CN106711149B - 垂直通道结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种垂直通道结构,包括基底、多个叠层结构、电荷储存结构、通道结构与介电结构。叠层结构设置于基底上。在叠层结构之间具有开口。电荷储存结构设置于开口的侧壁上。通道结构设置于电荷储存结构上与开口底部的基底上。介电结构包括第一介电层与第二介电层。第一介电层设置于通道结构上。第二介电层设置于第一介电层上,且封住开口,而在介电结构中形成孔隙。第二介电层的顶部高于第一介电层的顶部。介电结构暴露出通道结构的上部。
Description
技术领域
本发明是有关于一种通道结构,且特别是有关于一种垂直通道结构。
背景技术
随着科技日新月异,电子元件的进步增加了对更大储存能力的需要。为了满足高储存密度(high storage density)的需求,存储器元件尺寸变得更小而且集成度更高。因此,存储器元件的型态已从平面型栅极(planar gate)结构的二维存储器元件(2D memorydevice)发展到具有垂直通道(vertical channel,VC)结构的三维存储器元件(3D memorydevice)。
在具有垂直通道结构的三维存储器元件的制作过程中,垂直通道孔洞(VC hole)的高深宽比(high aspect ratio)会降低介电材料填入垂直通道孔洞的能力,因此容易在填入垂直通道孔洞的介电材料中形成孔隙(void)。
在后续形成用于通道接出(channel pick up)的插塞时,用以形成插塞的导体材料常会穿过介电材料而进入到孔隙中。如此一来,将会产生不必要的电压(undesiredpotential),而降低存储器元件的效能。
发明内容
本发明提供一种垂直通道结构,其可有效地防止导体材料进入介电结构的孔隙中。
本发明提出一种垂直通道结构,包括基底、多个叠层结构、电荷储存结构、通道结构与介电结构。叠层结构设置于基底上。在叠层结构之间具有开口。电荷储存结构设置于开口的侧壁上。通道结构设置于电荷储存结构上与开口底部的基底上。介电结构包括第一介电层与第二介电层。第一介电层设置于通道结构上。第二介电层设置于第一介电层上,且封住开口,而在介电结构中形成孔隙。第二介电层的顶部高于第一介电层的顶部。介电结构暴露出通道结构的上部。
依照本发明的一实施例所述,在上述的垂直通道结构中,各叠层结构包括多个第一材料层与多个第二材料层。第一材料层与第二材料层交替地叠层设置。
依照本发明的一实施例所述,在上述的垂直通道结构中,第一材料层的材料例如是第一介电材料。第二材料层的材料例如是第二介电材料或导体材料。
依照本发明的一实施例所述,在上述的垂直通道结构中,电荷储存结构例如是电荷捕捉结构。
依照本发明的一实施例所述,在上述的垂直通道结构中,电荷捕捉结构例如是氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层(ONO)的复合层。
依照本发明的一实施例所述,在上述的垂直通道结构中,通道结构包括通道间隙壁与通道主体层。通道间隙壁设置于电荷储存结构上。通道主体层设置于通道间隙壁上与开口底部的基底上。
依照本发明的一实施例所述,在上述的垂直通道结构中,在同一道刻蚀工艺中,第一介电层的刻蚀率例如是高于第二介电层的刻蚀率。
依照本发明的一实施例所述,在上述的垂直通道结构中,第一介电层的材料例如是低温氧化物(low-temperature oxide),且第二介电层的材料例如是高密度等离子体氧化物(HDP oxide)。
依照本发明的一实施例所述,在上述的垂直通道结构中,介电结构上方的开口例如是具有W形的轮廓。
依照本发明的一实施例所述,在上述的垂直通道结构中,更包括插塞。插塞设置于介电结构上且填满开口。
基于上述,在本发明所提出的垂直通道结构中,由于第二介电层的顶部高于第一介电层的顶部,因此可形成上部为凸状的介电结构。如此一来,在后续形成用于通道接出的插塞时,由于介电结构的凸部位于孔隙上方,所以介电结构的凸部能够保护其下方的孔隙,因此可有效地防止用以形成插塞的导体材料进入孔隙中,进而提升存储器元件的可靠度与效能。此外,由于介电结构的凸部可保护其下方的孔隙,所以能够进一步地加大介电结构上方用于形成插塞的开口,因此可有效地增加插塞与通道结构的接触面积,以提升存储器元件的效能。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1E为本发明一实施例的垂直通道结构的制造流程剖面图。
【符号说明】
100:基底
102:叠层结构
102a、102b:材料层
104:开口
106:电荷储存结构
108:通道间隙壁
110:通道主体材料层
110a:通道主体层
112、114:介电材料层
112a、114a:介电层
116:孔隙
118:介电结构
120:插塞
122:通道结构
具体实施方式
图1A至图1E为本发明一实施例的垂直通道结构的制造流程剖面图。
请参照图1A,提供基底100。基底100例如是半导体基底,如硅基底。在基底100上已形成有多个叠层结构102。在叠层结构102之间具有开口104。各叠层结构102包括多个材料层102a与多个材料层102b。材料层102a与材料层102b交替地叠层设置。材料层102a的材料例如是第一介电材料,如氧化硅。材料层102b的材料例如是第二介电材料或导体材料,其中第一介电材料与第二介电材料例如是不同的介电材料。第二介电材料例如是氮化硅,导体材料例如是钨或掺杂多晶硅。叠层结构102的形成方法例如是利用沉积工艺在基底100上形成叠层材料层(未绘示)之后,再对叠层材料层进行图案化工艺。然而,叠层结构102的形成方法并不以此为限。此外,在对叠层材料层进行图案化工艺时,可进行过刻蚀(over-etching)工艺,以确保叠层材料层的最下层的需被移除部分确实经刻蚀移除,而定义出叠层结构102的图案。此外,在进行过刻蚀工艺时,可能会移除部分基底100。
在开口104的侧壁上形成电荷储存结构106。电荷储存结构106例如是电荷捕捉结构,如氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层(ONO)的复合层。
在电荷储存结构106上形成通道间隙壁108。通道间隙壁108的材料例如是半导体材料,如多晶硅。
电荷储存结构106与通道间隙壁108的形成方法例如是利用沉积工艺在叠层结构102上与开口104中形成电荷储存结构层(未绘示)与通道间隙壁材料层(未绘示)之后,再对电荷储存结构层与通道间隙壁材料层进行回刻蚀(etching back)工艺。然而,电荷储存结构106与通道间隙壁108的形成方法并不以此为限。此外,在进行上述回刻蚀工艺时,可进行过刻蚀工艺,以确保能够移除位于开口104底部的电荷储存结构106,而暴露出基底100。此外,在进行过刻蚀工艺时,可能会移除部分基底100。
在通道间隙壁108上与开口104底部的基底100上形成通道主体材料层110。通道主体材料层110的材料例如是半导体材料,如多晶硅。通道主体材料层110的形成方法例如是化学气相沉积法。
请参照图1B,在通道主体材料层110上形成介电材料层112。介电材料层112的材料例如是低温氧化物。介电材料层112的形成方法例如是低压化学气相沉积法(low-pressurechemical vapor deposition,LPCVD)。
在介电材料层112上形成介电材料层114。介电材料层114封住开口104,而在介电材料层114中形成孔隙116。介电材料层114的材料例如是高密度等离子体氧化物。介电材料层114的形成方法例如是高密度等离子体化学气相沉积法(high density plasmachemical vapor deposition,HDPCVD)。此外,介电材料层112与介电材料层114具有不同的刻蚀率。举例来说,在同一道刻蚀工艺中,介电材料层112的刻蚀率例如是高于介电材料层114的刻蚀率。
请参照图1C,移除开口104以外的介电材料层112与介电材料层114。开口104以外的介电材料层112与介电材料层114的移除方法例如是利用通道主体材料层110作为终止层(stop layer),对介电材料层112与介电材料层114进行平坦化工艺。其中,平坦化工艺例如是采用化学机械抛光法或回刻蚀法。
请参照图1D,移除部分介电材料层112与部分介电材料层114,而形成包括介电层112a与介电层114a的介电结构118。介电结构118虽然是以上述方法形成,但本发明并不以此为限。介电层114a的顶部高于介电层112a的顶部,因此可形成上部为凸状的介电结构118。介电结构118暴露出通道主体材料层110的上部。此外,介电层112a的顶部例如是高于最上层的材料层102b的顶部。此时,介电结构118上方的开口104例如是具有W形的轮廓。
部分介电材料层112与部分介电材料层114的移除方法例如是对部分介电材料层112与部分介电材料层114进行湿法刻蚀工艺。在此湿法刻蚀工艺中,由于介电材料层112的刻蚀率高于介电材料层114的刻蚀率,所以可使得介电层114a的顶部高于介电层112a的顶部,因此可形成上部为凸状的介电结构118。湿法刻蚀工艺例如是两阶段式湿法刻蚀工艺。在第一刻蚀阶段中,是在25℃下用HF/H2O(50∶1)的刻蚀液进行260秒的刻蚀工艺。在第二刻蚀阶段中,是在25℃下用HF/H2O(200∶1)的刻蚀液进行80秒的刻蚀工艺。
请参照图1E,在介电结构118上形成填满开口104的插塞120,可用于通道接出。插塞120的材料例如是导体材料,如掺杂多晶硅。举例来说,插塞120的形成方法可包括下列步骤。通过沉积工艺形成填满开口104的插塞材料层(未绘示)。利用最上层的材料层102a作为终止层,对插塞材料层进行平坦化工艺,以移除开口104以外的插塞材料层,而形成插塞120。其中,平坦化工艺例如是采用化学机械抛光法。此外,上述平坦化工艺中,可一并移除开口104以外的通道主体材料层110,而形成通道主体层110a,其中通道主体层110a与通道间隙壁108可形成通道结构122。通道结构122虽然是以上述方法形成,但本发明并不以此为限。
