CN106356420A - 一种异质结型光电探测器及其制备方法 - Google Patents
一种异质结型光电探测器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106356420A CN106356420A CN201610892215.8A CN201610892215A CN106356420A CN 106356420 A CN106356420 A CN 106356420A CN 201610892215 A CN201610892215 A CN 201610892215A CN 106356420 A CN106356420 A CN 106356420A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wire
- zinc oxide
- graphene
- doped zinc
- oxide nano
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 90
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 75
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 97
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 83
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 83
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 31
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 29
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 29
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 10
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 2
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 claims 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 claims 1
- -1 oxidation Kazakhstan Chemical compound 0.000 claims 1
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种异质结型光电探测器及其制备方法,是由p型铕掺杂氧化锌纳米线与n型石墨烯构筑成的异质结光电探测器,本发明光电探测器对可见光非常敏感,响应度及增益较高并且响应速度较快,为纳米材料在光电器件中的应用和集成提供了良好的基础。
Description
技术领域
本发明涉及一种铕掺杂氧化锌纳米线与N型石墨烯的异质结型光电探测器及其制备方法。
背景技术
光电探测器是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。
光电探测器能把光信号转换为电信号。根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同,光电探测器可分为两大类:一类是光子探测器;另一类是热探测器。根据器件结构可以分为光电导型和结型(异质结)光电探测器。光电导性是由于光子在半导体中被吸收时,产生可移动的载流子所造成的。目前纳米半导体光电探测器大多都是基于光电导型结构,由于电极间的载流子传输时间的限制,其速度、响应时间等性能都较差。光电探测器的响应速度决定了其跟随光学信号快速转换的能力,在光波通讯及光通讯中有着极其重要的作用。较慢的响应速度将严重限制了光电探测器在光电器件集成电路中的应用。
发明内容
本发明旨在提供一种异质结型光电探测器及其制备方法,所要解决的技术问题是提高光电探测器的响应速度和性能的稳定性,并尽量简化制备方法使其适于工业化生产。
本发明异质结型光电探测器的异质结是由P铕掺杂氧化锌纳米线与N型石墨烯构成的。
本发明解决技术问题采用如下技术方案:本发明异质结型光电探测器具有如下结构:在硅基底1的表面覆有二氧化硅层2,在二氧化硅层2的表面分散有平铺的铕掺杂氧化锌纳米线4,在所述铕掺杂氧化锌纳米线4的两端分别设置有欧姆电极3作为输出一极,所述欧姆电极3与所述铕掺杂氧化锌纳米线4呈欧姆接触;在所述铕掺杂氧化锌纳米线4上交叠覆有石墨烯5,所述石墨烯5位于两个欧姆电极3之间且与欧姆电极3隔离;在所述石墨烯5上设置有欧姆电极6作为另一输出极,所述欧姆电极6与所述石墨烯5呈欧姆接触且与铕掺杂氧化锌纳米线4和欧姆电极3隔离;所述铕掺杂氧化锌纳米线4为P型铕掺杂氧化锌纳米线;所述石墨烯5为N型石墨烯;所述欧姆电极3和欧姆电极6为金电极。
