CN106715752B - 成膜装置以及成膜方法 - Google Patents

Abstract

提供能够使气体的分布在腔室内的各区域中变得均匀化且提高成膜精度的成膜装置以及成膜方法。一个方式所涉及的成膜装置的特征在于，具有：腔室，其在内部具有导入有气体的多个区域，具有多个排气口，该多个排气口至少将任意的所述区域中的所述气体排出，并且能够分别对其开口状态进行调整；以及输送部，其使基材在所述腔室的内部移动而从多个所述区域通过。

Description

成膜装置以及成膜方法

技术领域

本发明涉及成膜装置以及成膜方法。

背景技术

作为成膜方法，例如提出有原子层沉积法。被称为ALD(ALD：Atomic LayerDeposition)法的原子层沉积法为如下方法，即，使吸附于表面的物质在表面发生化学反应而以原子水平(atom level)1层1层地成膜。交替地利用被称为前驱体(也称为先驱体)的富有活性的气体和反应性气体，通过基板表面处的吸附和紧随该吸附之后的化学反应而以原子水平1层1层地使薄膜生长。在ALD法中，反应性气体也被称为前驱体。

具体而言，利用如下自限制(self-limiting)效应在表面吸附有1层前驱体时将未反应的前驱体排出，即，如果在表面吸附中表面由某种气体覆盖，则不进一步产生该气体的吸附。接着将反应性气体导入而对此前的前驱体进行氧化或还原，在获得1层具有期望的组成的薄膜之后将反应性气体排出。将其设为1个循环并反复执行该循环，以在1个循环中堆积1层的方式使薄膜生长。因此，在ALD法中，薄膜进行二维生长。在ALD法中，其特征在于成膜缺陷少，期待在各种领域的应用。

在该ALD法中，提出有在一个腔室中反复进行前驱体的供给和排出的被称为时间分割型的成膜装置以及成膜方法。在时间分割型的成膜装置以及成膜方法中，使原子水平的薄膜在1个循环中生长1层，因此存在成膜速度较慢的问题。

因此，提出有如下类型的空间分割型的方法，即，将腔室分割为几个区域(区间)，对各区域分别供给单一的前驱体或者净化气体，使基板在各区域间往返(例如专利文献1)。通过该空间分割型的ALD法而大幅改善了成膜速度。

在空间分割型的ALD法中，通常在腔室的内部沿规定的输送路径对柔性基板进行输送并使其在各区域间往返。在腔室中，例如用于供给气体的供给口和用于排出气体的排气口在各区域分别至少设置有一个，通过气体的供给和排出而使气体以期望的浓度分布于腔室内。

专利文献1：国际公开第2007/112370号

发明内容

然而，如果气体的分布在腔室内产生波动，则会在腔室内的各区域中产生气体的供给不足的区域，因此难以遍及整个基板表面地对前驱体进行饱和吸附。因此，成为膜厚根据基板的部位的不同而产生差异的原因。

本发明的一个方式所涉及的成膜装置的特征在于，具有：腔室，其在内部具有导入有气体的多个区域，具有多个排气口，通过这些排气口至少将任意的所述区域中的所述气体排出，这些排气口能够分别对其开口状态进行调整；以及输送部，其使基材在所述腔室的内部移动而从多个所述区域通过。

本发明的另一方式所涉及的成膜方法的特征在于，具有如下工序：在内部具有导入有气体的多个区域、且具有多个排气口的腔室中将气体向多个所述区域导入的工序，其中，通过上述多个排气口至少将任意的所述区域中的所述气体排出，并且这些排气口能够分别对其开口状态进行调整；以及使所述基材在所述腔室内移动而从多个所述区域通过的工序。

发明的效果

根据本发明的实施方式所涉及的成膜装置以及成膜方法，能够使气体的分布在腔室内的各区域中变得均匀化，能够提高成膜精度。

附图说明

图1是本发明的实施方式所涉及的成膜装置的剖面图。

图2是该成膜装置的沿着图1中的II-II’的剖面图。

图3是该成膜装置的沿图1中的III-III’的剖面图。

图4是表示该成膜装置的开口调整机构的侧视图。

图5是该开口调整机构的剖面图。

具体实施方式

[实施方式]

下面，参照图1至图5对本发明的实施方式所涉及的成膜装置1进行说明。图1是表示第1实施方式所涉及的成膜装置1的剖面图，其示出腔室20内部的主视时的结构。图2是沿图1中的II-II’线的剖面图，其示出腔室20内的侧视时的结构。图3是沿图1中的III-III’线的剖面图，其示出腔室20内部的俯视时的结构。图4以及图5是分别表示开口调整机构的侧视图以及剖面图。图中的箭头X、Y、Z表示相互正交的3个方向。在各图中，为了说明而适当地将结构放大、缩小或者省略而示出。

图1至图3所示的成膜装置1是利用原子层沉积法(ALD：Atomic LayerDeposition)在基材上形成薄膜的ALD成膜装置1。成膜装置1为如下类型的空间分割型的结构，即，腔室20的内部分割为多个区域，对各区域Z1～Z3分别供给单一的前驱体或者净化气体，使基板在各区域Z1～Z3之间往返。

在本实施方式中，作为基材而使用具有恒定的宽度(Y方向尺寸)W1以及厚度t1的柔性基板10。基材的材料并不特别限定，例如可以从塑料薄膜、塑料片材、金属箔、金属片材、纸张、无纺布等挠性的材料中选择。基材的厚度并不特别限定，使用具有大于或等于10μm且小于或等于1000μm的厚度的基材。

柔性基板10是厚度相对于其宽度较小、且具有挠性的片材，从在腔室20的一端侧设置的供给室41供给该柔性基板10，朝向在腔室20的另一端侧设置的回收室42，在分割后的多个区域Z1、Z2、Z3之间沿着多次往返的行进路径P移动。作为输送的方式，采用如下所谓的卷对卷方式，即，将卷绕成卷状的片材状的柔性基板10从供给辊31绕出，一边输送一边进行成膜，并将其卷绕于其他回收辊34。

成膜装置1具有：腔室20，其在内部具有多个区域Z1、Z2、Z3；输送部30，其沿规定的行进路径P对柔性基板10进行输送；以及控制部50，其对各部分的动作进行控制。

腔室20具有分别形成为矩形形状的上下壁21a、21b、侧壁21c、21d、21e、21f，形成有由上述壁21a～21f包围的长方体状的内部空间。与腔室20的一个侧壁21c和与其相对的侧壁21d相邻地设置有供给室41和回收室42。

在腔室20内，在Z方向上且在2个部位分别设置有形成沿着XY面的面的分隔壁22、23。一者的分隔壁22划分出第1区域Z1和第3区域Z3，另一者的分隔壁23划分出第3区域Z3和第2区域Z2。由该分隔壁22、23将腔室20内在Z方向上分割为3部分。

腔室20划分出如下区域：第1区域Z1，其形成导入第1前驱体气体的第1真空室；第2区域Z2，其形成导入第2前驱体气体的第2真空室；以及第3区域Z3，其介于第1区域Z1与第2区域Z2之间，并且形成导入净化气体的第3真空室。

与目标沉积材料相应且适当地选择向第1区域Z1导入的第1前驱体。例如在沉积于柔性基板10的材料(目标沉积材料)为氧化铝的情况下，使用三甲基铝等。

与目标沉积材料相应且适当地选择向第2区域Z2导入的第2前驱体。例如，在目标沉积材料为氧化铝的情况下，使用水、臭氧、过氧化氢、原子状氧等。

作为向第3区域Z3导入的净化气体而使用惰性气体。作为惰性气体，使用从氮气、氦气、氩气等中适当地选择的气体。

在分隔壁22、23形成有多个用于供柔性基板10通过的狭缝状的通过口22a、23a。通过口22a、23a在Z方向上将分隔壁22、23贯通。在本实施方式中，与6条往返的行进路径P相对应地分别形成有11个通过口22a、23a。

行进路径P分别具备在X方向上排列的多条弯曲路径和多条直线路径、且形成交错形状，其中，所述弯曲路径分别在第1区域Z1和第2区域Z2中折返，所述直线路径将第1区域Z1中的弯曲路径与第2区域中的弯曲路径之间连接、且沿着Z方向。行进路径P在第1区域Z1与第2区域Z2之间往返多次，从而使得在按顺序通过第1区域Z1、第3区域Z3、第2区域Z2之后再次返回至第3区域的1个循环重复多次。

在腔室20的Y方向一端侧的侧壁21e设置有供给口24。供给口24具有：第1前驱体气体供给用的供给口24a，其设置于第1区域Z1；以及第2前驱体气体供给用的供给口24b，其设置于第2区域Z2。供给口24a、24b位于行进的柔性基板10的宽度方向上的一侧。供给口24a、24b与作为气体的供给部的供给室29连通。从该供给口24a、24b向腔室20内供给气体。供给口24a、24b在第1区域Z1以及第2区域Z2中与多次通过区域Z1、Z2的行进路径P相对应地设置有多个。

在本实施方式中，供给口24a、24b分别与在引导辊32、33之间沿X方向并列配置的多条直线状路径上的基材10的两面10a、10b相对应地设置，共计12个供给口24a、24b沿X方向并列配置。通过第1区域Z1的供给口24a而将第1前驱体气体向第1区域Z1导入，通过第2区域Z2的供给口24b而将第2前驱体气体向第2区域Z2导入。

在腔室20的Y方向另一端侧的侧壁21f设置有多个排气口25。排气口25具有：排气口25a，其设置于第1区域Z1、且将第1前驱体气体排出；以及排气口25b，其设置于第2区域Z2、且将第2前驱体气体排出。排气口25位于行进的柔性基板10的宽度方向(Y方向)上的另一侧。排气口25a、25b与作为排气部的真空泵28连接。利用真空泵28的动作并通过排气口25a、25b而将腔室20内的气体排出至腔室20之外。排气口25与多次通过第1区域Z1以及第2区域Z2的行进路径P相对应地设置有多个。在本实施方式中，排气口25分别与在引导辊32、33之间沿X方向并列配置的多条直线路径上的基材的两面10a、10b相对应地设置，共计12个排气口25沿X方向并列配置。即，通过第1区域Z1的排气口25a而从第1区域Z1将第1前驱体气体向外部排出。通过第2区域Z2的排气口25b而从第2区域Z2将第2前驱体气体排出至外部。

各排气口25a、25b具有开口调整机构27，构成为能够分别独立地对其开口状态进行调整。如图4以及图5所示，开口调整机构27具有挡板机构，该挡板机构具有例如通过将排气口25a、25b的开口的一部分遮挡而使开口率可变的挡板27a。除此之外，作为开口调整机构27，还能够使用通过开闭而改变气体的流导(conductance)的蝶形阀机构等。利用该开口调整机构27分别独立地对多个排气口25a、25b的开口率进行调整，由此能够对气体的流导进行调整，通过对气体的流动进行控制而能够调整气体浓度。

此外，第1区域Z1以及第2区域Z2的气体由真空泵28分别通过排气口25a、25b而排出。将第3区域Z3内的压力保持为高于第1区域Z1以及第2区域Z2的压力。因此，在第3区域Z3中难以扩散的条件下，对分别向第1区域Z1以及第2区域Z2导入的第1前驱体气体以及第2前驱体气体进行保持。

输送部30具有：供给辊31，其设置于供给室41；多个第1引导辊32，它们在腔室20内的第1区域Z1中排列；多个第2引导辊33，它们在腔室20内的第2区域中排列；以及回收辊34，其设置于回收室42。

供给辊31为圆柱状或者圆筒状，具有沿着Y方向的旋转轴31a。在供给辊31的外周面卷绕有成膜处理前的柔性基板10。通过控制部50的控制使供给辊31旋转，由此在图中箭头方向上将柔性基板10绕出。

回收辊34为圆柱状或者圆筒状，具有沿着Y方向的旋转轴34a。通过控制部50的控制使回收辊34绕轴旋转，由此在其外周面对成膜处理后的柔性基板10进行卷绕、回收。

第1引导辊32以及第2引导辊33为圆柱状或者圆筒状，具有沿着Y方向的旋转轴32a、33a。第1引导辊32以及第2引导辊33在腔室20内的Z方向两端部分分别沿X方向并列配置有多个。在本实施方式中，第1引导辊32以及第2引导辊33分别沿X方向排列设置有6个。第1引导辊32以及第2引导辊33的旋转轴32a、33a的端部可旋转地支撑于腔室20的侧壁21e、21f。

在X方向上，在与相邻的第1引导辊32的中间位置分别相对的位置配置有第2引导辊33。即，第1引导辊32和第2引导辊33交替地位于X方向上。在第1引导辊32以及第2引导辊33，分别设置有利用夹具(clip)对柔性基板10的例如宽度方向上的两端部进行夹持的夹具式夹持机构。

在Z方向上的两端，将柔性基板10交替地卷绕于第1引导辊32和第2引导辊33的外周面，由此对柔性基板10的行进方向进行变换，即，使得柔性基板10弯曲地折返。因此，在X方向上相邻的行进路径P彼此的行进方向为相反方向。柔性基板10在腔室20内交替地绕挂于第1引导辊32和第2引导辊33的外周面，被沿着交错状的行进路径P引导，一边以分别多次通过第1区域Z1以及第2区域Z2的方式往返一边被输送。

柔性基板10通过第1以及第2区域Z2的次数、即往返次数，设计为与能够使为了获得期望的膜厚而需要的原子层沉积于柔性基板10的表面的循环数相同的次数。

柔性基板10从X方向一端侧的供给辊31绕出，被第1引导辊32和第2引导辊33引导而沿交错状的行进路径P前进，卷绕于X方向另一端侧的回收辊34。

下面，对利用本实施方式所涉及的成膜装置1的成膜方法进行说明。本实施方式所涉及的成膜方法为空间分割型的ALD成膜方法，交替地利用被称为前驱体或者先驱体的富有活性的气体、以及被称为前驱体的反应性气体，通过基板表面处的吸附和紧随该吸附之后的化学反应而使薄膜以原子水平1层1层地生长。

本实施方式所涉及的成膜方法具有对排气口25的开口状态进行调整的调整动作、将气体向腔室内导入的导入动作、以及沿规定的行进路径P对柔性基板10进行输送的输送动作。

作为调整动作，通过控制部50的控制或者手动而使开口调整机构27进行动作，由此分别对多个排气口25的开口状态进行调整。如图4所示，通过使开口率增减，能够对气体的流导进行调整而调整腔室20内的分布。此外，改变排气口25a、25b的流导的开口率，例如通过模拟、或者反复进行成膜和评价而获得的规定值来决定。根据腔室20的形状、区域Z1～Z3的内部结构、或者排气口25a、25b的位置而适当的开口率针对各排气口25a、25b而改变，因此使用分别具有适当地调整后的开口率的排气口25a、25b。因此，如果是第1区域Z1，则能够使滞留于区域内的各部分的前驱体的空间分布变得均匀化，能够防止由剂量不足(underdose)引起的吸附量的降低。

作为将气体导入的动作，通过控制部50或者手动方式在将排气口25打开的状态下使真空泵28进行动作而进行真空吸引，并且通过将供给口24a、24b打开而将第1气体向第1区域Z1供给、且将第2气体向第2区域供给。另外，将净化气体向第3的区域供给。

如上，将气体向第1至第3区域Z3导入，并且对各区域中的气体的浓度、压力以及气体的分布进行调整。此外，将第3区域Z3内的压力设定为保持高于第1区域Z1内的压力、第2区域Z2内的压力的状态。

作为输送动作，控制部50使供给辊31、回收辊34、以及多个引导辊进行旋转动作。柔性基板10从在腔室20的一端侧设置的供给室41朝向在供给柔性基板10的腔室20的另一端侧设置的回收室42，沿着在分割后的多个区域Z1、Z2、Z3之间往返多次的交错状的行进路径P一边在厚度方向上进行挠曲变形一边移动。

着眼于柔性基板10的输送方向上的一部分，将柔性基板10从供给辊31绕出，首先向第1区域Z1输送。此时，将第1前驱体向第1区域Z1导入，因此在柔性基板10从第1区域Z1通过时，第1前驱体吸附于柔性基板10的两面。

此外，为了使柔性基板10从第1区域Z1通过的时间比饱和吸附时间长，根据饱和吸附时间和通过距离而对第1区域Z1中的柔性基板10的输送速度进行计算。

接着，柔性基板10从设置于分隔壁22的通过口22a通过而向第3区域Z3输送。而且，在沿行进路径P从第3区域Z3通过的期间，吸附于柔性基板10的剩余的第1前驱体气化并被净化。为了获得足够的净化时间，根据通过距离对第3区域Z3中的柔性基板10的输送速度进行计算。

然后，柔性基板10经由在配置于第3区域Z3与第2区域Z2之间的分隔的分隔壁23设置的通过口23a而向第2区域Z2输送。

向第2区域Z2导入第2前驱体，在柔性基板10从第2区域Z2通过的期间，吸附于柔性基板10的两面的第1前驱体吸附物与第2前驱体发生反应而生成目标薄膜。在第1前驱体吸附物和第2前驱体在第2区域Z2发生反应之后，柔性基板10经由在配置于第2区域Z2与第3区域Z3之间的分隔的分隔壁23设置的其他通过口23a而再次向第3区域Z3输送。

为了使柔性基板10从第2区域Z2通过的时间比反应时间长，根据反应时间和通过距离而对第2区域Z2中的柔性基板10的输送速度进行计算。

然后，柔性基板10经由在配置于第3区域Z3与第1区域Z1之间的分隔的分隔壁22设置的通过口22a而再次向第1区域Z1输送。

以上工序为原子层沉积的1个循环，通过该1个循环的工序而使得1个原子层沉积于柔性基板10上。通过使这1个循环重复多次，能够在柔性基板10的表面形成期望的膜厚的原子层沉积膜。在期望的膜厚的原子层沉积膜形成于柔性基板10的表面之后，利用回收辊34对柔性基板10进行卷绕。

此外，在使上述1个循环重复多次时，对于柔性基板10的输送速度，设定为根据为了使柔性基板10在前述的第1区域Z1、第2区域Z2以及第3区域Z3中暴露所需的时间、和柔性基板10通过各区域的通过距离而计算出的输送速度中的最低的速度。

根据本实施方式所涉及的成膜装置1以及成膜方法，能够获得如下效果。即，在第1区域Z1以及第2区域Z2设置多个能够分别对开口状态进行调整的排气口25，由此能够使供给侧和排出侧取得平衡，能够对气体的流动进行调整。因此，能够对气体浓度的分布进行调整，能够防止前驱体的过度供给以及供给不足。因此，减少了因前驱体的供给不足而引起的成膜不良，实现了膜厚的均匀化。另一方面，通过防止前驱体的过度供给而能够使所使用的原材料的量优化而减少浪费，在成本方面以及环境方面为优选方式。另外，通过防止前驱体的过度供给，能够降低气体向相邻的区域进入的可能性或者其进入量，能够防止意外的CVD生长。

另外，通过在并列配置有多个柔性基板10的行进路径P上或者与相邻的行进路径P之间相对应的位置配置供给口24以及排气口25，能够更进一步实现气体分布的均匀化/膜厚分布的均匀化。

并且，通过使供给口24的数量与排气口25的数量一致、并在柔性基板10的宽度方向的两侧进行相对配置，能够使气体的流动优化，能够实现气体分布的均匀化以及膜厚分布的均匀化，在这方面为优选方式。

具体而言，在空间分割型的ALD法中，同时进行气体的供给和排出，如果排气速度大，则气体在从供给口24供给之后几乎不扩散地朝向排气口25，因此有时会出现气体的供给不足的区域，但根据上述实施方式，配置多个供给口24以及排气口25对流动进行调整而调整气体的分布，由此能够防止气体的供给不足、过度供给。并且，在各区域内行进的柔性基板10的宽度方向两侧对供给口24以及排气口25进行相对配置，由此防止基板妨碍流动的情况，能够使气体在区域Z1、Z2内均匀地分布。并且，能够使气体的流动优化，因此能够有效地利用腔室20内的空间，从而能够实现成膜装置1的小型化。

此外，本发明并不局限于上述实施方式。在上述实施方式中，示出了作为一个例子而采用卷绕涂层(web coating)方式、且以柔性基板10为对象的例子，但并不局限于此。例如可以是如下方式，即，不仅对于柔性基板10，将成为成膜对象的基板也载置于能够进行连续输送的柔性的片材或者一部分具有柔性的托盘而进行输送/连续成膜。

在上述实施方式中，在第1区域Z1以及第2区域Z2分别形成有多个排气口25，但并不局限于此。例如可以根据使用的前驱体的种类而仅在第1区域Z1以及第2区域Z2的任意区域形成多个排气口25。或者，在第1区域Z1以及第2区域Z2的基础上还在第3区域Z3形成多个排气口，也能够获得与上述实施方式相同的效果。另外，还能够根据所使用的前驱体的种类将真空泵与第3区域Z3连接而进行减压。

在上述实施方式中，示出了在行进路径P中的沿X方向并列的多条路径的相邻的路径之间配置有排气口25的例子，但并不局限于此，除此之外，可以配置于从宽度方向观察在柔性基板10的行进路径P上重叠的位置、即基材所通过的路径上的位置。在该情况下，与多次通过的行进路径P相对应地分配能够对开口进行调整的排气口25，因此也容易对气体的流动进行控制而使气体浓度变得均匀化。

此外，本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内能够实施各种变形。另外，各部分的具体结构、材质等并不局限于上述实施方式中的示例，能够适当地变更。

标号的说明

1…ALD成膜装置(成膜装置)、10…柔性基板(基材)、20…腔室、24(24a、24b)…供给口、25(25a、25b)…排气口、27…开口调整机构、27a…挡板、28…真空泵(排气部)、29…供给室(供给部)、30…输送部、31…供给辊、32、33…引导辊(引导部)、34…回收辊、41…供给室、42…回收室、50…控制部、Z1、Z2、Z3…区域。

Claims (9)

1.一种成膜装置，其特征在于，具有：

腔室，其在内部具有导入有气体的多个区域，具有多个排气口，该多个排气口至少将任意的所述区域中的所述气体排出，并且能够分别对其开口状态进行调整；以及

输送部，其使基材在所述腔室的内部移动而从多个所述区域通过，

具有引导部，该引导部在所述腔室内沿着在多个区域之间往返多次的交错状的路径而对所述基材进行引导，

所述基材是在与输送方向相正交的截面中厚度相对宽度尺寸更小的挠性的片材，所述基材从在所述腔室的一端侧设置的供给部朝向在所述腔室的另一端侧设置的回收部沿所述路径移动，

在与所述基材的输送方向相正交的宽度方向上的一侧配置有供给口，在所述宽度方向上的另一侧配置有所述排气口。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述基材为挠性片材，

所述腔室能够减压，具有分别导入有不同的气体的大于或等于2个的所述区域，

使所述基材在多个所述区域之间往返而交替地多次通过多个区域，由此使原子层在所述基材的表面沉积而形成原子层沉积膜，

所述排气口分别配置于所述基材通过的路径上的位置、或者相邻的路径之间的位置。

3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

所述排气口的数量与所述基材从所述区域通过的次数相对应。

4.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

在隔着所述基材而与所述排气口相对的位置处，分别设置将所述气体向所述区域供给的多个供给口。

5.一种成膜方法，其特征在于，

所述成膜方法具有如下工序：

在内部具有导入有气体的多个区域、且具有多个排气口的腔室中将气体向多个所述区域导入的工序，其中，该多个排气口至少将任意的所述区域中的所述气体排出，并且能够分别对其开口状态进行调整；以及

使基材在所述腔室内移动而从多个所述区域通过的工序，

具有引导部，该引导部在所述腔室内沿着在多个区域之间往返多次的交错状的路径而对所述基材进行引导，

所述基材是在与输送方向相正交的截面中厚度相对宽度尺寸更小的挠性的片材，所述基材从在所述腔室的一端侧设置的供给部朝向在所述腔室的另一端侧设置的回收部沿所述路径移动，

从在与所述基材的输送方向相正交的宽度方向上的一侧配置的供给口将所述气体导入，

从在所述宽度方向上的另一侧配置的所述排气口将所述气体排出。

6.根据权利要求5所述的成膜方法，其特征在于，

所述基材为挠性片材，

所述腔室能够减压，具有分别导入有不同的气体的大于或等于2个的所述区域，

所述排气口分别配置于所述基材通过的路径上的位置、或者相邻的路径之间的位置，

使所述基材在多个所述区域之间往返而交替地多次通过多个区域，由此使原子层在所述基材的表面沉积而形成原子层沉积膜。

7.根据权利要求5或6所述的成膜方法，其特征在于，

所述排气口的数量与所述基材从所述区域通过的次数相对应。

8.根据权利要求5或6所述的成膜方法，其特征在于，

分别对多个所述排气口的开口状态进行调整。

9.根据权利要求5或6所述的成膜方法，其特征在于，

从在隔着所述基材而与所述排气口相对的位置处设置的多个供给口供给所述气体。

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