CN106486601A - 多层封装薄膜 - Google Patents

多层封装薄膜 Download PDF

Info

Publication number
CN106486601A
CN106486601A CN201610807905.9A CN201610807905A CN106486601A CN 106486601 A CN106486601 A CN 106486601A CN 201610807905 A CN201610807905 A CN 201610807905A CN 106486601 A CN106486601 A CN 106486601A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thin film
multilayer encapsulation
film
inorganic thin
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610807905.9A
Other languages
English (en)
Inventor
赵成珉
郑昊均
蔡熙烨
徐祥准
徐昇旴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Sungkyunkwan University Research and Business Foundation
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020140015730A external-priority patent/KR101465212B1/ko
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN106486601A publication Critical patent/CN106486601A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519—Inert gas curtains
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/40—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition
    • C23C28/42—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition characterized by the composition of the alternating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/269—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension including synthetic resin or polymer layer or component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31935—Ester, halide or nitrile of addition polymer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明提供一种多层封装薄膜和用于制备多层封装薄膜的方法和装置。所述多层封装薄膜包含含有金属氧化物的无机薄膜和含有聚合物的在所述有机薄膜上形成的有机薄膜，其中，所述无机薄膜和所述有机薄膜以多层结构形式交替堆叠。

Description

多层封装薄膜
本申请是申请号为201410168188.0，申请日为2014年4月24日，申请人为成均馆大学校产学协力团，发明创造名称为“多层封装薄膜”的发明专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
根据35USC 119(a)，本申请要求在韩国知识产权局于2014年2月11日提交的韩国专利申请第10-2014-0015730号以及于2013年4月30日提交的韩国专利申请第10-2013-0047933号的权益，上述专利申请的公开内容通过引用并入本文以实现本发明的所有目的。
技术领域
以下描述涉及多层封装薄膜以及制备所述多层封装薄膜的方法和装置。
背景技术
诸如有机发光二极管(OLED)、有机光伏电池(OPV电池)等等有机设备含有有机材料和金属电极，所述金属电极容易被氧化并且具有低逸出功以利于通过有机材料进行电荷转移。因此，所述有机设备非常容易受到诸如水蒸气或氧之类的氧化性物质的侵害。所以，如果将其暴露于氧或蒸汽，可发生功率降低或性能提早退化。为了防止退化，需要使用能够完全隔离有机设备与水蒸气或氧的封装方法。
目前，大多数有机设备在玻璃基底上制备，对于这些设备的完全封装而言，可使用通过玻璃或金属覆盖有机设备的上部单元的封装方法。这里，所述玻璃或金属罐使用玻璃熔块或UV-固化聚合物结合，从而可使有机设备与外部水蒸气或氧完全分开。封装之后，为了除去可能留在有机设备上部单元上的水蒸气和氧，可在玻璃或金属罐中使用干燥剂。
由于有机材料的属性使得有机设备具有柔韧性，已经尝试充分利用该性质。因此，需要使用由塑料、金属箔或柔韧玻璃制作的基底制造有机设备，并且封装材料也需要具有柔韧性。具体而言，在使用塑料制的基底的柔韧有机设备的情况下，加工温度受到限制。因此，封装方法需要通过低温工艺进行。由此研发了封装薄膜法。封装薄膜法为通过直接在有机设备上沉积无机薄膜或有机薄膜来隔离有机设备与水蒸气或氧的方法，其不需要用于封边的密封剂或吸收剂/干燥剂，因此，可通过该方法制造薄的设备。
近年来，已经尝试过通过堆叠多层无机材料和有机材料的方式使用多层有机-无机混合薄膜。已经使用诸如氧化铝之类的金属氧化物作为用于这种多层有机-无机薄膜的无机材料。此外，已经使用通过喷涂丙烯酸单体然后进行UV固化而聚合的丙烯酸聚合物作为有机材料。韩国专利第10-2011-0049477号涉及用于封装的多层薄膜及其制备方法，并且描述了包括按顺序堆叠的由氧化铝制造的保护层、由氮化硅制造的单或双封闭层，以及由二氧化硅生成的机械保护层的多层封装膜。然而，在这种多层封装膜中，在形成保护层和封闭层时，分别通过原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)形成薄膜，然后，通过喷雾法排出溶胶凝胶状态下的氧化硅溶液以形成机械保护层。由于薄膜沉积在分离的装置中进行，因此需要连续转移并且沉积薄膜需要花费大量时间。因此，这种方法由于整体加工时间增加而受到限制。
为了避免复杂，在形成多层封装薄膜时，需要研发一种简化方法并且需要降低整体加工时间。
发明内容
该发明内容简要介绍构思的选择，并在下文进一步详细描述。该发明内容并不意于确定所要求保护的主题的关键特征或基本特征，也不意于帮助确定所请求保护的主题的范围。
在总体方面，本发明提供了多层封装薄膜，所述多层封装薄膜包含：含有金属氧化物的无机薄膜；以及包含聚合物的在所述无机薄膜上形成的有机薄膜，其中，所述无机薄膜和所述有机薄膜以多层结构形式交替堆叠。
在另一总体方面，本发明提供了多层封装薄膜，其中，所述金属氧化物包含选自下述群组中的成员：氧化铝、氧化锆、氧化锌、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅以及它们的组合。
在另一总体方面，本发明提供了多层封装薄膜，其中，所述聚合物包含选自下述群组中的成员：等离子体聚合物、丙烯酸聚合物以及它们的组合。
在另一总体方面，本发明提供了多层封装薄膜，其中，所述等离子体聚合物包含选自下述群组中的成员：六甲基二硅氧烷、呋喃、己烷以及它们的组合。
在另一总体方面，本发明提供了多层封装薄膜，其中，所述丙烯酸聚合物包含选自下述群组中的成员：丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、聚烷基丙烯酸酯、聚丙烯酰胺、乙烯-丙烯酸共聚物以及它们的组合。
在另一总体方面，本发明提供了多层封装薄膜，其中，单层所述无机薄膜的厚度为0.1nm至20nm。
在另一总体方面，本发明提供了多层封装薄膜，其中，单层所述有机薄膜的厚度为20nm至2μm。
在另一总体方面，本发明提供了多层封装薄膜，其中，所述多层结构包括2至200对所述无机薄膜和所述有机薄膜。
在又一总体方面，本发明提供了一种制备多层封装薄膜的方法，所述方法包括：在基底上形成含有金属氧化物的无机薄膜；以及在所述无机薄膜上形成含有聚合物的有机薄膜，其中，在所述基底上形成所述无机薄膜和在所述无机薄膜上形成含有聚合物的有机薄膜交替进行，从而使所述无机薄膜和所述有机薄膜交替堆叠。
在另一总体方面，本发明提供了一种制备多层封装薄膜的方法，其中，所述无机薄膜的形成通过原子层沉积实施。
在另一总体方面，本发明提供了一种制备多层封装薄膜的方法，其中，所述有机薄膜的形成通过化学气相沉积或原子层沉积实施。
在另一总体方面，本发明提供了一种制备多层封装薄膜的方法，其中，所述有机薄膜的形成通过在所述无机薄膜上涂覆丙烯酸单体然后对该涂层进行UV-固化实施。
在另一总体方面，本发明提供了一种制备多层封装薄膜的方法，其中，所述无机薄膜的形成和/或所述有机薄膜的形成在约20℃至约120℃的温度下实施。
在另一总体方面，本发明提供了一种制备多层封装薄膜的方法，其中，所述原子层沉积包括在移动的基底上以空间方式排列所述无机薄膜的原材料。
在又一总体方面，本发明提供了一种制造多层封装薄膜的装置，所述装置包括：基底装载单元，基底装载在该基底装载单元上；在所述基底上沉积无机薄膜的无机薄膜沉积单元；在所述无机薄膜上沉积有机薄膜的有机薄膜沉积单元，其中，所述无机薄膜沉积单元和所述有机薄膜沉积单元按顺序彼此连接，所述基底装载单元交替移至所述无机薄膜沉积单元和所述有机薄膜沉积单元，从而使所述无机薄膜和所述有机薄膜交替沉积在所述基底上。
在另一总体方面，本发明提供了一种制造多层封装薄膜的装置，其中，所述有机薄膜沉积单元还包括UV固化单元。
在另一总体方面，本发明提供了一种制造多层封装薄膜的装置，其中，通过一个以上连接件将多个无机薄膜沉积单元按顺序连接至所述有机薄膜沉积单元。
在另一总体方面，本发明提供了一种制造多层封装薄膜的装置，其中，所述多个无机薄膜沉积单元和所述有机薄膜沉积单元交替排列。
在另一总体方面，本发明提供了一种制造多层封装薄膜的装置，其中，所述有机薄膜沉积单元排列在按顺序连接的单元的末端。
通过以下详细描述、附图和权利要求，其它特征和方面将会显而易见。
附图说明
在以下详细描述中，实施方式仅仅以举例说明的方式进行描述，因为通过以下详细描述，各种改变和修改对于本领域技术人员而言将会是显而易见的。不同附图中同一附图标记的使用表明相似或相同的内容。
图1A为举例说明无机薄膜的图。
图1B至图1F为举例说明包括交替堆叠的无机薄膜和有机薄膜的极度柔韧的多层封装薄膜的图形。
图2为举例说明根据本发明的空间原子层沉积(ALD)的示意图。
图3为举例说明根据本发明的用于使有机薄膜和5nm无机薄膜生长的设备的示意图。
图4为举例说明根据本发明的用于使等离子体聚合物薄膜和0.11nm的氧化铝薄膜生长的设备的示意图。
图5为举例说明根据本发明的用于制备多层封装薄膜的装置的示意图。
图6为举例说明根据本发明的用于制备多层封装薄膜的装置的示意图。
图7为举例说明根据本发明的用于制备垂向沉积的膜的多层封装薄膜的装置的示意图。
图8为根据本发明的所形成的含20对(dyad)无机薄膜和有机薄膜的多层封装薄膜实例的横截面的电子显微照片。
图9为显示在根据本发明形成多层封装薄膜之前与之后的有机发光二极管实例的性能变化的图形。
图10为柔韧的有机发光二极管的实例的照片，其中，多层封装薄膜根据本发明形成。
图11为显示在根据本发明的多层封装薄膜的实例中，随着包含无机薄膜的对数的改变而变化的水蒸气穿透率(WVTR)的图形。
图12为根据本发明的无机薄膜和8对多层封装薄膜在弯曲性能方面的比较图。
图13为根据本发明的无机薄膜和多层封装薄膜在弯曲性能方面的比较图。
图14显示根据本发明的8对多层封装薄膜和200对多层封装薄膜在中间平面处的弯曲性能的改善。
在附图和详细描述中，除非另有说明，否则相同的附图标记应当理解为是指相同的元素、特征和结构。附图可不是等比例的，出于清楚、举例说明和方便的目的，可以放大附图中元素的相关尺寸、比例和描述。
具体实施方式
以下详细描述有助于全面理解本文所述的方法、装置和/或***。然而，本文所述的体系、装置和/或方法的各种改变、修改和等同物对本领域技术人员而言会是显而易见的。所描述的加工步骤和/或操作的进程是举例说明，然而，本领域公知这些顺序和/或操作不限于本文所述的那些顺序和/或操作，并且可以改变，但必须以一定的秩序发生的步骤和/或操作除外。此外，出于清楚和简洁考虑，可以省略对本领域普通技术人员公知的功能和结构的描述。
本文描述的特征可以不同形式实现，而不限于本文所述的实施例。此外，本文描述的实施例可使本发明更加深入和全面，并可对本领域普通技术人员描述本发明的所有范围。
在下文中，本发明的实施方式将会结合附图进行详细说明，从而使本领域技术人员可以容易实施本发明。然而，应当注意，本发明不限于具体实施方式，而是可以多种不同的其它方式实施。出于简要说明的目的，在附图中，可忽略与说明书无关的部分，在整个文件中，类似的附图标记表示类似部分。
在本发明的整个文件中，用于定义一个元件与另一元件的连接的术语“连接于”或“耦合于”包括两种情况：一元件“直接连接或耦合于”另一元件；以及一元件通过又一元件“以电连接或耦合于”另一元件。
在本发明的整个文件中，用于定义一个元件相对于另一元件的位置的术语“在……上(on)”包括两种情况：一个元件与另一元件相邻；以及任何其它元件存在于这两个元件之间。
在本发明的整个文件中，文件中使用的术语“包括或包含”和/或“含有或包含有”是指除非另有说明，否则除了所描述的成分、步骤、操作和/或元件外，并不排除一个或一个以上其它成分、步骤、操作和/或元件的存在或添加。在本发明的整个文件中，术语“大约或约”或“基本上”意指在可允许的误差条件下接近指定的数值或范围，并意于避免由任何不合理的第三方非法或不公平地使用用于理解本发明所公开的精确数值或绝对数值。在本发明的所有文件中，术语“……的步骤(step of)”不是指“用于……的步骤(step for)”。
在本发明的整个文件中，包括在马库什形式的描述中的术语“……的组合”是指一个或一个以上选自马库什形式中所描述的成分、步骤、操作和/或元件组成的组中的成分、步骤、操作和/或元件的混合或组合，由此，该术语指公开内容包括一个或一个以上选自马库什形式的组中的成分、步骤、操作和/或元件。
在本发明的整个文件中，“A和/或B”形式的短语是指“A,B或者A和B”。
在本发明的整个文件中，术语“等离子体聚合物”是指通过将单分子有机材料转换为等离子体中的高反应性自由基并在基底表面进行自由基聚合反应形成的聚合物。
下文中，将结合附图对本发明的说明性描述和实施例进行详细说明。然而，本发明不限于这些说明性描述、实施例和附图。
鉴于背景技术说明的内容，本发明提供一种极度柔韧的封装薄膜以及制备这种极度柔韧的多层封装薄膜的方法和装置。
然而，有待通过本发明克服的局限性并不限于上述局限性。尽管本文没有描述，但是本领域技术人员从以下描述中可清楚地理解有待通过本发明克服的其它局限性。
在根据本发明的多层封装薄膜中，将无机材料分成多层，从而可降低每一无机薄膜的厚度。因此，可降低无机材料的易碎性并且可改善整个薄膜的柔韧性。此外，在无机薄膜之间***的有机薄膜可比无机薄膜更有弹性，因此可发挥改善整个薄膜的弯曲属性的作用。
此外，即使水蒸气或氧透过存在于一些无机薄膜中的裂缝，但可延长使水蒸气或氧得以通过的路径。因此，可大大加强抑制水蒸气透过的效果。
根据本发明的用于制备所述极度柔韧的多层封装薄膜的装置在同一装置中沉积无机材料和有机材料，并因此在制备极度柔韧的多层封装薄膜时，可减少加工时间。
上述发明内容仅仅是举例说明，并不意于以任何方式限制本发明。除了上述举例说明的方面、实施方式和特征，通过参考附图和以下详细说明，其它方面、实施方式和特征会变得显而易见。
在本发明的一个总体方面，极度柔韧的多层封装薄膜包含含有金属氧化物的在基底上形成的无机薄膜，以及含有聚合物的在所述无机薄膜上形成的有机薄膜。所述无机薄膜和所述有机薄膜以多层结构形式彼此交替堆叠。
如图1所示，根据本发明的多层封装薄膜可通过按顺序堆叠无机薄膜100(例如，A2O3)和有机薄膜200(例如，等离子体聚合物[P.P])形成，但可以不限于此。例如，所述多层封装薄膜的对数可为，但不限于，约2对至约200对。例如，所述多层封装薄膜的对数可为，但不限于，约2对至约200对，约4对至约200对，约8对至约200对，约10对至约200对，约20对至约200对，约50对至约200对，约70对至约200对，约100对至约200对，约130对至约200对，约150对至约200对，约180对至约200对，约2对至约180对，约4对至约180对，约8对至约180对，约10对至约180对，约20对至约180对，约50对至约180对，约70对至约180对，约100对至约180对，约130对至约180对，约150对至约180对，约2对至约150对，约4对至约150对，约8对至约150对，约10对至约150对，约20对至约150对，约50对至约150对，约70对至约150对，约100对至约150对，约130对至约150对，约2对至约130对，约4对至约130对，约8对至约130对，约10对至约130对，约20对至约130对，约50对至约130对，约70对至约130对，约100对至约130对，约2对至约100对，约4对至约100对，约8对至约100对，约10对至约100对，约20对至约100对，约50对至约100对，约70对至约100对，约2对至约70对，约4对至约70对，约8对至约70对，约10对至约70对，约20对至约70对，约50对至约70对，约2对至约50对，约4对至约50对，约8对至约50对，约10对至约50对，约20对至约50对，约2对至约20对，约4对至约20对，约8对至约20对，约10对至约20对，约2对至约10对，约4对至约10对，约8对至约10对，约2对至约8对，约4对至约8对，或约2对至约4对。随着多层封装薄膜的对数的增加，每一无机薄膜100的厚度变小，并且使水蒸气得以透过无机薄膜100的裂缝的路径(例如，通过图1A至1C中的指示箭头说明的)延长，因此可改善抑制水蒸气透过的属性。此外，柔韧性可因有机薄膜200的弹性而被改善。
根据本发明的说明性描述，所述金属氧化物可包括，但不限于氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化锌、氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氮氧化硅(Si2N2O)、碳氧化硅(SiOC)以及它们的组合。
根据本发明的说明性描述，单层无机薄膜的厚度可为，但不限于，约0.1nm至约20nm。例如，所述无机薄膜的厚度可为，但不限于，约0.1nm至约20nm,约1nm至约20nm,约2.5nm至约20nm,约5nm至约20nm,约10nm至约20nm,约0.1nm至约10nm,约1nm至约10nm,约2.5nm至约10nm,约5nm至约10nm,约0.1nm至约5nm,约1nm至约5nm,约2.5nm至约5nm,约0.1nm至约2.5nm,约1nm至约2.5nm,或者约0.1nm至约1nm。
根据本发明的说明性描述，封装薄膜中所有无机薄膜层的集合体的总厚度为，但不限于，约0.1nm至约20nm。例如，所述无机薄膜的组合厚度可为，但不限于，约0.1nm至约20nm,约1nm至约20nm,约2.5nm至约20nm,约5nm至约20nm,约10nm至约20nm,约0.1nm至约10nm,约1nm至约10nm,约2.5nm至约10nm,约5nm至约10nm,约0.1nm至约5nm,约1nm至约5nm,约2.5nm至约5nm,约0.1nm至约2.5nm,约1nm至约2.5nm,或约0.1nm至约1nm。
根据本发明的说明性描述，所述聚合物可包括，但不限于，等离子体聚合物、丙烯酸聚合物以及它们的组合。例如，所述等离子体聚合物可包括，但不限于，六甲基二硅氧烷(下文中，在一些情况下称为“HMDSO”)、1,4-环氧-1,3-丁二烯(下文中，在一些情况下称为“呋喃”)、己烷以及它们的组合。例如，所述丙烯酸聚合物可包括，但不限于，丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、聚烷基丙烯酸酯、聚丙烯酰胺、乙烯-丙烯酸共聚物以及它们的组合。
根据本发明的说明性描述，单层有机薄膜200的厚度可为，但不限于，约20nm至约2μm。例如，所述有机薄膜的厚度可为，但不限于，约20nm至约2μm,约50nm至约2μm,约100nm至约2μm,约300nm至约2μm,约500nm至约2μm,约700nm至约2μm,约900nm至约2μm,约1μm至约2μm,约20nm至约1μm,约50nm至约1μm,约100nm至约1μm,约300nm至约1μm,约500nm至约1μm,约700nm至约1μm,约900nm至约1μm,约20nm至约900nm,约50nm至约900nm,约100nm至约900nm,约300nm至约900nm,约500nm至约900nm,约700nm至约900nm,约20nm至约700nm,约50nm至约700nm,约100nm至约700nm,约300nm至约700nm,约500nm至约700nm,约20nm至约500nm,约50nm至约500nm,约100nm至约500nm,约300nm至约500nm,约20nm至约300nm,约50nm至约300nm,约100nm至约300nm,约20nm至约100nm,约50nm至约100nm,或约20nm至约50nm。
如果根据本发明的多层封装薄膜设置于其中张力和压缩力可彼此抵消的中间平面，由弯曲引起的裂缝出现的可能性可降低，但是本发明可以不限于此。例如，如果将相同材料用于多层薄膜的上部部件和下部部件，则该多层封装薄膜可设置于中间平面，但不限于此。理论上，如果上部部件和下部部件完全对称，则张力和/或压缩力不施加于中间平面。因此，也可抑制裂缝的出现。然而，在实践过程中，不能实现完全对称。因此，可产生一定程度的张力和/或压缩力，但是本发明可以不限于此。
在本发明的另一总体方面，极度柔韧的多层封装薄膜的制备方法包括在基底上形成含有金属氧化物的无机薄膜；以及在所述无机薄膜上形成含有聚合物的有机薄膜。在所述基底上形成所述无机薄膜和在所述无机薄膜上形成含有聚合物的有机薄膜交替进行，从而使所述无机薄膜和所述有机薄膜彼此交替堆叠。关于前述的本发明的总体方面的所有描述可适用于根据该总体方面的极度柔韧的多层封装薄膜。
根据本发明的说明性描述，所述无机薄膜的形成可通过原子层沉积(ALD)实施。如果通过原子层沉积形成所述无机薄膜，则可形成厚度较小的无机薄膜，所述厚度为，但不限于，约20nm或更少。例如，所述无机薄膜的厚度可为，但不限于，约20nm或更少，约18nm或更少，约16nm或更少，约14nm或更少，约12nm或更少，约10nm或更少，约8nm或更少，约6nm或更少，约4nm或更少，约2nm或更少，约1nm或更少，或约0.5nm或更少。
根据本发明，所述有机薄膜的形成可通过化学气相沉积或原子层沉积实施。例如，如果所述有机薄膜含有等离子体聚合物，则所述有机薄膜可通过将有机单体转换为等离子体中的自由基并进行自由基聚合反应形成，但本发明可不限于此。用于形成等离子体聚合物的单体没有特别限定。任何有机单体均可用于沉积所述等离子体聚合物，但本发明可不限于此。例如，所述单体可包括，但不限于，HMDSO(六甲基二硅氧烷)、呋喃(1,4-环氧-1,3-丁二烯)、己烷以及它们的组合。例如，如果所述有机薄膜包含丙烯酸聚合物，则所述有机薄膜可通过涂覆单体然后进行UV固化形成，但是本发明可不限于此。例如，所述丙烯酸聚合物可包括，但不限于，丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、聚烷基丙烯酸酯、聚丙烯酰胺、乙烯-丙烯酸共聚物以及它们的组合。基于单体的涂层厚度和/或UV射线的强度，根据本发明的单层有机薄膜的厚度可为，但不限于，约20nm至约2μm。
根据本发明的所述无机薄膜和/或所述有机薄膜的沉积可在，但不限于在，室温(约20℃)至约120℃之间的温度下实施。例如，所述无机薄膜和/或所述有机薄膜的沉积可在，但不限于在，以下温度下实施：室温至约120℃，约30℃至约120℃,约45℃至约120℃,约60℃至约120℃,约75℃至约120℃,约90℃至约120℃,约105℃至约120℃,室温至约105℃,约30℃至约105℃,约45℃至约105℃,约60℃至约105℃,约75℃至约105℃,约90℃至约105℃,室温至约90℃,约30℃至约90℃,约45℃至约90℃,约60℃至约90℃,约75℃至约90℃,室温至约75℃,约30℃至约75℃,约45℃至约75℃,约60℃至约75℃,室温至约60℃,约30℃至约60℃,约45℃至约60℃,室温至约45℃,约30℃至约45℃,或者室温至约30℃。
在本发明的又一总体方面，用于制造极度柔韧的多层封装薄膜的装置包含：基底装载单元，基底装载在该基底装载单元上；在所述基底上沉积无机薄膜的无机薄膜沉积单元；以及在所述无机薄膜上沉积有机薄膜的有机薄膜沉积单元。所述无机薄膜沉积单元和所述有机薄膜沉积单元按顺序彼此连接，所述基底装载单元交替移至所述无机薄膜沉积单元和所述有机薄膜沉积单元，从而使所述无机薄膜和所述有机薄膜在所述基底上彼此交替沉积。
通过ALD将根据本发明的无机薄膜沉积在基底上。为了高速沉积所述无机薄膜，可采用空间原子层沉积(空间ALD)代替一般使用的时间原子层沉积(时间ALD)。如图2所示，空间ALD是指在移动基底上，在空间上排列用于原子层的原料模块。与时间ALD(其中，重复注入和排出原料持续较短时间)相比，空间ALD的加工时间可大大缩短。例如，如果使用空间原子层沉积设备制备包含厚度为约5nm的无机薄膜的多层封装薄膜，则可使用图3中示意性图示的设备。根据所述设备的设计，等离子体聚合物模块可使等离子体聚合物在单一模块中生长至理想厚度。
如图4所示，根据本发明的一个实施例，按顺序堆叠等离子体聚合物薄膜和厚度为约0.11nm的氧化铝薄膜(一个循环)所需的模块数目可显著减少，因此，可简化加工设备。即使使用这种简化的加工设备，也可短时间内制备具有高柔韧性且有利于有机发光二极管的水蒸气穿透率(WVTR)条件的多层封装薄膜。
如图5所示，根据本发明的有机薄膜沉积单元可包括，但不限于，排列在单体注射单元两侧的UV固化单元。
如图5所示，在根据本发明的用于制造多层封装薄膜的装置中，无机薄膜沉积单元和有机薄膜沉积单元可交替排列，或者如图6所示，有机薄膜沉积单元可首先设置或最后设置。可在同一装置中的独立空间中操作无机薄膜沉积单元和有机薄膜沉积单元，但本发明不限于此。
如果所形成的根据本发明的多层封装薄膜面积大，则所述多层封装薄膜可如图7所示垂直形成。
下文会对本发明的实施例详细说明。然而，本发明可不限于此。
实施例
为了制备多层封装薄膜，通过原子层沉积来沉积作为无机材料的氧化铝薄膜，并且通过使用等离子体的气相自由基聚合反应器沉积作为有机材料的聚合物薄膜。为了制备氧化铝薄膜的原子层沉积，将三甲基铝(TMA)用作铝原料并将水用作氧化剂。在约80℃下实施氧化铝薄膜的原子层沉积。在一个反应循环中，氧化铝薄膜可生长至约0.11nm厚。
为了使等离子体聚合物生长，将HMDSO(六甲基二硅氧烷)、呋喃(1,4-环氧-1,3-丁二烯)或己烷用作有机单体。使用氩(Ar)载运气体将原料供应至约50W的等离子体中，在基底表面对等离子体中所生成的原料的自由基进行自由基聚合，从而形成聚合物。所形成的等离子体聚合物是透明的，并且以约50nm/分钟的速度沉积。
图8提供所形成的多层封装薄膜的电子显微照片。图8的电子显微照片表明其中20对厚约1nm的氧化铝和厚约20nm的等离子体聚合物堆叠的结构。本发明证实即使在有机发光二极管上形成多层封装薄膜之后，所述有机发光二极管的性能也没有改变。如图9所示，在发光性、电流密度和电流效率方面，包含多层封装薄膜的有机发光二极管等同于或优于形成多层封装薄膜之前的有机发光二极管。图10为包含所述多层封装薄膜的高度柔韧的有机发光二极管。本发明证实包含多层封装薄膜的有机发光二极管具有高柔韧性。
多层封装薄膜的水蒸气穿透率主要取决于无机薄膜的属性。可从图11所示的水蒸气穿透率(下文称“WVTR”)看出多层封装薄膜抑制水蒸气透过的效果。可通过测量具有一定电导性的钙被穿透所述多层封装薄膜的水蒸气氧化并变成不具有电导性的氧化钙的时间得到WVTR
对薄膜的弯曲属性的评价
图12显示在对单一氧化铝薄膜和8对多层封装薄膜进行10,000个循环的弯曲测试之前和之后使用钙测试的试验结果，所述氧化铝薄膜厚约20nm，所述多层封装薄膜的弯曲半径为约3cm，约2cm，约1cm，以及约0.5cm。在弯曲测试之前(“准备”)，钙在所述单一氧化铝薄膜中和在所述8对多层封装薄膜中完全氧化分别需要约18小时和约25小时。随着时间增加，抑制水蒸气透过的属性得以改善。因此，随着时间增加，WVTR降低。在弯曲半径约3cm条件下的10,000个循环的弯曲测试中，单一氧化铝薄膜中钙完全还原需要约14小时。然而，在多层封装薄膜中，还原的钙的量相对很少。在用更小的弯曲半径进行弯曲测试时，单一氧化铝薄膜中的时间有显著缩短的倾向，但是多层封装薄膜的时间几乎没有改变。因此，本发明证实即使在以约1cm的弯曲半径进行弯曲测试10,000个循环，抑制水蒸气透过的属性也几乎不变。然而，在以约0.5cm的弯曲半径进行弯曲测试时，单一氧化铝薄膜和多层封装薄膜均完全失去抑制水蒸气透过的属性。如图13所示，在20对和200对多层封装薄膜中，即使以约0.5cm的弯曲半径进行弯曲测试10,000个循环，水蒸气透过的降低速率为约20％。因此，可以看出它们仍具有抑制水蒸气透过的属性。
图14显示8对多层封装薄膜和200对多层封装薄膜的中间平面处的弯曲属性。将相同的材料(聚萘二甲酸乙二酯[PEN])用于多层封装薄膜的上部部件和下部部件，由此可将多层封装薄膜设置在中间平面处。如图14所示，与不设置在中间平面处的所述多层封装薄膜相比，当将所述多层封装薄膜设置在中间平面处时，其弯曲属性得以改善。这可能是因为与不设置在中间平面处的所述多层封装薄膜相比，张力和/或压缩力不施加于设置在中间平面处的多层封装薄膜，因此，可抑制裂缝的出现。
尽管本发明包括具体实施例，但对于本领域普通技术人员来说显而易见的是可在不背离权利要求的实质和范围及其等同方案的条件下，可在这些实施例中进行各种形式和细节的改变。本文描述的实施例应当理解为仅仅是描述性的，并不意于限制本发明。各实施例中的特征和方面的描述应当理解为可适用于其它实施例的类似特征或方面。如果以不同顺序实施所描述的技术，和/或如果以不同方式组合和/或替代所描述的***、结构、设备或电路中的部件或者用其它部件或其等同物进行补充，则可实现适当结果。因此，本发明的范围不是由详细的说明书所限定的，而是通过权利要求及其等同方案限定，在权利要求及其等同物范围内的所有改变均被理解为包括在本发明中。

Claims (5)

1.一种制造多层封装薄膜的装置，所述装置包括：
基底装载单元，基底装载在所述基底装载单元上；
在所述基底上沉积无机薄膜的无机薄膜沉积单元；以及
在所述无机薄膜上沉积有机薄膜的有机薄膜沉积单元，
其中，所述无机薄膜沉积单元和所述有机薄膜沉积单元按顺序彼此连接，所述基底装载单元交替移至所述无机薄膜沉积单元和所述有机薄膜沉积单元，从而使所述无机薄膜和所述有机薄膜交替沉积在所述基底上。
2.如权利要求1所述的装置，其中，所述有机薄膜沉积单元还包含UV固化单元。
3.如权利要求1所述的装置，其中，通过一个以上连接件将多个无机薄膜沉积单元按顺序连接至所述有机薄膜沉积单元。
4.如权利要求3所述的装置，其中，所述多个无机薄膜沉积单元和所述有机薄膜沉积单元交替排列。
5.如权利要求3所述的装置，其中，所述有机薄膜沉积单元排列在按顺序连接的单元的末端。
CN201610807905.9A 2013-04-30 2014-04-24 多层封装薄膜 Pending CN106486601A (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0047933 2013-04-30
KR20130047933 2013-04-30
KR1020140015730A KR101465212B1 (ko) 2013-04-30 2014-02-11 초극유연성 봉지 박막
KR10-2014-0015730 2014-02-11
CN201410168188.0A CN104134756A (zh) 2013-04-30 2014-04-24 多层封装薄膜

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410168188.0A Division CN104134756A (zh) 2013-04-30 2014-04-24 多层封装薄膜

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106486601A true CN106486601A (zh) 2017-03-08

Family

ID=51789484

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410168188.0A Pending CN104134756A (zh) 2013-04-30 2014-04-24 多层封装薄膜
CN201610807905.9A Pending CN106486601A (zh) 2013-04-30 2014-04-24 多层封装薄膜

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410168188.0A Pending CN104134756A (zh) 2013-04-30 2014-04-24 多层封装薄膜

Country Status (2)

Country Link
US (3) US20140322527A1 (zh)
CN (2) CN104134756A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020098903A (ja) * 2018-10-11 2020-06-25 ザ・ボーイング・カンパニーＴｈｅ Ｂｏｅｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ 多機能性複合材パネル及び同複合材パネルのための方法
JP7515245B2 (ja) 2018-10-11 2024-07-12 ザ・ボーイング・カンパニー 多機能性複合材パネル及び同複合材パネルのための方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106460171B (zh) * 2014-06-13 2020-10-16 巴斯夫涂料有限公司 生产有机-无机层合物的方法
CN104201189B (zh) * 2014-08-22 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示装置及有机发光二极管的封装方法
WO2016172015A1 (en) 2015-04-20 2016-10-27 3M Innovative Properties Company Durable low emissivity window film constructions
CN104979492B (zh) 2015-05-28 2017-11-28 京东方科技集团股份有限公司 封装薄膜及其制作方法、发光器件、显示面板和显示装置
JP2017152256A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP7162047B2 (ja) * 2017-07-14 2022-10-27 インフィコン・ホールディング・アーゲー 構成要素の表面から保護層を制御下で除去するための方法
US10756156B2 (en) 2017-10-30 2020-08-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device having enhanced UV light blocking and method for fabricating the same
KR20190093131A (ko) 2018-01-30 2019-08-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102603870B1 (ko) * 2018-02-01 2023-11-21 삼성디스플레이 주식회사 봉지 구조, 상기 봉지 구조를 갖는 유기발광표시장치 및 이의 제조방법
CN108649138B (zh) * 2018-04-28 2020-09-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
KR102288163B1 (ko) * 2019-03-08 2021-08-11 (주)디엔에프 박막 내 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 실리콘 금속 산화물 봉지막 및 이의 제조방법
JP7410964B2 (ja) * 2019-03-08 2024-01-10 ディーエヌエフ カンパニー リミテッド 薄膜中に金属または金属酸化物を含むシリコン金属酸化物封止膜およびその製造方法
EP3771751A1 (en) * 2019-08-02 2021-02-03 AR Metallizing N.V. Multi-metal layer wvtr barrier products on water vapour and oxygen permeable bio-based substrates

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1543514A (zh) * 2001-08-20 2004-11-03 ��˹��ŵ�� 气体和蒸气低渗透性的涂层
CN101295768A (zh) * 2007-04-28 2008-10-29 清华大学 一种有机电致发光器件及其制备方法
US20090202743A1 (en) * 2003-05-15 2009-08-13 General Electric Company Multilayer coating package on flexible substrates for electro-optical devices
US20100117522A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic material, film comprising the same and electric device comprising the film
CN201616434U (zh) * 2009-10-29 2010-10-27 彩虹集团公司 一种有机发光器件的薄膜封装结构

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5260095A (en) * 1992-08-21 1993-11-09 Battelle Memorial Institute Vacuum deposition and curing of liquid monomers
JP3867393B2 (ja) * 1998-03-20 2007-01-10 株式会社デンソー マイクロヒータおよびその製造方法ならびにエアフローセンサ
US8808457B2 (en) * 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US20070020451A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings
JP2007090803A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Fujifilm Corp ガスバリアフィルム、並びに、これを用いた画像表示素子および有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2171534B1 (en) * 2007-06-22 2015-12-02 The Regents of the University of Colorado Protective coatings for organic electronic devices made using atomic layer deposition and molecular layer deposition techniques
BRPI0922795A2 (pt) * 2008-12-05 2018-05-29 Lotus Applied Tech Llc alta taxa de deposição de filmes finos com propriedades de camada de barreira melhorada
DE102009024411A1 (de) * 2009-03-24 2010-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnschichtverkapselung für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement
TWI559472B (zh) * 2010-07-02 2016-11-21 ３Ｍ新設資產公司 具封裝材料與光伏打電池之阻隔組合
KR101793047B1 (ko) * 2010-08-03 2017-11-03 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법
EP2445029A1 (en) * 2010-10-25 2012-04-25 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Multilayered protective layer, organic opto-electric device and method of manufacturing the same
US20120225203A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
CN102214803B (zh) * 2011-05-20 2013-07-17 电子科技大学 一种光电子器件的封装方法
CN103827350B (zh) * 2011-07-11 2016-01-13 莲花应用技术有限责任公司 混合金属氧化物阻挡膜和用于制备混合金属氧化物阻挡膜的原子层沉积方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1543514A (zh) * 2001-08-20 2004-11-03 ��˹��ŵ�� 气体和蒸气低渗透性的涂层
US20090202743A1 (en) * 2003-05-15 2009-08-13 General Electric Company Multilayer coating package on flexible substrates for electro-optical devices
CN101295768A (zh) * 2007-04-28 2008-10-29 清华大学 一种有机电致发光器件及其制备方法
US20100117522A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic material, film comprising the same and electric device comprising the film
CN201616434U (zh) * 2009-10-29 2010-10-27 彩虹集团公司 一种有机发光器件的薄膜封装结构

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SANG-HEE KO PARK等: "Ultra Thin Film Encapsulation of Organic Light Emitting Diode on a Plastic Substrate", 《ETRI JOURNAL》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020098903A (ja) * 2018-10-11 2020-06-25 ザ・ボーイング・カンパニーＴｈｅ Ｂｏｅｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ 多機能性複合材パネル及び同複合材パネルのための方法
JP7515245B2 (ja) 2018-10-11 2024-07-12 ザ・ボーイング・カンパニー 多機能性複合材パネル及び同複合材パネルのための方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200048763A1 (en) 2020-02-13
CN104134756A (zh) 2014-11-05
US20220018022A1 (en) 2022-01-20
US20140322527A1 (en) 2014-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106486601A (zh) 多层封装薄膜
CN104768956B (zh) 二氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-硅烷前体化合物组合物和包含所述组合物的制品
CN105723011B (zh) 基材结构体及其制备方法
KR101465212B1 (ko) 초극유연성 봉지 박막
CN103258955B (zh) 有机电子器件的封装方法
CN109427992B (zh) 薄膜封装结构及具有其的显示装置
US8828528B2 (en) Barrier film and method of manufacturing the same
Kwon et al. Functional design of dielectric–metal–dielectric-based thin-film encapsulation with heat transfer and flexibility for flexible displays
CN105431893B (zh) 用于有机电子器件的基板及其制造方法
Duan et al. Thin-film barrier performance of zirconium oxide using the low-temperature atomic layer deposition method
US8034419B2 (en) Method for making a graded barrier coating
CN106158901B (zh) 一种混合型薄膜及其制备方法、以及柔性oled显示器
KR20130086381A (ko) 가스 배리어성 필름 및 전자 디바이스
CN102437288A (zh) 有机电致发光器件的封装结构
US20090110892A1 (en) System and method for making a graded barrier coating
Tseng et al. Low-temperature gas-barrier films by atomic layer deposition for encapsulating organic light-emitting diodes
KR20180098354A (ko) 적층체 및 그 제조 방법, 가스 배리어 필름 및 그 제조 방법, 그리고 유기 발광 소자
Woo et al. Amorphous alumina film robust under cyclic deformation: a highly impermeable and a highly flexible encapsulation material
Lim et al. Ultralow water permeation barrier films of triad a-SiN x: H/n-SiO x N y/h-SiO x structure for organic light-emitting diodes
CN107527806A (zh) 介电薄膜、介电层结构及制作方法
KR102236190B1 (ko) 유기광전자소자의 봉지필름 및 그 제조방법
CN104733641B (zh) Oled器件的封装方法、封装结构及显示装置
Jang et al. Silicon nanoparticles synthesized using double tube reactor and inductive coupled plasma
WO2015147221A1 (ja) ガスバリア性フィルムおよびガスバリア性フィルムの製造方法
KR102159993B1 (ko) 유기광전자소자의 봉지필름 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20170308

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication