CN106601777B - 双面显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种双面显示装置，所述双面显示装置包括基底、依次层叠设置在所述基底上方的TFT层、第一发光层及第一封装层、依次层叠设置在所述基底下方的第二发光层及第二封装层，其中，若干过孔贯穿所述基底并将所述TFT层与所述第一发光层及所述第二发光层电性连接。

Description

双面显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种双面显示装置。

背景技术

电子产品的形式渐趋多样化，双面显示功能成为新世代电子产品的一种特色。例如，手机内部的双面显示器可以一面显示手机主功能窗口，另一面显示时间；又如在公共场合使用双面显示器让显示器两侧的人员都能看到展示的各种内容。目前的双面显示器通常是两个单面显示面板对贴而成，例如一液晶显示面板与一有机电激发光面板背靠背设置，或者是两有机电激发光面板靠背设置，或者两块液晶显示器靠背设置。此种背对设置的显示面板需要分别设置印刷电路板及集成电路来进行信号控制，同时进行双面显示时需要两个信号输入端，这不利于成本的降低和使用的便捷。背对设置的显示面板为具有较厚厚度的双层结构，这不利于电子产品的轻薄化。同时在两块显示面板相贴合而成的双面显示器中每个显示面都存在TFT等控制开关以及相关电路，TFT结构复杂、制程程序繁复，特别是在LTPS工艺中光罩更是繁多，因此面板利用率很低。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种双面显示装置，以降低成本、提升产品的轻薄化及提升面积利用率。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种双面显示装置，所述双面显示装置包括基底、依次层叠设置在所述基底上方的TFT层、第一发光层及第一封装层、依次层叠设置在所述基底下方的第二发光层及第二封装层，其中，若干过孔贯穿所述基底并将所述TFT层与所述第一发光层及所述第二发光层电性连接。

其中，所述基底包括相对设置的第一基底和第二基底，所述TFT层、所述第一发光层及所述第一封装层依次层叠设置在所述第一基底上方，所述第二发光层及所述第二封装层依次层叠设置在所述第二基底下方，所述第一基底与所述第二基底之间通过导电胶电性连接，其中，若干过孔贯穿所述第一基底、所述导电胶及所述第二基底并将所述TFT层与所述第一发光层及所述第二发光层电性连接。

其中，所述TFT层上设置若干第一TFT器件及若干第二TFT器件，所述第一发光层上设置若干第一发光器件，所述第二发光层上设置若干第二发光器件，所述每一第一TFT器件对应连接一第一发光器件，所述每一第二TFT器件对应连接一第二发光器件。

其中，所述TFT层上设置若干TFT器件，所述第一发光层上设置若干第一发光器件，所述第二发光层上设置若干第二发光器件，所述每一TFT器件对应连接一第一发光器件及一第二发光器件。

其中，所述基底上设有一个焊盘区，所述焊盘区未被覆盖，所述焊盘区电性连接所述第一发光层及所述第二发光层并通过柔性电路板连接控制***。

其中，所述基底上设有第一及第二个焊盘区，所述第一及第二焊盘区未被覆盖，所述第一焊盘区电性连接所述第一发光层并通过柔性电路板连接控制***，所述第二焊盘区电性连接所述第二发光层并通过柔性电路板连接控制***。

其中，所述第一基底上设有一个焊盘区，所述焊盘区未被覆盖，所述焊盘区电性连接所述第一发光层及所述第二发光层并通过柔性电路板连接控制***。

其中，所述第一基底上设有第一及第二个焊盘区，所述第一及第二焊盘区未被覆盖，所述第一焊盘区电性连接所述第一发光层并通过柔性电路板连接控制***，所述第二焊盘区电性连接所述第二发光层并通过柔性电路板连接控制***。

其中，所述基底或所述第一及第二基底为玻璃、透明金属、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)玻璃纤维增强塑料(FRP)或陶瓷中的一种或几种的组合。

其中，所述TFT层包括缓冲层、设置于所述缓冲层表面的半导体层、覆盖于所述半导体层表面的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上的栅极图案、覆盖于所述栅极绝缘层表面的平坦层、设置于所述平坦层上且彼此间隔的源极图案和漏极图案，且所述源极图案和漏极图案通过所述半导体层电性连接；所述第一及第二发光器件均包括第一电极、发光层和第二电极，所述发光层设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，相邻的两个所述发光器件的第一电极和发光层之间设有像素限定层，以限定所述第一电极和所述发光层的形状。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的双面显示装置通过在第一显示面的TFT层上设置同时控制所述第一发光层及第二发光层的TFT器件或者在所述TFT层上分别设置控制所述第一发光层的TFT器件及控制所述第二发光层的TFT器件，并通过在所述基底上设置过孔将第二发光层连接至TFT层，以此实现提高第一及第二显示面的面积利用率，并通过设置第一及第二显示面的共用焊盘区，使得双面显示装置的集成电路、控制***及信号输入装置共用，以利于成本降低及便于显示装置的轻薄化。

附图说明

图1a及图1b是本发明的双面显示装置的第一实施例的结构示意图；

图2a是图1a的像素排布示意图；

图2b是图1b的像素排布示意图；

图3是图1中的TFT层及发光层的结构示意图；

图4a至图4d是图1的双面显示装置连接控制***的结构示意图；

图5a至图5d是图1的双面显示装置的走线连接至焊盘区的示意图；

图6是本发明的双面显示装置的第二实施例的结构示意图；

图7是图6的像素排布示意图；

图8是图6的双面显示装置连接控制***的结构示意图；

图9是本发明的双面显示装置的第三实施例的结构示意图；

图10是图9的双面显示装置连接控制***的结构示意图；

图11是图9的像素排布示意图；

图12a及图12b是本发明的双面显示装置的第四实施例的结构示意图；

图13a及图13b是图12的像素排布示意图；

图14a至图14d是图12的双面显示装置连接控制***的结构示意图；

图15a至图15d是图12的双面显示装置的走线连接至焊盘区的示意图。

具体实施方式

请参阅图1a及图1b及图2a及图2b，是本发明的双面显示装置的第一实施例的结构示意图。所述双面显示装置包括基底10、依次层叠设置在所述基底10上方的TFT层20、第一发光层30及第一封装层40、依次层叠设置在所述基底10下方的第二发光层50及第二封装层60，其中，若干过孔70贯穿所述基底10并将所述TFT层20与所述第一发光层30及所述第二发光层50电性连接。其中，所述第一及第二发光层均包括阳极、发光材料层及阴极。本发明中虽然将所述双面显示装置简化为基底、TFT层、发光层、封装层四个结构，然而这四个结构可以包含了显示器需求的各个部件，虽然本发明便于发明点描述只简述了所述双面显示装置的部分结构及构件，但并不限于此，所述双面显示装置的其他器件及功能与现有技术相同，在此不再赘述。

所述TFT层20上设置若干第一TFT器件21及若干第二TFT器件22，所述第一发光层30上设置若干第一发光器件，所述第二发光层50上设置若干第二发光器件，所述每一第一TFT器件21对应连接一第一发光器件，所述每一第二TFT器件22对应连接一第二发光器件。其中，所述第一TFT器件21控制所述第一发光器件发光以进行第一显示面的显示，所述第二TFT(薄膜晶体管)器件22的漏极通过所述基底10上的过孔70及其内的导电物质连接至所述第二发光器件的第一电极信号(像素电极)，以控制所述第二发光器件发光来进行第二显示面的显示，同时也包括第二电极(公共电极)及其他信号。其中，过孔70内的导电物质可以为Ag胶，也可以通过焊锡焊接使之相连，也可以是形成的金属(例如Al/Mo等)。

具体地，图1a及图1b的区别在于图1a表示了第一显示面与第二显示面的分辨率相同，而图1b则表示了所述第二显示面的分辨率比所述第一显示面的分辨率更高，其中，第一显示面为上面板，所述第二显示面为下面板。

请参阅图2a及2b，是本发明的像素排布示意图。图2a是图1a的对应的像素排布示意图，其中，所述第一显示面上设置的所述第一TFT器件21的数量与所述第二显示面上设置的所述第二TFT器件22的数量相同，因此，所述第一显示面上设置的连接所述第一TFT器件21的像素数量与所述第二显示面上设置的连接所述第二TFT器件22的像素数量相同，即所述第一显示面与所述第二显示面的分辨率相同。图2b是图1b的对应的像素排布示意图，其中，所述第一显示面上设置的所述第一TFT器件21的数量明显多于所述第二显示面上设置的所述第二TFT器件22的数量，因此，所述第一显示面上设置的连接所述第一TFT器件21的像素数量多于所述第二显示面上设置的连接所述第二TFT器件22的像素数量，即所述第二显示面的分辨率高于所述第一显示面的分辨率。

