CN106413248B - 低介电常数树脂基材用处理铜箔及使用该处理铜箔的覆铜层压板以及印刷配线板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种低介电常数树脂基材用处理铜箔及使用该处理铜箔的覆铜层压板以及印刷配线板，该处理铜箔相对于低介电常数基材也具备高的剥离强度，且传递特性优异。在未处理铜箔的至少一面具备粗化处理层，在所述粗化处理层上具备抗氧化处理层，所述低介电常数树脂的1GHz以上频率的介电损耗角正切为0.005以下，其中，所述粗化处理层由粒径为300～600nm的铜粒子形成，所述抗氧化处理层含有钼和钴，与树脂基材粘接的处理面的十点平均粗糙度Rz为0.6～2.0μm，且所述未处理铜箔和所述处理面的色差ΔE*ab为35～55。

Description

低介电常数树脂基材用处理铜箔及使用该处理铜箔的覆铜层 压板以及印刷配线板
技术领域
本发明涉及一种相对于低介电常数树脂基材也具备高的剥离强度且传递特性优异的处理铜箔。
背景技术
用于信息通信设备等的印刷配线板在树脂基材上形成有具有导电性的配线图案。作为该树脂基材，可举出：在玻璃布或纸等增强材料上含浸具有绝缘性的酚醛树脂或环氧树脂、聚苯醚树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂等的刚性印刷配线板用、由聚酰亚胺树脂或环烯烃聚合物树脂等构成的挠性印刷配线板用。
另一方面，作为具有导电性的配线图案的材料，通常使用铜箔。
该印刷配线板可以如下制作：通过对树脂基材和铜箔进行加热、加压而制作覆铜层压板后，为形成配线图案而通过蚀刻将铜箔的不需要部分除去。
铜箔根据其制法而大致分为电解铜箔和压延铜箔这两种，根据各自的特征并按照用途区分使用。此外，任何铜箔几乎都不能直接使用，使用以粗化处理层为主，设有耐热处理层、防锈处理层等各种处理层的铜箔(以下将设有各种处理层的铜箔称作“处理铜箔”)。
最近的信息通信设备因高功能化或网络化的扩大等，对用于信息通信的信号高速化、高频化，能够与高速、高频相对应的印刷配线板的需求急剧增加。
但是，应对高速、高频的印刷配线板，除了迄今为止的印刷配线板所要求的特性外，还要求以传输损耗为代表的“传递特性”。
传输损耗表示在印刷配线板中流动的电流根据距离等而衰减的程度，通常有传输损耗随着频率变高而增大的趋势。所谓传输损耗大是指规定电流只有一部分向负载侧传递，因此，为了在实用上没有问题地使用，必须更低地抑制传输损耗。
印刷配线板的传输损耗是电介质损耗和导体损耗相加(summing)的损耗。电介质损耗源自树脂基材，归因于介电常数和介电损耗角正切。另一方面，导体损耗源自导电体即铜箔，归因于导体电阻。因此，要降低传输损耗，减小树脂基材的介电常数或介电损耗角正切自不必说，还需要减小铜箔的导体电阻。
如上所述，传输损耗具有随着电流的频率升高而增大的趋势，这是因为导体损耗即导体电阻变高，“趋肤效应”和“处理铜箔的表面形状”有关系。
趋肤效应是指在导电体中流动的电流随着频率提高而流过导电体的表面附近的效果。而且，定义为直至相对于导电体表面的电流成为1/e倍的电流的点的距离的表皮深度δ用式(1)表示。
δ＝(2/(ωσμ))1/2 (式1)
ω为角频率，σ为导电率，μ为磁导率。
在铜的情况下，根据其导电率和相对磁导率，式(1)变成如下。
δ＝0.066/f1/2 (式2)
f为频率。
根据式(2)可知，电流随着频率变高而在更接近导电体的表面的部位流动，例如，频率为10MHz时的趋肤深度约为20μm，与之相对，频率为40GHz时的趋肤深度约为1μm，几乎仅在表面流动。
因此，在为了提高与树脂基材的密合性而在如现有技术那样设有粗化处理层的处理铜箔中流过高频电流的情况下，电流沿着粗化处理层的表面形状流动，与主要一直在中心部流动的情况相比，其传播距离增大，因此认为导体电阻增大，从而导致传输损耗的增大。
因此，作为应对高速、高频传递的印刷配线板用的处理铜箔，需要将导体电阻抑制为较低，因此，认为优选减小构成粗化处理层的粗化粒子的粒径，以减小表面粗糙度。
另外，在树脂基材中，为了抑制电介质损耗，也优选减少使传输损耗增大的极性高的官能团。
通常被称作低介电常数树脂基材的树脂基材包含液晶聚合物、聚氟乙烯、异氰酸酯化合物等，使极性高的官能团减少或消失。
若仅着眼于传递特性，不具备粗化处理层的未处理铜箔由于表面粗糙度小，所以可缩短电流的传播距离，其结果是，可以减小电阻，因此认为，作为导体最优异，但在着眼于铜箔和树脂基材的密合性的情况下，不具备粗化处理层的未处理铜箔由于固着效果小，与树脂基材的密合力弱，所以不能确保剥离强度，难以用于印刷配线板。
特别是低介电常数树脂基材由于有助于密合性的极性高的官能团减少或者消失，不能期望化学键合带来的密合力，所以需要通过粗化粒子产生的固着效果来确保密合力。而且，为了得到高的密合力即高的剥离强度，需要增大该粗化粒子径。
如果在未处理铜箔上设置粗化处理层，进一步使构成粗化处理层的粗化粒子的附着量增加、或者增大粒径，则固着效果提高，因此，能够提高剥离强度，但如上所述，如果设置了粗化处理层，则电流的传播距离变长，导体电阻增大，传输损耗增加。
这样，在应对高速、高频信号的印刷配线板的情况下，会产生如下二难推论：如果为了抑制树脂基材的传输损耗而减少极性高的官能团，则得不到与处理铜箔的高密合性；如果为了提高树脂基材和处理铜箔的密合性而增大粗化粒子的粒径，则因趋肤效应而使传输损耗增加。
但是，与高速、高频传递相对应的印刷配线板在实用上需要满足这些所有情况，期望开发即使是极性高的官能团少的低介电常数树脂基材，也能够获得充分的剥离强度，且成为可抑制传输损耗的印刷配线板的处理铜箔。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-155415号公报；
专利文献2：国际公开号WO2003/102277。
发明内容
专利文献1中公开有一种为了提高与应对高频传递的绝缘树脂的粘接性而设置了粗化处理层及耐热处理层的处理铜箔。
专利文献1公开的处理铜箔通过增大构成粗化处理层的粒子而确保剥离强度。
但是，当粗化粒子较大时，电流传播距离就会变长，因此存在传输损耗增加的问题。
另外，在传输损耗因耐热处理层、防锈处理层及硅烷偶联剂层而进一步增加，特别是耐热处理层含有Ni的情况下，趋肤深度变浅，因此，使得电流集中在铜箔的表面部分流动，更容易受处理层表面的凹凸的影响，存在传输损耗进一步增加的问题。
专利文献2中公开有一种处理铜箔，其为了提高应对高频传递的树脂基材的粘接性，设有粗化处理层和含有锌及镍的防锈处理层，在防锈处理层上设有铬酸盐层，在铬酸盐层上设有硅烷偶联剂吸附层，其中，通过将处理面的表面粗糙度调制在一定的范围而抑制传输损耗。
但是，由于粗化处理层的粗化粒子较大，所以电流传播距离变长，存在传输损耗增加的问题。
另外，由于防锈处理层含有Ni，所以趋肤深度变浅，电流集中在铜箔的表面部分流动，存在传输损耗进一步增加的问题。
本发明人等以解决所述诸多问题点为技术课题，重复进行了试行错误的多次的试作、实验，结果得到令人瞩目的见解，实现了所述技术课题，该见解为：如果为粗化处理层由粒径300～600nm的铜粒子形成，抗氧化处理层含有钼和钴，与低介电常数树脂基材粘接的处理面的十点平均粗糙度Rz为0.6～2.0μm，且未处理铜箔和处理面的色差ΔE*ab为35～55的处理铜箔，则在设有粗化处理层的情况下，也为与未处理铜箔同程度的传输损耗即伝送特性优异的导体，同时，相对于低介电常数树脂基材也能够得到高的剥离强度。
所述技术课题如下，可通过本发明解决。
本发明提供一种低介电常数树脂基材用处理铜箔，在未处理铜箔的至少一面具备粗化处理层，在所述粗化处理层上具备抗氧化处理层，所述低介电常数树脂的1GHz以上频率的介电损耗角正切为0.005以下，其中，所述粗化处理层由粒径为300～600nm的铜粒子形成，所述抗氧化处理层含有钼和钴，与树脂基材粘接的处理面的十点平均粗糙度Rz为0.6～2.0μm，且所述未处理铜箔和所述处理面的色差ΔE*ab为35～55(第一方面)。
另外，本发明的低介电常数树脂基材用处理铜箔在第一方面的基础上，在所述抗氧化处理层上具备一个以上如下a、b的层(第二方面)：
a.铬酸盐层
b.硅烷偶联剂层。
另外，本发明提供一种覆铜层压板，将第一或第二方面所述的处理铜箔贴合于1GHz以上频率的介电损耗角正切为0.005以下的低介电常数树脂基材上而形成(第三方面)。
另外，本发明的覆铜层压板在第三方面的基础上，与含有液晶聚合物的1GHz以上频率的介电损耗角正切为0.005以下的低介电常数树脂基材的剥离强度为0.6kN/m以上(第四方面)。
另外，本发明提供一种处理铜箔的处理方法，用于对第一或第二方面所述的处理铜箔进行处理，其特征在于，在电解液中添加淀粉分解物(第五方面)。
另外，本发明提供一种覆铜层压板的制造方法，用于制造第三或第四方面所述的覆铜层压板，其特征在于，对处理铜箔和1GHz以上频率的介电损耗角正切为0.005以下的低介电常数树脂基材一边加热一边加压使其贴合(第六方面)。
另外，本发明提供一种印刷配线板，使用第三或第四方面所述的覆铜层压板形成(第七方面)。
另外，本发明提供一种印刷配线板的制造方法，用于制造第七方面所述的印刷配线板(第八方面)。
在本说明书中，有时将本发明中的粗化处理层特别称作树脂诱导浸透层。
本发明的处理铜箔中，构成粗化处理层(树脂诱导浸透层)的粗化粒子为粒径300～600nm的铜粒子，与树脂基材粘接的处理面的十点平均粗糙度Rz为0.6～2.0μm，且所述未处理铜箔和所述处理面的色差ΔE*ab为35～55，因此，在与树脂基材进行加热、加压成形时，该树脂均匀地浸透到粗化粒子间，处理铜箔表面和树脂大面积立体粘接，即使是有助于剥离强度的极性高的官能团少的低介电常数树脂基材，也能够实现强的剥离强度。
特别是，对于含有液晶聚合物的1GHz以上频率的介电损耗角正切为0.005以下的低介电常数树脂基材，能够得到0.6kN/m以上的剥离强度。
另外，本发明的处理铜箔的与低介电常数树脂基材粘接的处理面的十点平均粗糙度Rz为0.6～2.0μm，抗氧化处理层含有钼和钴，且不含镍等使传输损耗上升的金属，因此，在低介电常数树脂基材上贴合本发明的处理铜箔而成的覆铜层压板，例如即使为高频，也能够将传输损耗抑制在和与未设置粗化处理层的未处理铜箔贴合的覆铜层压板同等程度。
特别是，贴合于含有液晶聚合物的1GHz以上频率的介电损耗角正切为0.005以下的低介电常数树脂基材上的覆铜层压板在频率40GHz的高频下的传输损耗为-5.5dB/100mm以上，与未处理铜箔相比，能够通过具备树脂诱导浸透层而将传输损耗抑制为低于5％。
附图说明
图1是本发明的处理铜箔截面的示意图；
图2是本发明的处理铜箔截面的15,000倍的扫描电子显微镜照片。
其中，附图标记说明如下：
1 铜箔；
2 树脂诱导浸透层；
3 抗氧化处理层。
具体实施方式
＜未处理铜箔＞
本发明使用的各处理前的铜箔(以下称作“未处理铜箔”)没有特别限定，也可以使用没有表里之分的铜箔、有表里之分的铜箔的任一种。
实施表面处理的一面(以下称作“处理面”)没有特别限定，压延铜箔不用说可以是任意的面，在电解铜箔中也可以是析出面或光泽面中的任意一面。
此外，在使用压延铜箔时，优选浸渍于烃类有机溶剂中，除去压延油之后进行粗化处理。
未处理铜箔的厚度没有特别限定，只要是在表面处理后可用于印刷配线板的厚度即可，但优选为6～300μm，更优选为9～70μm。
另外，未处理铜箔的实施表面处理的面优选在测定JIS Z8781中定义的表色系L*a*b*时，为L*83～88、a*14～17、b*15～19的范围。
＜树脂诱导浸透层(粗化处理层)＞
构成树脂诱导浸透层的铜粒子的粒径优选为300～600nm，更优选为380～530nm。
在本发明中，将下限值设为300nm，但不排除含有300nm以下的粒子。但是，当不足300nm的粒子较多时，在贴合于低介电常数树脂基材上的情况下，有可能得不到能够用于挠性印刷配线板的充分的剥离强度，另外，当超过600nm时，表面粗糙度增加，传输损耗增大，因此，这些情况都不优选。
另外，铜粒子的凸部的间隔优选为350～450nm的范围。
树脂诱导浸透层的厚度优选为370～810nm，更优选为500～680nm。
当厚度不足370nm时，有可能得不到充分的剥离强度，当超过810nm时，传输损耗增大，这些情况都不优选。
树脂诱导浸透层的粒径、铜粒子的凸部的间隔及厚度例如可以通过用扫描电子显微镜等在倾斜角度40°下放大至倍率10,000～30,000倍进行观察、测量而进行测定。
在树脂诱导浸透层的形成中，优选五水硫酸铜50～150g/L中硫酸为90～110g/L的电解液。
当五水硫酸铜的浓度为50g/L以下时，铜粒径的粒径不足300nm的粒子增多，另外，当五水硫酸铜的浓度为150g/L以上时，则不能形成粗化粒子，所以均不优选。
可以在上述电解液中添加各种添加剂。
作为可适当添加的添加物，可以举出淀粉分解物及金属硫酸盐、金属氧化物。
上述电解液中添加的淀粉分解物没有特别限定，可以是完全分解、部分分解的任一种。
平均分子量优选为100～100,000，更优选为100～10,000。
作为金属的硫酸盐或氧化物，可举出硫酸铟、五氧化二钒、二氧化锗等。
优选在电解液中浸入铂族氧化物包覆钛等不溶性电极作为阳极并浸入未处理铜箔作为阴极，按照电流密度10～50A/dm2、电量80～100C/dm2、液温35～45℃的电解条件进行电解，形成树脂诱导浸透层。
如果电流密度为10A/dm2且电量低于80C/dm2，则铜粒子不能充分附着，另外，如果电流密度为50A/dm2且电量高于100C/dm2，则粒径超过600nm的铜粒子的比例增加，所以都不优选。
＜抗氧化处理层＞
本发明的处理铜箔在树脂诱导浸透层上具备抗氧化处理层。
抗氧化处理层的附着量优选为30～300mg/m2，更优选为50～120mg/m2。
抗氧化处理层的附着量为30mg/m2以下时，不能完全被覆树脂诱导浸透层，另外，抗氧化处理层的附着量为300mg/m2以上时，传输损耗有可能增加，另外，因为即使比300mg/m2以上多，也不能期望抗氧化性能的提高。
另外，抗氧化处理层中所含的钴优选为20～155mg/m2，钼优选为10～145mg/m2。
不满足下限值的各浓度时，抗氧化性能不充分，另外，超过上限值的各浓度时，传输损耗有可能增加。
形成抗氧化处理层的电解液优选为将含钴化合物10～100g/L水溶液中含有1～80g/L的含钼化合物的水溶液调制为pH4～10的电解液。
作为含钴化合物，例如可以举出七水硫酸钴。
作为含钼化合物，例如可以举出二水钼酸钠。
在电解液中浸入铂族氧化物包覆钛等不溶性电极作为阳极并浸入形成树脂诱导浸透层的铜箔作为阴极，按照电流密度0.1～10A/dm2、电量5～20C/dm2、液温20～50℃的条件进行电解，能够形成抗氧化处理层。
＜铬酸盐层及硅烷偶联剂层＞
本发明的处理铜箔根据需要可以在抗氧化处理层上设置一层以上的选自铬酸盐层及硅烷偶联剂层中的层。
形成铬酸盐层的电解液优选为将含铬酸化合物10～100g/L水溶液调制为pH2～12的电解液。
作为含铬酸的化合物，例如可举出重铬酸钠二水合物。
铬酸盐层可以如下形成：在电解液中浸入铂族氧化物包覆钛等不溶性电极作为阳极并浸入形成抗氧化处理层的铜箔作为阴极，按照液温20～50℃、电流密度0.1～10A/dm2、电量0.5～20C/dm2的条件进行电解。
此外，铬酸盐层也可以含有锌。
可以在铬酸盐层上、或者抗氧化处理层上设置硅烷偶联剂层。
用于硅烷偶联剂层的硅烷偶联剂没有特别限定，可以使用含有乙烯基、环氧基、苯乙烯基、甲基烯丙基、丙烯酸基、氨基、脲基及巯基的硅烷偶联剂，但含有氨基、环氧基或乙烯基的硅烷偶联剂的耐吸湿性和防锈性的效果非常高，可以更优选使用。
硅烷偶联剂可以是一种，也可以组合2种以上使用。
可以在浸渍于调制为液温20～50℃的硅烷偶联剂水溶液中后、并用喷雾等方法散布后通过水洗而形成。
＜树脂基材＞
本发明的贴合处理铜箔的低介电常数树脂基材是使有助于铜箔和树脂基材的粘接的极性大的官能团降低或消失的树脂基材，在1GHz以上的频率下，介电损耗角正切为0.005以下。
作为低介电常数树脂基材，可以示例含有液晶聚合物、聚氟乙烯、异氰酸酯化合物、改性聚苯醚的树脂。
＜色差ΔE*ab的测定＞
可以在测定了未处理铜箔的处理前的面和处理铜箔处理面的JIS Z8781中定义的表色系L*a*b*后，通过([ΔL*]2+[Δa*]2+[Δb*]2)1/2所示的公式算出色差ΔE*ab。
实施例
以下示出本发明的实施例，但本发明不限于此。
＜未处理铜箔＞
作为实施例及比较例的未处理铜箔，使用厚度12μm的压延铜箔或电解铜箔。
此外，压延铜箔在烃类有机溶剂中浸渍60秒而除去压延油之后进行各处理。
(实施例1～6)
＜树脂诱导浸透层的形成＞
调整表1记载的电解液。阳极使用由铂族氧化物被覆了表面的钛，阴极使用未处理铜箔，将两电极浸渍于各电解液中，以表1记载的各电解条件进行电解，在各未处理铜箔的一面上分别形成树脂诱导浸透层。
此外，作为淀粉分解物，使用分子量为100～10,000的分解物的混合物。
＜含钴-钼的抗氧化处理层＞
在含有七水硫酸钴38g/L、二水钼酸钠23g/L、柠檬酸三钠二水合物45g/L、硫酸钠80g/L的pH5.6、液温30℃的水溶液中，作为阳极使用由铂族氧化物被覆了表面的钛，作为阴极使用具备树脂诱导浸透层的处理铜箔，对于两电极以电流密度7.0A/dm2、电量14C/dm2的电解条件在树脂诱导浸透层上设置含钴-钼的抗氧化处理层。
＜铬酸盐层＞
在将液温30℃的重铬酸钠二水合物40g/L水溶液用氢氧化钠调制为pH12.0的铬酸盐水溶液中，作为阳极使用由铂族氧化物被覆了表面的钛，并且作为阴极使用具备树脂诱导浸透层及含钴-钼的抗氧化处理层的处理铜箔，对于两电极以电流密度2.0A/dm2、电量10C/dm2的电解条件在含钴-钼的抗氧化处理层上设置铬酸盐层。
＜硅烷偶联剂层＞
将具备各处理层的处理铜箔在液温30℃的含有γ-氨丙基三乙氧基硅烷5ml/L的水溶液中浸渍10秒钟，在铬酸盐层上形成硅烷偶联剂层。
在形成硅烷偶联剂层后，在温度约25℃下自然干燥，制成各实施例的处理铜箔。
表1
(比较例1)
除不设置树脂诱导浸透层以外，按照与实施例1相同的条件制作。
(比较例2)
将未处理铜箔浸入包含五水硫酸铜47g/L、硫酸100g/L的电解液中，以电流密度50A/dm2、电量130C/dm2、液温30℃的电解条件进行电解，形成微细粒子层后，浸入包含五水硫酸铜200g/L、硫酸100g/L的电解液中，以电流密度5A/dm2、电量400C/dm2、液温40℃的电解条件进行电解，由此形成树脂诱导浸透层，除此之外，按照与实施例1相同的条件制作。
(比较例3)
将包含五水硫酸铜55g/L、二乙烯三胺五乙酸五钠100g/L的电解液用硫酸调制为pH4.5后，浸入未处理铜箔，以电流密度1.4A/dm2、电量85C/dm2、液温32℃的电解条件进行电解，形成树脂诱导浸透层，除此之外，按照与实施例1相同的条件制作。
(比较例4)
在包含五水硫酸铜45g/L、硫酸80g/L、硫酸氧钛2g/L、钨酸钠二水合物0.045g/L的电解液中浸入未处理铜箔，以电流密度10A/dm2、电量50C/dm2、液温35℃的电解条件进行电解，形成微细粒子层后，浸入含有五水硫酸铜200g/L、硫酸100g/L的电解液中，以电流密度10A/dm2、电量250C/dm2、液温40℃的电解条件形成树脂诱导浸透层，除此之外，按照与实施例1相同的条件制作。
(比较例5)
将含有五水硫酸铜61g/L、七水硫酸钴29g/L、硫酸镍六水合物49g/L、硫酸钠80g/L的电解液用硫酸调制为pH2.5后，浸入未处理铜箔，以电流密度5A/dm2、电量45C/dm2、液温30℃的电解条件进行电解，形成树脂诱导浸透层，除此之外，按照与实施例1同样的条件制作。
(比较例6)
在比较例5的电解液中浸入未处理铜箔，以电流密度5A/dm2、电量105C/dm2、液温30℃的电解条件进行电解，形成树脂诱导浸透层，除此之外，按照与实施例1相同的条件制作。
(比较例7)
将含有硫酸镍六水合物30g/L、次磷酸钠一水合物2.0g/L、乙酸钠三水合物10g/L的电解液用硫酸调制为pH4.5后，以电流密度5.0A/dm2、电量10C/dm2、液温30℃的电解条件进行电解，形成抗氧化处理层，除此之外，按照与实施例1相同的条件制作。
(比较例8)
将含有硫酸镍六水合物55g/L、七水硫酸钴22g/L的电解液用硫酸调制为pH3.0，制成电解液，以电流密度5.0A/dm2、电量10C/dm2、液温40℃的电解条件进行电解，形成抗氧化处理层，除此之外，按照与实施例1相同的条件制作。
(比较例9)
将比较例3的处理铜箔与非低介电常数的聚酰亚胺树脂贴合。
(参考例1～6)
将实施例1～6的处理铜箔与非低介电常数的聚酰亚胺树脂贴合。
＜覆铜层压板A＞
将实施例1～6及比较例1～8的各处理铜箔的各处理面作为被粘接面，与基于三板线路谐振器的25GHz的介电损耗角正切为0.002的液晶聚合物树脂基材(株式会社可乐丽(Kuraray Co.,Ltd.)制、品名：CT-Z、厚度50μm)合在一起后，使用真空热压机(北川精机株式会社(Kitagawa Seiki Co.,Ltd.)制KVHC-II)在真空(7torr)、温度260℃下预热15分钟，之后在真空(7torr)、温度300℃、压力4MPa下进行10分钟的加热、加压成型，得到覆铜层压板A。
覆铜层压板A用于剥离强度的测定。
＜覆铜层压板B＞
将实施例1～6及比较例1～8的各处理铜箔的各处理面和液晶聚合物树脂基材(株式会社可乐丽制、品名：CT-Z、厚度50μm)合在一起，使接地用铜箔(70μm)与上述各处理铜箔的另一面合在一起后，使用真空热压机在真空(7torr)、温度260℃下预热15分钟，之后在真空(7torr)、温度260℃、压力4MPa下进行10分钟的加热、加压成型，得到覆铜层压板B。
覆铜层压板B用于传输损耗的测定。
＜覆铜层压板C＞
将比较例9及参考例1～6的各处理铜箔的各处理面作为被粘接面，与聚酰亚胺树脂基材(株式会社钟化(Kaneka Corporation)制、品名：FRS-142、厚度25μm)合在一起后，使用真空热压机在真空(7torr)、温度260℃下预热15分钟，之后在真空(7torr)、温度300℃、压力4MPa下进行10分钟的加热、加压成型，得到覆铜层压板C。
未处理铜箔或处理铜箔的评价通过下面的方法进行。
＜表面粗糙度的测定＞
对于未处理铜箔或处理铜箔的设有处理层的各面，采用适合JIS B0651-2001所规定的触针式表面粗糙度计的表面粗糙度测试仪(Surfcorder)SE1700α(株式会社小坂研究所(Kosaka Laboratory Ltd.)制)，作为触针使用触针尖端半径为2μm的触针，设粗糙度曲线用截止值为0.8mm、测定距离为4.0mm，测定JISB0601-1994所定义的十点平均粗糙度Rz。
＜粒径的测定＞
使用扫描显微镜SEM(日本电子株式会社(JEOL)制JSM-6010LA)，一边使试样台倾斜40°，一边以倍率10,000～30,000倍进行观察，对观察到的构成树脂诱导浸透层的铜粒子群的粒子的长度测量10点，将所测量的该10点的平均值作为粒径的值。
＜色差ΔE*ab＞
使用分光测色计(柯尼卡美能达株式会社(Konica Minolta)制CM-600d)测定各处理铜箔的JIS Z8781所定义的表色系L*a*b*，求得与未处理铜箔的L*a*b*的色差ΔE*ab(＝([ΔL*]2+[Δa*]2+[Δb*]2)1/2)。
覆铜层压板的评价通过下面的方法进行。
＜剥离强度＞
使用蚀刻机(株式会社二宫***(Ninomiya System Co.,Ltd.)制SPE-40)，通过蚀刻制作宽度1mm的铜电路试样。按照JIS C6481，使用万能试验机测定剥离强度。
＜传输损耗＞
使用蚀刻机，通过蚀刻形成单端的微带线路。另外，就本基板的电路宽度而言，为覆铜层压板B的情况下，宽度为110μm，为覆铜层压板C的情况下，宽度为50μm，以使特性阻抗成为50Ω。使用网络分析仪(日本安捷伦科技有限公司(Agilent Technologies Japan,Ltd.)制N5247A)对所制作的电路基板测定频率160MHz～40GHz的S参数(S21)。
表2示出各评价结果。
表2
根据实施例1～6可确认：本发明的处理铜箔的传输损耗与不具备树脂诱导浸透层的处理铜箔(比较例1)为同等程度，且本发明的处理铜箔具备与低介电常数树脂基材的高的剥离强度。
工业实用性
本发明的处理铜箔是传输损耗与未处理铜箔为同等程度的优良的导体，并且，即使是有助于粘接的极性大的官能团较少，难以得到高的剥离强度的低介电常数树脂基材，也能够实现高的剥离强度，因此，可以提供也能够适用于挠性印刷配线板的覆铜层压板。
因此，本发明的处理铜箔是产业上的可利用性高的发明。

Claims (7)

1.一种低介电常数树脂基材用处理铜箔，在未处理铜箔的至少一面具备粗化处理层，在所述粗化处理层上具备抗氧化处理层，所述低介电常数树脂基材的1GHz以上频率的介电损耗角正切为0.005以下，其中，
所述粗化处理层由粒径为300～600nm的铜粒子形成，所述抗氧化处理层含有钼和钴，与树脂基材粘接的处理面的十点平均粗糙度Rz为0.6～2.0μm，且所述未处理铜箔和所述处理面的色差ΔE*ab为35～55。
2.根据权利要求1所述的低介电常数树脂基材用处理铜箔，其中，
在所述抗氧化处理层上具备一个以上如下的a、b层：
a.铬酸盐层；
b.硅烷偶联剂层。
3.一种覆铜层压板，将权利要求1或2所述的处理铜箔贴合于1GHz以上频率的介电损耗角正切为0.005以下的低介电常数树脂基材上而形成。
4.根据权利要求3所述的覆铜层压板，其中，
所述覆铜层压板与含有液晶聚合物的1GHz以上频率的介电损耗角正切为0.005以下的低介电常数树脂基材的剥离强度为0.6kN/m以上。
5.一种低介电常数树脂基材用处理铜箔的粗化处理层的处理方法，用于对权利要求1或2所述的低介电常数树脂基材用处理铜箔的粗化处理层进行处理，其特征在于，
其是通过电解法设置权利要求1或2所述的低介电常数树脂基材用处理铜箔的粗化处理层的处理方法，并且在所述电解法的电解液中添加淀粉分解物。
6.一种覆铜层压板的制造方法，用于制造权利要求3或4所述的覆铜层压板，其特征在于，
对处理铜箔和1GHz以上频率的介电损耗角正切为0.005以下的低介电常数树脂基材一边加热一边加压使其贴合。
7.一种印刷配线板，使用权利要求3或4所述的覆铜层压板形成。
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