CN106773529B - 一种利用室温转移压印技术制备无残留层的二氧化钛图案的方法 - Google Patents
一种利用室温转移压印技术制备无残留层的二氧化钛图案的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106773529B CN106773529B CN201611093131.4A CN201611093131A CN106773529B CN 106773529 B CN106773529 B CN 106773529B CN 201611093131 A CN201611093131 A CN 201611093131A CN 106773529 B CN106773529 B CN 106773529B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- room temperature
- substrate
- titanium dioxide
- residual layer
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
Abstract
本发明涉及一种利用室温转移压印技术制备无残留层的二氧化钛图案的方法,(1)将热塑性聚合物溶液与二氧化钛溶胶或钛盐溶液进行混合配制成前驱液;(2)然后将步前驱液旋涂或喷涂在表面具有凸凹结构的软模板表面,形成复合膜;(3)然后在室温下将步骤(2)得到的软模板与亲水基底接触,将复合膜转移到基底表面;(4)然后将步骤(3)得到的样品煅烧,冷却至室温;(5)最后将步骤(4)中得到的样品置于钛盐、浓盐酸和水的混合溶液中,水热条件下,在基底表面形成无残留层的二氧化钛图案。本发明涉及材料微纳加工技术领域,可以利用室温转移压印技术在平面和曲面基底制备无残留层二氧化钛图案。
Description
技术领域
本发明涉及材料微纳加工技术领域,尤其涉及一种利用室温反压印技术制备无残留层二氧化钛图案的方法。
背景技术
二氧化钛(TiO2)是一种优秀的半导体材料,具有很多良好特性,例如无毒无害、化学性质稳定、较高的光电转换效率、制备成本低廉等,其图案化在传感器、太阳能电池、光催化、生物等领域都有广泛的应用。
目前,制备图案化TiO2的方法有:光刻技术、电子束刻蚀技术、自组装技术、扫描探针技术、纳米压印技术等。CN1785683报道了一种以平面基片为基底,以二氧化钛溶胶为原料制备图案化二氧化钛微结构的方法;CN1880519报道了一种在石英玻璃或单晶硅上以二氧化硅小球辅助模板制备二氧化钛反蛋白石光子晶体的方法;Saman Safari Dinachali发表在Advanced Functional Material(2013)23:2201–2211论文中用乙酰乙酸甲基丙烯酸乙二醇酯作为金属醇盐的稳定剂成功压印出了TiO2纳米图案。但是上述的图案化方法一般工艺比较复杂,而且需要特殊的仪器和设备,难于实现大面积的制备;同时,上述方法构筑的TiO2图案都存有残留层,限制了图案化TiO2的应用。
发明内容
本发明目的是为了解决制备的TiO2图案中残留层的问题,提供了一种利用室温转移压印技术制备无残留层的二氧化钛图案的方法,其特征是,包括以下步骤:
(1)首先通过超声和加热,将热塑性聚合物溶液与二氧化钛溶胶或钛盐溶液进行混合配制成前驱液;
(2)然后将步骤(1)得到的前驱液旋涂或喷涂在表面具有凸凹结构的软模板表面,形成复合膜;
(3)然后在室温下将步骤(2)得到的表面附有复合膜的软模板与亲水基底接触,经过5~600s后,将软模板从基底表面分离开,软模板表面的复合膜转移到基底表面;
(4)然后将步骤(3)得到表面附有复合膜的基底进行煅烧,煅烧后冷却至室温;
(5)最后将步骤(4)中煅烧后得到的样品置于钛盐、浓盐酸和水的混合溶液中,在水热条件下,在基底表面形成无残留层的TiO2图案。
进一步的,步骤(1)中的热塑性聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚二丁烯、聚乙烯醇、聚苯乙烯-丁二烯共聚物、聚对苯乙烯-聚氧化乙烯共聚物、ABS树脂、聚丙烯酰胺、聚环氧乙烷。
进一步的,步骤(2)和(3)中的软模板包括聚二甲基硅氧烷模板、三元乙丙橡胶模板、全氟聚醚模板、聚氨酯丙烯酸酯模板。
进一步的,步骤(3)~(5)中的基底包括平面及曲面硅片、氧化硅片、砷化镓片、石英片、导电玻璃片、聚合物片。
进一步的,步骤(3)中的室温为0~40℃,亲水基底是通过氧等离子体、紫外臭氧或溶液处理基底实现的。
进一步的,步骤(3)中溶液处理亲水方法是将基底放在氨水和双氧水的混合水溶液,或将基底放在浓硫酸和双氧水的混合溶液,在50~90℃加热条件下进行处理。
进一步的,步骤(4)中的煅烧温度为200~550℃,煅烧时间为1~7h。
进一步的,步骤(5)中的水热条件的反应温度为60~200℃,反应时间为2~19h。
本发明具有以下优越性:
(1)通过室温压印和水热合成制备无残留层的TiO2图案;
(2)通过前驱液中浓度的控制可以制备高分辨率的TiO2图案;
(3)使用不同的模板即可制备不同的TiO2图案,具有多样性;
(4)制备TiO2图案方法简便,条件温和易控,对反应设备要求低,满足大规模生产的要求。
附图说明
图1为利用室温转移压印技术制备无残留层的TiO2图案的工艺示意图;
图2为实施例1中利用室温转移压印技术得到的复合膜的原子力图片;
图3为实施例1中利用室温转移压印技术得到的TiO2条带的扫描电镜图片。
具体实施方式
实施例1:
步骤一:前驱液的配制
将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)固体超声加热溶解到丙酮溶液中,配制成质量浓度为2.5%的PMMA溶液,与等体积的0.5mol/L钛酸正四丁酯的乙醇溶液混匀制成前驱液。
步骤二:软模板的制备
称取聚二甲基硅氧烷(PDMS)的预聚体和引发剂,质量比为10:1,搅拌混合;然后浇铸在条带宽度为3μm、间距为1μm的硅模板上,在60℃的环境下固化;固化后将PDMS与硅模板分离,即得到PDMS软模板。
步骤三:软模板表面旋涂前驱液
在旋转速度为4000rpm、旋转时间为30s的条件下,将前驱液旋涂在PDMS软模板表面,得到表面附有复合膜的PDMS软模板
步骤四:基底的亲水处理
采用溶液法对硅基底进行亲水处理,具体是将硅片放在体积比为7:3的浓硫酸和双氧水的混合溶液,在90℃加热2h。取出后蒸馏水冲洗,氮气吹干待用。
步骤五:复合膜转移到基底表面
在室温下,将步骤三中得到的表面附有复合膜的PDMS软模板与步骤四中得到的亲水硅片基底接触,经过60s后,将PDMS从硅片基底表面分离开,PDMS表面的复合膜转移到硅片基底表面。
步骤六:TiO2图案的制备
将步骤五中得到的样品放置在200℃马弗炉中煅烧2h后,冷却至室温。再将煅烧后的样品置于钛酸四丁酯、浓盐酸及水的混合溶液中,在水热条件下,90℃加入8h,然后取出样品用氮气吹干。
实施例2:
步骤一:前驱液的配制
将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)固体超声加热溶解到丙酮溶液中,配制成质量浓度为1%的PMMA溶液,与等体积的0.2mol/L钛酸正四丁酯的乙醇溶液混匀制成前驱液。
步骤二:软模板的制备
称取聚二甲基硅氧烷(PDMS)的预聚体和引发剂,质量比为10:1,搅拌混合;然后浇铸在方块宽度为1μm、间距为1μm的硅模板上,在80℃的环境下固化;固化后将PDMS与硅模板分离,即得到PDMS软模板。
步骤三:软模板表面旋涂前驱液
在旋转速度为6000rpm、旋转时间为30s的条件下,将前驱液旋涂在PDMS软模板表面,得到表面附有复合膜的PDMS软模板
步骤四:基底的亲水处理
采用溶液法对硅基底进行亲水处理,具体是将硅片放在体积比为7:3的浓硫酸和双氧水的混合溶液,在90℃加热2h。取出后蒸馏水冲洗,氮气吹干待用。
步骤五:复合膜转移到基底表面
在室温下,将步骤三中得到的表面附有复合膜的PDMS软模板与步骤四中得到的亲水硅片基底接触,经过120s后,将PDMS从硅片基底表面分离开,PDMS表面的复合膜转移到硅片基底表面。
步骤六:TiO2图案的制备
将步骤五中得到的样品放置在200℃马弗炉中煅烧2h后,冷却至室温。再将煅烧后的样品置于钛酸四丁酯、浓盐酸及水的混合溶液中,在水热条件下,90℃加入8h,然后取出样品用氮气吹干。
实施例3:
步骤一:前驱液的配制
将聚苯乙烯(PS)固体超声加热溶解到丙酮溶液中,配制成质量浓度为1.5%的PS溶液,与等体积的0.5mol/L钛酸正四丁酯的乙醇溶液混匀制成前驱液。
步骤二:软模板的制备
称取聚二甲基硅氧烷(PDMS)的预聚体和引发剂,质量比为10:1,搅拌混合;然后浇铸在方块宽度为1μm、间距为1μm的硅模板上,在60℃的环境下固化;固化后将PDMS与硅模板分离,即得到PDMS软模板。
步骤三:软模板表面旋涂前驱液
在旋转速度为4000rpm、旋转时间为30s的条件下,将前驱液旋涂在PDMS软模板表面,得到表面附有复合膜的PDMS软模板
步骤四:基底的亲水处理
采用溶液法对毛细管进行亲水处理,具体是将毛细管放在体积比为7:3的浓硫酸和双氧水的混合溶液,在90℃加热2h。取出后蒸馏水冲洗,氮气吹干待用。
步骤五:复合膜转移到基底表面
在室温下,将步骤三中得到的表面附有复合膜的PDMS软模板与步骤四中得到的亲水毛细管外壁接触,经过60s后,将PDMS从硅片基底表面分离开,PDMS表面的复合膜转移到毛细管外壁表面。
步骤六:TiO2图案的制备
将步骤五中得到的样品放置在200℃马弗炉中煅烧2h后,冷却至室温。再将煅烧后的样品置于钛酸四丁酯、浓盐酸及水的混合溶液中,在水热条件下,90℃加入8h,然后取出样品用氮气吹干。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可做出很多简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种利用室温转移压印技术制备无残留层的二氧化钛图案的方法,其特征是,包括以下步骤:
(1)首先通过超声和加热,将热塑性聚合物溶液与二氧化钛溶胶或钛盐溶液进行混合配制成前驱液;
(2)然后将步骤(1)得到的前驱液旋涂或喷涂在表面具有凸凹结构的软模板表面,形成复合膜;
(3)然后在室温下将步骤(2)得到的表面附有复合膜的软模板与亲水基底接触,经过5~600s后,将软模板从基底表面分离开,软模板表面的复合膜转移到基底表面;
(4)然后将步骤(3)得到表面附有复合膜的基底进行煅烧,煅烧后冷却至室温;
(5)最后将步骤(4)中煅烧后得到的样品置于钛盐、浓盐酸和水的混合溶液中,水热条件下,在基底表面形成无残留层的TiO2图案;
步骤(1)中的热塑性聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚二丁烯、聚苯乙烯-丁二烯共聚物、聚对苯乙烯-聚氧化乙烯共聚物、ABS树脂、聚丙烯酰胺、聚环氧乙烷。
2.根据权利要求1所述的一种利用室温转移压印技术制备无残留层的二氧化钛图案的方法,其特征在于:步骤(2)和(3)中的软模板包括聚二甲基硅氧烷模板、三元乙丙橡胶模板、全氟聚醚模板、聚氨酯丙烯酸酯模板。
3.根据权利要求1所述的一种利用室温转移压印技术制备无残留层的二氧化钛图案的方法,其特征在于:步骤(3)~(5)中的基底包括平面及曲面硅片、氧化硅片、砷化镓片、石英片、导电玻璃片、聚合物片。
4.根据权利要求1所述的一种利用室温转移压印技术制备无残留层的二氧化钛图案的方法,其特征在于:步骤(3)中的室温为0~40℃,亲水基底是通过氧等离子体、紫外臭氧或溶液处理基底实现的。
5.根据权利要求4所述的一种利用室温转移压印技术制备无残留层的二氧化钛图案的方法,其特征在于:所述的溶液处理基底是将基底放在氨水和双氧水的混合水溶液,或将基底放在浓硫酸和双氧水的混合溶液,在50~90℃加热条件下进行处理。
6.根据权利要求1所述的一种利用室温转移压印技术制备无残留层的二氧化钛图案的方法,其特征在于:步骤(4)中的煅烧温度为200~550℃,煅烧时间为1~7h。
7.根据权利要求1所述的一种利用室温转移压印技术制备无残留层的二氧化钛图案的方法,其特征在于:步骤(5)中的水热条件的反应温度为80~200℃,反应时间为2~19h。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611093131.4A CN106773529B (zh) | 2016-12-02 | 2016-12-02 | 一种利用室温转移压印技术制备无残留层的二氧化钛图案的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611093131.4A CN106773529B (zh) | 2016-12-02 | 2016-12-02 | 一种利用室温转移压印技术制备无残留层的二氧化钛图案的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106773529A CN106773529A (zh) | 2017-05-31 |
CN106773529B true CN106773529B (zh) | 2019-12-13 |
Family
ID=58913662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201611093131.4A Active CN106773529B (zh) | 2016-12-02 | 2016-12-02 | 一种利用室温转移压印技术制备无残留层的二氧化钛图案的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106773529B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108445717A (zh) * | 2018-03-08 | 2018-08-24 | 常熟理工学院 | 一种光固化含钛纳米压印胶、制备方法及其在未防粘模板直接压印中的应用 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105540654A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-05-04 | 西安电子科技大学 | 一种多层次TiO2纳米结构阵列材料的制备方法 |
-
2016
- 2016-12-02 CN CN201611093131.4A patent/CN106773529B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105540654A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-05-04 | 西安电子科技大学 | 一种多层次TiO2纳米结构阵列材料的制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
Biomimetic fabrication and tunable wetting properties of three-dimensional hierarchical ZnO structures by combining soft lithography templated with lotus leaf and hydrothermal treatments;Shuxi Dai et al.;《CrystEngComm》;20130304;第5417-5421页 * |
Sub-50 nm patterning of functional oxides by soft lithographic edge printing;Antony George et al.;《Journal of Materials Chemistry》;20120330;第9501-9503页 * |
图案化氧化锌纳米棒阵列的构筑;张电波;《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技 I辑》;20121015;正文第24-35页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106773529A (zh) | 2017-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6270903B1 (en) | Method of bonding functional surface materials to substrates and applications in microtechnology and anti-fouling | |
CN102795592A (zh) | Pdms弹性体表面硬质薄膜层选区刻蚀的制备方法及应用 | |
CN102689870B (zh) | 一种可直接光刻图形化的纳米多孔材料及其制备方法 | |
KR20090028246A (ko) | 블록공중합체의 나노구조와 일치하지 않는 형태의표면패턴상에 형성되는 블록공중합체의 나노구조체 및 그제조방법 | |
Hamdana et al. | Towards fabrication of 3D isotopically modulated vertical silicon nanowires in selective areas by nanosphere lithography | |
CN108671859B (zh) | 基于溶菌酶纳米薄膜制备Janus颗粒的方法 | |
CN1286711C (zh) | 利用软刻技术构造胶体球间隔有序排列的方法 | |
Su et al. | A heatable and evaporation-free miniature reactor upon superhydrophobic pedestals | |
Mir et al. | Conductive polymer-Ag honeycomb thin film: the factors affecting the complexity of the microstructure | |
CN106773529B (zh) | 一种利用室温转移压印技术制备无残留层的二氧化钛图案的方法 | |
CN104851844A (zh) | 一种防水氧阻隔层及其制备方法和应用 | |
CN110526588B (zh) | 一种基于材料表面引发生长结晶性嵌段共聚物胶束刷的方法 | |
Takei et al. | Eco-friendly, water-repellent, light-transparent film derived from psicose using nanoimprint lithography | |
CN103157525B (zh) | 基于硅纳米柱阵列的微流体单向阀门器件的制备方法 | |
CN104961094A (zh) | 基于mems工艺的细胞微阵列结构及其制备方法 | |
Wang et al. | Controllable domain morphology in coated poly (lactic acid) films for high-efficiency and high-precision transportation of water droplet arrays | |
CN106750473B (zh) | 一种采用室温反压印技术制备高分辨率热塑性聚合物图案的方法 | |
CN106478976B (zh) | 一种利用室温转移压印技术图案化热塑性聚合物的方法 | |
KR20130124702A (ko) | 그래핀의 직접 전사 방법 | |
CN102219557B (zh) | 图案化氧化锌薄膜的制备方法 | |
CN114317005B (zh) | 一种光子晶体材料在制备光驱动或温度驱动器件中的应用 | |
CN106527044B (zh) | 一种利用室温转移压印技术制备无残留层的氧化锌图案的方法 | |
Della Giustina et al. | Zirconia based functional sol–gel resist for UV and high resolution lithography | |
Cheng et al. | Kinetic investigation of the electrochemical synthesis of vertically-aligned periodic arrays of silicon nanorods on (001) Si substrate | |
CN109979876B (zh) | 一种利用软光刻技术制备有机半导体材料环形阵列集成光电器件的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |