CN106571430B - 微显示器件封装结构和工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种微显示器件封装工艺,其中,微显示器件封装工艺包括以下步骤:第一步,在微显示器件背板的显示区域上通过磁控溅射形成封装层结构;第二步,对封装层结构进行氧化处理,从而实现微显示器件的封装。本发明提供还提供了一种微显示器件封装结构,其中,微显示器件背板和覆盖微显示器件背板的氧化封装层。本发明的一种微显示器件封装结构和工艺利用磁控溅射并辅以可控的微量氧气添加,从而实现封装薄膜的沉积,进而实现更高效率的封装工艺,降低设备投资和设备维护成本,提高生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及微显示器件,尤其涉及一种微显示器件封装结构和工艺。
背景技术
在透明显示屏的出产流程中,封装是适当主要的一环。封装的效果是将外引线连接到LED芯片的电极上,同时保护好LED芯片,并且起到提高发光功率的效果,好的封装能够让LED具有很好的发光功率和散热环境,进而提高LED的寿命。目前微显示封装技术以原子膜层沉积为主,其生产设备价格昂贵,维护成本高,生产效率低。本领域迫切需要一款能克服现有封装缺陷的微显示器件封装结构和工艺。
发明内容
本发明旨在提供一种微显示器件封装结构和工艺,通过磁控溅射并辅以可控的微量氧气添加,从而实现封装薄膜的沉积,进而实现更高效率的封装工艺。
为实现上述目的,本发明提供一种微显示器件封装工艺,其中,微显示器件封装工艺包括以下步骤:第一步,在微显示器件背板的显示区域上通过磁控溅射形成封装层结构;第二步,对封装层结构进行氧化处理,从而实现微显示器件的封装。
优选地,本发明提供一种微显示器件封装工艺,其中,微显示器件为基于有机发光二极管的微型显示器。
优选地,本发明提供一种微显示器件封装工艺,其中,封装层结构为铝封装层,对铝封装层进行氧化处理形成氧化铝封装层,从而实现微显示器件的封装。
优选地,本发明提供一种微显示器件封装工艺,其中,封装层结构为铁封装层,对铝封装层进行氧化处理形成氧化铁封装层,从而实现微显示器件的封装。
优选地,本发明提供一种微显示器件封装工艺,其中,封装层结构为铝铁合金封装层,对铝合金封装层进行氧化处理形成氧化铁和氧化铝混合封装层,从而实现微显示器件的封装。
优选地,所述封装层结构为复合无机非金属材料封装层,对复合无机非金属材料进行氧化处理,形成复合无机非金属材料氧化物封装层,从而实现微显示器件的封装。
优选地,本发明提供一种微显示器件封装结构,其中,微显示器件背板和覆盖微显示器件背板的氧化封装层。
优选地,本发明提供一种微显示器件封装结构,其中,微显示器件为基于有机发光二极管的微型显示器。
优选地,本发明提供一种微显示器件封装结构,其中,氧化封装层为氧化铝封装层、氧化铁封装层、复合无机非金属材料氧化物封装层或氧化铝及氧化铁混合封装层。
其中,所述复合无机非金属材料的原料组份及重量配比为,碳化硅20-30份,氮化硅25-35份,碳化硼5-10份,六方氮化硼8-15份,玻璃纤维3-5份。
本发明提供的一种微显示器件封装结构和工艺利用磁控溅射并辅以可控的微量氧气添加,从而实现封装薄膜的沉积,进而实现更高效率的封装工艺,降低设备投资和设备维护成本,提高生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例。
图1为本发明微显示器件的工艺流程示意图;
图2为本发明微显示器件的封装层结构示意图;
图3为本发明微显示器件的氧化封装层的结构示意图。
附图标记说明:
1、微显示器件背板 2、显示区域 3、封装层结构
4、氧化封装层
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了,下面结合具体实施方式并参照附图,对本发明进一步详细说明。应该理解,这些描述只是示例性的,而并非要限制本发明的范围。
本发明提出的一种微显示器件封装工艺,其中,如图1所示,微显示器件封装工艺包括以下步骤:101、第一步,如图2所示,在微显示器件背板1的显示区域2上通过磁控溅射形成封装层结构3;102、第二步,如图3所示,对封装层结构3进行氧化处理,从而实现微显示器件的封装。
在本实施例中,微显示器件封装无需进行原子层沉积,而是通过磁控溅射形成封装层结构3,并对该封装层结构3进行氧化,由微量可控的氧气氧化成为透明而致密的氧化封装层4,从而实现对微型显示器件的封装,其中,封装层结构3为可氧化金属封装层结构。这样通过利用磁控溅射并辅以可控的微量氧气添加,从而实现封装薄膜的沉积,进而实现更高效率的封装工艺,降低设备投资和设备维护成本,提高生产效率。
本实施例进一步优选地,提供了一种微显示器件封装工艺,其中,微显示器件为基于有机发光二极管的微型显示器。这样可提高生产效率降低设备投资。
本实施例进一步优选地,提供了一种微显示器件封装工艺,其中,封装层结构3为铝封装层,对铝封装层进行氧化处理形成氧化铝封装层,从而实现微显示器件的封装。这样可提高生产效率降低设备投资。
本实施例进一步优选地,提供了一种微显示器件封装工艺,其中,封装层结构3为铁封装层,对铝封装层进行氧化处理形成氧化铁封装层,从而实现微显示器件的封装。这样可提高生产效率降低设备投资。
本实施例进一步优选地,提供了一种微显示器件封装工艺,其中,封装层结构3为铝铁合金封装层,对铝合金封装层进行氧化处理形成氧化铁和氧化铝混合封装层,从而实现微显示器件的封装。这样可提高生产效率降低设备投资。
本实施例进一步优选地,如图3所示,提供了一种微显示器件封装结构,其中,微显示器件背板1和覆盖微显示器件背板1的氧化封装层4。
在本实施例中,微显示器件封装无需进行原子层沉积,而是通过磁控溅射形成封装层结构3,并对该封装层结构3进行氧化,由微量可控的氧气氧化成为透明而致密的氧化封装层4,从而实现对微型显示器件的封装,其中,封装层结构3为可氧化金属封装层结构。这样通过利用磁控溅射并辅以可控的微量氧气添加,从而实现封装薄膜的沉积,进而实现更高效率的封装工艺,降低设备投资和设备维护成本,提高生产效率。
本实施例进一步优选地,提供了一种微显示器件封装结构,其中,微显示器件为基于有机发光二极管的微型显示器。这样可提高生产效率降低设备投资。
本实施例进一步优选地,提供了一种微显示器件封装结构,其中,氧化封装层4为氧化铝封装层、氧化铁封装层或氧化铝及氧化铁混合封装层。这样可提高生产效率降低设备投资。
实施例1
所述复合无机非金属材料的原料组份及重量配比为,碳化硅20份,氮化硅25份,碳化硼5份,六方氮化硼8份,玻璃纤维3份。
实施例2
所述复合无机非金属材料的原料组份及重量配比为,碳化硅30份,氮化硅35份,碳化硼10份,六方氮化硼15份,玻璃纤维5份。
应当理解的是,本发明的上述具体实施方式仅用于示例性说明或解释本发明的原理,而不构成对本发明的限制。因此,在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。此外,本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。
Claims (5)
1.一种微显示器件封装工艺,其特征在于,所述微显示器件封装工艺包括以下步骤:
第一步,在微显示器件背板的显示区域上通过磁控溅射形成封装层结构;
第二步,对封装层结构进行氧化处理,从而实现微显示器件的封装;
所述封装层结构为复合无机非金属材料封装层,所述复合无机非金属材料的原料组份及重量配比为,碳化硅20-30份,氮化硅25-35份,碳化硼5-10份,六方氮化硼8-15份,玻璃纤维3-5份,对复合无机非金属材料进行氧化处理,形成复合无机非金属材料氧化物封装层。
2.根据权利要求1所述的一种微显示器件封装工艺,其中,所述微显示器件为基于有机发光二极管的微型显示器。
3.根据权利要求1所述的一种微显示器件封装工艺,其中,所述封装层结构为复合无机材料封装层,对复合无机非金属材料进行氧化处理,形成复合无机非金属材料氧化物封装层,从而实现微显示器件的封装。
4.一种权利要求3所述封装工艺制备的微显示器件封装结构,其特征在于,所述微显示器件封装结构包括:微显示器件背板和覆盖所述微显示器件背板的氧化封装层。
5.根据权利要求4所述的一种微显示器件封装结构,其中,所述微显示器件为基于有机发光二极管的微型显示器。
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