CN106658966A - 一种薄膜电阻内层蚀刻方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种薄膜电阻内层蚀刻方法，依次包括以下流程：开料→内层贴膜→内层曝光→内层蚀刻1→内层蚀刻2→内层AOI→后制程，其中，内层蚀刻1时只需撕掉电阻面的保护膜，内层蚀刻2时再撕掉无电阻面的保护膜。本方案中的两次蚀刻都是在同一条蚀刻线上进行的，同时在蚀刻时利用保护膜对不同的区域进行保护，使得第一次蚀刻仅仅蚀刻有电阻的一面，第二次蚀刻才对线路板的双面都进行蚀刻。这一蚀刻方法优化了工艺流程，减少了设备、原料投入，有效降低了生产成本，进而提高了生产效率。

Description

一种薄膜电阻内层蚀刻方法
技术领域
本发明涉及一种多层线路板制备工艺，尤其是指一种薄膜电阻内层蚀刻方法。
背景技术
现有薄膜电阻内层蚀刻生产流程为：开料→内层贴膜→内层曝光→内层蚀刻1→内层蚀刻2→内层AOI，其中在进行内层蚀刻2工艺流程时，需另外单独开一条蚀刻线，具体流程为：配液(硫酸铜)→开缸→升温→内层蚀刻2(浸泡)，现有埋电阻产品在生产过程中，因电阻层(镍磷层)蚀刻需额外配液，开缸，且增加了部分流程，使得工艺流程更为复杂，且需增加设备及药水成本，极大影响生产效率。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明公开了一种薄膜电阻内层蚀刻方法，依次包括以下流程，开料→内层贴膜→内层曝光→内层蚀刻1→内层蚀刻2→内层AOI→后制程，其中，内层蚀刻1时只需撕掉电阻面的保护膜，内层蚀刻2时再撕掉无电阻面的保护膜。
进一步的，所述内层蚀刻1流程和内层蚀刻2流程在同一条蚀刻线上重复进行。
进一步的，所述内层蚀刻1流程和内层蚀刻2流程采用相同的蚀刻药液，蚀刻药液为盐酸溶液。
进一步的，两次内层蚀刻量叠加刚好为电阻层图形所需蚀刻量，可根据电阻厚度和铜箔厚度设定蚀刻速率和时间。
进一步的，所述内层贴膜流程中，采用LDI干膜，且需静置25-35分钟。
本方案中的两次蚀刻都在同一条蚀刻线上进行，同时在蚀刻时利用保护膜对不同的区域进行保护，使得第一次蚀刻仅仅蚀刻有电阻的一面，第二次蚀刻才对线路板的双面都进行蚀刻。这一蚀刻方法优化了工艺流程，减少了设备、原料投入，有效降低了生产成本，进而提高了生产效率。
附图说明
下面结合附图详述本发明的具体流程
图1为本发明一种薄膜电阻内层蚀刻方法的工艺流程图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式详予说明。
结合图1，本方案涉及一种薄膜电阻内层蚀刻方法，该方法依次包括以下流程，开料→内层贴膜→内层曝光→内层蚀刻1→内层蚀刻2→内层AOI→后制程。
开料，即根据工艺要求及尺寸规格用开料机将原始的线路板芯板裁切成所需要尺寸规格的过程。开料流程多为线路板制作的初始工序，在该流程中，可根据拼板尺寸开出线路板芯板，以备后续工艺制作所需。
内层贴膜，即为制作内层线路图形而贴附干膜。此处将LDI(激光直接成像技术)干膜贴附于芯板表面，作为成像材料。干膜一般分为三层，一层是PE保护膜，中间是干膜层，另一个是PET保护层。PE层和PET层都只是起保护作用的在压膜前和显影前都有必须要去掉的，真正起作用的是中间一层干膜，它具有一定的粘性和良好的感光性。贴附后，需要先静置一段时间，一般需要静置25-35分钟，可优选为30分钟。通过内层贴膜后的静置，可使干膜与内层板贴合良好，以便于后续流程的操作。
内层曝光，利用6格曝光尺或21格曝光尺对菲林进行照射曝光，贴干膜后应尽快曝光，因为感光干膜有一定保质期。光照射覆盖着底片与干膜的基板，通过影像转移，曝光后底片上的影像就会反转转移到干膜上。曝光完成后的覆铜板经过静置后，即可使用碳酸钠溶液作为浴液进行显影。感光膜中未曝光部分与稀碱溶液反应生成可溶性物质而溶解下来，而曝光部分的干膜不被溶胀。最后获得所需的内层线路图像。
内层蚀刻1，内层曝光显影后，对内层线路板进行第一次蚀刻。这次蚀刻工艺完全可在现有技术中的蚀刻线上进行，即无需对现有蚀刻线做任何的改进。此次内层蚀刻中，所用的蚀刻药液为盐酸溶液。即利用盐酸与基铜间的化学反应将裸露出的铜层除去。但是，在此次蚀刻工艺中，只能是除去有电阻面的保护膜，而无电阻的那一面的保护膜不可除去，因该蚀刻工艺流程中需要利用该保护膜来对无电阻面进行第一次蚀刻中的保护，避免其下的金属铜层遭受到蚀刻液的腐蚀、破环。此次蚀刻中，因为电阻面的保护膜被撕去，该保护膜先前所覆盖的薄膜电阻层及相应的铜箔层都裸露于外，则蚀刻药液中的盐酸将会与铜箔层中的铜及薄膜电阻层中的镍磷层进行反应，将金属层转化为离子化合物而进入蚀刻液中，使得裸露出来的金属层遭到腐蚀破坏，从而达到蚀刻铜箔层与电阻层的目的。因板面的保护膜本身与蚀刻液中的盐酸之间并不发生任何反应，故在该保护膜的作用下，其所覆盖的无电阻面无法与蚀刻液中的盐酸溶液接触，进而无法发生任何变化。
内层蚀刻2，经过第一次蚀刻后，紧接着对内层线路板进行第二次蚀刻。第二次蚀刻也是在第一次蚀刻的蚀刻线上进行，即不需要再另外单独开设一条蚀刻线，直接在原有的蚀刻线上进行二次蚀刻。同时，第二次蚀刻采用相同的蚀刻药液缸，即盐酸溶液。所不同的是，此次蚀刻需要将没有电阻的一面的保护膜除去，即第二次蚀刻中，电阻面和非电阻面都直接暴露于蚀刻药液之中，直接与蚀刻液盐酸溶液相接触。且整个内层线路板都可直接与蚀刻液接触并进行化学反应，无论是双面的铜箔层，还是电阻镍磷层都将因与蚀刻液反应而被蚀刻、脱落。此处，第二次蚀刻依旧在第一次蚀刻所用蚀刻线上进行，同时，所用蚀刻液也毋须另行更换。关于这一点亦正是本技术方案最大的特点，不仅能极大地降低生产成本，同时还能大幅提高生产效率。
此外，两次蚀刻中，对蚀刻的时间及蚀刻速率都有严格的要求，且两次内层蚀刻的时间以及速率都有所差异。但就内层薄膜电阻而言，两次的蚀刻量相叠加则刚好为电阻层图形所需蚀刻量。同时还可根据电阻厚度和铜箔厚度设定蚀刻速率和时间，以达到所需的规格。
内层AOI,AOI(Automatic Optic Inspection)的全称是自动光学检测，是基于光学原理来对焊接生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备。当自动检测时，机器通过摄像头自动扫描PCB，采集图像，测试的焊点与数据库中的合格的参数进行比较，经过图像处理，检查出PCB上缺陷，并通过显示器或自动标志把缺陷显示/标示出来，供维修人员修整,完成内层图形的最后制作过程，以期获得合格产品。
本方案中的薄膜电阻蚀刻方法的特点在于两次蚀刻都在同一条蚀刻线上重复进行，同时，还采用相同的蚀刻药液进行蚀刻。此外，在两次蚀刻时分别利用保护膜对板面不同的区域进行保护，使得第一次蚀刻流程中，仅仅蚀刻有电阻的一面，而第二次蚀刻才对线路板的双面都进行蚀刻。这一蚀刻方法不仅优化了工艺流程，无需再另外设置一条蚀刻线，同时也减少了设备、原料投入，有效降低了生产成本，进而提高了生产效率。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (5)

1.一种薄膜电阻内层蚀刻方法，其特征在于：依次包括以下流程，开料→内层贴膜→内层曝光→内层蚀刻1→内层蚀刻2→内层AOI→后制程，其中，内层蚀刻1时只需撕掉电阻面的保护膜，内层蚀刻2时再撕掉无电阻面的保护膜。
2.如权利要求1所述的薄膜电阻内层蚀刻方法，其特征在于：所述内层蚀刻1流程和内层蚀刻2流程在同一条蚀刻线上重复进行。
3.如权利要求2所述的薄膜电阻内层蚀刻方法，其特征在于：所述内层蚀刻1流程和内层蚀刻2流程采用相同的蚀刻药液，蚀刻药液为盐酸溶液。
4.如权利要求3所述的薄膜电阻内层蚀刻方法，其特征在于：两次内层蚀刻量叠加刚好为电阻层图形所需蚀刻量，可根据电阻厚度和铜箔厚度设定蚀刻速率和时间。
5.如权利要求4所述的薄膜电阻内层蚀刻方法，其特征在于：所述内层贴膜流程中，采用LDI干膜，且需静置25-35分钟。
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