驱动晶体管的阈值电压；
其中，所述Vth为所述驱动晶体管的阈值电压；所述VS1为第一检测电压的电压值；所述VS2为第二检测电压的电压值；所述VD1为第一电压的电压值；所述VD2为第二电压的电压值。
可选的，根据所述第一电压、所述第二电压、所述第一检测电压和所述第二检测电压获取所述驱动晶体管的迁移率，包括：
根据公式：获取所述驱动晶体管的迁移率；
其中，所述k为所述驱动晶体管的迁移率；所述VS1为第一检测电压的电压值；所述VS2为第二检测电压的电压值；所述Cn为感应线上的电容值；所述VD1为第一电压的电压值；所述VD2为第二电压的电压值；T为预设时间的时间长度。
可选的，所述根据所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率对所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿，包括：
获取输入的灰阶对应的驱动电流值；
根据公式对所述驱动晶体管的栅极和源极的电压差进行补偿；
其中，所述Vgs为驱动晶体管的栅极和源极的电压差；所述I为输入的灰阶对应的驱动电流值；所述k为所述驱动晶体管的迁移率；所述Vth为所述驱动晶体管的阈值电压。
可选的，所述获取输入的灰阶对应的驱动电流值包括：
根据公式获取输入的灰阶对应的驱动电流值；
其中，所述Imax为所述电致发光器件显示最大灰阶时的电流值，所述GL为输入的灰阶。
可选的，所述第一晶体管和所述第二晶体管为N型晶体管；
所述控制所述第一晶体管和所述第二晶体管导通，包括：
通过所述第一扫描信号端输出高电平控制所述第一晶体管导通，并通过所述第二扫描信号端输出高电平控制所述第二晶体管导通；
所述控制所述第一晶体管截止、所述第二晶体管导通，包括：
通过所述第一扫描信号端输出低电平控制所述第一晶体管截止，并通过所述第二扫描信号端输出高电平控制所述第二晶体管导通。
可选的，所述第一晶体管和所述第二晶体管为P型晶体管；
所述控制所述第一晶体管和所述第二晶体管导通，包括：
通过所述第一扫描信号端输出低电平控制所述第一晶体管导通，并通过所述第二扫描信号端输出低电平控制所述第二晶体管导通；
所述控制所述第一晶体管截止、所述第二晶体管导通，包括：
通过所述第一扫描信号端输出高电平控制所述第一晶体管截止，并通过所述第二扫描信号端输出低电平控制所述第二晶体管导通。
第二方面，提供一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多个像素电路，至少一个所述像素电路通过第一方面任一项所述的电学补偿方法对驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿。
本发明实施例提供的电学补偿方法，首先控制第一晶体管和第二晶体管导通并在数据线上施加第一电压，因此可以将在驱动晶体管的栅极写入第一电压；其次控制第一晶体管截止、第二晶体管导通，预设时间后检测感应线上的电压获取第一检测电压；再次控制第一晶体管和第二晶体管导通并在数据线上施加第二电压，因此可以将在驱动晶体管的栅极写入第二电压，然后预设时间后检测感应线上的电压获取第二检测电压；最后通过第一电压、第二电压、第一检测电压和第二检测电压获取驱动晶体管的阈值电压和迁移率，并根据驱动晶体管的阈值电压和迁移率对驱动晶体管的栅极和源极的电压差进行补偿，因为本发明实施例可以准确的计算出驱动晶体管的阈值电压和迁移率，并根据计算出的驱动晶体管的阈值电压和迁移率对驱动晶体管的栅极和源极的电压差进行补偿，所以本发明的实施例可以对对驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿，从而提高OLED的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中OLED显示面板的像素电路图；
图2为本发明实施例提供的像素电路图；
图3为本发明实施例提供的电学补偿方法的步骤流程图之一；
图4为本发明实施例提供的电学补偿方法的步骤流程图之二；
图5为本发明实施例提供的电学补偿方法的步骤流程图之三；
图6为本发明实施例提供的像素电路的信号时序图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管(英文名称：Thin FilmTransistor，简称：TFT)或场效应管或金属-氧化物-半导体晶体管(英文名称：Metal-Oxide-semiconductor，简称：MOS管)其他特性相同的器件，根据在电路中的作用本发明的实施例所采用的晶体管主要为开关晶体管。由于这里采用的开关晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。在本发明实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中源极称为第一极，漏极称为第二极。按附图中的形态规定晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信号输出端为漏极。此外本发明实施例所采用的开关晶体管包括P型开关晶体管和N型开关晶体管两种，其中，P型开关晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止，N型开关晶体管为在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止。驱动晶体管包括P型和N型，其中P型驱动晶体管在栅极电压为低电平(栅极电压小于源极电压)，且栅极源极的压差的绝对值大于阈值电压时处于放大状态或饱和状态；N型驱动晶体管的栅极电压为高电平(栅极电压大于源极电压)，且栅极源极的压差的绝对值大于阈值电压时处于放大状态或饱和状态。
还需要说明的是，为了便于清楚描述本发明实施例的技术方案，在本发明的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不是在对数量和执行次序进行限定。
本发明的实施例提供一种电学补偿方法，用于对电路进行补偿。示例性的，参照图2所示，图2中以上述电学补偿方法用于对OLED显示面板中的像素电路进行补偿为例进行说明。OLED显示面板中的像素电路包括：驱动晶体管DTFT、第一晶体管T1、第二晶体管T2以及电容C1；驱动晶体管DTFT的第一极连接第一电平端V1，驱动晶体管DTFT的第二极连接第二晶体管T2的第一极，驱动晶体管DTFT的栅极连接第一晶体管T1的第二极以及电容C1的第一极，第一晶体管T1的第一极连接数据线Yn，第一晶体管T1的栅极连接第一扫描信号端S1，电容C1的第二极连接第二晶体管T2的第一极，第二晶体管T2的第二极连接感应线Sn，第二晶体管T2的栅极连接第二扫描信号端S2。
需要说明的是，上述实施例中以本发明的实施例提供一种电学补偿方法用于对OLED显示面板中的像素电路进行补偿为例进行说明，但本发明实施例并不限定于此，在上述实施例的基础上还可以将上述电学补偿法应用于任一包括上述电路结构的电路中，即任一包括上述电路结构的电路均可通过本发明实施例提供的电学补偿方法进行补偿。
具体的，参照图3所示，本发明的实施例提供的电学补偿方法包括如下步骤：
S31、控制第一晶体管T1和第二晶体管T2导通并在数据线上施加第一电压。
此时由于第一晶体管T1和第二晶体管T2导通且在数据线Yn上施加第一电压时，所以数据线Yn上施加的第一电压通过第一晶体管T1传输至驱动晶体管DTFT的栅极以电容C1的第一极；此外由于第二晶体管T2导通，因此通过第二晶体管T2可以将电至发光器件OLED的阳极的电压、电容C1的第二极的电压以及感应线Sn上的电压拉齐。即，步骤S31中，可以将低电压输入驱动晶体管DTFT的栅极并对电至发光器件OLED的阳极的电压进行复位。
可选的，当第一晶体管T1和第二晶体管T2为栅极高电平时导通的N型晶体管时，上述步骤S31中控制第一晶体管T1和第二晶体管T2导通具体可以为：
通过第一扫描信号端S1输出高电平控制第一晶体管T1导通，并通过第二扫描信号端S2输出高电平控制第二晶体管T2导通。
可选的，当第一晶体管T1和第二晶体管T2为栅极低电平时导通的P型晶体管时，上述步骤S31中控制第一晶体管T1和第二晶体管T2导通具体可以为：
通过第一扫描信号端S1输出低电平控制第一晶体管T1导通，并通过第二扫描信号端S2输出低电平控制第二晶体管T2导通。
此外，还需要说明的是，第一晶体管T1和第二晶体管T2也可以同时采用N型晶体管和P型晶体管，此时需根据具体晶体管类型设置第一扫描信号端S1和第二扫描信号端S2输出的时序信号，当然这都是本领域的技术人员依据本发明的实施例可以做出的合理变通方案，因此均应为本发明的保护范围，然而考虑到晶体管的制程工艺，由于不同类型的晶体管的有源层掺杂材料不相同，因此电路中采用统一类型的晶体管更有利于电路的制程工艺。
S32、控制第一晶体管T1截止、第二晶体管T2导通，预设时间后检测感应线Sn上的电压获取第一检测电压。
此时由于第一晶体管T1截止，电容C1的作用使驱动晶体管DTFT的栅极可以仍保持为第一电压，因此此时驱动晶体管DTFT中有电流流过，且因为第二晶体管T2导通，所以驱动晶体管DTFT中的电流通过第二晶体管T2输入感应线Sn中，感应线Sn上的电压上升，经过预设时间后检测Sn上的电压获取第一检测电压。其中，预设时间的具体长度可以根据实际需求设定为任意值，本发明实施例中对预设时间的具体长度不做限定。
可选的，当第一晶体管T1和第二晶体管T2为栅极高电平时导通的N型晶体管时，上述步骤S32中控制第一晶体管T1截止、第二晶体管T2导通具体可以为：
通过第一扫描信号端S1输出低电平控制第一晶体管T1截止，并通过第二扫描信号端S2输出高电平控制第二晶体管T2导通。
可选的，当第一晶体管T1和第二晶体管T2为栅极低电平时导通的P型晶体管时，上述步骤S32中控制第一晶体管T1截止、第二晶体管T2导通具体可以为：
通过第一扫描信号端S1输出高电平控制第一晶体管T1截止，并通过第二扫描信号端S2输出低电平控制第二晶体管T2导通。
同样，当第一晶体管T1和第二晶体管T2同时采用N型晶体管和P型晶体管时，需根据具体晶体管类型设置第一扫描信号端S1和第二扫描信号端S2输出的时序信号。
S33、控制第一晶体管和第二晶体管导通并在数据线上施加第二电压。
步骤S33中的控制原理及操作方法与步骤S31类似，步骤S31中的所有相关内容均可以援引到步骤S33中，在此不再赘述。步骤S31与步骤S33的不同之处在于，步骤S33中向数据线施加的电压与步骤S31中项数据线施加的电压不同。
S34、控制第一晶体管截止、第二晶体管导通，预设时间后检测感应线上的电压获取第二检测电压。
步骤S34中的控制原理及操作方法与步骤S32类似，步骤S32中的所有相关内容均可以援引到步骤S34中，在此不再赘述。步骤S32与步骤S34的不同之处在于，步骤S33中向数据线施加的电压与步骤S31中项数据线施加的电压不同，因此检测感应线上的电压获取的第二电压与第一电压不同。
S35、根据第一电压、第二电压、第一检测电压和第二检测电压获取驱动晶体管的阈值电压和迁移率，并根据驱动晶体管的阈值电压和迁移率对驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿。
本发明实施例提供的电学补偿方法，首先控制第一晶体管和第二晶体管导通并在数据线上施加第一电压，因此可以将在驱动晶体管的栅极写入第一电压；其次控制第一晶体管截止、第二晶体管导通，预设时间后检测感应线上的电压获取第一检测电压；再次控制第一晶体管和第二晶体管导通并在数据线上施加第二电压，因此可以将在驱动晶体管的栅极写入第二电压，然后预设时间后检测感应线上的电压获取第二检测电压；最后第一电压、第二电压、第一检测电压和第二检测电压获取驱动晶体管的阈值电压和迁移率，并根据驱动晶体管的阈值电压和迁移率对驱动晶体管的栅极和源极的电压差进行补偿，因为本发明实施例可以准确的计算出驱动晶体管的阈值电压和迁移率，并根据计算出的驱动晶体管的阈值电压和迁移率对驱动晶体管的栅极和源极的电压差进行补偿，所以本发明的实施例可以对对驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿，从而提高OLED的显示效果。
可选的，参照图4所示，上述实施例提供的电学补偿方法还包括：
S41、获取第一差值。
其中，第一差值为驱动晶体管的阈值电压与预存阈值电压的差值。
S42、判断第一差值的绝对值是否大于第一阈值。
在步骤S42中，若第一差值的绝对值大于第一阈值，则执行步骤S43。
S43、使用驱动晶体管的阈值电压替换预存阈值电压。
在执行上述步骤S43后，上述步骤S35具体可通过步骤S44来实现。
S44、根据预存阈值电压和驱动晶体管的迁移率对驱动晶体管的阈值电压进行补偿。
可选的，参照图5所示，上述实施例提供的电学补偿方法还包括：
S51、获取第二差值。
其中，第二差值为驱动晶体管的迁移率与预存迁移率的差值。
S52、判断第二差值的绝对值是否大于第二阈值。
在步骤S52中，若第二差值的绝对值大于第二阈值，则执行步骤S53。
S53、使用驱动晶体管的迁移率替换预存迁移率。
在执行上述步骤S53后，上述步骤S35具体可通过步骤S54来实现。
S54、根据预存迁移率和驱动晶体管的阈值电压对驱动晶体管的阈值电压进行补偿。
由于驱动晶体管的阈值电压和迁移率是在长期使用中过程中产生飘移的，因此过于频繁的对驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行检测，没有实际需求且会检测过程中会影响显示面板的正常显示。上述图4、5所示实施例中对检测获取的驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行保存，并在显示过程中通过保存的阈值电压和迁移率进行补偿，在一段时间后检测当前的驱动晶体管的阈值电压和迁移率与保存的阈值电压和迁移率的变化，当变化较大时，更新保存的阈值电压和迁移率，因此了上述问题。示例性的，可以将驱动晶体管的阈值电压和迁移率保存在闪存(英文名称：Flash Memory)中。
进一步的，以下以电路中的各个晶体管均为栅极高电平时导通的N型晶体管为例对上实施例中提供的电学补偿方法的发明原理进行说明，其中，电路各信号时序如图6所示。图6中示出了第一扫描信号端S1的第一扫描信号、第二扫描信号端S2的第二扫描信号、数据线Yn的电压信号以及感应线Sn的电压信号的时序图。参照图6所示，工作过程包括4个阶段，其分别为：第一阶段t1、第二阶段t2、第三阶段t3以及第四阶段t4。
第一阶段t1，第一扫描信号端S1的第一扫描信号为高电平，第一晶体管T1导通；第二扫描信号端S2的第二扫描信号为高电平，第二晶体管T2导通。数据线Yn上施加的第一电压通过第一晶体管T1传输至驱动晶体管DTFT的栅极以电容C1的第一极；此外由于第二晶体管T2导通，因此通过第二晶体管T2可以将电至发光器件OLED的阳极的电压、电容C1的第二极的电压以及感应线Sn上的电压拉齐。
第二阶段t2，第一扫描信号端S1的第一扫描信号为低电平，第一晶体管T1截止；第二扫描信号端S2的第二扫描信号为高电平，第二晶体管T2导通。
此时，由驱动晶体管的饱和电流公式I＝k(Vgs-Vth)2可得流过驱动晶体管DTFT的电流为：
ID1＝k(VD1-VDD-Vth)2；
其中，ID1为流过驱动晶体管的电流；k为驱动晶体管的迁移率；VD1为第一电压的电压值；VDD第一电平端的电压值；Vth为驱动晶体管的阈值电压。
此外，由电荷守恒定律可得公式：
ID1×T＝Cn×VS1
其中，T为预设时间的时间长度；VS1为第一检测电压的电压值；Cn为感应线上的电容值(感应电容)。
第三阶段t3，第一扫描信号端S1的第一扫描信号为高电平，第一晶体管T1导通；第二扫描信号端S2的第二扫描信号为高电平，第二晶体管T2导通。数据线Yn上施加的第二电压通过第一晶体管T1传输至驱动晶体管DTFT的栅极以电容C1的第一极；此外由于第二晶体管T2导通，因此通过第二晶体管T2可以将电至发光器件OLED的阳极的电压、电容C1的第二极的电压以及感应线Sn上的电压拉齐。
第四阶段t4，第一扫描信号端S1的第一扫描信号为低电平，第一晶体管T1截止；第二扫描信号端S2的第二扫描信号为高电平，第二晶体管T2导通。
同上，可得：流过驱动晶体管DTFT的电流为：
ID2＝k(VD2-VDD-Vth)2；
其中，ID2为流过驱动晶体管的电流；k为驱动晶体管的迁移率；VD2为第二电压的电压值；VDD第一电平端的电压值；Vth为驱动晶体管的阈值电压。
此外，由电荷守恒定律可得公式：
ID1×T＝Cn×VS1
其中，T为预设时间的时间长度；VS1为第一检测电压的电压值；Cn为感应线上的电容值(感应电容)。
通过上述公式：ID1＝k(VD1-VDD-Vth)2和ID1×T＝Cn×VS1可得公式：
Cn×VS1＝k(VD1-VDD-Vth)2/T
通过上述公式：ID1＝k(VD1-VDD-Vth)2和ID1×T＝Cn×VS1可得公式：
Cn×VS2＝k(VD2-VDD-Vth)2/T
通过整理计算公式
Cn×VS1＝k(VD1-VDD-Vth)2/T
Cn×VS2＝k(VD2-VDD-Vth)2/T
可得：驱动晶体管DTFT的阈值电压为：
驱动晶体管DTFT的迁移率为：
因此上述实施例提供的电学补偿方法可以计算获取驱动晶体管DTFT的阈值电压和驱动晶体管DTFT的迁移率。
还须说明的是，图6中第二电压的电压值大于第一电压的电压值为例进行说明，但本发明实施例并不限定于此，在上述实施例的基础上，实际操作中也可以使第二电压的电压值小于第一电压的电压值，即本发明实施例中不限定第一电压的电压值与第二电压的电压值的大小关系，只要第一电压的电压值与第二电压的电压值不同即可。
可选的，根据驱动晶体管的阈值电压和迁移率对驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿，具体可以通过入下步骤来实现：
a、获取输入的灰阶对应的驱动电流值。
b、根据公式对驱动晶体管的栅极和源极的电压差进行补偿。
其中，Vgs为驱动晶体管的栅极和源极的电压差；I为输入的灰阶对应的驱动电流值；k为驱动晶体管的迁移率；Vth为驱动晶体管的阈值电压。
上述步骤a中获取输入的灰阶对应的驱动电流值具体可以为：
根据公式获取输入的灰阶对应的驱动电流值。
其中，Imax为电致发光器件显示最大灰阶时的电流值，GL为输入的灰阶。
即，驱动晶体管的栅极和源极的电压差为：
根据上述公式可以对各个像素电路中的驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿，进而提高显示装置的显示效果。
本发明实施例提供一种显示面板，该显示面板包括多个像素电路，且至少一个像素电路通过上述任一实施例提供的电学补偿方法对驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿。
另外，显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。无论何种显示面板，只要通过上述任一实施例提供的电学补偿方法对像素电路中的驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿，则属于本发明的保护范围之内。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种电学补偿方法，用于对电路进行补偿，其特征在于，所述电路包括：驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管以及电容；所述驱动晶体管的第一极连接第一电平端，所述驱动晶体管的第二极连接所述第二晶体管的第一极，所述驱动晶体管的栅极连接所述第一晶体管的第二极以及所述电容的第一极，所述第一晶体管的第一极连接数据线，所述第一晶体管的栅极连接第一扫描信号端，所述电容的第二极连接所述第二晶体管的第一极，所述第二晶体管的第二极连接感应线，所述第二晶体管的栅极连接第二扫描信号端；所述方法包括：
控制所述第一晶体管和所述第二晶体管导通并在所述数据线上施加第一电压；
控制所述第一晶体管截止、所述第二晶体管导通，预设时间后检测所述感应线上的电压获取第一检测电压；
控制所述第一晶体管和所述第二晶体管导通并在所述数据线上施加第二电压；
控制所述第一晶体管截止、所述第二晶体管导通，预设时间后检测所述感应线上的电压获取第二检测电压；
根据所述第一电压、所述第二电压、所述第一检测电压和所述第二检测电压获取所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率，并根据所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率对所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿；
所述根据所述第一电压、所述第二电压、所述第一检测电压和所述第二检测电压获取所述驱动晶体管的阈值电压，包括：
根据公式：获取所述驱动晶体管的阈值电压；
其中，所述Vth为所述驱动晶体管的阈值电压；所述VS1为第一检测电压的电压值；所述VS2为第二检测电压的电压值；所述VD1为第一电压的电压值；所述VD2为第二电压的电压值。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取第一差值；所述第一差值为所述驱动晶体管的阈值电压与预存阈值电压的差值；
判断所述第一差值的绝对值是否大于第一阈值；
若是，则使用所述驱动晶体管的阈值电压替换所述预存阈值电压；
所述根据所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率对所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿包括：根据预存阈值电压和驱动晶体管的迁移率对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取第二差值；所述第二差值为所述驱动晶体管的迁移率与预存迁移率的差值；
判断所述第二差值的绝对值是否大于第二阈值；
若是，则使用所述驱动晶体管的迁移率替换所述预存迁移率；
所述根据所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率对所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿包括：根据预存迁移率和驱动晶体管的阈值电压对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一电压、所述第二电压、所述第一检测电压和所述第二检测电压获取所述驱动晶体管的迁移率，包括：
根据公式：获取所述驱动晶体管的迁移率；
其中，所述k为所述驱动晶体管的迁移率；所述VS1为第一检测电压的电压值；所述VS2为第二检测电压的电压值；所述Cn为感应线上的电容值；所述VD1为第一电压的电压值；所述VD2为第二电压的电压值；T为预设时间的时间长度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率对所述驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿，包括：
获取输入的灰阶对应的驱动电流值；
根据公式对所述驱动晶体管的栅极和源极的电压差进行补偿；
其中，所述Vgs为驱动晶体管的栅极和源极的电压差；所述I为输入的灰阶对应的驱动电流值；所述k为所述驱动晶体管的迁移率；所述Vth为所述驱动晶体管的阈值电压。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述获取输入的灰阶对应的驱动电流值包括：
根据公式获取输入的灰阶对应的驱动电流值；
其中，所述Imax为电致发光器件显示最大灰阶时的电流值，所述GL为输入的灰阶。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管为N型晶体管；
所述控制所述第一晶体管和所述第二晶体管导通，包括：
通过所述第一扫描信号端输出高电平控制所述第一晶体管导通，并通过所述第二扫描信号端输出高电平控制所述第二晶体管导通；
所述控制所述第一晶体管截止、所述第二晶体管导通，包括：
通过所述第一扫描信号端输出低电平控制所述第一晶体管截止，并通过所述第二扫描信号端输出高电平控制所述第二晶体管导通。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管为P型晶体管；
所述控制所述第一晶体管和所述第二晶体管导通，包括：
通过所述第一扫描信号端输出低电平控制所述第一晶体管导通，并通过所述第二扫描信号端输出低电平控制所述第二晶体管导通；
所述控制所述第一晶体管截止、所述第二晶体管导通，包括：
通过所述第一扫描信号端输出高电平控制所述第一晶体管截止，并通过所述第二扫描信号端输出低电平控制所述第二晶体管导通。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多个像素电路，至少一个所述像素电路通过权利要求1-8任一项所述的电学补偿方法对驱动晶体管的阈值电压和迁移率进行补偿。
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