请参阅图3，是本发明的双面显示装置的TFT层及发光层的结构示意图。所述TFT层20包括缓冲层41、设置于所述缓冲层41表面的半导体层38、覆盖于所述半导体层38表面的栅极绝缘层39、设置于所述栅极绝缘层39上的栅极图案40、覆盖于所述栅极绝缘层39表面的平坦层35、设置于所述平坦层35上且彼此间隔的源极图案36和漏极图案37，且所述源极图案36和漏极图案37通过所述半导体层38电性连接。在本发明中，TFT层的具体结构可以是现有的其他结构的薄膜晶体管，在此不再一一赘述。

所述第一及第二发光层30、50均包括若干发光器件，每一发光器件包括第一电极31、发光层33和第二电极32，所述发光层33设置在所述第一电极31与所述第二电极32之间，其中，所述第一电极31为阳极，所述第二电极32为阴极，相邻的两个所述发光器件的第一电极21和发光层33之间设有像素限定层34，以限定所述第一电极31和所述发光层33的形状。在本实施例中，所述发光器件优选为顶发光型OLED器件，在其他实施例中，所述发光器件也可为底发光型OLED器件，或者也可以为顶发光型OLED器件和底发光型OLED器件的组合。具体地，所述双面显示装置为双面OLED显示器，也可以为其他类型的双面显示器。

请参阅图4a至图4d，是本发明的双面显示装置连接控制***的结构示意图。其中，在图4a及图4b中所述第一显示面和所述第二显示面共用焊盘区80，所述焊盘区80设置在所述基底10的右侧的上方，用于电性连接所述第一发光层30及所述第二发光层50，并通过此焊盘连接集成电路和柔性电路板这些控制***。在其他实施例中，所述焊盘区80也可根据需要设置在所述基底10的其他位置。在图4c及图4d中所述第一显示面及所述第二显示面分别具有不同的焊盘区80，所述第一及第二显示面的第一及第二焊盘区分别设置在所述基底10的左右两侧，其中所述第一焊盘区80用于电性连接所述第一发光层30，所述第二焊盘区80用于电性连接所述第二发光层50，因此，所述第一及第二显示面可以通过不同的集成电路、控制***、信号输入端进行显示，其中所述第一及第二显示面的行驱动走线、数据线以及其他信号走线分别连接至各自对应的焊盘区。其中，当所述第一显示面与所述第二显示面的分辨率、像素大小、显示画面等相同时，所述第一及第二显示面共用焊盘区，以达到所述双面显示装置共用焊盘区、集成电路、控制***及信号输入装置的目的，利于成本降低，同时便于提升显示器的轻薄化。

请参阅图5a至图5d，其中，图5a及图5b对应图4a及4b，图5c及图5d对应图4c及4d，图5a及图5b中包含了第一显示面的行驱动走线、第二显示面行驱动走线、第一显示面数据线、第二显示面数据线连接至同一个焊盘区80，同时还可以包含了公共电极(第二电极)等其他必须信号的走线。图5c及图5d中所述第一显示面与所述第二显示面具有不同的焊盘区80，因此所述第一及第二显示面可以通过不同的驱动器件、控制***及信号输入端进行显示，其中，所述第一显示面与所述第二显示面的行驱动走线、数据线及其他信号走线分别连接至不同的焊盘区。在本实施例中，行驱动走线在无集成栅极驱动电路(无GOA)时行驱动走线可以包括每行的扫描线，在具备集成栅极驱动电路(有GOA)时行驱动走线可以包括GOA电路的各个控制信号走线。由于第一及第二显示面不共用第一电极或者包含第二电极等信号，因此第一及第二显示面的驱动是互不相关的，第一及第二显示面可以采用不同的驱动方式和显示不同的画面。

所述基底10可以是薄的玻璃、金属、塑料等，所述基底10也可以是完全柔性的基底(PI等有机物以及有机物和无机物组成的混合结构)；例如TFT层及发光层包含了TFT器件，如TFT控制开关，及发光材料等，其中TFT控制开关可以是非晶硅或低温单晶硅工艺制成，TFT控制开关的结构可以是底栅型或顶栅型等结构，发光材料可以是各种适用的有机材料或无机材料；封装层可以是薄膜封装也可以是外盖封装，甚至是薄膜和外盖封装的组合封装结构；所述双面显示装置还包含了各个其他显示部件，例如所述双面显示装置还包含了封装胶层，封装胶层连接基底和封装外盖阻挡水汽进入；焊盘区80包含了扫描线、数据线、公共线等信号线的输入端，本发明中以数据线分布示意了焊盘区的位置、走线方式，焊盘区可以包含多个不同类型的信号输入端。

具体地，所述第一显示面的长度与所述第二显示面的长度相同或相异；所述第一显示面的面积与所述第二显示面的面积相同或相异；所述第一显示面的分辨率与所述第二显示面的分辨率相同或相异。所述焊盘区可以不是一个而是一列的多个。在其他实施例中所述第一及第二显示面的面积可以不相同，例如第一显示面某些区域没有发光层但存在TFT开关及相关电路连接并控制基底背面的第二显示面的显示像素。在本实施例中，基底是由容易形成过孔的材料制成，优选所述基底10为聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)等聚合物材料形成柔性基底。在其他实施例中，所述基底的材料也可以是陶瓷、较厚的玻璃等材料。

请参阅图6及7，是本发明的双面显示装置的第二实施例的结构示意图。所述双面显示装置的第二实施例与上述第一实施例的区别之处在于：所述TFT层20上设置若干TFT器件，所述第一发光层上设置若干第一发光器件，所述第二发光层上设置若干第二发光器件，所述每一TFT器件对应连接一第一发光器件及一第二发光器件。

其中，所述TFT器件的漏极通过所述基底10上的过孔70以及之内导电物质连接至所述第二发光层50，因此所述TFT层20上的TFT器件以及电路同时控制了第一及第二显示面的第一及第二发光层30、50，其中所述发光层中的第一电极优选为阳极，所述第一电极也可以为阴极，所述TFT层20中的TFT器件的漏极连接第二显示面的发光层的像素电极的过孔和连接所述第一显示面的发光层的像素电极的过孔可以不在同一位置。所述双面显示装置中除了像素电极，还包含公共电极(例如作为阴极)以及其他电极，在这些电极中第二显示面的发光器件可能不需要每个发光器件通过过孔从所述第一显示面连接，因此所述双面显示装置的每个发光器件至少存在一个过孔连接第二显示面的发光器件，第二显示面至少存在一个过孔连接公共电极以及其他信号电极。当公共电极等其他信号电极不是第二显示面每个发光器件都需要连接所述第一显示面对应电极时，这些电极的过孔连接位置可以位于部分发光器件中，也可以位于显示区(AA区)之外。

在本实施例中，所述第一及第二显示面具有相同的显示像素大小，优选相同显示面积时第二显示像素的分辨率及像素大小不小于所述第一显示面的分辨率及像素大小(在其他实施例中第二显示面像素大小大于所述第一显示面的像素大小)。在其他实施例中，所述第一及第二显示面的面积可以不相同，例如所述第一显示面的某些区域没有发光层但存在TFT开关及相关短路连接并控制所述基底背面的第二显示面的发光器件。

本实施例中，所述第一及第二显示面分辨率相同，同时第二显示面的分辨率可以小于所述第一显示面的分辨率，例如所述第二显示面的行数目或/和列数目像素等于所述第一显示面的行数目或/和列数目像素的1/2、1/3、1/4等，此时所述第二显示面也能实现画面的正常显示，所述第一显示面在行或/和列上每2、3、4个像素中其中一个像素的像素电极与所述第二显示面像素的像素电极连接，以使得第二显示面的每个像素都被第一显示面的TFT开关以及相关电路控制。在本实施例中是通过TFT层的发光器件的漏极使得第一及第二显示面相连通，在其他实施例中也可以通过像素电极(第一电极，可以为阳极、也可以为阴极)与第二显示面相连通，即连接关系可以是第一显示面-漏极连接第二显示面-漏极、第一显示面-漏极连接第二显示面-像素电极、第一显示面-像素电极连接第二显示面-漏极、第一显示面-像素电极连接第二显示面-像素电极，总之第一及第二显示面像素信号(第一电极的信号)相连通。

请参阅图8，是本发明的双面显示装置连接控制***的示意图。在本实施例中，所述第一显示面及所述第二显示面共用焊盘区80，所述焊盘区80设置在所述基底10右侧的上方。在其他实施例中，所述焊盘也可根据需要设置在所述基底10的其他位置。

请参阅图9及图10，是本发明的双面显示装置的第三实施例的结构示意图。所述双面显示装置的第三实施例与上述实施例的区别之处在于：所述基底10包括相对设置的第一基底11和第二基底12，所述TFT层20、所述第一发光层30及所述第一封装层40依次层叠设置在所述第一基底11上方，所述第二发光层50及所述第二封装层60依次层叠设置在所述第二基底12下方，所述第一基底11与所述第二基底12之间通过导电胶13电性连接，其中，若干过孔70贯穿所述第一基底11、所述导电胶13及所述第二基底12并将所述TFT层20与所述第一发光层30及所述第二发光层50电性连接。

所述TFT层20上设置若干TFT器件，所述第一发光层上设置若干第一发光器件，所述第二发光层上设置若干第二发光器件，所述每一TFT器件对应连接一第一发光器件及一第二发光器件。

所述TFT层20上的TFT器件的漏极通过所述第一及第二基底11、12上的过孔70以及之内导电物质和所述第一及第二基底11、12之间的异方性导电胶13连接至所述第二发光层50，因此第一面显示面的TFT以及电路同时控制了第一及第二显示面的像素电极，所述像素电极优选为第一电极优选为阳极，第一电极也可以为阴极。所述过孔70内的导电物质可以Ag胶，也可以通过焊锡焊接使之相连，也可以是形成的金属(例如Al/Mo等)，所述第一及第二基底之间的电极可以是金属形成，也可以是导电物质、焊锡保留形成。所述TFT器件的漏极连接第二显示面像素电极的通孔和连接第一显示面的像素电极的过孔可以不在同一位置。所述双面显示装置中除了像素电极，还包含公共电极(例如作为阴极)以及其他电极，在这些电极中第二显示面的像素可能不需要每个像素通过过孔与第一显示面连接，因此双面显示装置每个发光器件至少存在一个过孔连接第二显示面的像素电极，第二显示面显示部位至少存在一个过孔连接公共电极以及其他信号电极。当公共电极等其他信号电极不是第二显示面每个像素都需要连接第一显示面对应电极时，这些电极的过孔连接位置可以位于部分像素中，也可以位于显示区(AA区)之外。本实施方式中，所述双面显示装置中优选第一及第二显示面具有相同的显示像素大小，优选相同面积时第二显示面像素的分辨率及像素大小不小于第一显示面的分辨率及像素大小(在其他实施例中第二显示面像素大小大于第一显示面像素大小)。在其他实施例中，第一及第二显示面的面积可以不相同，例如第一显示面某些区域没有发光层但存在TFT开关及相关电路联通并控制第二显示面的显示像素。

在本实施例中，所述第一及第二显示面的分辨率相同，同时第二显示面显示的分辨率可以小于第一显示面显示的分辨率，例如第二显示面的行数目或/和列数目像素等于第一显示面的1/2、1/3、1/4等，此时第二显示面也能实现画面的正常显示，此时第一显示面中在行或/和列上每2、3、4个像素中其中一个像素的像素电极与第二显示面像素的像素电极连接，以使得第二面显示像素每个像素都被第一显示面TFT开关以及相关电路控制。

本实施例中是通过TFT层的TFT器件的漏极使得第一及第二显示面相连通，在其他实施例中也可以通过像素电极(第一电极，可以为阳极、也可以为阴极)与第二显示面相连通，即连接关系可以是第一显示面-漏极连接第二显示面-漏极、第一显示面-漏极连接第二显示面-像素电极、第一显示面-像素电极连接第二显示面-漏极、第一显示面-像素电极连接第二显示面-像素电极，总之第一及第二显示面像素信号(第一电极的信号)相连通。

请参阅图11，在本实施例中，所述第一及第二显示面共用焊盘区80，所述焊盘区80设置在所述第一基底11的上方，用于连接所述第一发光层30及所述第二发光层50及通过柔性电路板连接控制***。在其实实施例中，所述焊盘区80也可根据需要设置在所述第一或第二基底11、12的其他位置。

请参阅图12a及图12b及图13a及图13b，是本发明的双面显示装置的第四实施例的结构示意图。所述双面显示装置的第四实施例与上述实施例的区别之处在于：所述基底10包括相对设置的第一基底和第二基底11、12，所述TFT层20、所述第一发光层30及所述第一封装层40依次层叠设置在所述第一基底11上方，所述第二发光层50及所述第二封装层60依次层叠设置在所述第二基底12下方，所述第一基底11与所述第二基底12之间通过导电胶13电性连接，其中，若干过孔70贯穿所述第一基底11、所述导电胶13及所述第二基底12并将所述TFT层20与所述第一发光层30及所述第二发光层50电性连接。

所述TFT层20上设置若干第一TFT器件21及若干第二TFT器件22，所述第一发光层30上设置若干第一发光器件，所述第二发光层50上设置若干第二发光器件，所述每一第一TFT器件21对应连接一第一发光器件，所述每一第二TFT器件22对应连接一第二发光器件。

第一及第二显示面的公共电极可以相连或者不相连，第一及第二基底之间通过异方性导电胶连接。所述第一显示面的发光层下方包含了控制第一显示面的TFT以及其相关电路，也包含了控制第二显示面的TFT以及其相关电路。同时第二TFT器件的漏极通过过孔中导电物质连接至第二显示面的像素电极。过孔70内的导电物质可以Ag胶，也可以通过焊锡焊接使之相连，也可以是形成的金属(例如Al/Mo等)。第一及第二基底之间的电极可以是金属形成，也可以是导电物质、焊锡保留形成。图12a与图12b的区别在于：图12a表示了第一及第二显示面的分辨率相同，图12b表示了第二显示面的分辨率比第一显示面的分辨率更高。

请参阅图14a及图14b，其中所述第一及第二显示面的显示区具有相同的焊盘区80，第一及第二显示面的行驱动走线、数据线以及其他信号走线均连接至该焊盘区80，因此第一及第二显示面可以通过相同的集成控制电路、控制***及信号输入端进行显示。其中，所述焊盘区80设置在所述第一基底11的上方的右侧，在其他实施例中，所述焊盘80也可根据需要设置在所述第一基底11或第二基底12的其他位置。所述焊盘区80连接所述第一发光层30及所述第二发光层40及并通过此焊盘连接集成电路和柔性电路板这些控制***。请参阅图14c及图14d，其中所述第一及第二显示面的显示区具有不同的焊盘区80，第一及第二显示面的行驱动走线、数据线以及其他信号走线分别连接至不同焊盘区，因此第一及第二显示面可以通过不同的集成控制电路、控制***及信号输入端进行显示。其中，所述第一显示面的第一焊盘区80及所述第二显示面的第二焊盘区80分别设置在所述第一基底11上方的左右两端，在其他实施例中，所述第一及第二焊盘80也可根据需要设置在所述第一基底11或所述第二基底12的其他位置。所述第一焊盘区80连接所述第一器件发光层30及通过柔性电路板连接控制***，所述第二焊盘区80连接所述第二器件发光层50及并通过此焊盘连接集成电路和柔性电路板这些控制***。

图15a及图15b对应图14a与图14b，图15c及图15d对应图14c与图14d。其中，图15a及图15b中包含了第一显示面的行驱动走线、第二显示面行驱动走线、第一显示面数据线、第二显示面数据线连接至同一个焊盘区80，同时还可以包含了公共电极(第二电极)等其他必须信号的走线。图15c及图15d中所述第一显示面与所述第二显示面具有不同的焊盘区80，因此所述第一及第二显示面可以通过不同的驱动器件、控制***及信号输入端进行显示，其中，所述第一显示面与所述第二显示面的行驱动走线、数据线及其他信号走线分别连接至不同的焊盘区。在本实施例中，所述行驱动走线，在无集成栅极驱动电路(无GOA)时行驱动走线可以包括每行的扫描线，在具备集成栅极驱动电路(有GOA)时行驱动走线可以包括GOA电路的各个控制信号走线。由于第一及第二显示面不共用第一电极或者包含第二电极等信号，因此第一及第二显示面的驱动是互不相关的，第一及第二显示面可以采用不同的驱动方式和显示不同的画面。

在本实施例中，所述第一及第二显示面的长度、面积可以相同或相异，例如第一显示面某些区域没有发光层但存在TFT开关及相关电路联通并控制第二基底背面的第二显示面的显示像素。所述第一及第二显示面的分辨率可以相同或者相异，所述双面显示装置的焊盘区可以不是一个而是一列的多个。

其中第一及第二基底是由容易形成过孔的材料制成，例如薄的玻璃、透明金属以及具有柔性的任意合适的绝缘材料形成，可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)等聚合物材料形成。在其他实施例中，第一及第二基底也可以是陶瓷、较厚的玻璃等材料。

本发明双面显示装置通过在第一显示面的TFT层上设置同时控制所述第一发光层及第二发光层的TFT器件或者在所述TFT层上分别设置控制所述第一发光层的TFT器件及控制所述第二发光层的TFT器件，并通过在所述基底上设置过孔将第二发光层连接至TFT层，以此实现提高第一及第二显示面的面积利用率，并通过设置第一及第二显示面的共用焊盘区，使得双面显示装置的集成电路、控制***及信号输入装置共用，以利于成本降低及便于显示装置的轻薄化。

以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种双面显示装置，其特征在于，所述双面显示装置包括基底、依次层叠设置在所述基底上方的TFT层、第一发光层及第一封装层、依次层叠设置在所述基底下方的第二发光层及第二封装层，其中，若干过孔贯穿所述基底并将所述TFT层与所述第一发光层及所述第二发光层通过所述过孔电性连接；

所述基底包括相对设置的第一基底和第二基底，所述TFT层、所述第一发光层及所述第一封装层依次层叠设置在所述第一基底上方，所述第二发光层及所述第二封装层依次层叠设置在所述第二基底下方，所述第一基底与所述第二基底之间通过异方性导电胶电性连接，其中，若干过孔贯穿所述第一基底、所述异方性导电胶及所述第二基底并将所述TFT层与所述第一发光层及所述第二发光层电性连接。

2.根据权利要求1所述的双面显示装置，其特征在于，所述TFT层上设置若干第一TFT器件及若干第二TFT器件，所述第一发光层上设置若干第一发光器件，所述第二发光层上设置若干第二发光器件，每一第一TFT器件对应连接一第一发光器件，每一第二TFT器件对应连接一第二发光器件。

3.根据权利要求1所述的双面显示装置，其特征在于，所述TFT层上设置若干TFT器件，所述第一发光层上设置若干第一发光器件，所述第二发光层上设置若干第二发光器件，每一TFT器件对应连接一第一发光器件及一第二发光器件。

4.根据权利要求1所述的双面显示装置，其特征在于，所述基底上设有一个焊盘区，所述焊盘区未被覆盖，所述焊盘区电性连接所述第一发光层及所述第二发光层并通过柔性电路板连接控制***。

5.根据权利要求1所述的双面显示装置，其特征在于，所述基底上设有第一及第二焊盘区，所述第一及第二焊盘区未被覆盖，所述第一焊盘区电性连接所述第一发光层并通过柔性电路板连接控制***，所述第二焊盘区电性连接所述第二发光层并通过柔性电路板连接控制***。

6.根据权利要求1所述的双面显示装置，其特征在于，所述第一基底上设有一个焊盘区，所述焊盘区未被覆盖，所述焊盘区电性连接所述第一发光层及所述第二发光层并通过柔性电路板连接控制***。

7.根据权利要求1所述的双面显示装置，其特征在于，所述第一基底上设有第一及第二焊盘区，所述第一及第二焊盘区未被覆盖，所述第一焊盘区电性连接所述第一发光层并通过柔性电路板连接控制***，所述第二焊盘区电性连接所述第二发光层并通过柔性电路板连接控制***。

8.根据权利要求1所述的双面显示装置，其特征在于，所述基底或所述第一及第二基底为玻璃、透明金属、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)玻璃纤维增强塑料(FRP)或陶瓷中的一种或几种的组合。

9.根据权利要求1所述的双面显示装置，其特征在于，所述TFT层包括缓冲层、设置于所述缓冲层表面的半导体层、覆盖于所述半导体层表面的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上的栅极图案、覆盖于所述栅极绝缘层表面的平坦层、设置于所述平坦层上且彼此间隔的源极图案和漏极图案，且所述源极图案和漏极图案通过所述半导体层电性连接；所述第一及第二发光器件均包括第一电极、发光层和第二电极，所述发光层设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，相邻的两个所述发光器件的第一电极和发光层之间设有像素限定层，以限定所述第一电极和所述发光层的形状。