CN106526988B - 显示器阵列基板画素结构及其应用的显示设备 - Google Patents

显示器阵列基板画素结构及其应用的显示设备 Download PDF

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Abstract

本发明为一种显示器阵列基板画素结构及其应用的显示设备，包括多个阵列排列的画素单元，每个所述画素单元均包括第一子画素、第二子画素和第四子画素，其特征在于，每个所述画素单元均更包括：一第四子画素电极，所述第四子画素电极包括第一画素电极，第二画素电极及第四画素电极，分别位于所述第四子画素的四个区域，且该第一画素电极，第二画素电极，第三画素电极及第四画素电极分别分割成至少二个补偿区，用以回馈修正至少二个补偿区的电极线宽，以改善所述第四子画素电极的狭缝变异所造成的亮度差异；以及一第一子画素电极及一第二子画素电极，分别位于所述第一子画素及第二子画素。

Description

显示器阵列基板画素结构及其应用的显示设备
技术领域
本发明涉及一种电极设计方式，特别是涉及一种显示器阵列基板画素结构及其应用的显示设备。
背景技术
Mura一词本来是一个日本字，随着日本的液晶显示器在世界各地发扬光大，这个字在显示器界就变成一个全世界都可以通用的文字，而Mura是指显示器亮度不均匀造成各种痕迹的现象，最简单的判断方法就是在暗室中切换到黑色画面以及其他低灰阶画面，然后从各种不同的角度仔细观察，随着各式各样的制程瑕疵，液晶显示器就有各式各样的Mura，可能是横向条纹或四十五度角条痕，可能是切得很直的方块，可能是某个角落出现一块，可能是花花的完全没有规则可言东一块西一块的痕迹。
因此一般Mura皆因显示屏上亮度分布不均所造成。在垂直配向(VerticalAlignment，VA)型/平面转换(In-Plane Switching，IPS)型/边缘场开关(Fringe FieldSwitching，FFS)型的画素设计上，画素电极一般都设计成狭缝状，其线宽的控制影响液晶效率甚钜。在一种用于显示器阵列基板画素设计的工艺中，不同颜色的子画素之间可能会产生段差。在此工艺中，子画素因为严重段差(由于平坦层的宽度落差)而导致曝光显影蚀刻工艺对ITO slit(氧化铟锡狭缝)线宽控制更难掌握，因此容易造成穿透率不稳定的问题。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明的目的在于，提供一种用于显示器阵列基板画素结构，不仅可以有效解决Mura问题，同时提升改善第四子画素ITO slit(氧化铟锡狭缝)变异所造成的亮度差异。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种显示器阵列基板画素结构，包括多个阵列排列的画素单元，每个所述画素单元均包括第一子画素、第二子画素和第四子画素，其特征在于，每个所述画素单元均更包括：一第四子画素电极，所述第四子画素电极包括第一画素电极，第二画素电极，第三画素电极及第四画素电极，分别位于所述第四子画素的四个区域，且该第一画素电极，第二画素电极，第三画素电极及第四画素电极分别分割成至少二个补偿区，用以回馈修正至少二个补偿区的电极线宽，以改善因所述第四子画素电极的狭缝变异而造成的亮度差异；以及一第一子画素电极及一第二子画素电极，分别位于所述第一子画素及第二子画素；其中所述该第一画素电极分割成三个补偿区为第一内层画素电极，第一中层画素电极及第一外层画素电极，且该第一内层画素电极，第一中层画素电极及第一外层画素电极的电极线宽分别为该第一子画素电极、第二子画素电极线宽的80％～120％；所述该第二画素电极分割成三个补偿区为第二内层画素电极，第二中层画素电极及第二外层画素电极，且该第二内层画素电极，第二中层画素电极及第二外层画素电极的电极线宽分别为该第一子画素电极、第二子画素电极线宽的80％～120％；所述该第三画素电极分割成三个补偿区为第三内层画素电极，第三中层画素电极及第三外层画素电极，且该第三内层画素电极，第三中层画素电极及第三外层画素电极的电极线宽分别为该第一子画素电极、第二子画素电极线宽的80％～120％。
本发明的另一目的为提供一种液晶显示面板，包括：第一基板；第二基板，与该第一基板相对设置；液晶层，设置于该第一基板与该第二基板之间；其特征在于：还包括所述的显示器阵列基板画素结构，设置于该第一基板与该第二基板之间。且更包括第一偏光片设置于该第一基板的一外表面上；以及第二偏光片设置于该第二基板的一外表面上，其中该第一偏光片与该第二偏光片的偏振方向为互相平行。
本发明的再一目的为提供一种显示装置，包括背光模块，其特征在于：还包括所述的液晶显示面板。
本发明解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
在本发明的一实施例中，所述该第一画素电极分割成三个补偿区为第一内层画素电极，第一中层画素电极及第一外层画素电极，且该第一内层画素电极，第一中层画素电极及第一外层画素电极的电极线宽分别为该第一子画素电极、第二子画素电极线宽的80％～120％。
在本发明的一实施例中，所述该第二画素电极分割成三个补偿区为第二内层画素电极，第二中层画素电极及第二外层画素电极，且该第二内层画素电极，第二中层画素电极及第二外层画素电极的电极线宽分别为该第一子画素电极、第二子画素电极线宽的80％～120％。
在本发明的一实施例中，所述该第三画素电极分割成三个补偿区为第三内层画素电极，第三中层画素电极及第三外层画素电极，且该第三内层画素电极，第三中层画素电极及第三外层画素电极的电极线宽分别为该第一子画素电极、第二子画素电极线宽的80％～120％。
在本发明的一实施例中，所述该第四画素电极分割成三个补偿区为第四内层画素电极，第四中层画素电极及第四外层画素电极，且该第四内层画素电极，第四中层画素电极及第四外层画素电极的电极线宽分别为该第一子画素电极、第二子画素电极线宽的80％～120％。
在本发明的一实施例中，所述该第二画素电极、第三画素电极及第四画素电极的电极线宽设计如同该第一画素电极。
在本发明的一实施例中，所述该第四子画素电极画素分割形式为矩形、圆形及菱形。
在本发明的一实施例中，更包括补偿区电极线宽形式为外缘矩形对称放射画素电极。
在本发明的一实施例中，更包括补偿区电极线宽形式为内嵌长条矩形对称放射画素电极。
在本发明的一实施例中，更包括补偿区电极线宽形式为外缘圆形对称放射画素电极及内嵌圆形对称放射画素电极。
本发明的有益效果是，使针对用于显示器阵列基板画素阵列显示屏的画素改善，因此对于工艺变异较不敏感。本设计针对用于显示器阵列基板画素阵列一种新型工艺中所延伸的问题，提供一种回馈修正补偿线宽的方式，提升改善第四子画素ITO slit(氧化铟锡狭缝)变异所造成的亮度差异。
附图说明
图1a是本发明一实施例的用于显示器阵列基板画素的白色画素段差示意图。
图1b是本发明一实施例的用于显示器阵列基板画素类型示意图。
图2是本发明一实施例的用于显示器阵列基板画素结构具有第四子画素电极及第一子画素电极、第二子画素电极、第三子画素电极示意图。
图3a是本发明一实施例的第四子画素电极矩形画素分割示意图。
图3b是本发明一实施例的第四子画素电极圆形画素分割示意图。
图3c是本发明一实施例的第四子画素电极菱形画素分割示意图。
图4是本发明一实施例的RGB画素的电极结构的补偿电极线宽示意图。
图4a是本发明一实施例的白色画素的电极结构的补偿电极线宽示意图。
图4b是本发明另一实施例的白色画素的电极结构的补偿电极线宽示意图。
图4c是本发明又一实施例的白色画素的电极结构的补偿电极线宽示意图。
图4d是本发明再一实施例的白色画素的电极结构的补偿电极线宽示意图。
图5a是本发明一实施例的用于显示器阵列基板画素结构的补偿区电极线宽示意图。
图5b是本发明另一实施例的用于显示器阵列基板画素结构的补偿区电极线宽示意图。
图5c是本发明又一实施例的用于显示器阵列基板画素结构的补偿区电极线宽示意图。
图5d是本发明再一实施例的用于显示器阵列基板画素结构的补偿区电极线宽示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
附图和说明被认为在本质上是示出性的，而不是限制性的。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。另外，为了理解和便于描述，附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本发明不限于此。
在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。将理解的是，当例如层、膜、区域或基底的组件被称作“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接在所述另一组件上，或者也可以存在中间组件。
另外，在说明书中，除非明确地描述为相反的，否则词语“包括”将被理解为意指包括所述组件，但是不排除任何其它组件。此外，在说明书中，“在......上”意指位于目标组件上方或者下方，而不意指必须位于基于重力方向的顶部上。
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的一种用于显示器阵列基板画素结构设计方式其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
本发明的液晶显示设备可包括背光模块及液晶显示面板。液晶显示面板可包括薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)基板、彩色滤光片(color filter，CF)基板与形成于两基板之间的液晶层。
在一实施例中，本发明的液晶显示面板可为曲面型显示面板，且本发明的液晶显示设备亦可为曲面型显示裝置。
在一实施例中，本发明的薄膜晶体管及彩色滤光片可形成于同一基板上。
垂直配向型(Vertical Alignment，VA)模式的液晶显示设备，例如图形垂直配向型(Patterned Vertical Alignment，PVA)液晶显示器或多区域垂直配向型(Multi-domainVertical Alignment，MVA)液晶显示设备，其中图形垂直配向型利用边缘场效应与补偿板达到广视角的效果。多区域垂直配向型将一个画素分成多个区域，并使用突起物(Protrusion)或特定图案结构，使位于不同区域的液晶分子朝向不同方向倾倒，以达到广视角且提升穿透率的目的。
图1a为本发明一实施例的用于显示器阵列基板画素的白色画素段差示意图。请参照图1a，在理想工艺情况102与实际工艺情况103中的不同差异，在于白色子画素的严重段差(由于平坦层130的宽度落差Dh)而导致曝光显影蚀刻工艺对ITO slit(氧化铟锡狭缝)110，有著因为线宽(变成非均匀狭缝线宽120)控制上更难掌握，因此容易造成穿透率不稳定的问题。
请参照图1b，其为本发明一实施例的用于显示器阵列基板画素类型示意图。该用于显示器阵列基板画素类型可包括条状1的用于显示器阵列基板画素及矩形2的用于显示器阵列基板画素格式类型。
图2为本发明一实施例的用于显示器阵列基板画素结构具有第四子画素电极300及第一子画素电极210、第二子画素电极210、第三子画素电极210示意图及图3a为本发明一实施例的第四子画素电极300矩形301画素分割示意图。请参照图2及图3a，本发明是一种用于显示器阵列基板画素结构，包括多个阵列排列的画素单元，每个所述画素单元可包括第一子画素(例如红色子画素)、第二子画素(例如绿色子画素)、第三子画素(例如蓝色子画素)和第四子画素(例如白色子画素)，其特征在于，每个所述画素单元均更包括：一第四子画素电极300，所述第四子画素电极300包括第一画素电极310，第二画素电极320，第三画素电极330及第四画素电极340，分别位于所述第四子画素的四个区域，且该第一画素电极310，第二画素电极320，第三画素电极330及第四画素电极340分别分割成至少二个补偿区，用以回馈修正至少二个补偿区的电极线宽，以改善所述第四子画素电极300的狭缝变异所造成的亮度差异；以及一第一子画素电极210及一第二子画素电极210，分别位于所述第一子画素及第二子画素。
图3b是本发明一实施例的用于显示器阵列基板画素结构的第四子画素电极300圆形302画素分割示意图、图3c是本发明一实施例的用于显示器阵列基板画素结构的第四子画素电极300菱形303画素分割示意图、图4是本发明一实施例的RGB画素的电极结构的补偿电极线宽示意图、图4a是本发明一实施例的第四画素的电极结构的补偿电极线宽示意图、图4b是本发明另一实施例的第四画素的电极结构的补偿电极线宽示意图、图4c是本发明又一实施例的第四画素的电极结构的补偿电极线宽示意图及图4d是本发明再一实施例的第四画素的电极结构的补偿电极线宽示意图。请参照图3a、图3b、图3c、图4、图4a、图4b、图4c及图4d。在本发明的一实施例中，所述该第一画素电极310分割成三个补偿区为第一内层画素电极312，第一中层画素电极314及第一外层画素电极316，且该第一内层画素电极312，第一中层画素电极314及第一外层画素电极316的电极线宽可例如分别为该第一子画素电极210及第二子画素电极210线宽D的80％～120％如D11，D12，D13(D11＝D12＝D13＝0.8～1.2D)。
在本发明的一实施例中，所述该第二画素电极320分割成三个补偿区为第二内层画素电极322，第二中层画素电极324及第二外层画素电极326，且该第二内层画素电极322，第二中层画素电极324及第二外层画素电极326的电极线宽可例如分别为该第一子画素电极210及第二子画素电极210线宽D的80％～120％如D21，D22，D23(D21＝D22＝D23＝0.8～1.2D)。
在本发明的一实施例中，所述该第三画素电极330分割成三个补偿区为第三内层画素电极332，第三中层画素电极334及第三外层画素电极336，且该第三内层画素电极332，第三中层画素电极334及第三外层画素电极336的电极线宽可例如分别为该第一子画素电极210、第二子画素电极210线宽D的80％～120％如D31，D32，D33(D31＝D32＝D33＝0.8～1.2D)。
在本发明的一实施例中，所述该第四画素电极340分割成三个补偿区为第四内层画素电极342，第四中层画素电极344及第四外层画素电极346，且该第四内层画素电极342，第四中层画素电极344及第四外层画素电极346的电极线宽可例如分别为该第一子画素电极210及第二子画素电极210线宽D的80％～120％如D41，D42，D43(D41＝D42＝D43＝0.8～1.2D)。
该第二画素电极320、第三画素电极330及第四画素电极340的电极线宽设计可如同该第一画素电极310。
该第四子画素电极300画素分割形式可例为矩形301、圆形302、菱形303或其他图形。
图5a是本发明一实施例的用于显示器阵列基板画素结构的补偿区电极线宽示意图、图5b是本发明另一实施例的用于显示器阵列基板画素结构的补偿区电极线宽示意图、图5c是本发明又一实施例的用于显示器阵列基板画素结构的补偿区电极线宽示意图及图5d是本发明再一实施例的用于显示器阵列基板画素结构的补偿区电极线宽示意图。请参阅图5a、图5b、图5c及图5d，在本发明的一些实施例中，该用于显示器阵列基板画素结构，更可包括四种补偿区电极线宽形式为外缘矩形对称放射画素电极510，内嵌长条矩形对称放射画素电极520，外缘圆形对称放射画素电极530及内嵌圆形对称放射画素电极540。但是不限于此，在其他实施例中，本发明的显示器阵列基板画素结构可包括其他图形的对称放射画素电极。
在本发明一实施例中，本发明的液晶显示面板，包括：第一基板；第二基板，与该第一基板相对设置；液晶层，设置于该第一基板与该第二基板之间；还包括多个阵列排列的画素单元(如图2及图3a)，每个该画素单元均包括该第一子画素、该第二子画素和该第四子画素，每个所述画素单元均包括：一第四子画素电极，该第四子画素电极包括第一画素电极，第二画素电极，第三画素电极及第四画素电极，分别位于该第四子画素的四个区域，且该第一画素电极，第二画素电极，第三画素电极及第四画素电极分别分割成至少二个补偿区，用以回馈修正至少二个补偿区的电极线宽，以改善该第四子画素电极的狭缝变异所造成的亮度差异；及一第一子画素电极及一第二子画素电极，分别位于该第一子画素及第二子画素，且每个该画素单元，设置于该第一基板与该第二基板之间。且还包括第一偏光片设置于该第一基板之一外表面上，及第二偏光片设置于该第二基板之一外表面上，其中该第一偏光片与该第二偏光片之偏振方向系互相平行。
在本发明一实施例中，本发明的显示装置，包括背光模块，还包括一种液晶显示面板，包括：第一基板；第二基板，与该第一基板相对设置；液晶层，设置于该第一基板与该第二基板之间；还包括多个阵列排列的画素单元(如图2及图3a)，每个该画素单元均包括该第一子画素、该第二子画素和该第四子画素，每个所述画素单元均包括：一第四子画素电极，该第四子画素电极包括第一画素电极，第二画素电极，第三画素电极及第四画素电极，分别位于该第四子画素的四个区域，且该第一画素电极，第二画素电极，第三画素电极及第四画素电极分别分割成至少二个补偿区，用以回馈修正至少二个补偿区的电极线宽，以改善该第四子画素电极的狭缝变异所造成的亮度差异；及一第一子画素电极及一第二子画素电极，分别位于该第一子画素及第二子画素，且每个该画素单元，设置于该第一基板与该第二基板之间。且还包括第一偏光片设置于该第一基板的一外表面上，及第二偏光片设置于该第二基板的一外表面上，其中该第一偏光片与该第二偏光片的偏振方向为互相平行。
本发明的有益效果是，使针对用于显示器阵列基板画素阵列显示屏的画素改善，因此对于工艺变异较不敏感。本设计针对用于显示器阵列基板画素阵列一种新型工艺中所延伸的问题，提供一种回馈修正补偿线宽方式，提升改善第四子画素ITO slit(氧化铟锡狭缝)变异所造成的亮度差异，因此对于大段差导致曝光工艺造成的电极线宽差异，借着控制电极线宽的调整因而能做作预先性的补偿，可有效减缓画素透光的不均匀，更甚者可以降低电极断线的风险。
“在一些实施例中”及“在各种实施例中”等用语被重复地使用。该用语通常不是指相同的实施例；但它亦可以是指相同的实施例。“包含”、“具有”及“包括”等用词是同义词，除非其前后文意显示出其它意思。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (8)

1.一种显示器阵列基板画素结构，包括多个阵列排列的画素单元，每个所述画素单元均包括第一子画素、第二子画素和第四子画素，其特征在于，每个所述画素单元均更包括：
一第四子画素电极，所述第四子画素电极包括第一画素电极，第二画素电极，第三画素电极及第四画素电极，分别位于所述第四子画素的四个区域，且该第一画素电极，第二画素电极，第三画素电极及第四画素电极分别分割成至少二个补偿区，用以回馈修正至少二个补偿区的电极线宽，以改善所述第四子画素电极的狭缝变异所造成的亮度差异；以及
一第一子画素电极及一第二子画素电极，分别位于所述第一子画素及第二子画素；其中所述该第一画素电极分割成三个补偿区为第一内层画素电极，第一中层画素电极及第一外层画素电极，且该第一内层画素电极，第一中层画素电极及第一外层画素电极的电极线宽分别为该第一子画素电极、第二子画素电极线宽的80％～120％；所述该第二画素电极分割成三个补偿区为第二内层画素电极，第二中层画素电极及第二外层画素电极，且该第二内层画素电极，第二中层画素电极及第二外层画素电极的电极线宽分别为该第一子画素电极、第二子画素电极线宽的80％～120％；所述该第三画素电极分割成三个补偿区为第三内层画素电极，第三中层画素电极及第三外层画素电极，且该第三内层画素电极，第三中层画素电极及第三外层画素电极的电极线宽分别为该第一子画素电极、第二子画素电极线宽的80％～120％。
2.如权利要求1所述的显示器阵列基板画素结构，其特征在于，所述该第四画素电极分割成三个补偿区为第四内层画素电极，第四中层画素电极及第四外层画素电极，且该第四内层画素电极，第四中层画素电极及第四外层画素电极的电极线宽分别为该第一子画素电极、第二子画素电极线宽的80％～120％。
3.如权利要求1所述的显示器阵列基板画素结构，其特征在于，所述该第二画素电极、第三画素电极及第四画素电极的电极线宽设计如同该第一画素电极。
4.如权利要求1所述的显示器阵列基板画素结构，其特征在于，所述该第四子画素电极画素分割形式为矩形、圆形及菱形。
5.如权利要求1所述的显示器阵列基板画素结构，其特征在于，更包括补偿区电极线宽形式为外缘矩形对称放射画素电极或内嵌长条矩形对称放射画素电极或外缘圆形对称放射画素电极或内嵌圆形对称放射画素电极。
6.一种液晶显示面板，包括：
第一基板；
第二基板，与该第一基板相对设置；
液晶层，设置在该第一基板与该第二基板之间；
其特征在于：还包括权利要求1至5中任一所述的显示器阵列基板画素结构，设置在该第一基板与该第二基板之间。
7.如权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，更包括：
第一偏光片设置于该第一基板的一外表面上；以及第二偏光片设置于该第二基板的一外表面上，其中该第一偏光片与该第二偏光片的偏振方向为互相平行。
8.一种显示装置，包括背光模块，其特征在于：还包括权利要求6至7中任一所述的液晶显示面板。
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