CN106574944B - 用于识别第一发光二极管元件中的短路的方法和光电子组件 - Google Patents

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Abstract

在不同的实施例中，提供了一种用于识别第一发光二极管元件（50）中的短路的方法。在该方法中使第一发光二极管元件（50）在截止区运行。检查是否有电流（IR）沿截止方向流经第一发光二极管元件（50），并且如果所述检查得出有电流（IR）沿截止方向流动并且大于预先给定的漏电流，则识别出短路。

Description

用于识别第一发光二极管元件中的短路的方法和光电子组件
技术领域
本发明涉及一种用于识别第一发光二极管元件中的短路的方法以及一种光电子组件。
背景技术
发光的光电子器件例如可以是发光二极管（LED）或有机发光二极管（OLED）。OLED可以具有阳极和阴极，所述阴极在所述阳极与所述阴极之间具有有机功能层***。有机功能层***可以具有：一个或多个发射体层，在所述一个或多个发射体层中产生电磁辐射；一个载流子对产生层结构，所述载流子对产生层结构分别由两个或多个载流子对产生层（“电荷产生层（charge generating layer）”，CGL）构成，用于产生载流子对；以及一个或多个电子阻挡层，也被称作空穴传输层（“hole transport layer”，HTL）；和一个或多个空穴阻挡层，也被称作电子传输层（“electron transport layer”，ETL），以便对电流进行整流（richten）。
光电子组件例如具有两个或更多个光电子器件（例如LED和/或OLED）以及用于运行光电子器件的激励电路（例如驱动器）。光电子器件例如可以电并联。光电子器件（例如OLED）可以被分段并且因而具有多个OLED元件。所述OLED元件例如可以电并联和/或共享至少一个共同的电极。例如，两个OLED元件具有相同的阴极，但是具有彼此分开的功能层结构和相应地彼此分开的阳极。这可以有助于，在所述OLED元件之一短路时，其它OLED元件基本上可以继续运行。
尽管对OLED的质量控制是花费高的，但是不能完全排除所述OLED在应用中突发地失灵。突发失灵的一种典型的故障情景（Fehlerbild）是电极之间的短路。这样的短路通常是非常小面积的，由此，总电流的大部分都集中在该短路点。电流密度因此明显过高，从而这些位置根据平面的构造而可能非常剧烈地发热。这可能导致电极熔化、导致发光图像中的暗斑、导致全暗的OLED、和/或简单地导致在OLED上变得非常热的位置。为了防止由于所述过热造成的潜在危险（烧毁危险、火灾、爆裂），这样的短路应当由激励或驱动电子装置或者上级分析单元和/或计算单元来识别出，并且进行相对应的反应、例如保护措施（切断短路的器件，产生报警信号，分流（Bypassing）、即绕过短路等等）。恰好在汽车领域中，制造商要求：例如尾灯中的有缺陷的OLED或LED必须电子地被识别并且必须至少向车载***报告。
公知的是，通过检测OLED上的过压或欠压并将所述过压或欠压用作缺陷的标准来识别所述OLED中的短路。作为对识别出短路的反应，可以进行分流和/或产生故障信号。
发明内容
本发明的任务是提供一种用于识别第一发光二极管元件中的短路的方法，所述方法可以简单地和/或成本有利地来执行和/或所述方法有助于可靠地运行第一发光二极管元件和/或可靠地运行具有所述第一发光二极管元件的光电子组件。
本发明的另一任务是提供一种光电子组件，所述光电子组件简单地和/或成本有利地来构造和/或可以可靠地来运行。
一个任务通过根据权利要求1和/或3所述的用于识别第一发光二极管元件中的短路的方法来解决。
一个任务通过根据权利要求7和/或9所述的光电子组件来解决。
一种用于识别第一发光二极管元件中的短路的方法。在该方法中，第一发光二极管元件在截止区运行。检查是否有电流沿截止方向流经第一发光二极管元件。如果所述检查得出有电流沿截止方向流动并且大于预先给定的漏电流（Leckstrom），则识别出短路。
该方法所基于的是，完好的发光二极管元件（例如LED、OLED或OLED元件）显示出整流作用，也就是说所述整流作用在正向上传导电流（非线性特征曲线）并且在反向上使除了漏电流之外的电流截止，所述漏电流基本上在每个二极管中都出现，大多数良好地被识别并且常常是可忽略的。有缺陷的具有短路的LED或OLED不再具有整流作用。由于短路，半导体层被跨接，并且LED或OLED在两个极性方向（正向运行和反向运行）上显示出几乎相同的电导率。因此，反向电压、尤其是适度的反向电压施加到LED或OLED上或者注入适度的反向电流，以便识别异常的反向行为。“反向电压或反向电流是适度的”例如是指，相对应的LED或OLED在截止区运行而不是在击穿区（例如在按数值大约与在LED或OLED的额定工作点处的正向电压相对应的区域）运行。适度的反向电压例如可以按数值小于或等于正向运行时的额定电压。所述额定电压是优选在正常的正向运行时被施加到OLED上的电压。
虽然基本上不打算使OLED在截止区运行、即反向运行，但是以短脉冲和/或在短时长内的适度的反向电压不使OLED遭受损伤并且不使性能恶化。因此，在该方法中，第一发光二极管元件可以以短脉冲和/或在短时长内在截止区运行。如果第一发光二极管元件或相对应的发光二极管在正向运行时脉冲式地运行，则脉冲时长可以被选择为短的，使得在反向运行时的脉冲完全处在正向运行的脉冲间歇中。
第一发光二极管元件例如可以是：单个地运行的LED或OLED；与其它LED和/或OLED一起、例如借助于将它们的阴极或阳极电耦合来运行的单个LED或OLED；或者具有两个或更多个发光二极管元件的多段式OLED中的一个区段，所述两个或更多个发光二极管元件具有共同的阴极或阳极。例如，除了其它单个的LED、OLED或OLED区段以外，第一发光二极管元件可以单独地来激励，例如用于实现例如在汽车区域中的动态光效果、例如以用于显示闪光信号灯场景和/或欢迎场景。
“第一发光二极管元件在截止区运行”例如可以是指，适度的反向电压施加到LED或OLED上，或者适度的反向电流被注入到LED或OLED中。第一发光二极管元件在截止区的运行可以以不同的方式来进行，如随后进一步解释的那样。对沿截止方向的通过电流的识别同样可以以不同的方式来进行，尤其是可以直接或间接地识别沿截止方向的通过电流。所述沿截止方向的通过电流例如可以通过对所述通过电流的不同的测量直接来探测。但是，所述沿截止方向的通过电流也可以借助于检查所述沿截止方向的通过电流所造成的效应而间接地来探测。如果所述沿截止方向的通过电流直接被检测到或者在检查时间接地识别出所述通过电流的存在，并且如果所述通过电流大于第一发光二极管元件的预先给定的漏电流，则识别出短路并且将相对应的第一发光二极管元件识别为有故障的。
该方法可以在自己的测试模式中测试流程中被执行，所述测试模式或测试流程例如在运行LED或OLED之前或之后（例如在接通或关断汽车尾灯时，或者诸如此类的）被执行。可替换地或附加地，该方法可以在运行第一发光二极管元件期间、例如在脉冲式运行（PWM运行）时的光/电流间歇中被执行。
在短路方面的测试、即第一发光二极管元件在截止区的运行可以通过单独的测试电压源或测试电流源来执行、例如借助于逆变式DCDC转换器或者电荷泵电路来执行，或者通过适当地使用和/或连接电子装置（例如激励电路或驱动器、具有第一发光二极管元件的光电子组件）来实现。整个测试***与“正常的”激励或驱动电子装置相比可以只利用少量附加的部件、诸如保护二极管、电子开关（例如晶体管）和/或测量传感器来构造。可替换地或附加地，可以将已经存在的激励或驱动电子装置的功能区用于短路识别、例如将用于电流和/或电压测量的测量装置和/或相对应的激励电路的输出电容器用于短路识别。
测量值记录、流程控制和/或对测试的分析以及对测试结果的反应例如可以例如由驱动控制装置的中央控制器的计算单元（例如微控制器）来执行。可替换地或附加地，这些功能也可以借助于例如具有模拟、数字或“混合信号（mixed signal）”电路的独立电子装置来执行。对识别出短路的反应可以包括：停用相对应的发光二极管激励电路、例如相对应的驱动器；向另一控制组、中央计算机和/或微控制器报告；可选地借助于保持环节（Halteglied）来激励旁路单元、例如一个或多个与相对应的发光二极管元件并联的晶闸管、Mosfet、晶体管或者诸如此类的。例如，向更高级的***反馈是可能的，例如在闪光信号灯或倒车灯的情况下例如向汽车中的车载计算机反馈是可能的。
该方法例如可以在汽车领域中或者在消费领域中被使用、例如在具有单个的发光二极管元件的手提灯中或者在具有集成驱动器的发光二极管模块中被用于面照明。相对应的发光二极管于是可以可靠地运行，其中例如火灾危险、伤害危险和/或毁坏危险可以是特别小的。可替换地或附加地，尤其是当在硬件中仅仅进行微小的额外花费并且因此没有形成或只形成稍高的材料成本时，相对应的探测电路可以简单地和/或成本有利地来实施。
根据一改进方案，检查是否有电流沿截止方向流经第一发光二极管元件，其方式是将反向电压施加到第一发光二极管元件上并且检测、例如直接检测沿截止方向的电流。反向电压例如可以借助于特意为此所设置的电压源或电流源或者借助于用于激励第一发光二极管元件或其它发光二极管元件的激励电路来施加。
根据一改进方案，布置有第一激励电路，所述第一激励电路被构造用于激励第一发光二极管元件。第一激励电路是关断的。例如，第一激励电路处在如下运行状态下，在所述运行状态下，第一发光二极管元件不活跃、即不发射光。第一激励电路的输出端与第一发光二极管元件的第一电极层电耦合。此外，还布置有第二激励电路，所述第二激励电路被构造用于激励第二发光二极管元件。同样，第二激励电路首先是关断的。例如，第二激励电路处在如下运行状态下，在所述运行状态下，第二发光二极管元件不活跃、即不发射光。第二激励电路的输出端与第二发光二极管元件的第一电极层电耦合。第一激励电路的输入端、第二激励电路的输入端、第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层都与第一节点（Knoten）电耦合。第一发光二极管元件的第一电极层与测试能量源（Testenergiequelle）的第一接线端子电耦合。测试能量源的第二接线端子与第一节点电耦合。第一发光二极管元件借助于测试能量源在截止区运行。
根据一改进方案，所述测试能量源是测试电流源。通过检测附在测试电流源上的测试电压来检查是否有电流沿截止方向流经第一发光二极管元件。可替换地或附加地，所述测试能量源是测试电压源，并且通过检测流经测试电流源的测试电流来检查是否有电流沿截止方向流经第一发光二极管元件。
根据一改进方案，第一激励电路被布置用于激励第一发光二极管元件，而第二激励电路被布置用于激励第二发光二极管元件。第一发光二极管元件借助于第二激励电路在截止区运行。这能够实现：可以省去额外的能量源和/或用于识别短路的驱动电子装置。这可以有助于：可以特别简单地和/或成本有利地识别短路。
根据一改进方案，第一激励电路是关断的。第一激励电路的输出端与第一发光二极管元件的第一电极层电耦合。同样，第二激励电路首先是关断的。第二激励电路的输出端与第二发光二极管元件的第一电极层电耦合。第一激励电路的输入端、第二激励电路的输入端、第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层都与第一节点电耦合。第一发光二极管元件的输入端与第一节点电耦合。第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层与第一节点电隔离，其中第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层彼此保持电耦合，并且第二激励电路被接通，由此，第一发光二极管元件在截止区运行。通过检测第二激励电路的激励电压来检查是否有电流沿截止方向流经第一发光二极管元件。如果所述激励电压未达到或者未超过第一激励电压阈值，那么识别出短路。可替换地或附加地，检测第二激励电路的激励电流，并且如果所述激励电流大于预先给定的激励电流阈值，那么识别出短路。
由于第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层都与第一节点电隔离、而第一发光二极管元件的第一电极层与第一节点电耦合，第二激励电路、在反向运行中的第一发光二极管元件和在正向运行中的第二发光二极管元件形成闭合回路。第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层可以首先与第一节点电隔离，而然后可以接通第二激励电路，或者第二激励电路可以首先被接通而然后第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层可以与第一节点电隔离。
如果在第一发光二极管元件中不存在短路，则第二激励电路不能驱动电流经过所述闭合回路，由此，激励电压自动被提高并且超过第一激励电压阈值。第一激励电压阈值例如可以针对相对应的激励电路固定地预先给定，或者根据经验来确定并且然后预先给定。如果在第一发光二极管元件中存在短路，则第二激励电路可以毫无问题地驱动电流经过所述闭合回路，因此所述激励电压没有被提高并且第一激励电压阈值未被达到或未被超过。
如果在第一发光二极管元件中不存在短路，则第二激励电路不能驱动电流经过所述闭合回路，因此第一激励电流阈值未被超过。第一激励电流阈值例如可以针对相对应的激励电路固定地预先给定，或者根据经验来确定并且然后预先给定。如果在第一发光二极管元件中存在短路，则第二激励电路可以毫无问题地驱动电流经过所述闭合回路，因此第一激励电流阈值被超过。
为了检测激励电压或激励电流，可以设置特意为此所设置的激励电压检测设备或激励电流检测设备。替换于此地，所述激励电压或所述激励电流可以借助于第二激励电路的电子装置来确定。例如，如果第二激励电路具有用于运行第二发光二极管元件的调节装置，则相对应的调节电子装置本身可以提供在该上下文中合适的测量信号。
根据一改进方案，检测在第一发光二极管元件的第一电极层与第一发光二极管元件的第二电极层之间的分析电压。根据所检测到的分析电压，对短路进行分类。如果第一发光二极管元件的输入端与第一节点电耦合，那么分析电压被检测。对分析电压的检测使得能够测量短路时的电功率。这可以有助于估计和/或评估构造进展（Ausbildungsfortschritt）和/或评估风险潜在性（Risikospotenzial）。
根据一改进方案，第一激励电路是关断的。第一激励电路的输出端与第一发光二极管元件的第一电极层电耦合。同样，第二激励电路首先是关断的。第二激励电路的输出端与第二发光二极管元件的第一电极层电耦合。第一激励电路的输入端、第二激励电路的输入端、第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层都与第一节点电耦合。第一激励电路被接通，使得第一激励电路的激励电压小于预先给定的第二激励电压阈值，由此，对电连接在第一发光二极管元件的第一电极层与第一节点之间的电容器进行充电。第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层与第一节点电隔离，其中第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层彼此保持电耦合，所述电容器的电容器电压被检测、例如被监视，而且第二激励电路被接通，由此，第一发光二极管元件在截止区运行。如果所述电容器电压出现的改变大于预先给定的电容器电压阈值，则识别出有电流沿截止方向流动并且大于预先给定的漏电流。如果不存在短路，则所述电容器电压只是稍微地和/或非常慢地被改变。第二激励阈值例如被选择为使得所述第二激励阈值小于或等于要检查的发光二极管元件50的门限电压（Schleusenspannung）的值。电容器电压阈值例如可以被计算或者根据经验来确定，例如被确定为使得在出现漏电流和通过所述漏电流对第一电容器90的充电时仍未断定短路，但是在沿截止方向的电流IR大于预先给定的漏电流时才识别出短路。第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层可以首先与第一节点电隔离，并且然后第二激励电路可以被接通，或者第二激励电路可以首先被接通，并且然后第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层可以与第一节点电隔离。
该任务进一步通过一种光电子组件来解决。该光电子组件具有第一发光二极管元件和电子电路。所述电子电路被构造为：使第一发光二极管元件在截止区运行；检查是否有电流沿截止方向流经第一发光二极管元件；以及如果所述检查得出有电流沿截止方向流动并且大于预先给定的漏电流，则识别出在第一发光二极管元件中的短路。所述电子电路例如具有第一激励电路、第二激励电路和/或测试能量源。
根据一改进方案，所述光电子组件具有：测试电压源，其被构造为将反向电压施加到第一发光二极管元件上；以及电流测量设备，其被构造为检测、例如直接检测沿截止方向的电流。
根据一改进方案，所述光电子组件具有第二发光二极管元件、第一激励电路、第二激励电路、测试能量源和第一测试开关。第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层彼此电耦合。第一激励电路的输出端与第一发光二极管元件的第一电极层电耦合。第二激励电路的输出端与第二发光二极管元件的第一电极层电耦合。第一激励电路的输入端、第二激励电路的输入端、第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层与第一节点电耦合。测试能量源具有第一接线端子和第二接线端子。第二接线端子与第一节点电耦合。第一测试开关与第一发光二极管元件的第一电极层电耦合并且与测试能量源的第一接线端子电耦合。第一测试开关在其第一开关状态（Schaltzustand）下使第一发光二极管元件的第一电极层与测试能量源的第一接线端子电耦合，而所述第一测试开关在其第二开关状态下使第一发光二极管元件的第一电极层与测试能量源的第一接线端子彼此电隔离。
根据一改进方案，所述测试能量源是测试电流源并且具有测试电压检测设备。所述测试电压检测设备被构造为检测附在所述测试电流源上的测试电压。可替换地或附加地，所述测试能量源是测试电压源，而且所述光电子组件具有测试电流检测设备，所述测试电流检测设备被构造为检测流经所述测试电流源的测试电流。
根据一改进方案，所述光电子组件具有第二发光二极管元件、用于激励第一发光二极管元件的第一激励电路、以及用于激励第二发光二极管元件的第二激励电路，它们被布置并且被构造为使得第一发光二极管元件可以借助于第二激励电路在截止区运行。
根据一改进方案，所述光电子组件具有第一隔离开关（Trennschalter）。第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层彼此电耦合。第一激励电路的输出端与第一发光二极管元件的第一电极层电耦合。第二激励电路的输出端与第二发光二极管元件的第一电极层电耦合。第一激励电路的输入端、第二激励电路的输入端、第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层都与第一节点电耦合。第一测试开关在其第一开关状态下使第一发光二极管元件的第一电极层与第一节点电耦合，而在其第二开关状态下使第一发光二极管元件的第一电极层与第一节点彼此电隔离。第一隔离开关在其第一开关状态下使第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层与第一节点电耦合，而在其第二开关状态下使第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层与第一节点电隔离。
根据一改进方案，所述光电子组件具有分析电压设备，所述分析电压设备被构造为检测在第一发光二极管元件的第一电极层与第一发光二极管元件的第二电极层之间的分析电压。
根据一改进方案，所述光电子组件具有第二发光二极管元件、第一激励电路、第二激励电路、第一电容器和电容器电压检测设备。第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层彼此电耦合。第一激励电路的输出端与第一发光二极管元件的第一电极层电耦合。第二激励电路的输出端与第二发光二极管元件的第一电极层电耦合。第一激励电路的输入端、第二激励电路的输入端、第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层都与第一节点电耦合。第一电容器一方面与第一激励电路的输出端电耦合而另一方面与第一激励电路的输入端电耦合。第一隔离开关在其第一开关状态下使第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层与第一节点电耦合，而在其第二开关状态下使第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层与第一节点电隔离。所述电容器电压检测设备被构造为检测所述第一电容器的电容器电压。
根据一改进方案，所述光电子组件具有有机发光二极管，所述有机发光二极管具有第一发光二极管元件和第二发光二极管元件。第一发光二极管元件的第二电极层和第二发光二极管元件的第二电极层都由所述有机发光二极管的第二电极层形成。例如，所述有机发光二极管被分段，并且第一发光二极管元件由所述有机发光二极管的第一区段形成，而第二发光二极管元件由所述有机发光二极管的第二区段形成。此外，所述有机发光二极管可以具有一个、两个或更多个其它的区段或发光二极管元件。
附图说明
本发明的实施例在附图中被示出并且在下文进一步被解释。
图1示出了发光二极管的一个实施例的侧面截面图；
图2示出了光电子组件的一个实施例的电路图；
图3示出了光电子组件的一个实施例的电路图；
图4示出了光电子组件的一个实施例的电路图；
图5示出了光电子组件的一个实施例的电路图；
图6示出了光电子组件的一个实施例的电路图；
图7示出了光电子组件的一个实施例的电路图；
图8示出了光电子组件的一个实施例的电路图；
图9示出了电流的示例性的变化过程和电容器电压的示例性的变化过程；
图10示出了电流的示例性的变化过程和电容器电压的示例性的变化过程；
图11示出了电容器电压的多个示例性的变化过程；
图12示出了发光二极管的一个实施例的层结构的详细截面图。
具体实施方式
在随后详细的描述中参考随附的附图，所述随附的附图构成所述描述的部分，而且在所述附图中示出了特定的实施例用来阐明，在所述特定的实施例中可以执行本发明。在这方面，关于所描述的附图的定向（Orientierung）使用方向术语，比如“在上面”、“在下面”、“在前面”、“在后面”、“前面的”、“后面的”等等。因为实施例的部件可以以多个不同的定向来定位，所以所述方向术语用于阐明并且不以任何方式是限制性的。易于理解的是：可以使用其它的实施例并且进行结构上的或者逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。易于理解的是：只要不另作特定说明，在这里所描述的不同的实施例的特征就可以相互组合。因此，随后的详细的描述不能在限制性的意义上被理解，而本发明的保护范围通过附加的权利要求书来限定。
在所述描述的范围内，将术语“被连接”、“被接线”以及“被耦合”用于不仅描述直接的连接而且描述间接的连接、描述直接的或者间接的接线以及描述直接的或者间接的耦合。在附图中，相同的或者类似的要素配备有相同的附图标记，只要这是适宜的。
光电子组件可以具有一个、两个或更多个光电子器件。可选地，光电子组件也可以具有一个、两个或更多个电子器件。电子器件例如可以具有有源和/或无源器件。有源电子器件例如可以具有计算单元、控制单元和/或调节单元和/或晶体管。无源电子器件例如可以具有电容器、电阻、二极管或线圈。光电子器件可以是发射电磁辐射的器件。发射电磁辐射的器件例如可以是发射电磁辐射的半导体器件和/或可以被构造为发射电磁辐射的二极管、被构造为发射电磁辐射的有机二极管、被构造为发射电磁的晶体管或者被构造为发射电磁辐射的有机晶体管。所述辐射例如可以是在可见光范围内的光、紫外光（UV-Licht）和/或红外光。在该上下文中，所述发射电磁辐射的器件例如可以被构造为发光二极管（lightemitting diode，LED）、被构造为有机发光二极管（organic light emitting diode，OLED）、被构造为发光晶体管或者被构造为有机发光晶体管。在不同的实施例中，所述发光器件可以是集成电路的部分。此外，还可以设置多个发光器件、例如以被安放在共同的外壳中的方式来设置多个发光器件。
图1示出了发光二极管1、尤其是有机发光二极管（OLED）。替换于此地，发光二极管1可以不是有机发光二极管，而是无机发光二极管、尤其是LED。发光二极管1具有载体12。在载体12上构造有光电子层结构。
所述光电子层结构具有第一导电层14，所述第一导电层14具有第一接触部分16、第二接触部分18和第一电极层20。具有第一导电层14的载体12也可以被称作衬底。所述第二接触部分18与所述光电子层结构的第一电极层20电耦合，例如所述第二接触部分18和所述第一电极层一体化地来构造。第一电极层20借助于电绝缘阻挡层21与第一接触部分16电绝缘。在所述第一电极层20上方构造有所述光电子层结构的光功能层结构、例如有机功能层结构22。所述有机功能层结构22例如可以具有一个、两个或者更多个相叠地构造的子层，如在下面参考图12进一步解释的那样。在所述有机功能层结构22上方构造有第二导电层、尤其是所述光电子层结构的第二电极层23，所述第二电极层23与第一接触部分16电耦合。第一电极层20例如用作所述光电子层结构的阳极或阴极。对应于第一电极层20，第二电极层23用作所述光电子层结构的阴极或阳极。
