CN106414325A - 多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块 - Google Patents

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Abstract

通过西门子法合成硅多晶棒(S101)。在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗了内表面的塑料制袋而将硅多晶棒收容后(S103)，将硅多晶棒取出到反应器外(S104)，进行热封而在密闭化的状态下保管(S105)。根据本发明，不一定需要清洗、蚀刻、水洗这样的以往被认为必需的工序，因此，能够使残留在表面的氟离子、硝酸根离子、亚硝酸根离子均低于0.2ppbw。另外，通过覆盖塑料制袋，金属污染水平显著地降低。而且，如果进行本发明的操作，则即使长期保管，表面污染也几乎不会加重。

Description

多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块
技术领域
本发明涉及多晶硅棒的表面洁净化技术。
背景技术
在半导体器件等的制造中不可欠缺的单晶硅在大多数情况下以通过西门子法制造的多晶硅棒或将其粉碎而得到的多晶硅块作为原料通过FZ法、CZ法来培育。西门子法是指如下的方法：使三氯硅烷、单硅烷等硅烷原料气体与加热后的硅芯线接触，由此，通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法使多晶硅在该硅芯线的表面上气相生长(析出)。
对于多晶硅块，将利用西门子法合成的多晶硅棒从反应器中取出后破碎，为了除去附着在该破碎物的表面的污染物，进行利用氟硝酸等的药液蚀刻，形成洁净度高的表面状态而产品化。
在对多晶硅块等硅材料进行蚀刻时，一般使用氢氟酸(HF)与硝酸(HNO3)的酸混合溶液、或者在其中含有过氧化氢(H2O2)的酸混合溶液，这些酸混合液中的各酸浓度根据附着在成为清洗对象的硅材料上的污染物的浓度、除去难度等来选定。
在这种蚀刻后的硅材料的表面残留有酸混合溶液的成分，需要进行水冲洗来除去该残留物，但在残留成分为高浓度的情况下，利用水冲洗难以完全地除去。而且，以在表面存在残留物的多晶硅块作为原料并通过CZ法培育单晶硅时，会引起单晶化的证据即结晶线消失或者紊乱的现象，存在不能担保结晶的完全性的问题。
对于该原因未必明确，但有可能起因于残留在多晶硅块的表面的、上述酸混合溶液中的氮(N)成分和氟(F)。
特别是，在多晶硅块中存在无数的裂纹或裂缝，因此，酸混合溶液成分进入这些间隙时，几乎不可能完全地除去。这种残留成分主要是硝酸根离子成分、亚硝酸根离子成分、氟离子成分这三种，但根据本发明人的测定，也得到了如下结果：即使在40℃左右的纯水中浸渍并进行24小时的超声波清洗，也不能将这些残留成分完全地除去。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-298672号公报
发明内容
发明所要解决的问题
在专利文献1(日本特开2009-298672号公报)中公开了用于在装袋后的多晶硅的破碎块的保管中简单且可靠地防止在破碎块的表面产生的被称为斑点的异常氧化现象的技术。具体而言，在多晶硅的破碎块的情况下，在一部分破碎块的一部分产生因除水不足引起的氟成分的残留，考虑到该部分发展为被称为斑点的异常氧化物的可能性，基于这样的见解，提出了一种多晶硅的制造方法，其特征在于，利用含有氟的清洗液对多晶硅的破碎块进行处理，在水洗、干燥后，在减压下使露点为-35℃至-20℃的惰性气体流通并且在45℃以上的温度保持20分钟以上。
但是，这种处理需要新设置用于使残留在多晶硅块的表面的氟原子个数为1000000原子/μm2以下的工序，从该意义而言，存在使多晶硅块的制造成本升高这样的问题。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，相对于现有方法是从暂且利用清洗工序有效地除去附着在硅材料上的残留物的观点考虑的方法，本发明立足于宁可不需要清洗工序本身这样的新观点，提供实现制造工序的简化和低成本化并且能够进行多晶硅材料的洁净化的方法。
用于解决问题的方法
为了解决上述问题，本发明的多晶硅棒的制造方法的特征在于，具备如下工序：将刚利用西门子法合成后的硅多晶棒在反应器内收容到塑料制袋中，在该收容后将上述硅多晶棒取出到上述反应器外。
本发明的多晶硅棒的制造方法可以设定为具备将上述塑料制袋取出到上述反应器外之后进行密封的工序的方式。
优选上述塑料制袋为内表面利用稀酸水溶液进行了清洗的塑料制袋。
优选上述稀酸水溶液为0.1～10重量％的、稀硝酸水溶液或稀盐酸水溶液。
本发明的多晶硅块是将通过上述方法得到的多晶硅棒粉碎而得到。
优选上述粉碎在等级1000以上的水平的洁净室内进行。
在优选的方式中，残留在表面的氟离子(F-)、硝酸根离子(NO3 -)、亚硝酸根离子(NO2 -)均低于0.2ppbw。
发明效果
根据本发明，不一定需要清洗、蚀刻、水洗这样的以往被认为必需的工序，因此，能够使残留在表面的氟离子(F-)、硝酸根离子(NO3 -)、亚硝酸根离子(NO2 -)均低于0.2ppbw。另外，通过覆盖塑料制袋，金属污染水平显著地降低。而且，如果进行本发明的操作，则即使长期保管，表面污染也几乎不会加重。
其结果是，通过本发明，可提供实现制造工序的简化和低成本化并且能够进行多晶硅材料的洁净化的方法。
附图说明
图1是用于说明实施例的工艺的流程图。
具体实施方式
如上所述，现有方法中，为了多晶硅的洁净化而以蚀刻、水洗这样的一系列的清洗工序作为前提，立足于利用该清洗工序将附着在硅材料上的残留物有效地除去这样的观点。与此相对，本发明人最初立足于刚利用西门子法合成后的硅多晶棒的表面不怎么受到污染而具有相当高的洁净度这样的假说进行了研究，从而完成了本发明。
假如该假说是正确的，则只要维持刚合成后的硅多晶棒的表面洁净度，就不需要之后的清洗、蚀刻、水洗之类的一系列工序，因此，可以提供实现制造工序的简化和低成本化并且能够进行多晶硅材料的洁净化的方法。
因此，本发明人为了调查在将通过西门子法合成的硅多晶棒粉碎并将多晶硅块产品化之前的期间的哪个阶段主要产生表面污染，准备下述的硅多晶棒，从各个硅多晶棒采取试样，进行它们的表面分析。
试样1：刚利用西门子法合成后
试样2：取出到反应器外并用台车搬运后
试样3：在用台车搬运后，在保管室内放置数天后
试样4：在洁净室(等级1000)放置5天后
试样5：利用锤子的破碎结束后
将破碎试样150g移至500ml的洁净的特氟龙(注册商标)烧杯中，加入表面污染物质提取液200ml，加热10分钟，以仅使表面溶解的方式进行提取。表面污染物质提取液200ml的组成是HF 50重量％为100ml、水为99ml、H2O2 30重量％为1ml。在提取后，将提取液1ml分取至另外的洁净容器中，在加热浓缩后添加1重量％的HNO3水溶液，在溶解后进行利用ICP-MS装置的多元素同时测定。使用的装置为Agilent公司制造的7500CS。
需要说明的是，测定对象元素设定为Li、Na、Mg、Al、K、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、Sn、Pb这17种元素。
这种表面分析的结果是得到了以下的见解。
试样1：刚利用西门子法合成后的硅多晶棒的表面洁净度相当高。
试样2：取出到反应器外并用台车搬运后的硅多晶棒的表面有些被污染。特别是，在向反应器外取出的作业中手套所接触的部位、与台车接触的部位，明显观察到污染。
试样3：在用台车搬运后在保管室内放置数天后的硅多晶棒的表面的污染度随着放置天数的增加而变高。
试样4：在洁净室(等级1000)内放置5天后的硅多晶棒中，未观察到放置期间中的污染。
试样5：即使是利用锤子的破碎结束后的硅多晶棒，也没有观察到因粉碎作业引起的污染。
根据这些结果，可以得出以下结论：表面污染主要是与将硅多晶棒从反应器取出时的手套或搬运时的台车等的接触、在保管环境下的污染。
即，只要不污染从反应器取出后的硅多晶棒，则表面的洁净度充分高，即使将保持该状态的硅多晶棒在洁净室内进行破碎，也没有问题。
为了维持硅多晶棒的表面的洁净度，特别是在向反应器外取出时或利用台车搬运等时，避免与各种构件等的直接接触是重要的。
因此，在本发明中，将刚利用西门子法合成后的硅多晶棒在反应器内收容到塑料制袋中，在该收容后将硅多晶棒取出到反应器外。
塑料制袋例如是厚度为100～500μm的线性聚乙烯(LLDPE)制，在打开反应器的盖之后立即从硅多晶棒的上部覆盖该塑料制袋，原封不动地取出到反应器外。LLDPE制的袋的强度和延展性优良，因此不易破损。
然后，将该塑料制袋在反应器外进行密封而将硅多晶棒密封，以该状态进行搬运等。
这种用途的塑料制袋在使用之前，将内表面用稀酸水溶液等进行清洗。
作为稀酸水溶液，可以例示0.1～10重量％的稀硝酸水溶液或稀盐酸水溶液。
例如，将0.1～10重量％的稀硝酸水溶液约200ml放入袋的内侧，使其遍及整个内表面，将该作业重复3次左右。然后，进行数次利用超纯水的清洗，在等级1000以上的水平的洁净室内使其干燥。
实施例
图1是用于说明本实施例的工艺的流程图。首先，通过西门子法，合成粗细为130～150mm、长度为1800～2200mm的U字型的硅多晶棒(S101)。预先将500μm厚的LLDPE制袋的内表面用0.5重量％的硝酸水溶液或10重量％的盐酸水溶液仔细地清洗，然后，重复进行数次利用超纯水的清洗后，在等级1000的洁净室内使其干燥(S102)。
对于实施例2～4(E2～4)，在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗后的LLDPE制袋而将硅多晶棒收容之后(S103)，将硅多晶棒取出到反应器外(S104)，以使棒的下部不从LLDPE制袋露出的方式进行热封，在密闭化的状态下保管(S105)。
对于实施例1(E1)，在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖未清洗的LLDPE制袋而将硅多晶棒收容(S103)，与上述同样地进行S104及S105的作业。
保持该状态地保管规定期间(C1～3为1个月、C4为6个月)后，为了制成多晶硅块，搬运到等级1000的洁净室内，打开包装。粉碎优选在等级1000以上的水平的洁净室内进行。
另一方面，对于比较例1～4(C1～4)，不覆盖塑料制袋，而是按通常的步骤进行粉碎，制成多晶硅块，对于比较例1和2，在药液蚀刻(对C1蚀刻8分钟，对C2蚀刻1分钟)后进行水洗。需要说明的是，该药液蚀刻是利用HF(50重量％)∶HNO3(70重量％)＝1∶9(体积比)的混合酸液进行的常温下的蚀刻。对于比较例3，药液蚀刻、水洗均不进行，对于比较例4，仅进行水洗。
关于破碎作业，打开包装后，两名操作员用钨锤快速地破碎，另一名操作员挑取破碎后的块料，包装至产品用包装袋中，计量重量后，将袋热封而密闭化，进行产品化。该期间所需要的时间为10～15分钟。顺便提一下，多晶硅块的蚀刻作业通常需要2～3小时。
对于这些样品，分别进行利用ICP-MS装置的表面分析，调查Li、Na、Mg、Al、K、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、Sn、Pb这17种元素的表面浓度(ppbw)、及残留在表面的氟离子(F-)、硝酸根离子(NO3 -)、亚硝酸根离子(NO2 -)的表面浓度(ppbw)。
将其结果汇总于表1。
首先，对比较例C1～4进行比较时，明确地看出未实施药液蚀刻的样品C3的表面以高水平被污染。根据比较例1、2、4的比较，1分钟左右的蚀刻是不充分的，通过8分钟的蚀刻，金属污染水平降低很多，但由于蚀刻时间变长，氟离子(F-)、硝酸根离子(NO3 -)、亚硝酸根离子(NO2 -)的浓度显著地增高。
与此相对，实施例E1～4的样品均未实施蚀刻，因此，残留在表面的氟离子(F-)、硝酸根离子(NO3 -)、亚硝酸根离子(NO2 -)均低于0.2ppbw。
另外，根据实施例E1与实施例E2～4的比较，可以确认通过覆盖塑料制袋而带来的显著的金属污染降低效果。
而且，由保管期间1个月的实施例E2与保管期间6个月的实施例E4的比较看出，如果进行本发明的操作，则即使长期保管，表面污染也几乎不会加重。
这样，根据本发明，不一定需要清洗、蚀刻、水洗这样的以往被认为必需的工序，因此，可实现制造工序的简化和低成本化，并且可得到表面洁净度高的多晶硅块。
[表1]
样品 E1 E2 E3 E4 C1 C2 C3 C4
内表面清洗 无 0.5重量％ 10重量％ 0.5重量％ - - - -
保管期间 1个月 1个月 1个月 6个月 - - - -
蚀刻时间 0 0 0 0 8分钟 1分钟 0 0
水洗 无 无 无 无 有 有 无 有
Li ＜2 ＜2 ＜2 ＜2 ＜2 ＜2 2 ＜2
Na 124 8 7 7 14 13 7,840 281
Mg 187 4 4 4 4 60 354 40
Al 8 2 2 3 ＜2 83 459 67
K 9 ＜2 ＜2 ＜2 ＜2 24 1,120 87
Ca 54 3 4 3 2 64 954 106
Ti 145 2 2 2 ＜2 124 189 41
Cr 24 5 6 4 7 40 545 74
Mn 21 ＜2 ＜2 ＜2 ＜2 18 87 24
Fe 108 6 5 7 5 146 12,400 296
Co 41 3 2 3 ＜2 5 186 5
Ni 20 ＜2 ＜2 ＜2 ＜2 13 2,450 35
Cu 5 ＜2 ＜2 ＜2 ＜2 3 985 16
Zn 15 ＜2 ＜2 ＜2 ＜2 81 249 586
Mo ＜2 ＜2 ＜2 ＜2 ＜2 2 3 3
Sn ＜2 ＜2 ＜2 ＜2 ＜2 2 2 1
Pb ＜2 ＜2 ＜2 ＜2 ＜2 2 3 3
F- ＜0.2 ＜0.2 ＜0.2 ＜0.2 23 4 ＜0.2 ＜0.2
NO3 - ＜0.2 ＜0.2 ＜0.2 ＜0.2 116 2 ＜0.2 ＜0.2
NO2 - ＜0.2 ＜0.2 ＜0.2 ＜0.2 98 ＜0.2 ＜0.2 ＜0.2
产业上的可利用性
如以上说明的那样，通过本发明，可提供实现制造工序的简化和低成本化并且能够进行多晶硅材料的洁净化的方法。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种多晶硅棒的制造方法，其具备：将刚利用西门子法合成后的硅多晶棒在反应器内收容到塑料制袋中来维持表面洁净度，在该收容后将所述硅多晶棒取出到所述反应器外的工序：和
将所述塑料制袋取出到所述反应器外之后进行密封的工序，
所述塑料制袋的内表面利用稀酸水溶液进行了清洗。
2.如权利要求1所述的多晶硅棒的制造方法，其中，所述稀酸水溶液为0.1～10重量％的、稀硝酸水溶液或稀盐酸水溶液。
3.一种多晶硅棒，其通过权利要求1所述的方法得到。
4.一种多晶硅块，其通过将权利要求3所述的多晶硅棒粉碎而得到。
5.如权利要求4所述的多晶硅块，其中，所述粉碎在等级1000以上的水平的洁净室内进行。
6.如权利要求4或5所述的多晶硅块，其中，残留在表面的氟离子(F-)、硝酸根离子(NO3 -)、亚硝酸根离子(NO2 -)均低于0.2ppbw。

Claims (8)

1.一种多晶硅棒的制造方法，其具备如下工序：将刚利用西门子法合成后的硅多晶棒在反应器内收容到塑料制袋中，在该收容后将所述硅多晶棒取出到所述反应器外。
2.如权利要求1所述的多晶硅棒的制造方法，其中，具备将所述塑料制袋取出到所述反应器外之后进行密封的工序。
3.如权利要求1或2所述的多晶硅棒的制造方法，其中，所述塑料制袋的内表面利用稀酸水溶液进行了清洗。
4.如权利要求3所述的多晶硅棒的制造方法，其中，所述稀酸水溶液为0.1～10重量％的、稀硝酸水溶液或稀盐酸水溶液。
5.一种多晶硅棒，其通过权利要求1或2所述的方法得到。
6.一种多晶硅块，其通过将权利要求5所述的多晶硅棒粉碎而得到。
7.如权利要求6所述的多晶硅块，其中，所述粉碎在等级1000以上的水平的洁净室内进行。
8.如权利要求6或7所述的多晶硅块，其中，残留在表面的氟离子(F-)、硝酸根离子(NO3 -)、亚硝酸根离子(NO2 -)均低于0.2ppbw。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107891314A (zh) * 2017-10-25 2018-04-10 湖北亿佳欧电子陶瓷股份有限公司 一种陶瓷棒的研磨方法
CN110129892A (zh) * 2019-06-03 2019-08-16 西安奕斯伟硅片技术有限公司 减少硅块表面有机物的方法及单晶硅的制备方法
CN110352177A (zh) * 2017-03-08 2019-10-18 株式会社德山 多晶硅加工品的制造方法
CN113348149A (zh) * 2019-01-25 2021-09-03 株式会社德山 多晶硅块状物、其包装体及其制造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015209629A1 (de) * 2015-05-26 2016-12-01 Wacker Chemie Ag Verpackung von Polysilicium
JP6472732B2 (ja) * 2015-09-15 2019-02-20 信越化学工業株式会社 樹脂材料、ビニール製袋、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊
US10463077B2 (en) 2016-06-24 2019-11-05 Altria Client Services Llc Cartridge for e-vaping device with open-microchannels
EP3617144A4 (en) * 2017-04-24 2021-02-17 Tokuyama Corporation PROCESS FOR MANUFACTURING POLYCRYSTALLINE SILICON FRAGMENT AND PROCESS FOR MANAGING THE SURFACE METAL CONCENTRATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON FRAGMENT

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050034430A1 (en) * 2002-02-01 2005-02-17 Wacker-Chemie Gmbh Process and apparatus for the cost-effective packaging of polysilicon fragments
CN102498064A (zh) * 2009-09-16 2012-06-13 信越化学工业株式会社 多晶硅块及多晶硅块的制造方法
CN103420374A (zh) * 2012-05-21 2013-12-04 瓦克化学股份公司 多晶硅
CN103570021A (zh) * 2012-08-06 2014-02-12 瓦克化学股份公司 多晶硅块及其制造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4328303B2 (ja) * 2004-09-16 2009-09-09 株式会社サンリック 太陽光発電用多結晶シリコン原料および太陽光発電用シリコンウェーハ
DE102007027110A1 (de) * 2007-06-13 2008-12-18 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zum Verpacken von polykristallinem Siliciumbruch
JP5137670B2 (ja) * 2008-04-23 2013-02-06 信越化学工業株式会社 多結晶シリコンロッドの製造方法
JP5268442B2 (ja) * 2008-06-17 2013-08-21 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ 多結晶シリコン及びその製造方法
CN201598183U (zh) * 2009-12-03 2010-10-06 江苏中能硅业科技发展有限公司 一种半导体材料棒材的洁净出料装置
CN102314633A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 国际商业机器公司 用于处理数据分析的设备和方法
DE102010039752A1 (de) 2010-08-25 2012-03-01 Wacker Chemie Ag Polykristallines Silicium und Verfahren zu dessen Herstellung
CN102416280A (zh) * 2010-09-27 2012-04-18 北京柯兰富尔过滤技术有限公司 多晶硅废气焚烧的分离除尘包装***
DE102011003875A1 (de) * 2011-02-09 2012-08-09 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zum Dosieren und Verpacken von Polysiliciumbruchstücken sowie Dosier- und Verpackungseinheit
WO2012164803A1 (ja) * 2011-06-02 2012-12-06 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン棒の選択方法および単結晶シリコンの製造方法
JP2013024133A (ja) * 2011-07-21 2013-02-04 Panasonic Corp 電動送風機およびそれを用いた電気掃除機
DE102011080105A1 (de) 2011-07-29 2013-01-31 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Reinigung von polykristallinen Siliciumbruchstücken
JP5696063B2 (ja) * 2012-02-02 2015-04-08 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン棒搬出冶具および多結晶シリコン棒の刈取方法
JP5984758B2 (ja) * 2013-07-31 2016-09-06 信越化学工業株式会社 シリコン芯線の取り扱い方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050034430A1 (en) * 2002-02-01 2005-02-17 Wacker-Chemie Gmbh Process and apparatus for the cost-effective packaging of polysilicon fragments
CN102498064A (zh) * 2009-09-16 2012-06-13 信越化学工业株式会社 多晶硅块及多晶硅块的制造方法
CN103420374A (zh) * 2012-05-21 2013-12-04 瓦克化学股份公司 多晶硅
CN103570021A (zh) * 2012-08-06 2014-02-12 瓦克化学股份公司 多晶硅块及其制造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110352177A (zh) * 2017-03-08 2019-10-18 株式会社德山 多晶硅加工品的制造方法
CN107891314A (zh) * 2017-10-25 2018-04-10 湖北亿佳欧电子陶瓷股份有限公司 一种陶瓷棒的研磨方法
CN113348149A (zh) * 2019-01-25 2021-09-03 株式会社德山 多晶硅块状物、其包装体及其制造方法
CN110129892A (zh) * 2019-06-03 2019-08-16 西安奕斯伟硅片技术有限公司 减少硅块表面有机物的方法及单晶硅的制备方法

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