CN106835194A - 一种氯化钴电积工艺 - Google Patents

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杜长福
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伍一根
仲扣成
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Abstract

本发明涉及一种氯化钴电积工艺，其特征在于：萃取钴后的P507经洗涤、反萃，反萃后液与氯化钴晶体加入溶解槽后送至氯化钴电积电解槽，电解槽阴极生产电积钴，阳极放出氯气采用液碱吸收槽经液碱回收，电解槽的电贫液先搅拌升温脱氯，脱氯温度为85℃，再采用醇类溶液还原处理电贫液残存氯气，脱除控制残氯含量≦0.001g/L；脱氯后的电积钴贫液加浓盐酸配制反萃酸作P507反萃循环使用。

Description

一种氯化钴电积工艺
技术领域
本发明涉及一种电积工艺，具体是一种氯化钴电积工艺。
背景技术
氯化钴电积过程中，阴极生产电积钴，阳极放出氯气，大部分氯气经过吸收装置吸收后，再补充钴金属后再次进入电积液循环，补充金属离子分为两种方式，一是补加高浓度的氯化钴溶液，二是补加氯化钴晶体。但两种补加都有比较大的缺陷，第一种带来的是氯化钴溶液中有大量的水，为保证***的体积平衡，要蒸发大量的水，第二中氯化钴晶体，水量相对较少，但蒸发氯化钴溶液得到氯化钴晶体一样需要蒸发大量的水，同时带来包装等成本因素。
发明内容
针对现有技术的上述不足，本发明提供了一种能有效降低生产成本的氯化钴电积工艺。
本发明的技术方案是：一种氯化钴电积工艺，其特征在于：脱氯后的电积钴贫液加浓盐酸，配制反萃酸，负载的P507经过洗涤、反萃后，反萃后液与氯化钴晶体加入溶解槽后送至氯化钴电积电解槽，电解槽阴极生产电积钴，阳极放出氯气采用液碱吸收槽经液碱回收，电解槽的电贫液先搅拌升温脱氯，脱氯温度为85℃，再采用醇类溶液还原处理电贫液残存氯气，脱除控制残氯含量≦0.001g/L；脱氯后的电积钴贫液返回配制反萃酸循环使用。
首先是电积贫液在搅拌槽中搅拌升温，搅拌槽配置有抽风装置；选择醇类还原剂，加入到溶液中，快速和氯气发生反应，残存还原剂不对电积贫液造成影响。
本发明利用脱氯后钴电积贫液加入浓盐酸配制成新的反萃前液，同样经过反萃后，氯化钴溶液进入电积***生产电积钴，减少了进入电积钴***的水量，同时也减少了保存***平衡的蒸发水量，降低了生产成本。生产氯化钴***的氯气在电贫液脱氯部分以及电解部分均有效回收或吸收，避免释放污染环境，确保操作人员安全。
附图说明
图1 为本发明的工艺流程图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例作进一步说明。
图1所示，一种氯化钴电积工艺，脱氯后的电积钴贫液加浓盐酸，配制反萃酸，负载的P507经过洗涤、反萃后，反萃后液与氯化钴晶体加入溶解槽后送至氯化钴电积电解槽，电解槽阴极生产电积钴，阳极放出氯气采用液碱吸收槽经液碱回收，电解槽的电贫液先搅拌升温脱氯，脱氯温度为85℃，再采用醇类溶液还原处理电贫液残存氯气，脱除控制残氯含量≦0.001g/L；脱氯后的电积钴贫液返回配制反萃酸循环使用。

Claims (1)

1.一种氯化钴电积工艺，其特征在于：萃取钴后的P507经洗涤、反萃，反萃后液与氯化钴晶体加入溶解槽后送至氯化钴电积电解槽，电解槽阴极生产电积钴，阳极放出氯气采用液碱吸收槽经液碱回收，电解槽的电贫液先搅拌升温脱氯，脱氯温度为85℃，再采用醇类溶液还原处理电贫液残存氯气，脱除控制残氯含量≦0.001g/L；脱氯后的电积钴贫液加浓盐酸配制反萃酸作P507反萃循环使用。
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