发光二极管1具有至少两个、例如三个或更多个区段，例如第一区段、第二区段和第三区段。换言之，发光二极管1被分段。第一区段由第一发光二极管元件50形成。第二区段由第二发光二极管元件52形成。第三区段由第三发光二极管元件54形成。所述发光二极管元件50、52、54具有所述有机功能层结构22的彼此隔离的区段以及所述第一电极层22的彼此隔离的区段。第一电极层20尤其是具有第一发光二极管元件50的第一电极51、第二发光二极管元件52的第一电极53以及第三发光二极管元件54的第一电极55。如果发光二极管1具有更多个或更少个区段，则第一电极层20相对应地具有更多个或更少个第一电极51、53、55。可选地，发光二极管元件50、52、54共享未被分段的第二电极层23。替换于此地，在发光二极管元件50、52、54的情况下，第二电极层23可以被分段和/或第一电极层20可以不被分段和/或可以一体化地来构造。所述第一电极51、53、55可以与第二接触部分18的未示出的不同的、彼此电绝缘的区域电耦合，使得发光二极管元件50、52、54可以彼此独立地运行。
替换于此地，发光二极管1可以是未分段的、即不具有区段，和/或由单个发光二极管元件构成。此外，发光二极管1可以与一个、两个或更多个未示出的其它的发光二极管电耦合和/或机械耦合。例如，相对应的发光二极管可以电并联、例如通过电连接所述第一或第二电极来电并联，不同发光二极管的电极之一例如可以一体化地来构造并且在多个发光二极管上延伸。
在第二电极层23上方并且部分地在第一接触部分16上方并且部分地在第二接触部分18上方构造有光电子层结构的封装层24，所述封装层24封装所述光电子层结构。在封装层24中，在第一接触部分16上方构造有所述封装层24的第一留空部，而在第二接触部分18上方构造有所述封装层24的第二留空部。在所述封装层24的第一留空部中露出（freilegen）第一接触区32，而在所述封装层24的第二留空部中露出第二接触区34。第一接触区32用于电接触所述第一接触部分16，而第二接触区34用于电接触所述第二接触部分18。
在封装层24上方构造粘合剂层（Haftmittelschicht）36。粘合剂层36例如具有粘合剂（例如粘结剂、例如层压粘结剂）、清漆和/或树脂。在所述粘合剂层36上方构造有覆盖体38。粘合剂层36用于将覆盖体38固定在封装层24上。覆盖体38用于保护发光二极管1例如防止外部的机械力作用。此外，覆盖体38还可以用于使在发光二极管1中产生的热分散和/或排出在发光二极管1中产生的热。衬底在所述覆盖体38下面侧向地凸出（hervorstehen）。替换于此地，所述衬底和所述覆盖体38可以在它们的侧棱边处被构造为平齐的（buendig）或几乎平齐的，其中对接触区32、34的接触例如可以通过在覆盖体38中和/或在载体12中的留空部和/或孔来实现。
图2示出了光电子组件，所述光电子组件具有发光二极管（例如在上文解释的发光二极管1）和/或发光二极管元件（例如在上文解释的第一发光二极管元件50）和电子电路40。电子电路40具有第一激励电路42，用于激励发光二极管1或第一发光二极管元件50。第一激励电路42也可以称作驱动器，所述驱动器用于使发光二极管1或第一发光二极管元件50运行。
在正常运行时，激励电路42激励发光二极管1或第一发光二极管元件50，使得其发光。可选地，所述激励可以在调节的过程中进行。换言之，发光二极管1和/或发光二极管元件50可以借助于激励电路42来调节。在正常运行时，激励电路42产生激励电流IF和/或造成所述激励电流IF的激励电压，其中所述激励电流IF沿正向、即沿导通方向流经发光二极管1或第一发光二极管元件50。在正常运行时，发光二极管1或第一发光二极管元件50在导通区（Durchlassbereich）运行并且产生光。在正常运行时的激励电压也可以被称作额定电压。
在测试运行时，可以检查发光二极管1或第一发光二极管元件50是否具有短路。在测试运行时，发光二极管1或第一发光二极管元件50在截止区运行。通过将反向电压施加到发光二极管1或发光二极管元件50上，使发光二极管1或发光二极管元件50在截止区运行。如果发光二极管1和/或第一发光二极管元件50不具有短路，则它们除了通常不要进行阻止的漏电流之外使电流IR沿截止方向的流动截止，所述漏电流可以取决于发光二极管1或第一发光二极管元件50并且可以是已知的、例如被预先给定。
如果发光二极管1和/或第一发光二极管元件50具有短路，则发光二极管1或第一发光二极管元件50失去其整流作用，并且有电流IR沿反向、即沿截止方向流经发光二极管1或第一发光二极管元件50，所述电流IR大于预先给定的漏电流。因此，可以检查是否存在短路，其方式是使发光二极管1或第一发光二极管元件50在截止区、即在反向运行下运行，而且检查沿截止方向流动的电流IR是否大于预先给定的漏电流。
如果第一激励电路42针对反向运行来设计，那么发光二极管1和/或第一发光二极管元件50可以借助于所述第一激励电路42在截止区运行。此外，第一激励电路42可以构造为使得其可以检测激励电流IF、沿截止方向的电流IR、激励电压和/或反向电压，并且这样可以检查是否存在短路。可替换地或附加地，第一激励电路42可以与分析单元和/或计算单元电耦合，借助于所述分析单元和/或计算单元可以接收和分析第一激励电路42的信号，使得借助于所述分析单元或所述计算单元可以确定是否存在短路。
如果存在短路，则所述第一激励电路42、所述分析单元和/或所述计算单元可以引入保护措施、例如切断或绕过受损伤的发光二极管1或受损伤的发光二极管元件50和/或向上级单元（例如计算机、例如车辆的车载计算机）发送报警信号和/或直接输出报警信号（例如声学的或光学的报警信号）。
因此，在测试运行时，反向电压、尤其是适度的反向电压被施加到发光二极管1或发光二极管元件50上或者注入适度的反向电流，以便识别异常的反向行为。“反向电压或反向电流是适度的”例如是指，发光二极管1或发光二极管元件50在截止区运行而不是在击穿区（例如在按数值大约与在额定工作点处的正向电压相对应的区域）运行。适度的反向电压例如按数值可以小于或等于正向运行中的额定电压。所述额定电压、即所述正向电压是优选地在正常的正向运行时被施加到发光二极管1或发光二极管元件50上的电压。非堆叠的（ungestapelt）OLED的正向电压例如可以处在如下范围内，所述范围例如为3.5V至4.5V、在一重堆叠的OLED的情况下例如为6V至7V，在三重堆叠的OLED的情况下例如为10V至11V。如果OLED在反向运行时在没有损伤的情况下经受住较高的电压，则所述反向电压也可以处在第一激励电路42的可能的最大输出电压内、在例如从20V至120V、例如从30V至80V的范围内、例如大约60V或大约34V。
虽然基本上不打算使OLED在截止区运行、即反向运行，但是以短脉冲和/或在短时长内的适度的反向电压不使OLED遭受损伤并且不使性能恶化。因此在该方法中，发光二极管1或第一发光二极管元件50可以以短脉冲和/或在短时长内在截止区运行。所述短脉冲或短时长可以处在如下范围内，所述范围为例如从0.1ms至1s、例如从1ms至100ms、例如从2.5ms至10ms、例如从4ms至5ms。如果发光二极管1或发光二极管元件50在正向运行时脉冲式地运行，则脉冲时长可以被选择为短的，使得在反向运行时的脉冲完全处在正向运行的脉冲间歇中。
图3示出了光电子组件的一个实施例，所述光电子组件例如可以尽可能对应于在图2中所示出的光电子组件。所述光电子组件具有电子电路40和发光二极管1或第一发光二极管元件50。电子电路40具有第一激励电路42和测试电压源44。
例如，如果第一激励电路42未被构造用于使发光二极管1或第一发光二极管元件50在截止区运行，则可以布置测试电压源44。测试电压源44与发光二极管1和/或第一发光二极管元件50串联。电子电路40具有第一连接开关V1，所述第一连接开关V1在其第一开关状态下使第一激励电路42与发光二极管1或第一发光二极管元件50电连接并且因此是闭合的，而在其第二开关状态下使第一激励电路42与发光二极管1或第一发光二极管元件50彼此电隔离并且因此是断开的。电子电路40具有第二连接开关V2，所述第二连接开关V2在其第一开关状态下使测试电压源44与第一发光二极管1和/或第一发光二极管元件50电连接并且因此是闭合的，而在其第二开关状态下使测试电压源44与发光二极管1或第一发光二极管元件50电隔离并且因此是断开的。
在所述光电子组件正常运行时，第一连接开关V1处在其第一开关状态下而第二连接开关V2处在其第二开关状态下，使得第一激励电路42与发光二极管1和/或第一发光二极管元件50电串联而测试电压源44与发光二极管1或第一发光二极管元件55电隔离。
在测试运行时，第一连接开关V1处在其第二开关状态下而第二连接开关V2处在其第一开关状态下，使得第一激励电路42与发光二极管1和/或第一发光二极管元件50电隔离而测试电压源44与发光二极管1和/或第一发光二极管元件55电串联。借助于测试电压源44，反向电压UR被施加到发光二极管1和/或第一发光二极管元件50上。如果在测试运行时有电流IR沿截止方向流经发光二极管1或第一发光二极管元件50并且该电流IR大于预先给定的漏电流，则发光二极管1或第一发光二极管元件50具有短路。
替换于测试电压源44，可以布置在图3中未示出的测试电流源，借助于所述测试电流源，发光二极管1和/或第一发光二极管元件50可以在截止区运行。所述沿截止方向的电流IR例如可以借助于测试电压源44或者借助于在图3中未示出的测试电流检测设备来检测。对是否有电流IR沿截止方向流动并且大于预先给定的漏电流的检查例如可以借助于在上文解释的分析单元和/或计算单元来检查。
图4示出了光电子组件的一个实施例的电路图，所述光电子组件具有至少一个发光二极管、例如在上文解释的发光二极管1。发光二极管1具有第一发光二极管元件50、第二发光二极管元件52和第三发光二极管元件54。替换于此地，发光二极管1也可以具有仅仅两个发光二极管元件50、52或者多于三个发光二极管元件50、52、54。此外，替换于具有发光二极管元件50、52、54的发光二极管1或除了具有发光二极管元件50、52、54的发光二极管1之外地，可以布置具有或没有发光二极管元件50、52、54的两个或更多个发光二极管1，并且将所述两个或更多个发光二极管1与发光二极管1或发光二极管元件50、52、54电并联。
第一发光二极管元件50具有所述第一发光二极管元件50的第一电极51和第二电极57。第一发光二极管元件50的第二电极57与发光二极管1的第二电极层23电耦合。第一发光二极管元件50的第二电极57例如可以与发光二极管1的第二电极层23一体化地来构造和/或形成所述第二电极层23的一部分。
第二发光二极管元件52具有所述第二发光二极管元件52的第一电极53和第二电极58。所述第一和第二发光二极管元件50、52的第二电极57、58彼此电耦合。第二发光二极管元件52的第二电极58例如与发光二极管1的第二电极层23电耦合。第二发光二极管元件52的第二电极58例如可以与发光二极管1的第二电极层23一体化地来构造和/或形成所述第二电极层23的一部分。
第三发光二极管元件54具有所述第三发光二极管元件54的第一电极55和第二电极59。第三发光二极管元件54的第二电极59与第一发光二极管元件50的第二电极57和/或第二发光二极管元件52的第二电极58电耦合。第三发光二极管元件54的第二电极59例如与发光二极管1的第二电极层23电耦合。第三发光二极管元件54的第二电极59例如可以与发光二极管1的第二电极层23一体化地来构造和/或形成所述第二电极层23的一部分。
例如，第二电极57、58、59可以直接彼此电耦合，例如所述第二电极57、58、59可以一体化地来构造，和/或由发光二极管1的第二电极层23形成。可替换地或附加地，第一电极51、53、55可以直接彼此电耦合，和/或一体化地来构造，和/或由第一电极层20形成。
电子电路40具有第二激励电路46和/或第三激励电路48。电子电路40具有第一节点62、第二节点70、第三节点72、第四节点74和第五节点84。电子电路40具有第一测试开关T1、第二测试开关T2和/或第三测试开关T3以及第一连接开关V1。
第一测试开关T1在其第一开关状态下使第五节点84与第二节点70彼此电耦合，而在其第二开关状态下使它们彼此电隔离。第二测试开关T2在其第一开关状态下使第五节点84与第三节点72彼此电耦合，而在其第二开关状态下使它们彼此电隔离。第三测试开关T3在其第一开关状态下使第五节点84与第四节点74彼此电耦合，而在其第二开关状态下使它们彼此电隔离。
第二电极57、58、59通过可选的第一接触位60与电子电路40的第一节点62电耦合。第一节点62通过第一连接开关V1根据所述第一连接开关V1的开关位置与第一激励电路42的输入端电耦合。第一激励电路42的输出端例如通过第一保护二极管64与第二节点70电耦合。第二节点70与第一发光二极管元件50的第一电极51电耦合。
第二激励电路46的输入端通过第一连接开关V1根据所述第一连接开关V1的开关位置与第一节点62电耦合。第二激励电路46的输出端例如通过第二保护二极管66与第三节点72电耦合。第三节点72与第二发光二极管元件52的第一电极53电耦合。第二激励电路46在光电子组件正常运行时用于激励、调节和/或运行第二发光二极管元件52。第二激励电路46也可以被称作第二驱动器。
第三激励电路48的输入端通过第一连接开关V1根据所述第一连接开关V1的开关位置与第一节点62电耦合。第三激励电路48的输出端例如通过第三保护二极管68与第四节点74电耦合。第四节点74与第三发光二极管元件54的第一电极55电耦合。第三激励电路48在光电子组件正常运行时用于激励、调节和/或运行第三发光二极管元件54。
第一激励电路42、第二激励电路46和/或第三激励电路48例如可以被集成在共同的控制单元49中。控制单元49可以具有所述激励电路42、46、48中的仅仅一个或者两个或者更多个激励电路42、46、48，用于激励相对应地更少或更多个发光二极管元件50、52、54。必要时，电子电路40可以具有更少或更多个保护二极管64、66、68和/或测试开关T1、T2、T3。控制单元49用于激励、调节和/或运行发光二极管1。
电子电路40具有测试电压源44和测试电流检测设备82。测试电压源44和测试电流检测设备82电串联在第一节点62与第五节点84之间。
在光电子组件正常运行时，测试开关T1、T2、T3处在其第二开关位置并且因此是断开的，第一连接开关V1处在其第一开关状态下并且因此是闭合的，并且第一、第二和/或第三激励电路42、46、48分别沿导通方向运行、即控制或调节相对应的发光二极管元件50、52、54，使得它们发射光，其中所述发光二极管元件50、52、54可以相同或不同地来激励。例如，发光二极管元件50、52、54可以同时、在时间上重叠地或者交替地来运行，使得可以产生不同光场景、例如平面持续光或者平面闪烁光或者局部变换闪烁光。此外，也可以通过对发光二极管元件50、52、54的不同的激励来产生光的不同亮度。
在用于检查发光二极管元件50、52、54之一是否具有短路的测试运行时，所有的激励电路42、46、48都可以首先在不活跃的运行中运行、即被关断，而第一连接开关V1可以被切换到其第二开关状态、即被断开。为了检查例如第一发光二极管元件50是否具有短路，第一测试开关T1被切换到其第一开关状态并且因此被闭合，而第二和第三测试开关T2、T3保持在它们的第二开关状态。随后，可以借助于测试电压源44将反向电压UR沿截止方向施加到第一发光二极管元件50上。然后，借助于测试电流检测设备82，必要时可以检测沿截止方向的电流IR。替换于此地，必要时可以借助于测试电压源44来检测沿截止方向的电流IR，如果所述测试电压源44被设计用于此。此外，还可以利用未示出的分析单元来检查所检测到的沿截止方向的电流IR是否大于预先给定的漏电流。沿截止方向的电流IR例如可以流经在第一发光二极管元件50的第一电极51与第二电极层23之间的电流路径56，经由所述电流路径56来实现短路。如果沿截止方向的电流IR大于预先给定的漏电流，则识别出短路。可选地，随后可以关断第一激励电路42，使得具有短路的第一发光二极管元件50不继续运行。不具有短路的其它两个发光二极管元件52、54可以正常地继续运行。
为了检查第二发光二极管元件52，第二测试开关T2可以被切换到其第一开关状态，而第一和第三测试开关T1和T3可以被切换到它们的第二开关状态。为了检查第三发光二极管元件54，第三测试开关T3可以被切换到其第一开关状态，而第一和第二测试开关T1和T2可以被切换到它们的第二开关状态。
图5示出了光电子组件的一个实施例的电路图，所述光电子组件例如可以尽可能地对应于在图4中所示出的光电子组件。光电子组件具有测试电流源86，所述测试电流源86电连接在第一节点62与第五节点84之间。借助于测试电流源86，而不是借助于测试电压源44，可以将电流IR沿截止方向注入到发光二极管元件50、52、54中的一个或多个中、也就是说根据测试开关T1、T2、T3的开关状态将电流IR沿截止方向注入到发光二极管元件50、52、54中的一个或多个中。接着，为了检查是否存在短路，可以检测反向电压UR。反向电压UR例如可以利用特意为此所设置的测试电压检测设备或者利用测试电流源86的电子装置来检测，如果所述测试电流源86的电子装置被设计用于此。在这种情况下，反向电压UR代表沿截止方向的电流IR。换言之，可以依据反向电压UR间接地检查是否有电流IR沿截止方向流动并且大于预先给定的漏电流。
例如，如果第一测试开关T1处在其第一开关状态下、即是闭合的而第二和第三测试开关T2、T3处在它们的第二开关状态下、即是断开的，那么可以在短路方面检查第一发光二极管元件50。如果第二测试开关T2处在其第一开关状态下而第一和第三测试开关T1、T3处在它们的第二开关状态下，那么可以在短路方面检查第二发光二极管元件52。如果第三测试开关T3处在其第一开关状态下而第一和第二测试开关T1、T2处在它们的第二开关状态下，那么可以在短路方面检查第三发光二极管元件54。在短路方面检查发光二极管1时，所有激励电路42、46、48都是关断的。
图6示出了光电子组件的一个实施例的电路图，所述光电子组件例如可以尽可能对应于在上文解释的光电子组件。光电子组件具有隔离开关T4，而不是测试电压源44和测试电流源86和第五节点84。隔离开关T4一方面通过第一接触位63与第一节点62电耦合，而另一方面与发光二极管1的第二电极层23电耦合。尤其是，隔离开关T4在其第一开关状态下使第一节点62与第二电极层23电连接，而在其第二开关状态下使第一节点62与第二电极层23彼此电隔离。在光电子组件正常运行时，隔离开关T4处在其第一开关状态下并且因此是闭合的。
第一测试开关T1一方面通过第二接触位65与第一节点62电耦合，而另一方面与第二节点70电耦合。第一测试开关T1在其第一开关状态下使第一和第二节点62、70电连接，而在其第二开关状态下使它们彼此电隔离。第二测试开关T2一方面与第一节点62电耦合，而另一方面与第三节点72电耦合。第二测试开关T2在其第一开关状态下使第一和第三节点62、72电连接，而在其第二开关状态下使它们彼此电隔离。第三测试开关T3一方面通过第一接触位63与第一节点62电耦合，而另一方面与第四节点74电耦合。第一测试开关T1在其第一开关状态下使第一和第四节点62、74电连接，而在其第二开关状态下使它们彼此电隔离。
可选地，电子电路40具有第一保护二极管64、第二保护二极管66和/或第三保护二极管68。所述保护二极管64、66、68阻止：在用于识别短路的测试运行时，有电流沿截止方向流经相对应的激励电路42、46、48。替换于此地，激励电路42、46、48本身可以具有相对应的保护设备和/或保护功能，所述保护设备和/或保护功能阻止：在用于识别短路的测试运行时，有电流沿截止方向流经相对应的激励电路42、46、48。
为了检查在发光二极管1中是否存在短路，首先将所有激励电路42、46、48关断。为了检查例如第一发光二极管元件50，第一测试开关T1被切换到其第一开关状态，而第二测试开关T2、第三测试开关T3和隔离开关T4被切换到它们的第二开关状态、即被断开。第二激励电路46被接通。如果在第一发光二极管元件50中存在短路，则电流IF沿反向流经保护二极管66、流经第二发光二极管元件52、并且流经沿截止方向经过第一发光二极管元件50的短路的电流路径56并且流经第二节点70和第一节点62到达第二激励电路46的输入端。如果在第一发光二极管元件50中不存在短路，则所述第一发光二极管元件50使通过电流截止，并且除了漏电流以外没有电流可以沿截止方向流经第一发光二极管元件50。
为了检测沿截止方向的电流，例如可以设置特意为此所设置的电流测量设备，所述电流测量设备例如可以与第二激励电路46串联。替换于此地，第二激励电路46可以被构造为使得借助于所述第二激励电路46，可以检测沿正向经过第二发光二极管元件52的电流IF或沿截止方向经过第一发光二极管元件50的电流IR，至少如果所述电流大于预先给定的漏电流。例如，第二激励电路46可以被构造为使得在测试运行时，在完好的第一发光二极管元件50的情况下由于通过电流不足而将激励电压提高直至例如激励电压阈值，并且接着借助于第一激励电路42本身和/或未示出的分析单元可以识别出激励电压达到和/或甚至超过所述激励电压阈值。在测试运行时，在这种情况下不存在短路。与此不同，如果激励电压未达到激励电压阈值，则在测试运行时可以推断出存在短路。
因此，在正常运行时被设置用于激励第二发光二极管元件52的第二激励电路46在测试运行时被用于使第一发光二极管元件50在截止区运行。该思路也可以转用到其它发光二极管元件52、54或激励电路42、48上。例如，根据第一测试开关T1、第二测试开关T2和第三测试开关T3的开关状态，第二激励电路46或第一激励电路42可以被用于检查第三发光二极管元件54，和/或第三激励电路48可以被用于检查第一和/或第二发光二极管元件50、52，和/或第一激励电路42可以被用于检查第二和/或第三发光二极管元件54。
图7示出了光电子组件的一个实施例的电路图，所述光电子组件例如可以尽可能地对应于在图6中所示出的光电子组件。在第二电极层23与第一节点62之间布置有分析电压检测设备88，用于检测在发光二极管1的第二电极层23与第一节点62之间的分析电压UA。借助于分析电压UA，可以确定在短路处的能量分布、尤其是降落在短路上的功率P。在短路上的功率P从下列等式中得出：
P = IF x (UA - (IF x R_T) ) ，
其中IF是沿为了测试而激活的激励电路42、46、48的正向的电流，而R_T是相对应的处在其第一开关状态下、即闭合的测试开关T1、T2、T3的电阻。
如果在隔离开关T4上的电压是相对电子电路40的基本电压的、例如是相对接地电位的，并且接地电位例如附在第一节点62上，则成本非常有利的实施方案是可能的。例如，在分析单元或计算单元的情况下，为了对开关T1至T4进行切换和/或为了对激励电路42、46、48进行激励和/或为了识别短路，仅仅需要在微控制器上的各一个输出端或输入端，因为开关T1、T2、T3中的每个、激励电路42、46、48和分析电压检测设备88都是相对相同的电位的。微控制器例如可以是控制单元49的一个元件。
图8示出了光电子组件的一个实施例的电路图，所述光电子组件例如可以尽可能地对应于在上文所解释的光电子组件。在第一节点62与第二节点70之间电连接有第一电容器90。附加地，还可以将第二电容器92通过第三接触位67电连接在第一节点62与第三节点72之间，和/或将第三电容器96通过第四接触位69电连接在第一节点62与第四节点74之间。通过第五接触位71和第六接触位73，与第一电容器90并联地将电容器电压检测设备98电连接在第一节点62与第二节点70之间，借助于所述电容器电压检测设备98可以检测附在第一电容器90上的电容器电压UK。附加地，还可以布置其它的电容器电压检测设备，所述电容器电压检测设备例如与第二电容器92并联和/或与第三电容器96并联，并且分别用于检测相对应的电容器92、96的电容器电压。
为了检查例如在第一发光二极管元件50中是否存在短路，第二和第三激励电路46、48被关断而隔离开关T4被闭合或者保持闭合。第一激励电路42首先被接通或保持接通，其中第一激励电路42的激励电压被设定为在第一发光二极管元件50的门限电压之下的电压，例如被设定为零或者零与门限电压之间的值。由此，有电流流经第一电容器90的输入端，也就是说使得确定的电容器电压UK附在第一电容器90上。紧接着，第一激励电路42例如在1ms之后被切断。随后，隔离开关T4被断开。现在，第二激励电路46被接通、也就是说利用限压装置（Spannungsbegrenzung）例如被限制到在正常运行时的激励电压的额定值的最大1.5倍至3倍、例如2倍。替换于此地，第二激励电路46可以首先被接通，并且接着隔离开关T4可以被断开。现在，与此并行地监视电容器电压UK。如果在第一发光二极管元件50中存在短路，则第一电容器90借助于第二激励电路46通过短路的电流路径56被充电，并且电容器电压UK升高、也就是说最大升至第二激励电路64提供的激励电压减去附在第二保护二极管66与第二发光二极管元件52上的电压。但是，如果电容器电压UK减少或者保持不变，则在第一发光二极管元件50中不存在短路。电容器电压UK例如可以借助于分析单元和/或计算单元来分析。
在光电子组件的在图8以前所提到的实施例中，在测试运行时存在短路的情况下，有电流流经短路路径56。该电流可以在整个测试运行期间流动。与此不同，在光电子器件的在图8中所示出的实施例中，只是非常短时间地有显著的电流路径短路路径56，也就是说直至相对应的电容器90、92、96被充电。
图9示出了在不存在短路的情况下在第一电容器90的输出端上的电流I的示例性的变化过程100以及电容器电压UK的示例性的变化过程102。
起初，借助于第一激励电路42，使第一发光二极管元件50沿导通方向在其门限电压之下运行，而第一电容器90已经被充电到确定的电容器电压UK，因此，电流I等于零并且电容器电压UK是恒定的。尤其是，电容器电压UK对应于第一激励电路42的激励电压减去降落在第一保护二极管64上的电压。
在第一时间点106，第一激励电路42被切断。因为在门限电压之下的第一保护二极管64和第一发光二极管元件56阻止了显著的通过电流，所以几乎没有电流I流经第一电容器90而且电容器电压UK几乎保持不变。
在第二时间点108，隔离开关T4被断开，由此，发光二极管1的第二电极层23与第一节点62隔离。电容器电压UK和电流I几乎保持不变。
在第三时间点110，第二激励电路46被激活，其中电流I和电容器电压UK继续保持几乎不变，也就是说由于无短路的第一发光二极管元件50的截止作用而保持几乎不变。
“电流I和/或电容器电压UK保持不变或保持几乎不变”意味着，在不是理想的器件中出现的、例如经过二极管64、66、68、50、52、54的体电阻的漏电流没有被考虑到。换言之，可能出现在皮安培或微安培范围内的小电流I以及电容器电压UK的相对应的小的改变，但是它们在这里可以被忽略。
图10示出了在第一发光二极管元件50中存在短路的情况下在第一电容器90的输出端上的电流I的示例性的变化过程100以及电容器电压UK的示例性的变化过程102。
起初，借助于第一激励电路42使第一发光二极管元件50沿导通方向在其门限电压之下运行。第一电容器90已经被充电到确定的电容器电压UK，而且电流I等于零。
在第一时间点106，第一激励电路被关断。因为第一电容器90通过短路被放电，所以电容器电压UK下降到0。
在第二时间点108，第二电极层23和第一节点62借助于隔离开关T4彼此电隔离，其中通过电流和电容器电压UK都不显著地改变。
在第三时间点110，第二激励电路46被激活，其中第一电容器90通过短路被充电并且电容器电压UK升高。电容器电压UK的所述升高可以用于识别短路。可替换地或附加地，电容器电压UK在第一时间点106的下降可以用于识别短路，但是所述下降通常归因于：具有短路的二极管也在门限电压方面显示出非典型的行为，并且尤其是在门限电压之下有电流IF沿导通方向流动。
图11示出了针对短路的不一样大的电阻R的电容器电压UK的多个变化过程。为了识别短路，可以设定阈值，例如使得仅仅具有例如小于或等于1kΩ、例如小于或等于100Ω、例如小于或等于50 Ω、例如小于或等于20 Ω、例如小于或等于10 Ω的电阻R的短路才被识别为短路，而具有例如大于10 Ω、例如大于20 Ω、例如大于50 Ω、例如大于100 Ω、例如大于1k Ω的电阻R的短路不被识别为短路。例如，具有相对应的电阻R的短路可能不造成问题或只造成可忽略的问题，例如在具有相对应的电阻R的短路情况下的温度升高不可能导致局部温度提高至仅仅导致可忽略的局部温度提高，因此这样的短路仍不是问题或者只是可忽略的问题。
图12示出了发光二极管、例如在上文解释的发光二极管1、例如发光二极管元件50、52、54之一的一个实施例的层结构的详细截面图。发光二极管1可以被构造为顶部发射体（Top-Emitter）和/或底部发射体（Bottom-Emitter）。如果发光二极管1被构造为顶部发射体和底部发射体，则发光二极管1可以被称作光透明发光二极管。
发光二极管1具有载体12和在载体12上方的活性区域。在载体12与活性区域之间可以构造有未示出的第一阻挡层、例如第一阻挡薄层。活性区域具有第一电极层20、有机功能层结构22和第二电极层23。在活性区域上方构造有封装层24。封装层24可以被构造为第二阻挡层、例如被构造为第二阻挡薄层。在活性区域上方以及必要时在封装层24上方布置有覆盖体38。覆盖体38例如可以借助于粘合剂层36被布置在封装层24上。
所述活性区域是电活性区域和/或光学活性区域。所述活性区域例如是发光二极管1的如下区域：在所述区域中有用于使发光二极管1运行的电流流动和/或在所述区域中产生或吸收电磁辐射。
有机功能层结构22可以具有一个、两个或更多个相叠地构造的功能层结构单元，以及一个、两个或更多个在所述层结构单元之间的中间层。有机功能层结构22可以沿侧向被分段。
载体12例如可以被构造为半透明或透明的。载体12用作针对电子元件或层（例如发光元件）的支承元件。载体12例如可以具有玻璃、石英和/或半导体材料或某个其它合适的材料或者由以上所述材料来构成。此外，载体12还可以具有塑料膜或者具有带有一个或带有多个塑料膜的层压部（Laminat）或者由以上所述材料构成。所述塑料可以具有一种或多种聚烯烃。此外，所述塑料还可以具有聚氯乙烯（PVC）、聚苯乙烯（PS）、聚酯和/或聚碳酸酯（PC）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚醚砜树脂（PES）和/或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）。载体12可以具有金属或者由所述金属构成，例如铜、银、金、铂、铁、例如金属化合物、例如钢。载体12可以被构造为金属箔或者金属镀层箔（metallbeschichtete Folie）。载体12可以是镜面结构（Spiegelstruktur）的部分或者构成所述镜面结构。载体12可以具有机械上刚性的区域和/或机械上柔性的区域或者如此被构造。
第一电极层20可以被构造为阳极或被构造为阴极。第一电极层20例如可以被构造为半透明或透明的。第一电极层20具有导电材料、例如金属和/或透明导电氧化物（transparent conductive oxide，TCO）或者如下多个层的层堆（Schichtenstapel），所述多个层具有金属或TCO。第一电极层20例如可以具有金属层组合在TCO层上的层堆，或者反之亦然。一个例子是被涂覆在氧化铟锡层（ITO）上的银层（Ag在ITO上）或者是ITO-Ag-ITO多层。第一电极层20可以被分段。
例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ca、Sm或者Li以及这些材料的化合物、组合物或者合金可以作为金属来使用。
透明导电氧化物是透明的导电材料，例如金属氧化物，诸如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或者氧化铟锡（ITO）。除了二元金属氧化物（诸如ZnO、SnO2或者In2O3）之外，三元金属氧化物（诸如AlZnO、Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2InO5或In4Sn3O12或者不同的透明导电氧化物的混合物）也属于ITO的族。
替换于所提到的材料或者除了所提到的材料之外，第一电极层20可具有：由例如由银构成的金属纳米线和金属纳米颗粒组成的网络；由碳纳米管、图像颗粒（Graphen-Teilchen）和图像层（Graphenschichten）组成的网络；和/或由半导纳米线组成的网络。例如，第一电极层20可具有如下结构之一或者由如下结构之一来构成：由例如由银构成的金属纳米线组成的网络，所述金属纳米线与导电聚合物结合；由碳纳米管和/或图像层和复合材料组成的网络，所述碳纳米管与导电聚合物结合。此外，所述第一电极层20还可具有导电聚合物或者过渡金属氧化物。
所述第一电极层20例如可具有如下层厚度，所述层厚度在从10nm到500nm、例如从25nm到250nm、例如从50nm到100nm的范围内。
所述第一电极层20可具有第一电连接端子，第一电位能被施加到所述第一电连接端子上。所述第一电位可以由能量源（未示出）来提供，例如由电流源或者电压源来提供。可替换地，所述第一电位可以被施加到载体12上并且可以通过载体12直接被供给给所述第一电极20层。所述第一电位例如可以是接地电位或者另一预先给定的参考电位。
有机功能层结构22可具有空穴注入层、空穴传输层、发射体层、电子传输层和/或电子注入层。
所述空穴注入层可以被构造在第一电极层20上或者被构造在第一电极层20上方。所述空穴注入层可具有如下材料中的一种或多种或者由如下材料中的一种或多种构成：HAT-CN、Cu(I)pFBz、MoOx、WOx、VOx、ReOx、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi(III)pFBz、F16CuPc；NPB(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)- 联苯胺)；β-NPB(N,N'-双(萘-2-基)-N,N'-双(苯基)- 联苯胺)；TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)；螺TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)；螺-NPB(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-螺)；DMFL-TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DMFL-NPB(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DPFL-TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二苯基-芴)；DPFL-NPB((N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二苯基-芴)；螺-TAD(2,2',7,7'-四(n,n-二苯基氨基)-9,9'-螺双芴)；9,9-双[4-(N,N-双-联苯-4-基-氨基)苯基]-9H-芴；9,9-双[4-(N,N-双-萘-2-基-氨基)苯基]-9H-芴；9,9-双[4-(N,N'-双-萘-2-基-N,N'-双-苯基-氨基)-苯基]-9H-芴；N,N'双(菲-9-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺；2,7双[N,N-双(9,9-螺-双芴-2-基)-氨基]-9,9-螺-双芴；2,2'-双[N,N-双(联苯-4-基)氨基]9,9-螺-双芴；2,2'-双(N,N-二-苯基-氨基)9,9-螺-双芴；二-[4-(N,N-二-甲苯基-氨基)-苯基]环己烷；2,2',7,7'四(N,N-二-甲苯基)氨基-螺-双芴；和/或N,N,N',N'-四-萘-2-基-联苯胺。
所述空穴注入层可具有如下层厚度，所述层厚度在从大约10nm到大约1000nm的范围内、例如在从大约30nm到大约300nm的范围内、例如在从大约50nm到大约200nm的范围内。
空穴传输层可以被构造在所述空穴注入层上或者被构造在所述空穴注入层上方。所述空穴传输层可具有如下材料中的一种或多种或者由如下材料中的一种或多种构成：NPB(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)- 联苯胺)；β-NPB(N,N'-双(萘-2-基)-N,N'-双(苯基)- 联苯胺)；TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)；螺TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)；螺-NPB(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-螺)；DMFL-TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DMFL-NPB(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DPFL-TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二苯基-芴)；DPFL-NPB((N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二苯基-芴)；螺-TAD(2,2',7,7'-四(n,n-二苯基氨基)-9,9'-螺双芴)；9,9-双[4-(N,N-双-联苯-4-基-氨基)苯基]-9H-芴；9,9-双[4-(N,N-双-萘-2-基-氨基)苯基]-9H-芴；9,9-双[4-(N,N'-双-萘-2-基-N,N'-双-苯基-氨基)-苯基]-9H-芴；N,N'双(菲-9-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺；2,7双[N,N-双(9,9-螺-双芴-2-基)-氨基]-9,9-螺-双芴；2,2'-双[N,N-双(联苯-4-基)氨基]9,9-螺-双芴；2,2'-双(N,N-二-苯基-氨基)9,9-螺-双芴；二-[4-(N,N-二-甲苯基-氨基)-苯基]环己烷；2,2',7,7'四(N,N-二-甲苯基)氨基-螺-双芴；和N,N,N',N'-四-萘-2-基-联苯胺。
所述空穴传输层可具有如下层厚度，所述层厚度在从大约5nm到大约50nm的范围内、例如在从大约10nm到大约30nm的范围内、例如大约20nm。
例如具有发荧光和/或发磷光的发射体的一个或多个发射体层可以被构造在所述空穴传输层上或者被构造在所述空穴传输层上方。所述发射体层可具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、小的有机非聚合分子（“小分子（small molecules）”）或者这些材料的组合。所述发射体层可具有如下材料中的一种或多种或者由如下材料中的一种或多种构成：有机的或者有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物（例如2-或2,5-取代的聚-对-亚苯基亚乙烯基），以及金属配合物，例如铱配合物，如发蓝色磷光的FIrPic(双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-铱III))、发绿色磷光的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱III)、发红色磷光的Ru(dtbbpy)3*2(PF6)(三[4,4'-二-叔丁基-(2,2')-联吡啶]钌(III)配合物)以及发蓝色荧光的DPAVBi(4,4-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)、发绿色荧光的TTPA(9,10-双[N,N-二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2((4-二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合的发射体。这种非聚合的发射体例如可借助于热蒸发来沉积。此外，还可以采用聚合物发射体，所述聚合物发射体例如可借助于湿化学方法，诸如离心涂镀方法（也被称作旋涂（Spin Coating））来沉积。所述发射体材料可以以适当的方式嵌入在基质材料（例如工业陶瓷）或者聚合物（例如环氧化物或者硅树脂）中。
第一发射体层可具有如下层厚度，所述层厚度在从大约5nm到大约50nm的范围内、例如在从大约10nm到大约30nm的范围内、例如大约20nm。
发射体层可具有发射单色光或者多色光（例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色）的发射材料。可替换地，所述发射体层可具有多个子结构，所述多个子结构发射不同颜色的光。借助于不同颜色的混合，可以导致发射具有白色色觉（Farbeindruck）的光。可替换地或者附加地，可以规定：将转换材料布置在由所述层产生的一次发射的辐射通道中，所述转换材料至少部分地吸收一次辐射并且发射其它波长的二次辐射，使得从（还不是白色的）一次辐射通过一次辐射与二次辐射的组合而得到白色色觉。
在所述发射体层上或者在所述发射体层上方可构造、例如可沉积电子传输层。所述电子传输层可具有如下材料中的一种或多种或者由如下材料中的一种或多种构成：NET-18；2,2',2"-(1,3,5-苯三基（Benzinetriyl）)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)；8-羟基喹啉锂、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-***；1,3-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑（oxadiazo）-5-基]苯；4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BPhen)；3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-***；双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝；6,6'-双[5-(联苯-4-基)-1,3,4-噁二唑-2-基]-2,2'-联吡啶；2-苯基-9,10-二(萘-2-基)-蒽；2,7-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]-9,9-二甲基芴；1,3-双[2-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯；2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉；2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉；三(2,4,6-三甲基-3(吡啶-3-基)苯基)硼烷；1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]菲咯啉；苯基-二芘基膦氧化物；萘四甲酸二酐或其酰亚胺；苝四甲酸二酐或其酰亚胺；和基于具有硅杂环戊二烯单元的噻咯的物质。
所述电子传输层可具有如下层厚度，所述层厚度在从大约5nm到大约50nm的范围内、例如在从大约10nm到大约30nm的范围内、例如大约20nm。
在所述电子传输层上或者在所述电子传输层上方可构造电子注入层。所述电子注入层可具有如下材料中的一种或多种或者由如下材料中的一种或多种构成：NDN-26、MaAg、Cs2CO3、Cs3PO4、Na、Ca、K、Mg、Cs、Li、LiF；2,2',2"-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)；8-羟基喹啉锂、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-***；1,3-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯；4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BPhen)；3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-***；双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝；6,6'-双[5-(联苯-4-基)-1,3,4-噁二唑-2-基]-2,2'-联吡啶；2-苯基-9,10-二(萘-2-基)-蒽；2,7-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]-9,9-二甲基芴；1,3-双[2-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯；2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉；2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉；三(2,4,6-三甲基-3(吡啶-3-基)苯基)硼烷；1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]菲咯啉；苯基-二芘基膦氧化物；萘四甲酸二酐或其酰亚胺；苝四甲酸二酐或其酰亚胺；和基于具有硅杂环戊二烯单元的噻咯的物质。
所述电子注入层可具有如下层厚度，所述层厚度在从大约5nm到大约50nm的范围内、例如在从大约10nm到大约30nm的范围内、例如大约30nm。
在具有两个或者更多个有机功能层结构单元的有机功能层结构22中，相对应的中间层可以被构造在所述有机功能层结构单元之间。所述有机功能层结构单元分别可以本身单独地按照在上文中所解释的有机功能层结构22的设计方案来构造。所述中间层可以被构造为中间电极。所述中间电极可以与外部电压源电连接。所述外部电压源例如可以将第三电位提供给所述中间电极。然而，所述中间电极也可不具有外部的电连接端子，例如其方式是所述中间电极具有浮动电位。
所述有机功能层结构单元例如可具有最大约为3μm的层厚度、例如最大约为1μm的层厚度、例如最大约为300nm的层厚度。
可选地，发光二极管1可具有其它的功能层、例如被布置在所述一个或多个发射体层上或被布置在所述一个或多个发射体层上方或者被布置在所述电子传输层上或被布置在所述电子传输层上方的功能层。所述其它的功能层例如可以是内部耦合输入/耦合输出结构或者外部耦合输入/耦合输出结构，所述内部耦合输入/耦合输出结构或者外部耦合输入/耦合输出结构可以进一步改善所述发光二极管1的功能性并且借此进一步改善所述发光二极管1的效率。
第二电极层23可以按照所述第一电极层20的设计方案之一来构造，其中所述第一电极层20和所述第二电极层23可以相同地或者不同地来构造。第二电极层23可以被构造为阳极或者被构造为阴极。第二电极层23可具有第二电连接端子，第二电位能被施加到所述第二电连接端子上。可选地，第二电极层23可以被分段。所述第二电位可以由与所述第一电位相同的能量源来提供或者由不同于所述第一电位的能量源来提供。所述第二电位可以不同于所述第一电位。所述第二电位例如可以如此地具有值，使得与所述第一电位的差具有在从大约1.5V到大约20V的范围内的值、例如在从大约2.5V到大约15V的范围内的值、例如在从大约3V到大约12V的范围内的值。
封装层24也可以被称作薄膜封装。所述封装层24可以被构造为半透明的或者透明的层。所述封装层24形成相对于化学污染（Verureinigung）或大气物质、尤其是相对于水（湿气）和氧气的阻挡物。换句话说，所述封装层24被构造为使得所述封装层24不能被可能损伤发光二极管1的物质（例如水、氧气或者溶剂）透过或者最高可以透过非常小的份额。所述封装层24可以被构造为单个的层、层堆或者层结构。
所述封装层24可具有如下材料或者由如下材料构成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铟锡、氧化铟锌、铝掺杂氧化锌、聚（对-苯二甲酰对苯二胺）、尼龙66，以及诸如此类的物质的混合物和合金。
所述封装层24可具有从大约0.1nm（一个原子层）到大约1000nm的层厚度、例如从大约10nm到大约100nm的层厚度、例如大约40nm。所述封装层24可具有高折射率的（hochbrechend）材料、例如一种或多种具有高折射率（例如具有从1.5到3、例如从1.7到2.5、例如从1.8到2的折射率）的材料。
必要时，第一阻挡层可以被构造在与所述封装层24的设计方案相符的载体12上。
所述封装层24例如可借助于适当的沉积方法来形成，例如借助于原子层沉积方法（Atomic Layer Deposition（ALD））、例如等离子体增强原子层沉积方法（Plasma EnhancedAtomic Layer Deposition（PEALD））或者无等离子体原子层沉积方法（Plasma-lessAtomic Layer Deposition（PLALD）），或者借助于化学汽相淀积方法（Chemical VaporDeposition（CVD））、例如等离子体增强化学汽相淀积方法（Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition（PECVD））或者无等离子体化学汽相淀积方法（Plasma-less ChemicalVapor Deposition（PLCVD）），或者可替换地借助于其它适当的沉积方法。
可选地，耦合输入/耦合输出层例如可以被构造为在载体12上的外部膜（未示出）或者被构造为在发光二极管1的层横截面中的内部耦合输出层（未示出）。所述耦合输入/耦合输出层可具有基质和分布在所述基质中的散射中心，其中所述耦合输入/耦合输出层的平均折射率大于由其来提供电磁辐射的层的平均折射率。此外，附加地可以构造一个或多个增透层。
粘合剂层36例如可具有粘结剂和/或清漆，借助于所述粘结剂和/或清漆，覆盖体38例如被布置、例如被粘贴在所述封装层24上。所述粘合剂层36可以透明地或者半透明地来构造。所述粘合剂层36例如可具有使电磁辐射进行散射的颗粒、例如散光的（lichtstreuend）颗粒。由此，所述粘合剂层36可以作为散射层起作用并且可以导致对色散角变形（Farbwinkelverzug）和耦合输出效率的改善。
介电的散射颗粒可以被设置为散光的颗粒，所述介电的散射颗粒例如由如下金属氧化物构成，例如氧化硅（SiO2）、氧化锌（ZnO）、氧化锆（ZrO2）、氧化铟锡（ITO）或者氧化铟锌（IZO）、氧化钙（Ga2Ox）、氧化铝或者氧化钛。如果其它的颗粒具有与所述粘合剂层36的基质（例如气泡、丙烯酸盐或者玻璃空心球（Glashohlkugel））的有效折射率不同的折射率，那么所述其它的颗粒也可以是适当的。此外，例如可以将金属纳米颗粒，如金、银那样的金属，铁纳米颗粒或者诸如此类的用作散光的颗粒。
所述粘合剂层36可具有大于1μm的层厚度、例如几μm的层厚度。在不同的实施例中，所述粘结剂可以是分层粘结剂。
所述粘合剂层36可具有如下折射率，所述折射率小于覆盖体38的折射率。所述粘合剂层36例如可具有低折射率的粘结剂（诸如丙烯酸盐），所述低折射率的粘结剂具有大约1.3的折射率。然而，所述粘合剂层36也可具有高折射率的粘结剂，所述高折射率的粘结剂例如具有高折射率的、不散射的颗粒而且所述高折射率的粘结剂具有层厚度平均的（schichtdickengemittelt）折射率，所述层厚度平均的折射率大约对应于所述有机功能层结构22的例如在从大约1.6到2.5、例如从1.7到大约2.0的范围内的平均折射率。
在所述活性区域上或者在所述活性区域上方可以（未示出地）布置所谓的吸气层（Getter-Schicht）或者吸气结构、也就是说在侧面构造的吸气层。所述吸气层可以透明地、半透明地或者不透明地来构造。所述吸气层可具有如下材料或者由如下材料构成：所述材料吸收并且粘合（binden）对于所述活性区域有害的物质。吸气层例如可具有沸石衍生物（Zeolith-Derivat）或者由所述沸石衍生物来构成。所述吸气层可具有大于1μm的层厚度、例如几μm的层厚度。在不同的实施例中，所述吸气层可具有分层粘结剂或者被嵌入在所述粘合剂层36中。
覆盖体38例如可以由玻璃体、金属箔或者密封的塑料膜覆盖体来构成。所述覆盖体38例如可以借助于浆料键合（英文：glass frit bonding（玻璃浆料键合）/glasssoldering（玻璃焊）/seal glass bonding（密封玻璃键合））借助于在发光二极管1的几何结构的边缘区域中的最初的玻璃焊料（Glaslot）而被布置在所述封装层24或所述活性区域上。所述覆盖体38例如可具有（例如在633nm的波长的情况下的）例如1.3到3、例如1.4到2、例如1.5到1.8的折射率。
根据不同的实施例，在用于识别第一发光二极管元件50中的短路的方法中，使第一发光二极管元件50在截止区运行。检查是否有电流IR沿截止方向流经第一发光二极管元件50。如果所述检查得出有电流IR沿截止方向流动并且大于预先给定的漏电流，则识别出短路。
根据不同的实施例，在该方法中检查是否有电流IR沿截止方向流经第一发光二极管元件50，其方式是将反向电压UR施加到第一发光二极管元件50上，并且检测沿截止方向的电流IR。
根据不同的实施例，在该方法中，被构造用于激励第一发光二极管元件50的激励电路42被关断，其中第一激励电路42的输出端与第一发光二极管元件50的第一电极51电耦合。被构造用于激励第二发光二极管元件52的第二激励电路46被关断，其中第二激励电路46的输出端与第二发光二极管元件52的第一电极53电耦合，并且其中第一激励电路42的输入端、第二激励电路46的输入端、第一发光二极管元件50的第二电极57、以及第二发光二极管元件52的第二电极58都与第一节点62电耦合。第一发光二极管元件50的第一电极51与测试能量源44、86的第一接线端子电耦合，其中测试能量源44、86的第二接线端子与第一节点62电耦合。借助于测试能量源44、86使第一发光二极管元件50在截止区运行。
根据不同的实施例，所述测试能量源44、86是测试电流源86，并且检查是否有电流IR沿截止方向流经第一发光二极管元件50，其方式是检测附在测试电流源86上的反向电压UR；或者所述测试能量源44、86是测试电压源44，并且检查是否有电流IR沿截止方向流经第一发光二极管元件50，其方式是直接检测流经测试电压源44的电流。
根据不同的实施例，第一激励电路42被布置用于激励第一发光二极管元件50，并且第二激励电路46被布置用于激励第二发光二极管元件52，并且第一发光二极管元件50借助于第二激励电路46在截止区运行。
根据不同的实施例，第一激励电路42被关断，其中第一激励电路42的输出端与第一发光二极管元件50的第一电极51电耦合，第二激励短路46被关断，其中第二激励电路46的输出端与第二发光二极管元件52的第一电极53电耦合，并且其中第一激励电路42的输入端、第二激励电路46的输入端、第一发光二极管元件50的第二电极57以及第二发光二极管元件52的第二电极58都与第一节点62电耦合。第一发光二极管元件50的第一电极51与第一节点62电耦合。第一发光二极管元件50的第二电极57和第二发光二极管元件52的第二电极58都与第一节点62电隔离，其中第一发光二极管元件50的第二电极57和第二发光二极管元件52的第二电极58保持彼此电耦合，并且第二激励电路46被接通，由此使第一发光二极管元件50在截止区运行。检查是否有电流IR沿截止方向流经第一发光二极管元件50，其方式是检测第二激励电路46的激励电压，并且在所述激励电压未达到或未超过第一激励电压阈值时识别出短路，或者其方式是检测第二激励电路46的激励电流IF，并且在激励电流IF大于预先给定的激励电流阈值时识别出短路。
根据不同的实施例，检测在第一发光二极管元件50的第二电极57与第一发光二极管元件50的第一电极51之间的分析电压UA，并且根据所检测到的分析电压UA对短路进行分类。
根据不同的实施例，第一激励电路42被关断，其中第一激励电路42的输出端与第一发光二极管元件50的第一电极51电耦合。第二激励电路46被关断，其中第二激励电路46的输出端与第二发光二极管元件52的第一电极53电耦合，并且其中第一激励电路42的输入端、第二激励电路46的输入端、第一发光二极管元件50的第二电极57以及第二发光二极管元件52的第二电极58都与第一节点62电耦合。第一激励电路42被接通为使得第一激励电路42的激励电压小于预先给定的第二激励电压阈值，由此对电连接在第一发光二极管元件50的第一电极51与第一节点62之间的第一电容器90进行充电。第一发光二极管元件50的第二电极57和第二发光二极管元件52的第二电极58都与第一节点62电隔离，其中第一发光二极管元件50的第二电极57和第二发光二极管元件52的第二电极58保持彼此电耦合。第一电容器90的电容器电压UK被监视，而且第二激励电路46被接通，由此使第一发光二极管元件50在截止区运行，而且如果电容器电压UK的所出现的改变大于预先给定的电容器电压阈值，则识别出有电流IR沿截止方向流动并且大于预先给定的漏电流。
根据不同的实施例，光电子组件具有第一发光二极管元件50和电子电路40，所述电子电路40被构造为：使第一发光二极管元件50在截止区运行；检查是否有电流IR沿截止方向流经第一发光二极管元件50；以及如果所述检查得出有电流IR沿截止方向流动并且大于预先给定的漏电流，则识别出第一发光二极管元件50中的短路。
根据不同的实施例，所述光电子组件具有：测试电压源44，其被构造为将反向电压UR施加到第一发光二极管元件50上；以及电流测量设备82，其被构造为检测沿截止方向的电流IR。
根据不同的实施例，所述光电子组件具有：第二发光二极管元件52，其中第一发光二极管元件50的第二电极57和第二发光二极管元件52的第二电极58彼此电耦合；第一激励电路42，其中第一激励电路42的输出端与第一发光二极管元件50的第一电极51电耦合；第二激励电路46，其中第二激励电路46的输出端与第二发光二极管元件52的第一电极53电耦合，并且其中第一激励电路42的输入端、第二激励电路46的输入端、第一发光二极管元件50的第二电极57和第二发光二极管元件52的第二电极58都与第一节点62电耦合；测试能量源44、86，所述测试能量源44、86具有第一接线端子并且具有第二接线端子，其中第二接线端子与第一节点62电耦合；以及第一测试开关T1，所述第一测试开关T1与第一发光二极管元件50的第一电极51电耦合并且与测试能量源44、86的第一接线端子电耦合，并且所述第一测试开关T1在其第一开关状态下使第一发光二极管元件50的第一电极51与测试能量源44、86的第一接线端子电耦合，而所述第一测试开关T1在其第二开关状态下使第一发光二极管元件50的第一电极51与测试能量源44、86的第一接线端子彼此电隔离。
根据不同的实施例，所述测试能量源44、86是测试电流源86，并且所述光电子组件具有测试电压检测设备，所述测试电压检测设备被构造为检测附在测试电流源86上的反向电压UR，或者所述测试能量源44、86是测试电压源44并且所述光电子组件具有测试电流检测设备82，所述测试电流检测设备82被构造为检测沿截止方向流经所述测试电压源44的电流IR。
根据不同的实施例，所述光电子组件具有第二发光二极管元件52、用于激励第一发光二极管元件50的第一激励电路42、以及用于激励第二发光二极管元件52的第二激励电路46，它们被布置并且被构造为使得第一发光二极管元件50借助于第二激励电路46在截止区运行。
根据不同的实施例，第一发光二极管元件50的第二电极57与第二发光二极管元件52的第二电极58彼此电耦合。第一激励电路42的输出端与第一发光二极管元件50的第一电极51电耦合，并且第二激励电路46的输出端与第二发光二极管元件52的第一电极53电耦合，其中第一激励电路42的输入端、第二激励电路46的输入端、第一发光二极管元件50的第二电极57以及第二发光二极管元件52的第二电极58都与第一节点62电耦合。所述光电子组件具有：第一测试开关T1，所述第一测试开关T1在其第一开关状态下使第一发光二极管元件50的第一电极51与第一节点62电耦合，并且所述第一测试开关T1在其第二开关状态下使第一发光二极管元件50的第一电极51与第一节点62彼此电隔离；隔离开关T4，所述隔离开关T4在其第一开关状态下使第一发光二极管元件50的第二电极57和第二发光二极管元件52的第二电极58与第一节点62电耦合，并且所述隔离开关T4在其第二开关状态下使第一发光二极管元件50的第二电极57和第二发光二极管元件52的第二电极58与第一节点62电隔离。
根据不同的实施例，所述光电子组件具有分析电压设备88，所述分析电压设备88被构造为检测在第一发光二极管元件50的第二电极57与第一发光二极管元件50的第一电极51之间的分析电压UA。
根据不同的实施例，第一发光二极管元件50的第二电极57与第二发光二极管元件52的第二电极58彼此电耦合。第一激励电路42的输出端与第一发光二极管元件50的第一电极51电耦合，并且第二激励电路46的输出端与第二发光二极管元件52的第一电极53电耦合，其中第一激励电路42的输入端、第二激励电路46的输入端、第一发光二极管元件50的第二电极57以及第二发光二极管元件52的第二电极58都与第一节点62电耦合。所述光电子组件具有：第一电容器90，所述第一电容器90一方面与第一激励电路42的输出端电耦合而另一方面与第一激励电路42的输入端电耦合；隔离开关T4，所述隔离开关T4在其第一开关状态下使第一发光二极管元件50的第二电极57和第二发光二极管元件52的第二电极58与第一节点62电耦合，并且所述隔离开关T4在其第二开关状态下使第一发光二极管元件50的第二电极57和第二发光二极管元件52的第二电极58与第一节点62电隔离；以及电容器电压检测设备98，其被构造为检测附在第一电容器90上的电容器电压UK。
根据不同的实施例，所述光电子组件具有有机发光二极管1，所述有机发光二极管1具有第一发光二极管元件50和第二发光二极管元件52，其中第一发光二极管元件50的第二电极57和第二发光二极管元件52的第二电极58由有机发光二极管1的第二电极层23形成。
本发明不限于所说明的实施例。例如，发光二极管1可以具有更多或更少个发光二极管元件50、52、54。可替换地或附加地，光电子组件可以具有更多或更少个发光二极管1、发光二极管元件50、52、54和/或相对应的激励电路42、46、48。此外，所有被示出的实施例可以利用保护二极管64、66、68或在没有保护二极管64、66、68的情况下来构造。此外，替代于具有发光二极管元件50、52、54的发光二极管1，可以在所有实施例中通过彼此独立的发光二极管1来替换所述发光二极管元件50、52、54。

Claims (13)

1.用于识别第一发光二极管元件（50）中的短路的方法，其中，
被构造用于激励所述第一发光二极管元件（50）的第一激励电路（42）被关断，其中所述第一激励电路（42）的输出端与所述第一发光二极管元件（50）的第一电极（51）电耦合，
被构造用于激励第二发光二极管元件（52）的第二激励电路（46）被关断，其中所述第二激励电路（46）的输出端与所述第二发光二极管元件（52）的第一电极（53）电耦合，并且其中所述第一激励电路（42）的输入端、所述第二激励电路（46）的输入端、所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）以及所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）都与第一节点（62）电耦合，
所述第一发光二极管元件（50）的第一电极（51）与测试能量源（44，86）的第一接线端子电耦合，其中所述测试能量源（44，86）的第二接线端子与第一节点（62）电耦合，
所述第一发光二极管元件（50）借助于所述测试能量源（44，86）在截止区运行，
检查是否有电流（IR）沿截止方向流经第一发光二极管元件（50），并且
如果所述检查得出有电流（IR）沿截止方向流动并且大于预先给定的漏电流，则识别出短路。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述测试能量源（44，86）是测试电流源（86），并且检查是否有电流（IR）沿截止方向流经第一发光二极管元件（50），其方式是检测附在所述测试电流源（86）上的反向电压（UR），或者
所述测试能量源（44，86）是测试电压源（44），并且检查是否有电流（IR）沿截止方向流经第一发光二极管元件（50），其方式是直接检测流经所述测试电压源（44）的电流。
3.用于识别第一发光二极管元件（50）中的短路的方法，其中，第一激励电路（42）被布置用于激励所述第一发光二极管元件（50），而第二激励电路（46）被布置用于激励第二发光二极管元件（52），其中在所述方法中，
所述第一发光二极管元件（50）借助于所述第二激励电路（46）在截止区运行，
检查是否有电流（IR）沿截止方向流经第一发光二极管元件（50），并且
如果所述检查得出有电流（IR）沿截止方向流动并且大于预先给定的漏电流，则识别出短路。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，
所述第一激励电路（42）被关断，其中所述第一激励电路（42）的输出端与所述第一发光二极管元件（50）的第一电极（51）电耦合，
所述第二激励电路（46）被关断，其中所述第二激励电路（46）的输出端与所述第二发光二极管元件（52）的第一电极（53）电耦合，并且其中所述第一激励电路（42）的输入端、所述第二激励电路（46）的输入端、所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）以及所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）都与第一节点（62）电耦合，
所述第一发光二极管元件（50）的第一电极（51）与第一节点（62）电耦合，
所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）和所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）都与第一节点（62）电隔离，其中所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）与所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）保持彼此电耦合，而且所述第二激励电路（46）被接通，由此使所述第一发光二极管元件（50）在截止区运行，并且
检查是否有电流（IR）沿截止方向流经第一发光二极管元件（50），其方式是检测所述第二激励电路（46）的激励电压，并且当所述激励电压未达到或未超过第一激励电压阈值时识别出短路，或者其方式是检测所述第二激励电路（46）的激励电流（IF），并且当所述激励电流（IF）大于预先给定的激励电流阈值时识别出短路。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，检测在所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）与所述第一发光二极管元件（50）的第一电极（51）之间的分析电压（UA），并且其中，根据所检测到的分析电压（UA）对所述短路进行分类。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，
所述第一激励电路（42）被关断，其中所述第一激励电路（42）的输出端与所述第一发光二极管元件（50）的第一电极（51）电耦合，
所述第二激励电路（46）被关断，其中所述第二激励电路（46）的输出端与所述第二发光二极管元件（52）的第一电极（53）电耦合，并且其中所述第一激励电路（42）的输入端、所述第二激励电路（46）的输入端、所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）以及所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）都与第一节点（62）电耦合，
所述第一激励电路（42）被接通为使得所述第一激励电路（42）的激励电压小于预先给定的第二激励电压阈值，由此对电连接在所述第一发光二极管元件（50）的第一电极（51）与所述第一节点（62）之间的第一电容器（90）进行充电，
所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）和所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）都与第一节点（62）电隔离，其中所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）与所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）保持彼此电耦合，所述第一电容器（90）的电容器电压（UK）被监视，并且所述第二激励电路（46）被接通，由此使所述第一发光二极管元件（50）在截止区运行，并且
如果所述电容器电压（UK）的所出现的改变大于预先给定的电容器电压阈值，则识别出有电流（IR）沿截止方向流动并且大于预先给定的漏电流。
7.光电子组件，其具有
第一发光二极管元件（50）；
第二发光二极管元件（52），其中所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）与所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）彼此电耦合；以及
电子电路（40），所述电子电路（40）具有：
第一激励电路（42），其中所述第一激励电路（42）的输出端与所述第一发光二极管元件（50）的第一电极（51）电耦合；
第二激励电路（46），其中所述第二激励电路（46）的输出端与所述第二发光二极管元件（52）的第一电极（53）电耦合，并且其中所述第一激励电路（42）的输入端、所述第二激励电路（46）的输入端、所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）以及所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）都与第一节点（62）电耦合；
测试能量源（44，86），所述测试能量源（44，86）具有第一接线端子并且具有第二接线端子，其中所述第二接线端子与所述第一节点（62）电耦合；以及
第一测试开关（T1），所述第一测试开关（T1）与所述第一发光二极管元件（50）的第一电极（51）电耦合并且与所述测试能量源（44，86）的第一接线端子电耦合，并且所述第一测试开关（T1）在其第一开关状态下使所述第一发光二极管元件（50）的第一电极（51）与所述测试能量源（44，86）的第一接线端子电耦合，并且所述第一测试开关（T1）在其第二开关状态下使所述第一发光二极管元件（50）的第一电极（51）与所述测试能量源（44，86）的第一接线端子彼此电隔离，
其中所述电子电路（40）被构造为：
使所述第一发光二极管元件（50）在截止区运行；
检查是否有电流（IR）沿截止方向流经第一发光二极管元件（50）；并且
如果所述检查得出有电流（IR）沿截止方向流动并且大于预先给定的漏电流，则识别出第一发光二极管元件（50）中的短路。
8.根据权利要求7所述的光电子组件，其中，
所述测试能量源（44，86）是测试电流源（86），并且所述光电子组件具有测试电压检测设备，所述测试电压检测设备被构造为检测附在所述测试电流源（86）上的反向电压（UR），或者
所述测试能量源（44，86）是测试电压源（44），并且所述光电子组件具有测试电流检测设备（82），所述测试电流检测设备（82）被构造为检测沿截止方向流经所述测试电压源（44）的电流（IR）。
9.光电子组件，其具有第一发光二极管元件（50）、第二发光二极管元件（52）和电子电路（40），所述电子电路（40）具有用于激励所述第一发光二极管元件（50）的第一激励电路（42）和用于激励所述第二发光二极管元件（52）的第二激励电路（46），所述第一激励电路（42）和所述第二激励电路（46）被布置并且被构造为使得所述第一发光二极管元件（50）借助于所述第二激励电路（46）在截止区运行，其中，所述电子电路（40）被构造为检查是否有电流（IR）沿截止方向流经第一发光二极管元件（50），并且如果所述检查得出有电流（IR）沿截止方向流动并且大于预先给定的漏电流，则识别出所述第一发光二极管元件（50）中的短路。
10.根据权利要求9所述的光电子组件，其中，
所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）与所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）彼此电耦合，
所述第一激励电路（42）的输出端与所述第一发光二极管元件（50）的第一电极（51）电耦合，并且
所述第二激励电路（46）的输出端与所述第二发光二极管元件（52）的第一电极（53）电耦合，其中所述第一激励电路（42）的输入端、所述第二激励电路（46）的输入端、所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）以及所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）都与第一节点（62）电耦合，
并且所述光电子组件具有：
第一测试开关（T1），所述第一测试开关（T1）在其第一开关状态下使所述第一发光二极管元件（50）的第一电极（51）与所述第一节点（62）电耦合，并且所述第一测试开关（T1）在其第二开关状态下使所述第一发光二极管元件（50）的第一电极（51）与所述第一节点（62）彼此电隔离；
隔离开关（T4），所述隔离开关（T4）在其第一开关状态下使所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）和所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）与第一节点（62）电耦合，并且所述隔离开关（T4）在其第二开关状态下使所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）和所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）与第一节点（62）电隔离。
11.根据权利要求10所述的光电子组件，其具有分析电压设备（88），所述分析电压设备（88）被构造为检测在所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）与所述第一发光二极管元件（50）的第一电极（51）之间的分析电压（UA）。
12.根据权利要求9所述的光电子组件，其中，
所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）与所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）彼此电耦合，
所述第一激励电路（42）的输出端与所述第一发光二极管元件（50）的第一电极（51）电耦合，并且
所述第二激励电路（46）的输出端与所述第二发光二极管元件（52）的第一电极（53）电耦合，其中所述第一激励电路（42）的输入端、所述第二激励电路（46）的输入端、所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）以及所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）都与第一节点（62）电耦合，
并且所述光电子组件具有：
第一电容器（90），所述第一电容器（90）一方面与所述第一激励电路（42）的输出端电耦合而另一方面与所述第一激励电路（42）的输入端电耦合；
隔离开关（T4），所述隔离开关（T4）在其第一开关状态下使所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）和所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）与第一节点（62）电耦合，并且所述隔离开关（T4）在其第二开关状态下使所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）和所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）与第一节点（62）电隔离；
电容器电压检测设备（98），其被构造为检测附在所述第一电容器（90）上的电容器电压（UK）。
13.根据权利要求7至12之一所述的光电子组件，所述光电子组件具有有机发光二极管（1），所述有机发光二极管（1）具有所述第一发光二极管元件（50）和所述第二发光二极管元件（52），其中，所述第一发光二极管元件（50）的第二电极（57）和所述第二发光二极管元件（52）的第二电极（58）由所述有机发光二极管（1）的第二电极层（23）形成。
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