基于上述实施例可知,在上述垂直通道结构中,由于介电层114a的顶部高于介电层112a的顶部,因此可形成上部为凸状的介电结构118。如此一来,在后续形成用于通道接出的插塞120时,由于介电结构118的凸部位于孔隙116上方,所以介电结构118的凸部能够保护其下方的孔隙116,因此可有效地防止用以形成插塞120的导体材料进入孔隙116中,进而提升存储器元件的可靠度与效能。此外,由于介电结构118的凸部可保护其下方的孔隙116,所以能够进一步地加大介电结构118上方用于形成插塞120的开口104,因此可有效地增加插塞120与通道结构122的接触面积,以提升存储器元件的效能。
以下,通过图1E来说明本实施例的垂直通道结构。
请参照图1E,垂直通道结构包括基底100、多个叠层结构102、电荷储存结构106、通道结构122与介电结构118。叠层结构102设置于基底100上。在叠层结构102之间具有开口104。叠层结构102包括交替地叠层设置的多个材料层102a与多个材料层102b。电荷储存结构106设置于开口104的侧壁上。通道结构122设置于电荷储存结构106上与开口104底部的基底100上。通道结构122包括通道间隙壁108与通道主体层110a。通道问隙壁108设置于电荷储存结构106上。通道主体层110a设置于通道间隙壁108上与开口104底部的基底100上。介电结构118包括介电层112a与介电层114a。介电层112a设置于通道结构122上。介电层114a设置于介电层112a上,且封住开口104,而在介电结构118中形成孔隙116。介电层114a的顶部高于介电层112a的顶部,而使得介电结构118的上部为凸状。介电结构118上方的开口104例如是具有W形的轮廓。介电结构118暴露出通道结构122的上部。垂直通道结构更包括插塞120。插塞120设置于介电结构118上且填满开口104。此外,垂直通道结构中各构件的材料、设置方式、形成方法与功效已于上述图1A至图1E的制造方法中进行详尽地说明,故于此不再赘述。
综上所述,在上述实施例的垂直通道结构中,由于介电层114a的顶部高于介电层112a的顶部,因此可形成上部为凸状的介电结构118,藉此可有效地防止用以形成插塞120的导体材料进入孔隙116中,进而提升存储器元件的可靠度与效能。此外,由于介电结构118的凸部可保护其下方的孔隙116,因此可增加插塞120与通道结构122的接触面积,以提升存储器元件的效能。
虽然本发明已以实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,故本发明的保护范围当视随附的权利要求范围所界定的为准。
Claims (10)
1.一种垂直通道结构,包括:
一基底;
多个叠层结构,设置于该基底上,其中在这些叠层结构之间具有一开口;
一电荷储存结构,设置于该开口的侧壁上;
一通道结构,设置于该电荷储存结构上与该开口底部的该基底上;以及
一介电结构,包括:
一第一介电层,设置于该通道结构上;以及
一第二介电层,设置于该第一介电层上,且封住该开口,而在该介电结构中形成一孔隙,其中该第二介电层的顶部高于该第一介电层的顶部,且该介电结构暴露出该通道结构的上部。
2.根据权利要求1所述的垂直通道结构,其中各该叠层结构包括多个第一材料层与多个第二材料层,且这些第一材料层与这些第二材料层交替地叠层设置。
3.根据权利要求2所述的垂直通道结构,其中这些第一材料层的材料包括第一介电材料,且这些第二材料层的材料包括第二介电材料或导体材料。
4.根据权利要求1所述的垂直通道结构,其中该电荷储存结构包括一电荷捕捉结构。
5.根据权利要求4所述的垂直通道结构,其中该电荷捕捉结构包括氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层的复合层。
6.根据权利要求1所述的垂直通道结构,其中该通道结构包括:
一通道间隙壁,设置于该电荷储存结构上;以及
一通道主体层,设置于该通道间隙壁上与该开口底部的该基底上。
7.根据权利要求1所述的垂直通道结构,其中在同一道刻蚀工艺中,该第一介电层的刻蚀率高于该第二介电层的刻蚀率。
8.根据权利要求1所述的垂直通道结构,其中该第一介电层的材料包括低温氧化物,且该第二介电层的材料包括高密度等离子体氧化物。
9.根据权利要求1所述的垂直通道结构,其中该介电结构上方的该开口具有W形的轮廓。
10.根据权利要求1所述的垂直通道结构,更包括一插塞,设置于该介电结构上且填满该开口。
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US10847535B2 (en) * | 2018-12-24 | 2020-11-24 | Macronix International Co., Ltd. | Three dimensional memory device and method for fabricating the same |
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JP2014011389A (ja) * | 2012-07-02 | 2014-01-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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