CN106395813B - 一种单晶体石墨材料制备提纯装置 - Google Patents

一种单晶体石墨材料制备提纯装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种单晶体石墨材料制备提纯装置,包括反应炉,反应炉内设置有多层用于放置石墨片材的隔层,反应炉内壁上还设置有多个与隔层对应的磨损板,磨损板朝向隔层的面上具有磨擦颗粒,连接磨损板设置有振动装置,所述反应炉底部设有提纯罐。与现有技术相比,本发明的一种单晶体石墨材料制备提纯装置,首先将石墨片材进行高温加热,然后利用磨损板对石墨片材进行物理磨损,将高温下石墨片材表面上分离出的单晶体从石墨片材上分离,完成石墨单晶体制备,而提纯罐收集从石墨片材上分离的物质,利用石墨单晶体相比其他杂质或多晶体较轻的特点,吸收漂浮在提纯罐上部单晶体含量较高的空气,提取到纯度较高的石墨单晶体。

Description

一种单晶体石墨材料制备提纯装置
技术领域
本发明涉及一种新型材料制造装置,特别是一种单晶体石墨材料制备提纯装置,属于新型材料制备领域。
背景技术
近年来,随着科技的蓬勃发展,电子产品的工作性能不断地被提升,并且电子产品的尺寸亦越来越小,而随着电子产品的工作速度与效率的提高,这也意味着电子产品的发热量越来越大,因此电子产品不仅需要配备相应的散热装置,还要确保散热装置具有绝佳的散热能力,以适时地散除电子产品内部的电子组件工作时所产生的热能,借此确保电子产品能正常运作,进而提高产品性能的可靠性及延长产品的使用寿命。
对此,石墨片 (Graphite Sheet) 因具有相对于金属散热片的低密度特性,以及具 有高散热 / 导热、绝缘抗腐蚀及低热阻等特性,目前已成为用以帮助电子产品实现快速散 热 / 导热的首选材料。石墨片除了可以沿水平进行导热,还可沿垂直方向进行导热,特别是 石墨片为片层状结构,因此更能适用于任何产品的表面,以利于达到更佳的散热 /导热的 作用。然而,在传统的石墨片的制备过程中,通常须先对天然的石墨鳞片进行酸化处理 及连续高温锻烧以产生石墨蓬松片,接着静置石墨蓬松片一特定时间以便退温取出。之后, 还须将石墨蓬松片滚压成预定厚度的石墨片,以完成石墨片的制备。值得注意的是,在单次 石墨片的制备过程,仅能获得一石墨片,如此反复操作将花费大量的制备时间,这将使得石 墨片的产能效率无法提高。
如专利号为201310369027.3一种纳米石墨片的制备方法,以天然鳞片石墨为原料,采用氧化剂和插层剂对天然鳞片石墨进行氧化插层处理,形成插层可膨胀石墨,采用微波加热方式对插层可膨胀石墨进行膨化,形成膨胀石墨,其后,在有机溶剂中,采用超声辐照对膨胀石墨进行剥离而成纳米石墨片;本发明方法操作简单,效率高,安全性好,膨胀均匀;所制备出的纳米石墨片其直径为0.5~20μm,厚度为0.35~50nm,平均厚度35nm,剥离程度高,具有卷筒形、卷曲S形、凹凸团块形不同形貌,导热性能良好,在有机溶剂中容易分散。
又如申请号为201410122837.3一种石墨片的制备方法,包括提供第一石墨片,并且黏附第一及第二离型基材于第一石墨片 的第一及第二表面上,接着沿第一石墨片的第一侧边分离第一及第二离型基材,以将第一石墨片分离为厚度均匀的第二及第三石墨片,之后压实分离后的第二石墨片,且黏附第三离型基材于压 实后的第二石墨片的分离面上,以便沿第二石墨片的第二侧边分离第一及第三离型基材,进而将第二石墨片分离为厚度均匀的第四及第五石墨片。本发明所提出的石墨片的制备方法可减少传 统石墨片的制备时间,并且还可简化制备流程,降低成本及减少污染。
以上两种制备方法都均影响了石墨片晶体的物理形态和化学形态,制备出的石墨会存在特性上的偏差。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,而提供一种单晶体石墨材料制备提纯装置。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:
一种单晶体石墨材料制备提纯装置,包括反应炉,所述反应炉内设置有多层用于放置石墨片材的隔层,所述隔层固定在反应炉内壁上,所述反应炉内壁上还设置有多个与隔层对应的磨损板,所述磨损板固定在反应炉内壁上,磨损板部分位于隔层上方,磨损板朝向隔层的面上具有磨擦颗粒,磨损板的另一面上设置有电阻加热器,连接磨损板设置有振动装置,所述振动装置分别连接每个磨损板,所述反应炉上还设置有内部鼓风装置;所述反应炉底部设有漏斗管道,连接漏斗管道设置有提纯罐,所述提纯罐底部设置有螺旋桨,提纯罐内上部设置有抽气管道,所述抽气管道分布在提纯罐内上部,所述漏斗管道与提纯罐之间具有闭合阀门。
作为更进一步的优选方案,所述反应炉连接多层隔层的部分上设置有提升装置,所述提升装置为提升板,多层隔层固定在提升板上,提升板连接反应炉处设置有用于提升的驱动电机。
作为更进一步的优选方案,设置有至少三层隔层,相邻两个隔层之间间距为10cm-20cm。
作为更进一步的优选方案,所述隔层的长度为40cm-60cm。
作为更进一步的优选方案,所述反应炉上设置有压力控制阀。
有益效果
与现有技术相比,本发明的一种单晶体石墨材料制备提纯装置,首先将石墨片材进行高温加热,然后利用磨损板对石墨片材进行物理磨损,将高温下石墨片材表面上分离出的单晶体从石墨片材上分离,完成石墨单晶体制备,而提纯罐收集从石墨片材上分离的物质,利用石墨单晶体相比其他杂质或多晶体较轻的特点,吸收漂浮在提纯罐上部单晶体含量较高的空气,提取到纯度较高的石墨单晶体,具体具有以下优点:
1。隔层和磨损板相互配合,可以对隔层上的石墨片材进行加热和磨损处理,取得石墨单晶体方法简单高效,适合广泛运用。
2. 振动装置可以调节磨损板对石墨片材的磨损频率和范围,根据不同材质的石墨板可以进行针对性的调节。
3. 提升装置可以调节石墨片材被磨损的力度,调节提升力度可以选择获得单晶体石墨和多晶体石墨,增加了其用途。
附图说明
图1是本发明的结构示意图;
其中,11-反应炉,12-隔层,13-磨损板,14-电阻加热器,15-振动装置,16-内部鼓风装置,17-提升板,18-压力控制阀,19-漏斗管道,20-提纯罐,21-螺旋桨,22-抽气管道。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的优选技术方案。
如图所示,本发明的一种单晶体石墨材料制备提纯装置,包括反应炉11,所述反应炉11内设置有多层用于放置石墨片材的隔层12,所述隔层12固定在反应炉11内壁上,所述反应炉11内壁上还设置有多个与隔层12对应的磨损板13;
所述磨损板13固定在反应炉11内壁上,磨损板13部分位于隔层12上方,磨损板13朝向隔层12的面上具有磨擦颗粒;
磨损板13的另一面上设置有电阻加热器14;
连接磨损板13设置有振动装置15,所述振动装置15分别连接每个磨损板13;
所述反应炉11上还设置有内部鼓风装置16,对内部的气流循环有着帮助。
所述反应炉11底部设有漏斗管道19,连接漏斗管道19设置有提纯罐20,所述提纯罐20底部设置有螺旋桨21,螺旋桨21先将提纯罐20内所有物质吹散,是所有颗粒物质弥漫在提纯罐20内,而较重的杂质则首先降落,较轻的物质则漂浮在提纯罐20内时间较久,提纯罐20内上部设置有抽气管道22,待较重的杂质降落后,利用抽气管道22对提纯罐20内上层空气进行吸纳,所述漏斗管道19与提纯罐20之间具有闭合阀门,而抽气管道22分布在提纯罐20内上部可以增大一次性吸气面积,快速吸收上部空气,避免吸气时间长,单晶体出现下落情况。
进一步的,所述反应炉11连接多层隔层12的部分上设置有提升装置,所述提升装置为提升板17,多层隔层12固定在提升板17上,提升板17连接反应炉11处设置有用于提升的驱动电机,一般电脑终端控制,提升的力度需要非常精确,而且跨度也非常小。
进一步的,设置有至少三层隔层12,相邻两个隔层12之间间距为10cm-20cm。
进一步的,所述隔层12的长度为40cm-60cm。
进一步的,所述反应炉11上设置有压力控制阀18。
以上所述,仅为本申请较佳的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (3)

1.一种单晶体石墨材料制备提纯装置,其特征在于:包括反应炉(11),所述反应炉(11)内设置有多层用于放置石墨片材的隔层(12),所述隔层(12)固定在反应炉(11)内壁上,所述反应炉(11)内壁上还设置有多个与隔层(12)对应的磨损板(13),所述磨损板(13)固定在反应炉(11)内壁上,磨损板(13)部分位于隔层(12)上方,磨损板(13)朝向隔层(12)的面上具有磨擦颗粒,磨损板(13)的另一面上设置有电阻加热器(14),连接磨损板(13)设置有振动装置(15),所述振动装置(15)分别连接每个磨损板(13),所述反应炉(11)上还设置有内部鼓风装置(16);所述反应炉(11)底部设有漏斗管道(19),连接漏斗管道(19)设置有提纯罐(20),所述提纯罐(20)底部设置有螺旋桨(21),提纯罐(20)内上部设置有抽气管道(22),所述抽气管道(22)分布在提纯罐(20)内上部,所述漏斗管道(19)与提纯罐(20)之间具有闭合阀门;所述反应炉(11)连接多层隔层(12)的部分上设置有提升装置,所述提升装置为提升板(17),多层隔层(12)固定在提升板(17)上,提升板(17)连接反应炉(11)处设置有用于提升的驱动电机;设置有至少三层隔层(12),相邻两个隔层(12)之间间距为10cm-20cm。
2.根据权利要求1所述的一种单晶体石墨材料制备提纯装置,其特征在于:所述隔层(12)的长度为40cm-60cm。
3.根据权利要求1所述的一种单晶体石墨材料制备提纯装置,其特征在于:所述反应炉(11)上设置有压力控制阀(18)。
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Denomination of invention: Single crystal graphite material preparation and purification device

Effective date of registration: 20211208

Granted publication date: 20190201

Pledgee: Bank of Jiangsu Wuxi branch Limited by Share Ltd. Huishan

Pledgor: WUXI DONGHENG NEW ENERGY TECHNOLOGY Co.,Ltd.

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