CN106548867A - 一种低直流电阻三端电容器及制备方法及材料 - Google Patents
一种低直流电阻三端电容器及制备方法及材料 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106548867A CN106548867A CN201611195702.5A CN201611195702A CN106548867A CN 106548867 A CN106548867 A CN 106548867A CN 201611195702 A CN201611195702 A CN 201611195702A CN 106548867 A CN106548867 A CN 106548867A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- resistance
- low
- terminal capacitor
- axis direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 19
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 16
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 15
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 claims description 7
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 6
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 claims description 3
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000011267 electrode slurry Substances 0.000 claims description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 claims description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000013100 final test Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 1
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- -1 preferably Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
本发明涉及陶瓷电容器技术领域，具体涉及一种低直流电阻三端电容器，包括长轴介质膜片和短轴介质膜片；长轴介质膜片和短轴介质膜片交错形成内电极排列结构；内电极排列结构由两个第一长轴方向内电极和两个第一短轴方向内电极交错排列组成或由一个第二长轴方向内电极和一个第二短轴方向内电极交错排列组成或由两个第二长轴方向内电极和两个第二短轴方向内电极交错排列组成。本发明实施例提供的低直流电阻三端电容器，与现有技术相比通过改变长轴介质膜片和短轴介质膜片的排解形式及厚度使电容器的直流电阻有较大幅度的下降，并且一致性优于常规产品。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷电容器技术领域，具体涉及一种低直流电阻三端电容器及制备方法及材料。
背景技术
三端电容器是滤波电路的常用部件。现有的三端电容器实际上就是多层陶瓷叠片式双电容器结构，其内部结构为有十字形内电极的瓷膜交替叠片，且交替引出端电极为三端引出方式。直流电阻即元件通上直流电后，所呈现出的电阻，是三端电容器的重要指标之一。直流电阻越大，产品耗能发热越严重。
发明内容
针对上述问题中存在的不足之处，本发明提供一种低直流电阻三端电容器及制备方法及材料。
为实现上述目的，本发明提供一种低直流电阻三端电容器，包括长轴介质膜片和短轴介质膜片，所述长轴介质膜片和所述短轴介质膜片交错形成内电极排列结构；
两个第一长轴方向内电极和两个第一短轴方向内电极交错排列组成或由一个第二长轴方向内电极和一个第二短轴方向内电极交错排列组成或由两个第二所述长轴方向内电极和两个第二所述短轴方向内电极交错排列组成。
上述的低直流电阻三端电容器中，优选为，所述第二长轴方向内电极的厚度是所述第一长轴方向内电极的1.8倍，所述第二短轴方向内电极的厚度是所述第一短轴方向内电极的1.8倍。
在上述技术方案中，本发明实施例提供的低直流电阻三端电容器，与现有技术相比通过改变长轴介质膜片和短轴介质膜片的排解形式及厚度使电容器的直流电阻有较大幅度的下降，并且一致性优于常规产品。
一种低直流电阻三端电容器的制备方法，该方法包括以下步骤：
将配好的瓷浆按设定的厚度均匀涂在PET薄膜上，使其均匀干燥，形成所需厚度的多片空白陶瓷膜片；
将多片空白陶瓷膜片中的一部分空白陶瓷膜片利用丝网印刷原理印刷成有一定形状和尺寸的长轴介质膜片和短轴介质膜片；
长轴介质膜片、短轴介质膜片与作为保护层的未进行丝网印刷的空白陶瓷膜片进行叠加，借助空白流延陶瓷膜片本身的粘性和叠层机的压力压成一个巴块；
巴块和匀压板放在密封袋内进行抽真空处理，再放入匀压机中进行匀压处理形成匀压后的巴块；
利用切割机将匀压后的巴块按照规定的尺寸切割，成单个电容芯片坯体；
将电容芯片坯体内的高分子有机物进行排塑处理；
排塑后的电容芯片坯体再进行高温烧结处理；
将烧结好的电容芯片坯体，通过加入磨介与芯片间高速滚磨的磨削作用把电容芯片坯体的边角滚磨成倒角，充分引出内电极层，利于内外电极的充分链接，用于保证电气性能；
将形成倒角的电容芯片坯体两端分别涂覆上银/铜外电极浆料，进行烘干处理形成固化的电容芯片坯体银/铜的外电极；
固化后的电容芯片坯体银/铜的外电极再经过高温烧端处理；
在烧端完成后的电容芯片外部利用电镀沉积法由内向外依次镀第一层镍金属底层和覆盖镍层的第二层锡金属，最终形成电容器产品。
上述的低直流电阻三端电容器的制备方法中，优选为，普通有氧环境下排塑最高温度在280℃-325℃之间，保温，总时长在60-168小时之间。
上述的低直流电阻三端电容器的制备方法中，优选为，烧结处理最高温度在1050℃-1170℃之间。
上述的低直流电阻三端电容器的制备方法中，优选为，烧结过程分为排塑阶段、升温阶段、保温阶段和降温阶段。
上述的低直流电阻三端电容器的制备方法中，优选为，排塑阶段的升温速率是100℃-150℃/小时，升温阶段速率是180℃-250℃/小时，保温时间在2-4小时。
上述的低直流电阻三端电容器的制备方法中，优选为，所述烧端的温度最高是760℃-850℃，烧端的带速是6cm/分钟。
在上述技术方案中，本发明实施例提供的低直流电阻三端电容器，与现有技术相比具有更低的直流电阻，具有更好的一致性，使用时元件发热量更低。
一种电容器的材料，包括瓷浆，所述瓷浆由瓷粉、粘合剂、分散剂、消泡剂、增塑剂和甲苯、乙醇混合溶剂组成；其中，
所述瓷粉和所述粘合剂的重量比是1：0.3-0.4；
所述瓷粉和所述分散剂的重量比是1：0-0.05；
所述瓷粉和所述消泡剂的重量比是1：0-0.02；
所述瓷粉和所述增塑剂的重量比是1：0-0.03；
所述瓷粉和所述甲苯、乙醇混合溶剂的重量比为1:0.65-1.2。
在上述技术方案中，本发明实施例提供的低直流电阻三端电容器，与现有技术相比具有更低的直流电阻，具有更好的一致性，使用时元件发热量更低。
附图说明
图1为本发明第一个实施例中电容器的第一种结构示意图；
图2为本发明第一个实施例中电容器的第二种结构示意图；
图3为本发明第一个实施例中电容器的第三种结构示意图。
图4为本发明第二个实施例中低直流电阻三端电容器的制备方法的流程图。
图中：1、第一长轴方向内电极；2、第一短轴方向内电极；3、第二长轴方向内电极；4、第二短轴方向内电极。
具体实施方式
下面通过具体的实施例结合附图对本发明做进一步的详细描述。
实施例1：
低直流电阻三端电容器，如图1、2、3所示，将所述长轴介质膜片和所述短轴介质膜片交错形成内电极排列结构。两个第一长轴方向内电极1和两个第一短轴方向内电极2交错排列组成或由一个第二长轴方向内电极3和一个第二短轴方向内电极4交错排列组成或由两个第二所述长轴方向内电极3和两个第二所述短轴方向内电极4交错排列组成。三种方式同样可以起到成倍增加电阻截面积的作用，从而降低了内电极所形成的电阻。
所述第二长轴方向内电极3的厚度是所述第一长轴方向内电极1的1.8倍，所述第二短轴方向内电极4的厚度是所述第一短轴方向内电极2的1.8。内电极增厚的同时，一些工序的工艺参数需作出相应调整，保证产品的结构不会出现问题。在工艺可调整，成本可接受的条件下，内电极厚度越厚，可达到降低电阻的效果越好。
三端电容器直流电阻的计算可简化为普通电阻模型，其定义式为R＝ρ*l/s。产品内电极材料固定，电阻率ρ为定值；产品长度固定，电阻的长度l为定值。因此可通过增大电阻截面积s的方法来降低电阻的大小。当内电极丝网设计固定后，电阻面积的长度已固定，可通过增加内电极厚度的方式来增大截面积，从而降低整体电阻值的大小。针对此理论模型，实验了3种结构的产品。通过数据对比来证实方法的可实现性。(产品的电阻值视具体产品而定，本数据不具有普遍代表性，只具有横向对比的参考意义)。
常规三端电容器的内电极形式为长轴方向内电极与短轴方向内电极相互交替叠层，形成电容结构。本发明通过增加内电极层数，形成双层内电极结构的方法来增加电阻截面积的大小。通过此方式制成的直流电阻值和常规结构产品相比较有较大的下降，且集中率更好。使用该方法制得产品长轴方向的平均直流电阻值在30.12mΩ。批次过程能力CpK为1.00。
通过增加内电极的印刷厚度的方式来增加电阻截面积的大小。增加内电极印刷通常为增加丝网厚度以及多次印刷的方式来实现。首先在丝网的设计上增加丝网及乳胶厚度，提高单次印刷厚度。其次在空白膜片上印刷出内电极图形，将膜片烘干后继续在有内电极图形的膜片上利用图形对位，在已有的内电极上二次以及多次印刷，直接增加电极厚度。使用该方法制得产品长轴方向的平均直流电阻值在27.61mΩ。批次过程能力CpK为1.11。