本发明异质结型光电探测器的制备方法如下:将铕掺杂氧化锌纳米线4分散到硅基底1表面的二氧化硅层2上,随后采用紫外光刻技术在二 氧化硅层2上光刻出一对电极图案,然后利用电子束镀膜技术蒸镀得到一对欧姆电极3,所述欧姆电极3与所述铕掺杂氧化锌纳米线4呈欧姆接触;将石墨烯5覆于二氧化硅层2的表面,利用紫外光刻技术在二氧化硅层2上光刻出与铕掺杂氧化锌纳米线4交叠且位于两个欧姆电极3之间并与欧姆电极3隔离的电极图案,然后利用氧等离子轰击除去电极图案以外的石墨烯得到石墨烯5,再利用紫外光刻技术和电子束镀膜技术制备得到欧姆电极6,所述欧姆电极6与石墨烯5形成欧姆接触且与铕掺杂氧化锌纳米线4和欧姆电极3隔离。
本发明异质结型光电探测器具有如下结构:在硅基底7的表面覆有二氧化硅层8,在二氧化硅层8的表面平铺有石墨烯9,在石墨烯9上设置有绝缘层10,在所述绝缘层10的表面分散有铕掺杂氧化锌纳米线11且所述铕掺杂氧化锌纳米线11的一部分与石墨烯9接触;在绝缘层10上设置有欧姆电极12,所述欧姆电极12与铕掺杂氧化锌纳米线11呈欧姆接触;在石墨烯9上设置有欧姆电极13,所述欧姆电极13与绝缘层10、欧姆电极12和铕掺杂氧化锌纳米线11隔离;所述铕掺杂氧化锌纳米线11为P型铕掺杂氧化锌纳米线;所述石墨烯9为N型石墨烯;所述欧姆电极3和欧姆电极6为金电极。
本发明异质结型光电探测器的制备方法如下:将石墨烯9平铺到硅基底7表面的二氧化硅层8上,采用紫外光刻和磁控溅射镀膜技术在石墨烯9的表面制备绝缘层10,将铕掺杂氧化锌纳米线11分散到绝缘层10上的边缘位置使所述铕掺杂氧化锌纳米线11有部分与石墨烯9交叠接触,利用紫外光刻技术和电子束镀膜技术在绝缘层10上制备欧姆电极12,所述欧姆电极12与所述铕掺杂氧化锌纳米线11呈欧姆接触;再次利用紫外光刻技术和电子束镀膜技术在石墨烯9上制备欧姆电极13,所述欧姆电极13与绝缘层10、欧姆电极12和铕掺杂氧化锌纳米线11隔离。
所述绝缘层10选自氮化硅(Si3N4)、氧化哈(HfO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)或二氧化硅(SiO2),绝缘层10的厚度为10纳米至10微米。
本发明金电极的厚度为100nm。
本发明使用的P型铕掺杂氧化锌纳米线4和N型石墨烯5是按照现有技术采用化学气相沉积方法在水平管式石英炉中合成。
与已有技术相比,本发明有益效果体现在:本发明涉及了一种工艺较为简单,成本低廉的的方法制备了P型氧化钛与N型石墨烯异质结型光电探测器。由于结区其内在电场的加速作用,异质结结型光电探测器探测速度明显优于光电导型探测器。此外,石墨烯具有柔性、透明以及高电导率等特点,使探测器具备了较好的接收被探测光的能力,因此具备了较高的响应度和增益。所以,利用铕掺杂氧化锌纳米线和 石墨烯构筑成异质结型光电探测器具备了较高的探测率、较高的响应度、增益以及较快的探测速度,有利于光电探测器在快速光电集成电路中的应用。
附图说明
图1为本发明P型铕掺杂氧化锌纳米线与N型石墨烯异质结型光电探测器的结构示意图。
图中标号:1为硅基底;2为二氧化硅层;3为欧姆电极;4为铕掺杂氧化锌纳米线;5为石墨烯;6为欧姆电极。
图2为本发明P型铕掺杂氧化锌纳米线与N型石墨烯异质结型光电探测器的结构示意图。
图中标号:7为硅基底;8为二氧化硅层;9为石墨烯;10为绝缘层;11为铕掺杂氧化锌纳米线;12为欧姆电极;13为欧姆电极。
具体实施方式
实施例1:本实施例P型铕掺杂氧化锌纳米线与N型石墨烯异质结型光电探测器具有如下结构:参见图1,在覆有二氧化硅层2的硅基底1的表面分散有平铺的铕掺杂氧化锌纳米线4,在所述铕掺杂氧化锌纳米线4的两端分别设置有100纳米厚的金电极3作为输出一极,所述金电极3与所述铕掺杂氧化锌纳米线4呈欧姆接触;在所述铕掺杂氧化锌纳米线4上交叠覆有石墨烯5,所述石墨烯5位于两个金电极3之间且与金电极3隔离;在所述石墨烯5上设置有100纳米厚的金电极6作为另一输出极,所述金电极6与所述石墨烯5呈欧姆接触且与铕掺杂氧化锌纳米线4和金电极3隔离;其中铕掺杂氧化锌纳米线4为P型铕掺杂氧化锌纳米线;所述石墨烯5为N型石墨烯。
本实施例中P型铕掺杂氧化锌纳米线与N型石墨烯结型光电探测器的制备方法如下:首先,利用化学气相沉积方法在水平管式石英炉中合成铕掺杂氧化锌纳米线4和石墨烯5,将铕掺杂氧化锌纳米线4分散到覆有二氧化硅层2的硅基底1的表面,二氧化硅层2的厚度为300纳米,随后采用紫外光刻技术在二氧化硅层2上光刻出一对电极图案,然后利用电子束镀膜技术蒸镀得到一对100纳米厚的金电极3,所述金电极3与所述铕掺杂氧化锌纳米线4呈欧姆接触;将石墨烯5覆于二氧化硅层2的表面,利用紫外光刻技术在二氧化硅层2上光刻出与铕掺杂氧化锌纳米线4交叠且位于两个金电极3之间并与金电极3隔离的电极图案,然后利用氧等离子轰击除去电极图案以外的石墨烯得到石墨烯5,再利用紫外光刻技术和电子束镀膜技术制备得到100纳米厚的金电极6,所述金电极6与石墨烯5形成欧姆接触且与铕掺杂氧化锌纳米线4和金电极3隔离,由铕掺杂氧化锌纳米线4与石墨烯5形成异质结。
实施例2:如图2所示,本实施例P型铕掺杂氧化锌纳米线与N型石墨烯异质结型光电探测器具有如下结构:在覆有二氧化硅层8的硅基底7的表面平铺有石墨烯9,在石墨烯9上设置有30纳米厚的绝缘层10,在所述绝缘层10的表面分散有铕掺杂氧化锌纳米线11且所述铕掺杂氧化锌纳米线11的一部分与石墨烯9接触;在绝缘层10上设置有100纳米厚的金电极12,所述金电极12与铕掺杂氧化锌纳米线11呈欧姆接触;在石墨烯9上设置有100纳米厚的金电极13,所述金电极13与绝缘层10、金电极12和铕掺杂氧化锌纳米线11隔离;所述铕掺杂氧化锌纳米线11为P型铕掺杂氧化锌纳米线;所述石墨烯9为N型石墨烯。
本实施例中所述绝缘层10为氮化硅。
本实施例中P型铕掺杂氧化锌纳米线与N型石墨烯结型光电探测器的制备方法如下:首先,利用化学气相沉积方法在水平管式石英炉中合成铕掺杂氧化锌纳米线11和石墨烯9,将石墨烯9平铺到覆有二氧化硅层8的硅基底7的表面,采用紫外光刻和磁控溅射镀膜技术在石墨烯9的表面制备30纳米厚的绝缘层10,将铕掺杂氧化锌纳米线11分散到绝缘层10上的边缘位置使所述铕掺杂氧化锌纳米线11有部分与石墨烯9交叠接触,利用紫外光刻技术和电子束镀膜技术在绝缘层10上制备100纳米厚的金电极12,所述金电极12与所述铕掺杂氧化锌纳米线11呈欧姆接触;再次利用紫外光刻技术和电子束镀膜技术在石墨烯9上制备100纳米厚的金电极13,所述金电极13与绝缘层10、金电极12和铕掺杂氧化锌纳米线11隔离。
Claims (5)
1.一种基于铕掺杂氧化锌纳米线的异质结型光电探测器,其特征是具有如下结构:在硅基底(1)的表面覆有二氧化硅层(2),在二氧化硅层(2)的表面分散有平铺的铕掺杂氧化锌纳米线(4),在所述铕掺杂氧化锌纳米线(4)的两端分别设置有欧姆电极(3)作为输出一极,所述欧姆电极(3)与所述铕掺杂氧化锌纳米线(4)呈欧姆接触;在所述铕掺杂氧化锌纳米线(4)上交叠覆有石墨烯(5),所述石墨烯(5)位于两个欧姆电极(3)之间且与欧姆电极(3)隔离;在所述石墨烯(5)上设置有欧姆电极(6)作为另一输出极,所述欧姆电极(6)与所述石墨烯(5)呈欧姆接触且与铕掺杂氧化锌纳米线(4)和欧姆电极(3)隔离;所述铕掺杂氧化锌纳米线(4)为P型铕掺杂氧化锌纳米线;所述石墨烯(5)为N型石墨烯;所述欧姆电极(3)和欧姆电极(6)为金电极。
2.一种权利要求1所述的基于铕掺杂氧化锌纳米线的异质结型光电探测器的制备方法,其特征在于按如下步骤制备:将铕掺杂氧化锌纳米线(4)分散到硅基底(1)表面的二氧化硅层(2)上,随后采用紫外光刻技术在二氧化硅层(2)上光刻出一对电极图案,然后利用电子束镀膜技术蒸镀得到一对欧姆电极(3),所述欧姆电极(3)与所述铕掺杂氧化锌纳米线(4)呈欧姆接触;将石墨烯(5)覆于二氧化硅层(2)的表面,利用紫外光刻技术在二氧化硅层(2)上光刻出与铕掺杂氧化锌纳米线(4)交叠且位于两个欧姆电极(3)之间并与欧姆电极(3)隔离的电极图案,然后利用氧等离子轰击除去电极图案以外的石墨烯得到石墨烯(5),再利用紫外光刻技术和电子束镀膜技术制备得到欧姆电极(6),所述欧姆电极(6)与石墨烯(5)形成欧姆接触且与铕掺杂氧化锌纳米线(4)和欧姆电极(3)隔离。
3.一种基于铕掺杂氧化锌纳米线的异质结型光电探测器,其特征是具有如下结构:在硅基底(7)的表面覆有二氧化硅层(8),在二氧化硅层(8)的表面平铺有石墨烯(9),在石墨烯(9)上设置有绝缘层(10),在所述绝缘层(10)的表面分散有铕掺杂氧化锌纳米线(11)且所述铕掺杂氧化锌纳米线(11)的一部分与石墨烯(9)接触;在绝缘层(10)上设置有欧姆电极(12),所述欧姆电极(12)与铕掺杂氧化锌纳米线(11)呈欧姆接触;在石墨烯(9)上设置有欧姆电极(13),所述欧姆电极(13)与绝缘层(10)、欧姆电极(12)和铕掺杂氧化锌纳米线(11)隔离;所述铕掺杂氧化锌纳米线(11)为P型铕掺杂氧化锌纳米线;所述石墨烯(9)为N型石墨烯;所述欧姆电极(3)和欧姆电极(6)为金电极。
4.根据权利要求3所述的基于铕掺杂氧化锌纳米线的异质结型光电探测器,其特征在于:所述绝缘层(10)选自氮化硅、氧化哈、氧化锆、氧化铝或二氧化硅。
5.一种权利要求3或4所述的基于铕掺杂氧化锌纳米线的异质结型光电探测器的制备方法,其特征在于按如下步骤制备:将石墨烯(9)平铺到硅基底(7)表面的二氧化硅层(8)上,采用紫外光刻和磁控溅射镀膜技术在石墨烯(9)的表面制备绝缘层(10),将铕掺杂氧化锌纳米线(11)分散到绝缘层(10)上的边缘位置使所述铕掺杂氧化锌纳米线(11)有部分与石墨烯(9)交叠接触,利用紫外光刻技术和电子束镀膜技术在绝缘层(10)上制备欧姆电极(12),所述欧姆电极(12)与所述铕掺杂氧化锌纳米线(11)呈欧姆接触;再次利用紫外光刻技术和电子束镀膜技术在石墨烯(9)上制备欧姆电极(13),所述欧姆电极(13)与绝缘层(10)、欧姆电极(12)和铕掺杂氧化锌纳米线(11)隔离。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610892215.8A CN106356420A (zh) | 2016-10-13 | 2016-10-13 | 一种异质结型光电探测器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610892215.8A CN106356420A (zh) | 2016-10-13 | 2016-10-13 | 一种异质结型光电探测器及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106356420A true CN106356420A (zh) | 2017-01-25 |
Family
ID=57866731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610892215.8A Pending CN106356420A (zh) | 2016-10-13 | 2016-10-13 | 一种异质结型光电探测器及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106356420A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109742178A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-05-10 | 西安工业大学 | 一种透红外的高灵敏可见光探测器及其制备方法 |
CN111446333A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-07-24 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种基于半导体纳米线/石墨烯的近红外自驱动光电探测器的构筑方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060018816A1 (en) * | 2004-02-20 | 2006-01-26 | Cermet, Inc. | Diluted magnetic semiconducting ZnO single crystal |
CN101786653A (zh) * | 2010-02-26 | 2010-07-28 | 中山大学 | 一种掺杂稀土元素氧化锌一维纳米材料的制备方法和应用 |
CN102610672A (zh) * | 2012-03-23 | 2012-07-25 | 合肥工业大学 | 一种异质结型光电探测器及其制备方法 |
CN102931385A (zh) * | 2012-11-05 | 2013-02-13 | 湖南丰日电源电气股份有限公司 | 一种碱性电池负极材料及其制备方法 |
CN103489650A (zh) * | 2012-09-14 | 2014-01-01 | 北京化工大学 | 铕掺杂锌基薄膜材料及其制备方法 |
-
2016
- 2016-10-13 CN CN201610892215.8A patent/CN106356420A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060018816A1 (en) * | 2004-02-20 | 2006-01-26 | Cermet, Inc. | Diluted magnetic semiconducting ZnO single crystal |
CN101786653A (zh) * | 2010-02-26 | 2010-07-28 | 中山大学 | 一种掺杂稀土元素氧化锌一维纳米材料的制备方法和应用 |
CN102610672A (zh) * | 2012-03-23 | 2012-07-25 | 合肥工业大学 | 一种异质结型光电探测器及其制备方法 |
CN103489650A (zh) * | 2012-09-14 | 2014-01-01 | 北京化工大学 | 铕掺杂锌基薄膜材料及其制备方法 |
CN102931385A (zh) * | 2012-11-05 | 2013-02-13 | 湖南丰日电源电气股份有限公司 | 一种碱性电池负极材料及其制备方法 |
Non-Patent Citations (6)
Title |
---|
MEHRDAD NAJAFI,HAMID HARATIZADEH: "The effect of growth conditions and morphology on photoluminescence properties of Eu-doped ZnO nanostructures", 《SOLID STATE SCIENCES》 * |
R. SWAPNA, M.C. SANTHOSH KUMAR: "Deposition of Na–N dual acceptor doped p-type ZnO thin films and fabrication of p-ZnO:(Na, N)/n-ZnO:Eu homojunction", 《MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B》 * |
R. SWAPNA,M.C. SANTHOSH KUMAR: "Fabrication and characterization of n-ZnO:Eu/p-ZnO:(Ag, N) homojunction by spray pyrolysis", 《MATERIALS RESEARCH BULLETIN》 * |
于琦: "《纳米氧化锌与金刚石复合结构的研究与应用》", 31 August 2016, 北京邮电大学出版社 * |
刘耀东: "《氧化锌薄膜材料》", 31 August 2013, 国防工业出版社 * |
李泓霖等: "Eu掺杂ZnO结构光电性质的第一性原理及实验研究", 《金属学报》 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109742178A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-05-10 | 西安工业大学 | 一种透红外的高灵敏可见光探测器及其制备方法 |
CN109742178B (zh) * | 2019-01-29 | 2020-07-17 | 西安工业大学 | 一种透红外的高灵敏可见光探测器及其制备方法 |
CN111446333A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-07-24 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种基于半导体纳米线/石墨烯的近红外自驱动光电探测器的构筑方法 |
CN111446333B (zh) * | 2020-04-23 | 2022-07-29 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种基于半导体纳米线/石墨烯的近红外自驱动光电探测器的构筑方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105489693B (zh) | 基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件 | |
CN105679857B (zh) | 一种基于硅量子点/石墨烯/硅异质结构的光电传感器 | |
CN106531824A (zh) | 一种异质结型光电探测器及其制备方法 | |
CN105590985B (zh) | 基于二维层材料p‑i‑n异质结光电子器件 | |
JP5937006B2 (ja) | 単一またはいくつかの層のグラフェン・ベースの光検出デバイスおよびその形成方法 | |
US8497535B2 (en) | Multilayered photodiode and method of manufacturing the same | |
CN106057961A (zh) | 一种基于氧化钛纳米带的异质结型光电探测器及制备方法 | |
CN105762281A (zh) | 一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器及制备方法 | |
CN109768114A (zh) | 一种基于石墨烯-半导体异质结的位敏感光电探测器 | |
Kang et al. | n-ZnO: N/p-Si nanowire photodiode prepared by atomic layer deposition | |
CN105895729B (zh) | 石墨烯光电探测器 | |
CN205723636U (zh) | 一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器 | |
CN102610672A (zh) | 一种异质结型光电探测器及其制备方法 | |
Chen et al. | Ga2O3-based solar-blind position-sensitive detector for noncontact measurement and optoelectronic demodulation | |
CN109920875A (zh) | 日盲紫外探测器、其制作方法与应用 | |
CN108666381A (zh) | 一种异质结光电传感器及其制备方法 | |
CN106571405A (zh) | 一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法 | |
Kim et al. | Highly sensible ZnO nanowire ultraviolet photodetectors based on mechanical schottky contact | |
Tran et al. | Photoresponsive properties of ultrathin silicon nanowires | |
Liu et al. | Self-powered adjustable UV and NIR photodetectors based on one-step synthesized TeO2 doped ZnO composite nanorods/Si heterojunction | |
Miller et al. | A microfabricated sun sensor using GaN-on-sapphire ultraviolet photodetector arrays | |
US20200152808A1 (en) | Broadband multi-purpose optical device and methods of manufacturing and operating the same | |
CN106356420A (zh) | 一种异质结型光电探测器及其制备方法 | |
CN106449858A (zh) | 一种氧化锌量子点增强的紫外探测器及其制备方法 | |
Hao et al. | Deep ultraviolet detectors based on wide bandgap semiconductors: a review |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20170125 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |