CN106835062A - 一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法 - Google Patents

一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106835062A
CN106835062A CN201710045303.9A CN201710045303A CN106835062A CN 106835062 A CN106835062 A CN 106835062A CN 201710045303 A CN201710045303 A CN 201710045303A CN 106835062 A CN106835062 A CN 106835062A
Authority
CN
China
Prior art keywords
state
solid
sources
substrate surface
metal dichalcogenide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710045303.9A
Other languages
English (en)
Inventor
陈耿旭
郭太良
胡海龙
叶芸
周雄图
陈惠鹏
杨尊先
李福山
张永爱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuzhou University
Original Assignee
Fuzhou University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuzhou University filed Critical Fuzhou University
Priority to CN201710045303.9A priority Critical patent/CN106835062A/zh
Publication of CN106835062A publication Critical patent/CN106835062A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5846—Reactive treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5806—Thermal treatment
    • C23C14/5813—Thermal treatment using lasers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5846—Reactive treatment
    • C23C14/5866—Treatment with sulfur, selenium or tellurium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/28—Other inorganic materials
    • C03C2217/287—Chalcogenides
    • C03C2217/288—Sulfides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/28—Other inorganic materials
    • C03C2217/287—Chalcogenides
    • C03C2217/289—Selenides, tellurides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/17—Deposition methods from a solid phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32—After-treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

本发明涉及一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，包括以下步骤：（1）提供一基板，将固态M源均匀覆盖于所述基板表面，形成固态M源层，其中 M为过渡金属元素；（2）在气态X源的环境下，用激光束辐照所述基板表面，使得基板表面的M源层瞬间加热，并与其附近的气态X源发生反应，在基板表面形成MX2薄膜，其中X为硫族元素。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单易行，不仅制备的速度快，而且制备的环境相对容易满足要求，在常温常压的隔氧保护环境下就可进行。

Description

一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法
技术领域
本发明涉及一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法。
背景技术
作为类石墨烯层状材料，以二硫化钼为代表的过渡金属硫族化合物（TMDs，transition metal dichalcogenide）二维纳米结构因其多项卓越的光电性能和特殊物理现象的发现而倍受关注，并逐渐在全世界范围内掀起广泛的研究热潮。过渡金属硫族化合物是类石墨烯的层状化合物。以二硫化钼为例，每层结构中硫原子以共价键结合，钼原子镶嵌其中，形成类似于三明治的S-Mo-S 的结构，属于六方晶系。半导体MoS2的光吸收性质跟其片层厚度密切相关，其块体材料具有较宽的间接带隙（约1.29~1.90 eV），单层MoS2具有直接带隙（约1.80 eV），迁移率为200 cm2/(V·s)。在激发光照射下，单层MoS2可发射~620nm和~670nm的荧光，其发光效率比块体的MoS2高四个数量级；单层MoS2具有很好的非线性光学性质，在超快光子激发下呈现出饱和吸收特性。除了具有良好的载流子输运性能的单层或少层的MoS2外，过渡金属硫族化合物还包括具有半导体特性的WS2，具有半金属特性的WTe2、TiSe2，具有金属特性的NbS2、VSe2，具有超导特性的NbSe2、TaS2等等，因此其在纳米电子器件、传感器件和光电器件及新型复合材料等众多领域有着广阔的潜在性应用前景。近些年，针对该类材料的基础理论、制备技术、性能探索及应用研究已成为当前国际前沿研究热点之一。
随着对过渡金属硫族化合物研究的深入，其制备主要有两类方法：一类是以块体MX2为原料，通过物理或化学方式剥离获取单层或多层MX2薄膜；另一类是以含有M和X元素的化合物为原料，通过化学分解、结晶生长反应等方法获得。以MoS2为例，具体方法包括机械剥离法、锂离子插层剥离法、液相剥离法和化学气相沉积法等。机械剥离法制备的单层MoS2质量高，但产率极低，无法大批量制备而且重复性差，样品主要用于微量的基础物理、化学及应用等研究；锂离子插层法利用锂与水反应生成的氢气克服层与层之间的范德瓦耳斯力的原理可获得单层MoS2，然而制备的MoS2无法保证质量且面积较小；液相剥离法能够有效地大批量制备薄层MoS2，但该方法制备的样品质量较低，无法获得单层/少层的MoS2；化学气相沉积能够有效地获取较大面积、较高质量单层MoS2，但其工艺温度一般较高，耗时长，成本较大，并且对于在特定位置及区域精确控制制备图形化的少层/单层二硫化钼的要求无法满足。
发明内容
鉴于现有技术的不足，本发明所要解决的技术问题是提供一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，不仅结构设计合理，而且高效便捷。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，包括以下步骤：
（1）提供一基板，将固态M源均匀覆盖于所述基板表面，形成固态M源层，其中 M为过渡金属元素；
（2）在气态X源的环境下，用激光束辐照所述基板表面，使得基板表面的M源层瞬间加热，并与其附近的气态X源发生反应，在基板表面形成MX2薄膜，其中X为硫族元素。
优选的，在步骤（1）中，所述固态M源为固态形式的过渡金属元素单质或其化合物，为固态Mo、W、MoO3、WO3、W18O49、WCl6、WOCl4以及W(CO)6中的一种。
优选的，在步骤（1）中，所述固态M源层的厚度为0.1 nm~ 1mm。
优选的，在步骤（2）中，所述气态X源为气态形式的硫族元素单质或其化合物，为硫蒸气、硒蒸气、H2S以及气态H2Se中的一种。
优选的，在步骤（2）中，所述气态X源的分压为1 Torr~ 1000 Torr。
优选的，在步骤（2）中，激光束处理时，基板所处环境温度为0℃~ 80℃，激光辐照处的局域温度为100℃~ 2000℃。
优选的，在步骤（2）中，所述激光束为连续激光或者脉冲激光，其波长位于近红外、可见光或紫外波段，光强分布为高斯分布或矩形分布，所述激光束的扫描速度为0.1 mm/s-1000 mm/s，功率密度为103 W/cm2~106 W/cm2。
优选的，在步骤（1）中，利用真空镀膜法将固态M源镀于所述基板表面，或将固态M源配成溶液旋涂/刮涂、喷墨打印于基板上并烘干，抑或直接将固态M源涂覆于绝缘基板表面。
优选的，在步骤（1）中，在将所述固态M源覆盖于所述基板表面之前，先清洗、烘干所述基板表面。
优选的，所述基板采用蓝宝石基板、硅片、玻璃或塑料。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
（1）本发明利用高功率密度的激光束扫描位于气态X源环境中涂覆有固态M源层的基板表面，具有升温与降温速度快的特点；快速升温可使固态M源迅速熔化甚至汽化，并与附近气态X源发生反应形成MX2；快速冷却可使得形成的MX2快速沉积，并形成高质量MX2薄膜；通过控制激光辐照处的局域温度、冷却速率、固态M源层的厚度及气态X源的含量可以达到控制MX2层数的效果，因此本发明是一种高效快速制备过渡金属硫族化合物MX2的方法；
（2）本发明采用线形光斑的激光束进行处理时，单次扫描便可获得大面积的MX2薄膜；
（3）本发明采用聚焦的激光束作用时，配合扫描振镜以及电控平移样品台的控制，可以扫描出所设定的图案，得到图形化的MX2薄膜；
（4）本发明采用单一的过渡金属元素M源和硫族元素X源，且整个过程工艺简单易操作，耗时短。
下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步详细的说明。
附图说明
图1为本发明实施例的MoS2薄膜制备示意图。
图2为本发明实施例的WS2薄膜制备示意图。
图中：1-Si基板，2-MoO3薄膜，3-透明反应腔，4-H2S气体，5-激光束，6-基板，7-WO3薄膜。
具体实施方式
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下。
在本发明实施例中，一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，包括以下步骤：
（1）提供一基板，将固态M源均匀覆盖于所述基板表面，形成固态M源层，其中 M为过渡金属元素；
（2）在气态X源的环境下，用激光束辐照所述基板表面，使得基板表面的M源层瞬间加热，并与其附近的气态X源发生反应，在基板表面形成MX2薄膜，其中X为硫族元素。
在本发明实施例中，在步骤（1）中，所述固态M源为固态形式的过渡金属元素单质或其化合物，为固态Mo、W、MoO3、WO3、W18O49、WCl6、WOCl4以及W(CO)6中的一种。
在本发明实施例中，在步骤（1）中，所述固态M源层的厚度为0.1 nm~ 1mm。
在本发明实施例中，在步骤（2）中，所述气态X源为气态形式的硫族元素单质或其化合物，为硫蒸气、硒蒸气、H2S以及气态H2Se中的一种。
在本发明实施例中，在步骤（2）中，所述气态X源的分压为1 Torr~ 1000 Torr。
在本发明实施例中，在步骤（2）中，激光束处理时，基板所处环境温度为0℃~80℃，激光辐照处的局域温度为100℃~ 2000℃。
在本发明实施例中，在步骤（2）中，所述激光束为连续激光或者脉冲激光，其波长位于近红外、可见光或紫外波段，光强分布为高斯分布或矩形分布，所述激光束的扫描速度为0.1 mm/s -1000 mm/s，功率密度为103 W/cm2~106 W/cm2；所述激光束经聚焦或散焦进行照射时，并配合激光束或样品台的扫描运动，得到预定的图案化MX2。
在本发明实施例中，在步骤（1）中，利用真空镀膜法将固态M源镀于所述基板表面，例如蒸镀、溅射等等，并不局限于此，或将固态M源配成溶液旋涂/刮涂、喷墨打印于基板上并烘干，抑或直接将固态M源涂覆于绝缘基板表面。
在本发明实施例中，在步骤（1）中，在将所述固态M源覆盖于所述基板表面之前，先清洗、烘干所述基板表面。
在本发明实施例中，所述基板采用蓝宝石基板、硅片、玻璃或塑料。
在本发明实施例中，本发明的原理是高能量密度的激光束照射在基板表面，使得聚焦处瞬间快速加热，从而引发聚焦局域处的固态M源迅速熔化甚至汽化，与其周围附近的气态X源发生化学反应形成MX2。当激光束移开后，反应处附近迅速降温，产生的MX2快速沉积于基板表面形成薄膜。
在本发明实施例一中，如图1所示，
（1）提供一含有SiO2层的Si基板1，首先用标准食人鱼洗液（H2SO4/H2O2~7/3）进行清洗30秒~90秒，随后将所述Si基板1完全浸入到去离子水中清洗五次以除去其表面的残留物，接着分别用丙酮和异丙醇对Si基板1进行冲洗，以除去水分，并用氮气吹干；
（2）提供MoO3粉末，并与洗净的Si基板1置于真空腔内，通过真空蒸镀，在所述Si基板1上蒸镀获得约400nm厚的MoO3薄膜2，其中蒸镀所用参数为：真空气压约为30uTorr，沉积速率约为3nm/s；
（3）提供一可通气体的透明反应腔3，将沉积有MoO3薄膜2的Si基板1水平放置于内，并通入H2S气体4，使其充满整个透明反应腔3，其气压约为500 Torr；
（4）提供一激光束辐照置于透明反应腔3中的Si基板1，所述激光束5为波长为532nm的绿光，连续光源，激光束5斑为高斯光束，聚焦后光斑直径为20 um，功率密度为1×106 W/cm2，以0.8 mm/s的速度进行图案化扫描；光斑聚焦于Si基板1上MoO3薄膜2附近，使其有效吸收激光束5能量而瞬间加热、快速升温，并使其附近周围的H2S气体4发生反应，生成MoS2；当激光束5扫描结束时，基板快速降温，最终在Si基板1表面初步形成图案化MoS2薄膜。
在本发明实施例二中，如图2所示，
（1）提供一基板6，所述基板6可以为玻璃、二氧化硅或塑料等；
（2）提供0.33g高纯度WO3粉末，将其溶解于20mL的双氧水中，其浓度为15%，并不断搅拌形成黄绿色溶液，随后立即加热至80℃以增加溶液的黏度。取部分溶液旋涂于基板6上，并置于80℃环境下加热处理约1小时，在基板6表面形成WO3薄膜7；
（3）提供一可通气体的透明反应腔3，将沉积有WO3薄膜7的基板6水平放置于内，并通入H2S气体4，使其充满整个透明反应腔3；
（4）提供一激光束5辐照置于透明反应腔3中的基板6，所述激光束5为波长为1064nm的近红外脉冲光，脉宽20ps，重复频率500kHz，激光束5斑为高斯光束，聚焦后光斑直径为30um，功率密度约为1×105 W/cm2，以0.5 mm/s的速度进行图案化扫描；激光束5光斑聚焦于基板上WO3薄膜7附近，使其有效吸收激光束5能量而瞬间加热、快速升温，并使其附近周围的H2S气体4发生反应，生成WS2；当激光束5扫描结束时，基板6快速降温，最终在基板6表面初步形成图案化WS2薄膜，不同的功率密度及扫描速度会影响WS2薄膜形成质量与层数。
在本发明实施例中，本发明还可以根据实际要求，配合扫描振镜和加工平台的运动，制备出图案化的二硫化钼薄膜。
本发明不局限于上述最佳实施方式，任何人在本发明的启示下都可以得出其他各种形式的利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法。凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (10)

1.一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）提供一基板，将固态M源均匀覆盖于所述基板表面，形成固态M源层，其中 M为过渡金属元素；
（2）在气态X源的环境下，用激光束辐照所述基板表面，使得基板表面的M源层瞬间加热，并与其附近的气态X源发生反应，在基板表面形成MX2薄膜，其中X为硫族元素。
2.根据权利要求1所述的利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，其特征在于：在步骤（1）中，所述固态M源为固态形式的过渡金属元素单质或其化合物，为固态Mo、W、MoO3、WO3、W18O49、WCl6、WOCl4以及W(CO)6中的一种。
3.根据权利要求1所述的利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，其特征在于：在步骤（1）中，所述固态M源层的厚度为0.1 nm~ 1mm。
4.根据权利要求1所述的利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，其特征在于：在步骤（2）中，所述气态X源为气态形式的硫族元素单质或其化合物，为硫蒸气、硒蒸气、H2S以及气态H2Se中的一种。
5.根据权利要求1所述的利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，其特征在于：在步骤（2）中，所述气态X源的分压为1 Torr~ 1000 Torr。
6.根据权利要求1所述的利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，其特征在于：在步骤（2）中，激光束处理时，基板所处环境温度为0℃~80℃，激光辐照处的局域温度为100℃~ 2000℃。
7.根据权利要求1所述的利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，其特征在于：在步骤（2）中，所述激光束为连续激光或者脉冲激光，其波长位于近红外、可见光或紫外波段，光强分布为高斯分布或矩形分布，所述激光束的扫描速度为0.1 mm/s~1000 mm/s，功率密度为103 W/cm2~106 W/cm2。
8.根据权利要求1所述的利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，其特征在于：在步骤（1）中，利用真空镀膜法将固态M源镀于所述基板表面，或将固态M源配成溶液旋涂/刮涂、喷墨打印于基板上并烘干，抑或直接将固态M源涂覆于绝缘基板表面。
9.根据权利要求1所述的利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，其特征在于：在步骤（1）中，在将所述固态M源覆盖于所述基板表面之前，先清洗、烘干所述基板表面。
10.根据权利要求1所述的利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法，其特征在于：所述基板采用蓝宝石基板、硅片、玻璃或塑料。
CN201710045303.9A 2017-01-22 2017-01-22 一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法 Pending CN106835062A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710045303.9A CN106835062A (zh) 2017-01-22 2017-01-22 一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710045303.9A CN106835062A (zh) 2017-01-22 2017-01-22 一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106835062A true CN106835062A (zh) 2017-06-13

Family

ID=59120079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710045303.9A Pending CN106835062A (zh) 2017-01-22 2017-01-22 一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106835062A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112751256A (zh) * 2020-12-24 2021-05-04 广东工业大学 一种基于二碲化钨/二硫化钨异质结的可饱和吸收体和制备方法及其制成的锁模光纤激光器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62174363A (ja) * 1986-01-29 1987-07-31 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 基材表面の硫化処理方法
JPH05145100A (ja) * 1991-11-21 1993-06-11 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜太陽電池の製造方法および製造装置
US5958358A (en) * 1992-07-08 1999-09-28 Yeda Research And Development Co., Ltd. Oriented polycrystalline thin films of transition metal chalcogenides
CN104278238A (zh) * 2014-10-17 2015-01-14 五邑大学 一种高质量铜锌锡硫半导体薄膜的制备方法
CN104694927A (zh) * 2013-12-10 2015-06-10 成均馆大学校产业协力团 金属硫族化物薄膜及其制造方法
CN105821391A (zh) * 2016-06-12 2016-08-03 崇义章源钨业股份有限公司 一种垂直基底生长硒化钨纳米片薄膜材料的可控快速制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62174363A (ja) * 1986-01-29 1987-07-31 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 基材表面の硫化処理方法
JPH05145100A (ja) * 1991-11-21 1993-06-11 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜太陽電池の製造方法および製造装置
US5958358A (en) * 1992-07-08 1999-09-28 Yeda Research And Development Co., Ltd. Oriented polycrystalline thin films of transition metal chalcogenides
CN104694927A (zh) * 2013-12-10 2015-06-10 成均馆大学校产业协力团 金属硫族化物薄膜及其制造方法
CN104278238A (zh) * 2014-10-17 2015-01-14 五邑大学 一种高质量铜锌锡硫半导体薄膜的制备方法
CN105821391A (zh) * 2016-06-12 2016-08-03 崇义章源钨业股份有限公司 一种垂直基底生长硒化钨纳米片薄膜材料的可控快速制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112751256A (zh) * 2020-12-24 2021-05-04 广东工业大学 一种基于二碲化钨/二硫化钨异质结的可饱和吸收体和制备方法及其制成的锁模光纤激光器
CN112751256B (zh) * 2020-12-24 2021-12-10 广东工业大学 一种基于二碲化钨/二硫化钨异质结的可饱和吸收体和制备方法及其制成的锁模光纤激光器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Schoonderbeek et al. Laser Processing of Thin Films for Photovoltaic Applications.
CN105824138A (zh) 基于石墨烯/掺杂硅复合双层结构的光控太赫兹调制器
Bayer et al. Morphology and topography of perovskite solar cell films ablated and scribed with short and ultrashort laser pulses
TW201005982A (en) Recycling process for thin-layer solar cell moduls
Bellucci et al. Optimization of black diamond films for solar energy conversion
JP2017519703A (ja) グラフェン層の製造方法
CN112537796B (zh) 一种低能光激励的材料无损减薄方法
CN105523554A (zh) 一种常温常压下利用激光快速制备石墨烯的方法
Wen et al. Sulfur-hyperdoped silicon nanocrystalline layer prepared on polycrystalline silicon solar cell substrate by thin film deposition and nanosecond-pulsed laser irradiation
Druzhinin et al. Micro-and nanotextured silicon for antireflective coatings of solar cells
CN113206005A (zh) 二维材料拉应变工程的激光制造方法
Mincuzzi et al. Efficient sintering of nanocrystalline titanium dioxide films for dye solar cells via raster scanning laser
CN110034388A (zh) 天线制备方法及具有其的天线
JP2009004669A (ja) 金属配線基板の製造方法およびそれを用いて形成した金属配線基板
JP5305431B2 (ja) 太陽光発電に用いられる半導体への不純物導入方法
CN101419867B (zh) 一种染料敏化太阳能电池的纳米复合电极的制备方法
Lin et al. Laser patterning technology based on nanosecond pulsed laser for manufacturing bifacial perovskite solar modules
CN104084699A (zh) 一种柔性衬底上制备均匀有机无机钙钛矿晶体薄膜的方法
Zarabinia et al. Simple and effective deposition method for solar cell perovskite films using a sheet of paper
CN106835062A (zh) 一种利用激光快速制备过渡金属硫族化合物的方法
US7915072B1 (en) Non-vacuum coating method for preparing light absorbing layer of solar cell
CN206758405U (zh) 一种用于激光诱导石墨烯图形化的掩模化制品
CN111399256B (zh) 一种太赫兹波光控调制器及其制备方法
CN212967604U (zh) 在碳化硅基板上形成欧姆接触的***
CN113206006A (zh) 二维材料拉应变工程的激光冲击制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170613