结合上面两种结构，不错位结构以及增加内电极厚度的结构。进一步减小直流电阻的大小。使用该方法制得产品长轴方向的平均直流电阻值在12.82mΩ。批次过程能力CpK为1.51。
数据对比：
使用三种不同结构的产品制的产品最终测试分布结果如下所示：
实施例2：
低直流电阻三端电容器的制备方法，如图3所示，
步骤101：将配好的瓷浆按设定的厚度均匀涂在PET薄膜上，使其均匀干燥，形成所需厚度的多片空白陶瓷膜片；这一方法可保证得到厚度均匀、外观良好的陶瓷膜片。
步骤102：将多片空白陶瓷膜片中的一部分空白陶瓷膜片利用丝网印刷原理印刷成有一定形状和尺寸的长轴介质膜片和短轴介质膜片，形成电容器的内电极。丝网印刷法可通过控制印刷图形的平整性、连续性，以保证得到稳定良好的电气性能和可靠性能。
步骤103：长轴介质膜片、短轴介质膜片与作为保护层的未进行丝网印刷的空白陶瓷膜片进行叠加，借助空白流延陶瓷膜片本身的粘性和叠层机的压力压成一个巴块；叠层工艺的优势在于机器保证精准对位，按照产品设计要求，得到具备所需电性能的巴块。
步骤104：巴块和匀压板放在密封袋内进行抽真空处理，再放入匀压机中进行匀压处理形成匀压后的巴块；温水等静压工艺的优势在于巴块各个方向受力均匀，不容易变形。
步骤105：利用切割机将匀压后的巴块按照规定的尺寸切割，成单个电容芯片坯体；直刀切割可得到形状规则、尺寸一致性良好的芯片电容。
步骤106：将电容芯片坯体内的高分子有机物进行排塑处理；在步骤106中，普通有氧环境下排塑最高温度在280℃-325℃之间，保温，总时长在60-168小时之间。只有将这些有机物充分排除干净，才能使产品减少烧结过程的开裂风险，以保证具有良好的电气性能。
步骤107：排塑后的电容芯片坯体再进行高温烧结处理；烧结处理最高温度在1050℃-1170℃之间；烧结过程分为排塑阶段、升温阶段、保温阶段和降温阶段；排塑阶段的升温速率是100℃-150℃/小时，升温阶段速率是180℃-250℃/小时，保温时间在2-4小时。合适的烧结曲线是产品具有优良的机械及电器性能的关键步骤。
步骤108：将烧结好的电容芯片坯体，通过加入磨介与芯片间高速滚磨的磨削作用把电容芯片坯体的边角滚磨成倒角，充分引出内电极层，利于内外电极的充分链接，用于保证电气性能。
步骤109：将形成倒角的电容芯片坯体两端分别涂覆上银/铜外电极浆料，进行烘干处理形成固化的电容芯片坯体银/铜的外电极。
步骤110：固化后的电容芯片坯体银/铜的外电极再经过高温烧端处理，所述烧端的温度最高是760℃-850℃，烧端的带速是6cm/分钟，优选800℃。外电极的制作是为了引出埋在内部的内电极，形成电气性能。
步骤111：将烧端后的电容芯片在其银/铜外电极表面上，利用电镀沉积法分别镀第一层镍金属底层和覆盖镍层的第二层锡金属。镍层的作用在作为热阻挡层，避免电容器本体在焊接过程中受到过大的热冲击，锡层的作用是作为可焊接金属层，确保电容器具有良好的可焊性。电镀后的产品最终形成了电容器产品。
实施例3：
电容器的材料，包括瓷浆：所述瓷浆由瓷粉、粘合剂、分散剂、消泡剂、增塑剂和甲苯、乙醇混合溶剂组成；其中，
所述瓷粉和所述粘合剂的重量比是1：0.3-0.4；
所述瓷粉和所述分散剂的重量比是1：0-0.05；
所述瓷粉和所述消泡剂的重量比是1：0-0.02；
所述瓷粉和所述增塑剂的重量比是1：0-0.03；
所述瓷粉和所述甲苯、乙醇混合溶剂的重量比为1:0.65-1.2。
根据比例配制出的浆料在流延后形成的膜片具有厚度一致性良好，韧性强，表面光洁度高的特点。
例：
| 瓷粉 | 粘合剂 | 分散剂 | 消泡剂 | 增塑剂 | 溶剂 |
| 1000g | 320g | 2g | 1g | 3g | 750g |
| 1000g | 380g | 1g | 1g | 2g | 900g |
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种低直流电阻三端电容器，其特征在于，包括：长轴介质膜片和短轴介质膜片；
所述长轴介质膜片和所述短轴介质膜片交错形成内电极排列结构；
所述内电极排列结构由两个第一长轴方向内电极和两个第一短轴方向内电极交错排列组成或由一个第二长轴方向内电极和一个第二短轴方向内电极交错排列组成或由两个第二所述长轴方向内电极和两个第二所述短轴方向内电极交错排列组成。
2.根据权利要求1所述的低直流电阻三端电容器，其特征在于：所述第二长轴方向内电极的厚度是所述第一长轴方向内电极的1.8倍，所述第二短轴方向内电极的厚度是所述第一短轴方向内电极的1.8倍。
3.一种如权利要求1-2任一项所述的低直流电阻三端电容器的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤101：将配好的瓷浆按设定的厚度均匀涂在PET薄膜上，使其均匀干燥，形成所需厚度的多片空白陶瓷膜片；
步骤102：将多片空白陶瓷膜片中的一部分空白陶瓷膜片利用丝网印刷原理印刷成有一定形状和尺寸的长轴介质膜片和短轴介质膜片；
步骤103：长轴介质膜片、短轴介质膜片与作为保护层的未进行丝网印刷的空白陶瓷膜片进行叠加，借助空白流延陶瓷膜片本身的粘性和叠层机的压力压成一个巴块；
步骤104：巴块和匀压板放在密封袋内进行抽真空处理，再放入匀压机中进行匀压处理形成匀压后的巴块；
步骤105：利用切割机将匀压后的巴块按照规定的尺寸切割，成单个电容芯片坯体；
步骤106：将电容芯片坯体内的高分子有机物进行排塑处理；
步骤107：排塑后的电容芯片坯体再进行高温烧结处理；
步骤108：将烧结好的电容芯片坯体，通过加入磨介与芯片间高速滚磨的磨削作用把电容芯片坯体的边角滚磨成倒角，充分引出内电极层，利于内外电极的充分链接，用于保证电气性能；
步骤109：将形成倒角的电容芯片坯体两端分别涂覆上银/铜外电极浆料，进行烘干处理形成固化的电容芯片坯体银/铜的外电极；
步骤110：固化后的电容芯片坯体银/铜的外电极再经过高温烧端处理；
步骤111：在烧端完成后的电容芯片外部利用电镀沉积法由内向外依次镀第一层镍金属底层和覆盖镍层的第二层锡金属，最终形成电容器产品。
4.根据权利要求3所述的低直流电阻三端电容器的制备方法，其特征在于：在步骤106中，普通有氧环境下排塑最高温度在280℃-325℃之间，保温，总时长在60-168小时之间。
5.根据权利要求3所述的低直流电阻三端电容器的制备方法，其特征在于：在步骤107中，烧结处理最高温度在1050℃-1170℃之间。
6.根据权利要求3所述的低直流电阻三端电容器的制备方法，其特征在于：在步骤107中，烧结过程分为排塑阶段、升温阶段、保温阶段和降温阶段。
7.根据权利要求6所述的低直流电阻三端电容器的制备方法，其特征在于：排塑阶段的升温速率是100℃-150℃/小时，升温阶段速率是180℃-250℃/小时，保温时间在2-4小时。
8.根据权利要求3所述的低直流电阻三端电容器的制备方法，其特征在于：在步骤110中，所述烧端的温度最高是760℃-850℃，烧端的带速是6cm/分钟。
9.一种如权利要求1-2任一项所述的低直流电阻三端电容器的材料，其特征在于，包括瓷浆：
所述瓷浆由瓷粉、粘合剂、分散剂、消泡剂、增塑剂和甲苯、乙醇混合溶剂组成；其中，
所述瓷粉和所述粘合剂的重量比是1：0.3-0.4；
所述瓷粉和所述分散剂的重量比是1：0-0.05；
所述瓷粉和所述消泡剂的重量比是1：0-0.02；
所述瓷粉和所述增塑剂的重量比是1：0-0.03；
所述瓷粉和所述甲苯、乙醇混合溶剂的重量比为1:0.65-1.2。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611195702.5A CN106548867A (zh) | 2016-12-22 | 2016-12-22 | 一种低直流电阻三端电容器及制备方法及材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611195702.5A CN106548867A (zh) | 2016-12-22 | 2016-12-22 | 一种低直流电阻三端电容器及制备方法及材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106548867A true CN106548867A (zh) | 2017-03-29 |
Family
ID=58397547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611195702.5A Pending CN106548867A (zh) | 2016-12-22 | 2016-12-22 | 一种低直流电阻三端电容器及制备方法及材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106548867A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112397310A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-02-23 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种多层陶瓷电容器的印刷丝网设备及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1941234A (zh) * | 2005-09-30 | 2007-04-04 | Tdk株式会社 | 叠层电容器 |
| CN101996765A (zh) * | 2009-08-11 | 2011-03-30 | 索尼公司 | 电容元件和谐振电路 |
| US20120250218A1 (en) * | 2011-04-04 | 2012-10-04 | Tdk Corporation | Feedthrough multilayer capacitor |
| CN103000369A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-03-27 | 北京元六鸿远电子技术有限公司 | 高耐电压片式陶瓷电容器的制备方法 |
| CN103325568A (zh) * | 2012-03-23 | 2013-09-25 | 三星电机株式会社 | 电子元件及其制造方法 |
-
2016
- 2016-12-22 CN CN201611195702.5A patent/CN106548867A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1941234A (zh) * | 2005-09-30 | 2007-04-04 | Tdk株式会社 | 叠层电容器 |
| CN101996765A (zh) * | 2009-08-11 | 2011-03-30 | 索尼公司 | 电容元件和谐振电路 |
| US20120250218A1 (en) * | 2011-04-04 | 2012-10-04 | Tdk Corporation | Feedthrough multilayer capacitor |
| CN103325568A (zh) * | 2012-03-23 | 2013-09-25 | 三星电机株式会社 | 电子元件及其制造方法 |
| CN103000369A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-03-27 | 北京元六鸿远电子技术有限公司 | 高耐电压片式陶瓷电容器的制备方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112397310A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-02-23 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种多层陶瓷电容器的印刷丝网设备及其制备方法 |
| CN112397310B (zh) * | 2020-10-20 | 2022-04-22 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种多层陶瓷电容器的印刷丝网设备及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106024380B (zh) | 层叠陶瓷电容器 | |
| CN103250217B (zh) | 叠层陶瓷电子元件 | |
| CN203645934U (zh) | 一种电子产品陶瓷壳体的叠层结构 | |
| CN101483417B (zh) | 一种多层布线用黑色氧化铝基片的制备方法 | |
| CN105869887B (zh) | 一种x9r高温稳定多层陶瓷电容器瓷浆及其器件制备方法 | |
| CN107316744B (zh) | 一种片式多层金电极芯片电容器及其制备方法 | |
| CN106653356A (zh) | 一种叠层片式磁珠的制备方法 | |
| CN103915132A (zh) | 一种叠层片式电感器用内电极银浆及其制备方法 | |
| CN103229260A (zh) | 叠层陶瓷电子元件及其制造方法 | |
| CN102013320B (zh) | 一种单层电容器及其制备方法 | |
| CN101364479B (zh) | 陶瓷生片结构及层叠陶瓷电子部件的制造方法 | |
| CN101145446B (zh) | 一种多孔板式阵列结构陶瓷电容滤波器及其制备方法 | |
| CN106548867A (zh) | 一种低直流电阻三端电容器及制备方法及材料 | |
| CN105000875B (zh) | 一种湿法叠层电感印刷用铁氧体浆料及其制造方法 | |
| CN102122553B (zh) | 卧式结构的低阻值片式负温度系数热敏电阻及其制造方法 | |
| CN103000369A (zh) | 高耐电压片式陶瓷电容器的制备方法 | |
| CN102129899B (zh) | 立式结构的低阻值片式负温度系数热敏电阻及其制造方法 | |
| CN107492447B (zh) | 滤波连接器用多层板式陶瓷穿心电容器芯片的制备方法 | |
| CN105551712B (zh) | 一种片式陶瓷电感器及其制作方法 | |
| CN102610386B (zh) | 多层片式瓷介电容器 | |
| CN110310792B (zh) | 一种片式压敏电阻芯片制备方法 | |
| CN107332531A (zh) | 一种叠层可调滤波器及可调磁芯电感的制备方法 | |
| CN113943155A (zh) | 一种宽温大容量片式瓷介电容器的制备方法 | |
| CN211265274U (zh) | 一种高压贴片陶瓷电容 | |
| CN102683023A (zh) | 大功率、微波片式多层瓷介电容器的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170329 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |