CN106444118A - 一种内嵌式触控测试电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种内嵌式触控测试电路，其包括：n个控制信号源；电容耦合模块；开关模块，其包括m个输入端、n个控制端和一个输出端；其中，输入端与相应的触控电极连接，控制端与相应的控制信号源连接，输出端与触控信号采集端子连接,电容耦合模块与触控电极耦合连接，n、m为正整数，m小于等于2^n。本发明的内嵌式触控测试电路通过电容耦合模块触发触控电极生成触控信号，并通过开关模块逐个采集每个触控电极生成的触控信号，将采集到的触控信号进行对比，从而完成触摸屏的触屏功能测试，进而不会造成芯片和排线等物料的浪费，并且提高了生产效率。

Description

一种内嵌式触控测试电路

技术领域

本发明涉及触控技术领域，尤其涉及一种内嵌式触控测试电路。

背景技术

相对于传统的将触摸面板设置在液晶面板上的技术，将触摸面板功能和液晶面板一体化的研究日渐盛行，于是，出现了内嵌式触摸屏。内嵌式触摸屏技术包括in-cell和on-cell两种。In-cell触摸屏技术是指将触摸面板功能嵌入到液晶像素中，而on-cell触摸屏技术是指将触摸面板功能嵌入到彩色滤光片基板和偏光片之间。与on-cell触摸屏相比，in-cell触摸屏能够实现面板的二更轻薄化。

在in-cell触摸屏技术中，在cell(组立制程)阶段，一般只对触摸屏的显示功能进行测试，而没有对触摸屏的触控功能进行测试。触控功能需要等到绑定芯片和排线后再进行测试，这样使得触控不良的触摸屏在cell阶段不能筛选出来，进而造成芯片和排线等物料的浪费，降低生产效率。

故，有必要提供一种内嵌式触控测试电路，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种内嵌式触控测试电路，以解决现有的触摸屏在cell阶段不能进行触摸功能测试，需要绑定芯片和排线等物料后才能进行测试，进而造成物料浪费，生产效率降低的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种内嵌式触控测试电路，其包括：

n个控制信号源，用于提供控制信号；

电容耦合模块，用于触发触控电极生成触控信号；

开关模块，其包括m个输入端、n个控制端和一个输出端，开关模块用于接收m个触控电极上的触控信号，并受控制信号的控制将其中一个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子上；其中，

输入端与相应的触控电极连接，控制端与相应的控制信号源连接，输出端与触控信号采集端子连接,电容耦合模块与触控电极耦合连接，n、m为正整数，m小于等于2^n。

在本发明的内嵌式触控测试电路中，电容耦合模块包括：

恒压电源，用于提供恒压电平；

扫描线输入信号源，用于提供扫描线输入信号；

扫描线控制信号源，用于提供扫描线控制信号；以及，

控制单元，用于接收扫描线输入信号，并受扫描线控制信号的控制输出扫描线输入信号；其中，

恒压电源与数据线连接，扫描线输入信号源与控制单元的输入端连接，扫描线控制信号源与控制单元的控制端连接，控制单元的输出端与扫描线连接。

在本发明的内嵌式触控测试电路中，控制单元包括多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管的栅极与扫描线控制信号源连接，每个薄膜晶体管的源极与扫描线输入信号源连接，每个薄膜晶体管的漏极与相应的扫描线连接。

在本发明的内嵌式触控测试电路中，开关模块包括多个薄膜晶体管，每个触控电极通过n个串联的薄膜晶体管与触控信号采集端子连接，每个薄膜晶体管的栅极与相应的控制信号源连接。

在本发明的内嵌式触控测试电路中，薄膜晶体管为N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。

本发明还提供一种内嵌式触控测试电路，其包括：

n个控制信号源，用于提供控制信号；

电容耦合模块，用于触发触控电极生成触控信号；

开关模块，其包括m个输入端、n个控制端和一个输出端，开关模块用于接收m个触控电极上的触控信号，并受控制信号的控制将其中一个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子上；其中，

输入端与相应的触控电极连接，控制端与相应的控制信号源连接，输出端与触控信号采集端子连接,电容耦合模块与触控电极耦合连接，n、m为正整数，m小于等于2^(n+1)。

在本发明的内嵌式触控测试电路中，电容耦合模块包括：

恒压电源，用于提供恒压电平；

扫描线输入信号源，用于提供扫描线输入信号；

扫描线控制信号源，用于提供扫描线控制信号；以及，

控制单元，用于接收扫描线输入信号，并受扫描线控制信号的控制输出扫描线输入信号；其中，

恒压电源与数据线连接，扫描线输入信号源与控制单元的输入端连接，扫描线控制信号源与控制单元的控制端连接，控制单元的输出端与扫描线连接。

在本发明的内嵌式触控测试电路中，控制单元包括多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管的栅极与扫描线控制信号源连接，每个薄膜晶体管的源极与扫描线输入信号源连接，每个薄膜晶体管的漏极与相应的扫描线连接。

在本发明的内嵌式触控测试电路中，开关模块包括多个薄膜晶体管，每个触控电极通过n个串联的薄膜晶体管与触控信号采集端子连接，每个薄膜晶体管的栅极与相应的控制信号源连接。

在本发明的内嵌式触控测试电路中，薄膜晶体管为N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。

本发明的内嵌式触控测试电路通过电容耦合模块触发触控电极生成触控信号，并通过开关模块逐个采集每个触控电极生成的触控信号，将采集到的触控信号进行对比，从而完成触摸屏的触屏功能测试；解决了现有的触摸屏的触控功能需要等到绑定芯片和排线后再进行测试，使得触控不良的触摸屏在cell阶段不能筛选出来，进而造成芯片和排线等物料的浪费，降低生产效率的技术问题。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本发明的内嵌式触控测试电路的第一优选实施例的结构示意图；

图2为本发明的内嵌式触控测试电路的第一优选实施例的电容耦合模块的电路原理图；

图3为本发明的内嵌式触控测试电路的第一优选实施例的开关模块的电路原理图；

图4为本发明的内嵌式触控测试电路的第二优选实施例的结构示意图；

图5为本发明的内嵌式触控测试电路的第二优选实施例的电容耦合模块的电路原理图；

图6为本发明的内嵌式触控测试电路的第二优选实施例的开关模块的电路原理图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

需要说明的是，本发明的内嵌式触控测试电路的实施例以4*4的矩阵触控电极为例，本领域技术人员根据以下教导和启示可以类推出触摸屏的所有触控电极的电路连接关系。

参阅图1，图1为本发明的内嵌式触控测试电路的第一优选实施例的结构示意图；

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，包括：4个控制信号源、电容耦合模块16以及开关模块10。4个控制信号源，用于提供控制线信号；电容耦合模块16，用于触发触控电极生成触控信号；开关模块10，包括16个输入端、4个控制端和一个输出端，开关模块10用于接收16个触控电极上的触控信号，并受控制信号的控制将其中一个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上；

其中，输入端与相应的触控电极连接，控制端与相应的控制信号源连接，输出端与触控信号采集端子15连接，电容耦合模块16与触控电极耦合连接。特别地，本优选实施例的4个控制信号源最多可以控制16个触控电极上生成的触控信号的逐一采集。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，4个控制信号源包括：第一控制信号源11、第二控制信号源12、第三控制信号源13以及第四控制信号源14。

参阅图2，图2为本发明的内嵌式触控测试电路的第一优选实施例的电容耦合模块的电路原理图；

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，电容耦合模块16包括：恒压电源161、扫描线输入信号源163、扫描线控制信号源162以及控制单元167。恒压电源161，用于提供恒压电平；扫描线输入信号源163，用于提供扫描线输入信号；扫描线控制信号源162，用于提供扫描线控制信号；控制单元167，用于接收扫描线输入信号，并受扫描线控制信号的控制输出扫描线输入信号；

其中，恒压电源161与数据线连接164，扫描线输入信号源163与控制单元167的输入端连接，扫描线控制信号源162与控制单元167的控制端连接，控制单元167的输出端与扫描线165连接。

具体地，控制单元167包括12个薄膜晶体管T1～T12，一条扫描线165对应一个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管的栅极与扫描线控制信号源162连接，每个薄膜晶体管的源极与扫描线输入信号源163连接，每个薄膜晶体管的漏极与相应的扫描线165连接。

参阅图3，图3为本发明的内嵌式触控测试电路的第一优选实施例的开关模块的电路原理图；

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，开关模块10包括64个薄膜晶体管T13～T76，其中每个触控电极通过4个薄膜晶体管与触控信号采集端子15连接，每个薄膜晶体管的栅极与相应的控制信号源连接。

具体地，薄膜晶体管T13、T14、T15和T16串联，薄膜晶体管T13的源极与第一个触控电极连接，薄膜晶体管T16的漏极与触控信号采集端子15连接；

薄膜晶体管T17、T18、T19和T20串联,薄膜晶体管T17的源极与第二个触控电极连接，薄膜晶体管T20的漏极与触控信号采集端子15连接；

薄膜晶体管T21、T22、T23和T24串联,薄膜晶体管T21的源极与第三个触控电极连接，薄膜晶体管T24的漏极与触控信号采集端子15连接；

薄膜晶体管T25、T26、T27和T28串联,薄膜晶体管T25的源极与第四个触控电极连接，薄膜晶体管T28的漏极与触控信号采集端子15连接；

薄膜晶体管T29、T30、T31和T32串联,薄膜晶体管T29的源极与第五个触控电极连接，薄膜晶体管T32的漏极与触控信号采集端子15连接；

薄膜晶体管T33、T34、T35和T36串联,薄膜晶体管T33的源极与第六个触控电极连接，薄膜晶体管T36的漏极与触控信号采集端子15连接；

薄膜晶体管T37、T38、T39和T40串联,薄膜晶体管T37的源极与第七个触控电极连接，薄膜晶体管T40的漏极与触控信号采集端子15连接；

薄膜晶体管T41、T42、T43和T44串联,薄膜晶体管T41的源极与第八个触控电极连接，薄膜晶体管T44的漏极与触控信号采集端子15连接；

薄膜晶体管T45、T46、T47和T48串联,薄膜晶体管T45的源极与第九个触控电极连接，薄膜晶体管T48的漏极与触控信号采集端子15连接；

薄膜晶体管T49、T50、T51和T52串联,薄膜晶体管T49的源极与第十个触控电极连接，薄膜晶体管T52的漏极与触控信号采集端子15连接；

薄膜晶体管T53、T54、T55和T56串联,薄膜晶体管T53的源极与第十一个触控电极连接，薄膜晶体管T56的漏极与触控信号采集端子连接15；

薄膜晶体管T57、T58、T59和T60串联,薄膜晶体管T57的源极与第十二个触控电极连接，薄膜晶体管T60的漏极与触控信号采集端子15连接；

薄膜晶体管T61、T62、T63和T64串联,薄膜晶体管T61的源极与第十三个触控电极连接，薄膜晶体管T64的漏极与触控信号采集端子15连接；

薄膜晶体管T65、T66、T67和T68串联,薄膜晶体管T65的源极与第十四个触控电极连接，薄膜晶体管T68的漏极与触控信号采集端子15连接；

薄膜晶体管T69、T70、T71和T72串联,薄膜晶体管T69的源极与第十五个触控电极连接，薄膜晶体管T72的漏极与触控信号采集端子15连接；

薄膜晶体管T73、T74、T75和T76串联,薄膜晶体管T73的源极与第十六个触控电极连接，薄膜晶体管T76的漏极与触控信号采集端子15连接。

第一控制信号源11与薄膜晶体管T13、T17、T21、T25、T29、T33、T37、T41、T45、T49、T53、T57、T61、T65、T69、T73的栅极连接；

第二控制信号源12与薄膜晶体管T14、T18、T22、T26、T30、T34、T38、T42、T46、T50、T54、T58、T62、T66、T70、T74的栅极连接；

第三控制信号源13与薄膜晶体管T15、T19、T23、T27、T31、T35、T39、T43、T47、T51、T55、T59、T63、T67、T71、T75的栅极连接；

第四控制信号源14与薄膜晶体管T16、T20、T24、T28、T32、T36、T40、T44、T48、T52、T56、T60、T64、T68、T72、T76的栅极连接。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，薄膜晶体管T1～T12、T13、T17、T21、T25、T29、T33、T37、T41、T14、T18、T22、T26、T46、T50、T54、T58、T15、T19、T31、T35、T47、T51、T63、T67、T16、T24、T32、T40、T48、T56、T64、T72为N型薄膜晶体管；薄膜晶体管T45、T49、T53、T57、T61、T65、T69、T73、T30、T34、T38、T42、T62、T66、T70、T74、T23、T27、T39、T43、T55、T59、T71、T75、T20、T28、T36、T44、T52、T60、T68、T76为P型薄膜晶体管。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路使用时，首先，恒压电源161提供0V电压至数据线164上，防止数据线对触控电极发出电性干扰；随后，扫描线控制信号源162提供高电位的扫描线控制信号至薄膜晶体管T1～T12，扫描线输入信号源163提供一定频率、一定电压的扫描线输入信号经薄膜晶体管T1～T12传至扫描线上，由于扫描线165和触控电极之间的电容耦合效应，进而触发触控电极生成触控信号。

接着，第一控制信号源11、第二控制信号源12、第三控制信号源13和第四控制信号源14提供高电位的控制信号，串联的薄膜晶体管T13、T14、T15和T16打开，此时，第一个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上；

下一时刻，第一控制信号源11、第二控制信号源12和第三控制信号源13提供高电位的控制信号，第四控制信号源14提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管T17、T18、T19和T20打开，此时，第二个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上；

下一时刻，第一控制信号源11、第二控制信号源12和第四控制信号源14提供高电位的控制信号，第三控制信号源13提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管T21、T22、T23和T24打开，此时，第三个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上；

下一时刻，第一控制信号源11和第二控制信号源12提供高电位的控制信号，第三控制信号源13和第四控制信号源14提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管T25、T26、T27和T28打开，此时，第四个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上；

下一时刻，第一控制信号源11、第三控制信号源13和第四控制信号源14提供高电位的控制信号，第二控制信号源12提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管T29、T30、T31和T32打开，此时，第五个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上；

下一时刻，第一控制信号源11和第三控制信号源13提供高电位的控制信号，第二控制信号源12和第四控制信号源14提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管T33、T34、T35和T36打开，此时，第六个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上；

下一时刻，第一控制信号源11和第四控制信号源14提供高电位的控制信号，第二控制信号源12和第三控制信号源13提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管T37、T38、T39和T40打开，此时，第七个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上；

下一时刻，第一控制信号源11提供高电位的控制信号，第二控制信号源12、第三控制信号源13和第四控制信号源14提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管T41、T42、T43和T44打开，此时，第八个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上；

下一时刻，第二控制信号源12、第三控制信号源13和第四控制信号源14提供高电位的控制信号，第一控制信号源11提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管T45、T46、T47和T48打开，此时，第九个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上；

下一时刻，第二控制信号源12和第三控制信号源13提供高电位的控制信号，第一控制信号源11和第四控制信号源14提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管T49、T50、T51和T52打开，此时，第十个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上；

下一时刻，第二控制信号源12和第四控制信号源14提供高电位的控制信号，第一控制信号源11和第三控制信号源13提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管T53、T54、T55和T56打开，此时，第十一个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上；

下一时刻，第二控制信号源12提供高电位的控制信号，第一控制信号源11、第三控制信号源13和第四控制信号源14提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管T57、T58、T59和T60打开，此时，第十二个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上；

下一时刻，第三控制信号源13和第四控制信号源14提供高电位的控制信号，第一控制信号源11和第二控制信号源12提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管T61、T62、T63和T64打开，此时，第十三个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上；

下一时刻，第三控制信号源13提供高电位的控制信号，第一控制信号源11、第二控制信号源12和第四控制信号源14提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管T65、T66、T67和T68打开，此时，第十四个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上；

下一时刻，第四控制信号源14提供高电位的控制信号，第一控制信号源11、第二控制信号源12和第三控制信号源13提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管T69、T70、T71和T72打开，此时，第十五个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上；

下一时刻，第一控制信号源11、第二控制信号源12、第三控制信号源13和第四控制信号源14提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管T73、T74、T75和T76打开，此时，第十六个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子15上。

最后，将采集到的触控信号进行对比，若采集到的所有触控信号的波形一致，则此触摸屏为良品；若某个触控信号跟其他触控信号的波形差异较大，则可推断出此触控电极出现了短路、开路。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路通过电容耦合模块16触发触控电极生成触控信号，并通过开关模块10逐个采集每个触控电极生成的触控信号，将采集到的触控信号进行对比，从而完成触摸屏的触屏功能测试，避免造成芯片和排线等物料的浪费，提高了生产效率。

参阅图4，图4为本发明的内嵌式触控测试电路的第二优选实施例的结构示意图；

本优选实施例与第一优选实施例的区别在于，减少了一个控制信号源的使用，由于每个控制信号源都需要在触摸屏边框上预留位置，减少控制信号源的使用有利于边框的窄型化。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，包括：3个控制信号源、电容耦合模块25以及开关模块20。3个控制信号源，用于提供控制线信号；电容耦合模块25，用于触发触控电极生成触控信号；开关模块20，包括16个输入端、3个控制端和一个输出端，开关模块20用于接收16个触控电极上的触控信号，并受控制信号的控制将其中一个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上；

其中，输入端与相应的触控电极连接，控制端与相应的控制信号源连接，输出端与触控信号采集端子24连接，电容耦合模块25与触控电极耦合连接。特别地，本优选实施例的3个控制信号源最多可以控制16个触控电极上生成的触控信号的逐一采集。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，3个控制信号源包括：第一控制信号源21、第二控制信号源22以及第三控制信号源23。

参阅图5，图5为本发明的内嵌式触控测试电路的第二优选实施例的电容耦合模块的电路原理图；

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，电容耦合模块25包括：恒压电源251、扫描线输入信号源253、扫描线控制信号源以252及控制单元257。恒压电源251，用于提供恒压电平；扫描线输入信号源253，用于提供扫描线输入信号；扫描线控制信号源252，用于提供扫描线控制信号；控制单元257，用于接收扫描线输入信号，并受扫描线控制信号的控制输出扫描线输入信号；

其中，恒压电源251与数据线254连接，扫描线输入信号源253与控制单元257的输入端连接，扫描线控制信号源252与控制单元257的控制端连接，控制单元257的输出端与扫描线255连接。

具体地，控制单元257包括12个薄膜晶体管D1～D12，一条扫描线255对应一个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管的栅极与扫描线控制信号源252连接，每个薄膜晶体管的源极与扫描线输入信号源253连接，每个薄膜晶体管的漏极与相应的扫描线255连接。

参阅图6，图6为本发明的内嵌式触控测试电路的第二优选实施例的开关模块的电路原理图

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，开关模块20包括48个薄膜晶体管D13～D60，其中每个触控电极通过3个薄膜晶体管与触控信号采集端子24连接，每个薄膜晶体管的栅极与相应的控制信号源连接。

具体地，薄膜晶体管D13、D14和D15串联，薄膜晶体管D13的源极与第一个触控电极连接，薄膜晶体管D15的漏极与触控信号采集端子24连接；

薄膜晶体管D16、D17和D18串联,薄膜晶体管D16的源极与第二个触控电极连接，薄膜晶体管D18的漏极与触控信号采集端子24连接；

薄膜晶体管D19、D20和D21串联,薄膜晶体管D19的源极与第三个触控电极连接，薄膜晶体管D21的漏极与触控信号采集端子24连接；

薄膜晶体管D22、D23和D24串联,薄膜晶体管D23的源极与第四个触控电极连接，薄膜晶体管D24的漏极与触控信号采集端子24连接；

薄膜晶体管D25、D26和D27串联,薄膜晶体管D25的源极与第五个触控电极连接，薄膜晶体管D27的漏极与触控信号采集端子24连接；

薄膜晶体管D28、D29和D30串联,薄膜晶体管D28的源极与第六个触控电极连接，薄膜晶体管D30的漏极与触控信号采集端子24连接；

薄膜晶体管D31、D32和D33串联,薄膜晶体管D31的源极与第七个触控电极连接，薄膜晶体管D33的漏极与触控信号采集端子24连接；

薄膜晶体管D34、D35和D36串联,薄膜晶体管D34的源极与第八个触控电极连接，薄膜晶体管D36的漏极与触控信号采集端子24连接；

薄膜晶体管D37、D38和D39串联,薄膜晶体管D37的源极与第九个触控电极连接，薄膜晶体管D39的漏极与触控信号采集端子24连接；

薄膜晶体管D40、D41和D42串联,薄膜晶体管D40的源极与第十个触控电极连接，薄膜晶体管D42的漏极与触控信号采集端子24连接；

薄膜晶体管D43、D44和D45串联,薄膜晶体管D43的源极与第十一个触控电极连接，薄膜晶体管D45的漏极与触控信号采集端子24连接；

薄膜晶体管D46、D47和D48串联,薄膜晶体管D46的源极与第十二个触控电极连接，薄膜晶体管D48的漏极与触控信号采集端子24连接；

薄膜晶体管D49、D50和D51串联,薄膜晶体管D49的源极与第十三个触控电极连接，薄膜晶体管D51的漏极与触控信号采集端子24连接；

薄膜晶体管D52、D53和D54串联,薄膜晶体管D52的源极与第十四个触控电极连接，薄膜晶体管D54的漏极与触控信号采集端子24连接；

薄膜晶体管D55、D56和D57串联,薄膜晶体管D55的源极与第十五个触控电极连接，薄膜晶体管D57的漏极与触控信号采集端子24连接；

薄膜晶体管D58、D59和D60串联,薄膜晶体管D58的源极与第十六个触控电极连接，薄膜晶体管D60的漏极与触控信号采集端子24连接。

第一控制信号源21与薄膜晶体管D13、D16、D19、D22、D25、D28、D31、D34、D37、D40、D43、D46、D49、D52、D55、D58的栅极连接；

第二控制信号源22与薄膜晶体管D14、D17、D20、D23、D26、D29、D32、D35、D38、D41、D44、D47、D50、D53、D56、D59的栅极连接；

第三控制信号源23与薄膜晶体管D15、D18、D21、D24、D27、D30、D33、D36、D39、D42、D45、D48、D51、D54、D57、D60的栅极连接；

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，薄膜晶体管D7～D12、D13、D16、D19、D22、D25、D28、D31、D34、D14、D17、D20、D23、D38、D41、D44、D47、D15、D21、D27、D33、D39、D45、D51、D57为N型薄膜晶体管；薄膜晶体管D1～D6、D37、D40、D43、D46、D49、D52、D55、D58、D26、D29、D32、D35、D50、D53、D56、D59、D18、D24、D30、D36、D42、D48、D54、D60为P型薄膜晶体管。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路使用时，首先，恒压电源251提供0V电压至数据线254上，防止数据线对触控电极发出电性干扰；随后，扫描线控制信号源252提供高电位的扫描线控制信号至薄膜晶体管D7～D12，扫描线输入信号源253提供一定频率、一定电压的扫描线输入信号经薄膜晶体管D7～D12传至扫描线上，由于扫描线255和触控电极之间的电容耦合效应，进而触发第一、二、五、六、九、十、十三、十四个触控电极生成触控信号。

接着，第一控制信号源21、第二控制信号源22和第三控制信号源23提供高电位的控制信号，串联的薄膜晶体管D13、D14和D15打开，串联的薄膜晶体管D19、D20和D21打开，此时，由于第一个触控电极上生成触控信号，第三个触控电极上没有生成触控信号，所以第一个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上；

下一时刻，第一控制信号源21和第二控制信号源22提供高电位的控制信号，第三控制信号源23提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管D16、D17和D18打开，串联的薄膜晶体管D22、D23和D24打开，此时，由于第二个触控电极上生成触控信号，第四个触控电极上没有生成触控信号，所以第二个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上；

下一时刻，第一控制信号源21和第三控制信号源23提供高电位的控制信号，第二控制信号源提22供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管D25、D26和D27打开，串联的薄膜晶体管D31、D32和D33打开，此时，由于第五个触控电极上生成触控信号，第七个触控电极上没有生成触控信号，所以第五个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上；

下一时刻，第一控制信号源21提供高电位的控制信号，第二控制信号源22和第三控制信号源23提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管D28、D29和D30打开，串联的薄膜晶体管D34、D35和D36打开，此时，由于第六个触控电极上生成触控信号，第八个触控电极上没有生成触控信号，所以第六个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上；

下一时刻，第二控制信号源22和第三控制信号源23提供高电位的控制信号，第一控制信号源21提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管D37、D38和D39打开，串联的薄膜晶体管D43、D44和D45打开，此时，由于第九个触控电极上生成触控信号，第十一个触控电极上没有生成触控信号，所以第九个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上；

下一时刻，第二控制信号源22提供高电位的控制信号，第一控制信号源21和第三控制信号源23提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管D40、D41和D42打开，串联的薄膜晶体管D46、D47和D48打开，此时，由于第十个触控电极上生成触控信号，第十二个触控电极上没有生成触控信号，所以第十个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上；

下一时刻，第三控制信号源23提供高电位的控制信号，第一控制信号源21和第二控制信号源22提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管D49、D50和D51打开，串联的薄膜晶体管D55、D56和D57打开，此时，由于第十三个触控电极上生成触控信号，第十五个触控电极上没有生成触控信号，所以第十三个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上；

下一时刻，第一控制信号源21、第二控制信号源22和第三控制信号源23提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管D52、D53和D54打开，串联的薄膜晶体管D58、D59和D60打开，此时，由于第十四个触控电极上生成触控信号，第十六个触控电极上没有生成触控信号，所以第十四个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上。

然后，恒压电源251提供0V电压至数据线254上，防止数据线对触控电极发出电性干扰；随后，扫描线控制信号源252提供低电位的扫描线控制信号至薄膜晶体管D1～D6，扫描线输入信号源253提供一定频率、一定电压的扫描线输入信号经薄膜晶体管D1～D6传至扫描线上，由于扫描线255和触控电极之间的电容耦合效应，进而触发第三、四、七、八、十一、十二、十五、十六个触控电极生成触控信号。

接着，第一控制信号源21、第二控制信号源22和第三控制信号源23提供高电位的控制信号，串联的薄膜晶体管D13、D14和D15打开，串联的薄膜晶体管D19、D20和D21打开，此时，由于第三个触控电极上生成触控信号，第一个触控电极上没有生成触控信号，所以第三个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上；

下一时刻，第一控制信号源21和第二控制信号源22提供高电位的控制信号，第三控制信号源23提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管D16、D17和D18打开，串联的薄膜晶体管D22、D23和D24打开，此时，由于第四个触控电极上生成触控信号，第二个触控电极上没有生成触控信号，所以第四个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上；

下一时刻，第一控制信号源21和第三控制信号源23提供高电位的控制信号，第二控制信号源22提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管D25、D26和D27打开，串联的薄膜晶体管D31、D32和D33打开，此时，由于第七个触控电极上生成触控信号，第五个触控电极上没有生成触控信号，所以第七个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上；

下一时刻，第一控制信号源21提供高电位的控制信号，第二控制信号源22和第三控制信号源23提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管D28、D29和D30打开，串联的薄膜晶体管D34、D35和D36打开，此时，由于第八个触控电极上生成触控信号，第六个触控电极上没有生成触控信号，所以第八个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上；

下一时刻，第二控制信号源22和第三控制信号源23提供高电位的控制信号，第一控制信号源21提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管D37、D38和D39打开，串联的薄膜晶体管D43、D44和D45打开，此时，由于第十一个触控电极上生成触控信号，第九个触控电极上没有生成触控信号，所以第十一个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上；

下一时刻，第二控制信号源22提供高电位的控制信号，第一控制信号源21和第三控制信号源23提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管D40、D41和D42打开，串联的薄膜晶体管D46、D47和D48打开，此时，由于第十二个触控电极上生成触控信号，第十个触控电极上没有生成触控信号，所以第十二个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上；

下一时刻，第三控制信号源23提供高电位的控制信号，第一控制信号源21和第二控制信号源22提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管D49、D50和D51打开，串联的薄膜晶体管D55、D56和D57打开，此时，由于第十五个触控电极上生成触控信号，第十三个触控电极上没有生成触控信号，所以第十五个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上；

下一时刻，第一控制信号源21、第二控制信号源22和第三控制信号源23提供低电位的控制信号，串联的薄膜晶体管D52、D53和D54打开，串联的薄膜晶体管D58、D59和D60打开，此时，由于第十六个触控电极上生成触控信号，第十四个触控电极上没有生成触控信号，所以第十六个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子24上。

最后，将采集到的触控信号进行对比，若采集到的所有触控信号的波形一致，则此触摸屏为良品；若某个触控信号跟其他触控信号的波形差异较大，则可推断出此触控电极出现了短路、开路。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路通过电容耦合模块25触发触控电极生成触控信号，并通过开关模块20逐个采集每个触控电极生成的触控信号，将采集到的触控信号进行对比，从而完成触摸屏的触屏功能测试，避免造成芯片和排线等物料的浪费，提高了生产效率。

综上，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种内嵌式触控测试电路，其特征在于，包括：

n个控制信号源，用于提供控制信号；

电容耦合模块，用于触发触控电极生成触控信号；

开关模块，其包括m个输入端、n个控制端和一个输出端，所述开关模块用于接收m个所述触控电极上的所述触控信号，并受所述控制信号的控制将其中一个所述触控电极上的所述触控信号输出至触控信号采集端子上；其中，

所述输入端与相应的所述触控电极连接，所述控制端与相应的所述控制信号源连接，所述输出端与所述触控信号采集端子连接,所述电容耦合模块与所述触控电极耦合连接，n、m为正整数，m小于等于2^n。

2.根据权利要求1所述的内嵌式触控测试电路，其特征在于，所述电容耦合模块包括：

恒压电源，用于提供恒压电平；

扫描线输入信号源，用于提供扫描线输入信号；

扫描线控制信号源，用于提供扫描线控制信号；以及，

控制单元，用于接收所述扫描线输入信号，并受所述扫描线控制信号的控制输出所述扫描线输入信号；其中，

所述恒压电源与数据线连接，所述扫描线输入信号源与所述控制单元的输入端连接，所述扫描线控制信号源与所述控制单元的控制端连接，所述控制单元的输出端与扫描线连接。

3.根据权利要求2所述的内嵌式触控测试电路，其特征在于，所述控制单元包括多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线控制信号源连接，每个所述薄膜晶体管的源极与所述扫描线输入信号源连接，每个所述薄膜晶体管的漏极与相应的所述扫描线连接。

4.根据权利要求1所述的内嵌式触控测试电路，其特征在于，所述开关模块包括多个薄膜晶体管，每个所述触控电极通过n个串联的所述薄膜晶体管与所述触控信号采集端子连接，每个所述薄膜晶体管的栅极与相应的所述控制信号源连接。

5.根据权利要求3或4所述的内嵌式触控测试电路，其特征在于，所述薄膜晶体管为N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。

6.一种内嵌式触控测试电路，其特征在于，包括：

n个控制信号源，用于提供控制信号；

电容耦合模块，用于触发触控电极生成触控信号；

开关模块，其包括m个输入端、n个控制端和一个输出端，所述开关模块用于接收m个所述触控电极上的所述触控信号，并受所述控制信号的控制将其中一个所述触控电极上的所述触控信号输出至触控信号采集端子上；其中，

所述输入端与相应的所述触控电极连接，所述控制端与相应的所述控制信号源连接，所述输出端与所述触控信号采集端子连接,所述电容耦合模块与所述触控电极耦合连接，n、m为正整数，m小于等于2^(n+1)。

7.根据权利要求6所述的内嵌式触控测试电路，其特征在于，所述电容耦合模块包括：

恒压电源，用于提供恒压电平；

扫描线输入信号源，用于提供扫描线输入信号；

扫描线控制信号源，用于提供扫描线控制信号；以及，

控制单元，用于接收所述扫描线输入信号，并受所述扫描线控制信号的控制输出所述扫描线输入信号；其中，

所述恒压电源与数据线连接，所述扫描线输入信号源与所述控制单元的输入端连接，所述扫描线控制信号源与所述控制单元的控制端连接，所述控制单元的输出端与扫描线连接。

8.根据权利要求7所述的内嵌式触控测试电路，其特征在于，所述控制单元包括多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线控制信号源连接，每个所述薄膜晶体管的源极与所述扫描线输入信号源连接，每个所述薄膜晶体管的漏极与相应的所述扫描线连接。

9.根据权利要求7所述的内嵌式触控测试电路，其特征在于，所述开关模块包括多个薄膜晶体管，每个所述触控电极通过n个串联的所述薄膜晶体管与所述触控信号采集端子连接，每个所述薄膜晶体管的栅极与相应的所述控制信号源连接。

10.根据权利要求8或9所述的内嵌式触控测试电路，其特征在于，所述薄膜晶体管为N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。