CN106356412A - 一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺,其采用已经过制绒、化学清洗、扩散、刻蚀、去磷、PECVD等工艺处理后的晶体硅电池作为基材;采用A料替代现有工艺中的银浆,采用B料替代现有工艺中的铝浆;采用3D打印技术中的选择性激光烧结法制作晶体硅电池栅线、电极、背电场,工艺主要包括背面电极制作、背电场制作、正面栅线及正面电极制作。本发明具有以下优点:制成后的太阳能电池片透光面积大,电阻低,导电性强,光电转换效率高;制作过程中无化学物质排放,绿色环保;采用的微晶玻璃粉为无铅材料,不会污染环境;工艺简单,易于操作,生产效率高;原材料成本低。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺,属于太阳能发电领域。
背景技术
晶体硅太阳能发电行业经过数十年的发展,已经是一个***的工程,而且也已构建成完整的生产体系。如硅片决定初始光电转换效率,而栅线、电极、背电场的制作是电能导出效率的关键因素。
目前主流太阳能电池的栅线、电极、背电场制作工艺主要是通过丝印将银浆在电池正面印刷栅线、电极后,经干燥炉干燥、冷却后,在背面印刷电极后,经干燥炉干燥、冷却后再次将铝浆印刷在背面经烧结炉烧结后完成栅线、电极、背电场的制作。
现有技术方案的不足:
1、银浆、铝浆的制作工艺复杂、环节多,价格昂贵;
2、银浆、铝浆需要大量有机化学材料,这些材料在制作及使用过程中会对环境造成污染;
3、现有的制作工艺需经三次丝网印刷、两次干燥炉干燥、三次冷却、一次烧结,制作工艺复杂,生产周期长,增加成本;
4、在银浆、铝浆中的高分子有机溶剂透光性差,烧结过程中难于全部通过烧结挥发,仍有部分残留,电阻值增大,影响光电转换效率;
5、现有的栅线制作工艺宽度无法到达20μm,一般为80μm,增大了对电池的遮光面积,影响转换效率;
6、现有的栅线、电极、背电场的厚度每次丝印只能10μm,无法达到15μm以上,影响截面积。
发明内容
本发明要解决的技术问题,提供了一种采用银粉、铝粉和微晶玻璃粉替代银浆、铝浆制作晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺。
本发明通过下述方案实现:一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺,其按照如下步骤进行:
步骤I:基材的选择:本发明选择已经过制绒、化学清洗、扩散、刻蚀、去磷、PECVD等工艺处理的晶体硅电池作为基材;
步骤II:A料、B料的制作:本发明采用将A料替代现有工艺中的银浆,采用B料替代现有工艺中的铝浆,所述A料由具有高膨胀系数、低熔点、透光性好的微晶玻璃粉与银粉按一定比例混合调配而成,所述银粉和所述微晶玻璃粉的比例为9-18∶1,所述B料由所述微晶玻璃粉与铝粉按一定比例混合调配,所述铝粉和所述微晶玻璃粉的比例为9-18∶1;
步骤III:采用3D打印技术中的选择性激光烧结法制作晶体硅电池栅线、电极、背电场,具体制作工艺如下:
背面电极制作:采用所述A料平铺于已选择的晶体硅电池基材的背面上,平铺厚度为15-30μm,在所需位置采用3D打印技术中的选择性激光烧结法,制作2-6条背面电极,所述背面电极的宽度为0.5-2.0mm,激光融化温度控制在500-900℃,清除掉多余的所述A料,完成背面电极制作;
背电场制作:采用所述B料平铺于已完成背面电极制作的所述晶体硅电池基材的背面上,平铺厚度为15-30μm,在所需位置采用3D打印技术中的选择性激光烧结法,制作所需的背电场,激光融化温度控制在500-900℃,清除掉多余的所述B料,完成背电场制作;
正面栅线及正面电极制作:在已完成背电场制作的所述晶体硅电池基材的正面平铺所述A料,平铺厚度为15-20μm,栅线间距为1.5-2.5mm,栅线宽度为10-20μm,并利用3D打印的特性同时制作完成正面电极,所述正面电极的位置与所述背面电极相对应,且与所述栅线垂直,所述正面电极设有2-6条,所述正面电极宽度为0.25-1.0mm,清除掉多余的所述A料,完成正面栅线及正面电极的制作。
所述银粉、铝粉、微晶玻璃粉的粒径均小于10μm。
所述微晶玻璃粉为氧化铋粉、氧化硅粉中的一种或多种。
所述A料、B料的银粉、铝粉也可使用铜粉替代。
所述3D打印技术中的3D打印机可使用一台,也可多台同时使用。
本发明的有益效果为:
1、本发明一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺制成的太阳能电池片透光面积大,电阻低,导电性强,光电转换效率高,单晶硅电池效率可达18-20.5%,多晶硅电池效率17.5-20%;
2、本发明一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺制作过程中无化学物质排放,绿色环保;
3、本发明一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺采用的微晶玻璃粉为无铅材料,无铅环保、不会对环境造成污染;
4、本发明一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺的工艺简单,易于操作,生产时间短、生产效率高;
5、本发明一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺的原材料成本低。
附图说明
图1为本发明一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺的流程示意图;
具体实施方式
下面结合图1对本发明进一步说明:
实施例1:一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺,其按照如下步骤进行:
步骤I:基材的选择:本发明选择已经过制绒、化学清洗、扩散、刻蚀、去磷、PECVD等工艺处理的晶体硅电池作为基材;
步骤II:A料、B料的制作:本发明采用将A料替代现有工艺中的银浆,采用B料替代现有工艺中的铝浆,A料由具有高膨胀系数、低熔点、透光性好的微晶玻璃粉与银粉按一定比例混合调配而成,银粉和微晶玻璃粉的比例为9∶1,B料由微晶玻璃粉与铝粉按一定比例混合调配,铝粉和微晶玻璃粉的比例为9∶1,银粉、铝粉、微晶玻璃粉的粒径均小于10μm,,微晶玻璃粉为氧化铋粉;
步骤III:采用3D打印技术中的选择性激光烧结法制作晶体硅电池栅线、电极、背电场,具体制作工艺如下:
背面电极制作:采用A料平铺于已选择的晶体硅电池基材的背面上,平铺厚度为15μm,在所需位置采用3D打印技术中的选择性激光烧结法,制作2条背面电极,背面电极的宽度为2.0mm,激光融化温度控制在500℃,清除掉多余的A料,完成背面电极制作;
背电场制作:采用B料平铺于已完成背面电极制作的晶体硅电池基材的背面上,平铺厚度为15μm,在所需位置采用3D打印技术中的选择性激光烧结法,制作所需的背电场,激光融化温度控制在500℃,清除掉多余的B料,完成背电场制作;
正面栅线及正面电极制作:在已完成背电场制作的晶体硅电池基材的正面平铺A料,平铺厚度为15μm,栅线间距为2.5mm,栅线宽度为20μm,并利用3D打印的特性同时制作完成正面电极,正面电极的位置与背面电极相对应,且与栅线垂直,正面电极设有2条,正面电极宽度为1.0mm,清除掉多余的A料,完成正面栅线及正面电极的制作。
实施例2:一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺,其按照如下步骤进行:
步骤I:基材的选择:本发明选择已经过制绒、化学清洗、扩散、刻蚀、去磷、PECVD等工艺处理的晶体硅电池作为基材;
步骤II:A料、B料的制作:本发明采用将A料替代现有工艺中的银浆,采用B料替代现有工艺中的铝浆,A料由具有高膨胀系数、低熔点、透光性好的微晶玻璃粉与银粉按一定比例混合调配而成,银粉和微晶玻璃粉的比例为18∶1,B料由微晶玻璃粉与铝粉按一定比例混合调配,铝粉和微晶玻璃粉的比例为18∶1,银粉、铝粉、微晶玻璃粉的粒径均小于10μm,,微晶玻璃粉为氧化硅粉;
步骤III:采用3D打印技术中的选择性激光烧结法制作晶体硅电池栅线、电极、背电场,具体制作工艺如下:
背面电极制作:采用A料平铺于已选择的晶体硅电池基材的背面上,平铺厚度为30μm,在所需位置采用3D打印技术中的选择性激光烧结法,制作6条背面电极,背面电极的宽度为0.5mm,激光融化温度控制在900℃,清除掉多余的A料,完成背面电极制作;
背电场制作:采用B料平铺于已完成背面电极制作的晶体硅电池基材的背面上,平铺厚度为30μm,在所需位置采用3D打印技术中的选择性激光烧结法,制作所需的背电场,激光融化温度控制在900℃,清除掉多余的B料,完成背电场制作;
正面栅线及正面电极制作:在已完成背电场制作的晶体硅电池基材的正面平铺A料,平铺厚度为20μm,栅线间距为1.5mm,栅线宽度为10μm,并利用3D打印的特性同时制作完成正面电极,正面电极的位置与背面电极相对应,且与栅线垂直,正面电极设有6条,正面电极宽度为0.25mm,清除掉多余的A料,完成正面栅线及正面电极的制作。
实施例3:一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺,其按照如下步骤进行:
步骤I:基材的选择:本发明选择已经过制绒、化学清洗、扩散、刻蚀、去磷、PECVD等工艺处理的晶体硅电池作为基材;
步骤II:A料、B料的制作:本发明采用将A料替代现有工艺中的银浆,采用B料替代现有工艺中的铝浆,A料由具有高膨胀系数、低熔点、透光性好的微晶玻璃粉与银粉按一定比例混合调配而成,银粉和微晶玻璃粉的比例为14∶1,B料由微晶玻璃粉与铝粉按一定比例混合调配,铝粉和微晶玻璃粉的比例为14∶1,银粉、铝粉、微晶玻璃粉的粒径均小于10μm,,微晶玻璃粉为氧化铋粉、氧化硅粉两种混合;
步骤III:采用3D打印技术中的选择性激光烧结法制作晶体硅电池栅线、电极、背电场,具体制作工艺如下:
背面电极制作:采用A料平铺于已选择的晶体硅电池基材的背面上,平铺厚度为20μm,在所需位置采用3D打印技术中的选择性激光烧结法,制作4条背面电极,背面电极的宽度为1.0mm,激光融化温度控制在800℃,清除掉多余的A料,完成背面电极制作;
背电场制作:采用B料平铺于已完成背面电极制作的晶体硅电池基材的背面上,平铺厚度为20μm,在所需位置采用3D打印技术中的选择性激光烧结法,制作所需的背电场,激光融化温度控制在800℃,清除掉多余的B料,完成背电场制作;
正面栅线及正面电极制作:在已完成背电场制作的晶体硅电池基材的正面平铺A料,平铺厚度为18μm,栅线间距为2mm,栅线宽度为16μm,并利用3D打印的特性同时制作完成正面电极,正面电极的位置与背面电极相对应,且与栅线垂直,正面电极设有4条,正面电极宽度为0.8mm,清除掉多余的A料,完成正面栅线及正面电极的制作。
尽管已经对本发明的技术方案做了较为详细的阐述和列举,应当理解,对于本领域技术人员来说,对上述实施例做出修改或者采用等同的替代方案,这对本领域的技术人员而言是显而易见,在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进,均属于本发明要求保护的范围。
Claims (5)
1.一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺,其特征在于其按照如下步骤进行:
步骤I:基材的选择:本发明选择已经过制绒、化学清洗、扩散、刻蚀、去磷、PECVD等工艺处理后的晶体硅电池作为基材;
步骤II:A料、B料的制作:本发明采用将A料替代现有工艺中的银浆,采用B料替代现有工艺中的铝浆,所述A料由具有高膨胀系数、低熔点、透光性好的微晶玻璃粉与银粉按一定比例混合调配而成,所述银粉和所述微晶玻璃粉的比例为9-18∶1,所述B料由所述微晶玻璃粉与铝粉按一定比例混合调配,所述铝粉和所述微晶玻璃粉的比例为9-18∶1;
步骤III:采用3D打印技术中的选择性激光烧结法制作晶体硅电池栅线、电极、背电场,具体制作工艺如下:
背面电极制作:采用所述A料平铺于已选择的晶体硅电池基材的背面上,平铺厚度为15-30μm,在所需位置采用3D打印技术中的选择性激光烧结法,制作2-6条背面电极,所述背面电极的宽度为0.5-2.0mm,激光融化温度控制在500-900℃,清除掉多余的所述A料,完成背面电极制作;
背电场制作:采用所述B料平铺于已完成背面电极制作的所述晶体硅电池基材的背面上,平铺厚度为15-30μm,在所需位置采用3D打印技术中的选择性激光烧结法,制作所需的背电场,激光融化温度控制在500-900℃,清除掉多余的所述B料,完成背电场制作;
正面栅线及正面电极制作:在已完成背电场制作的所述晶体硅电池基材的正面平铺所述A料,平铺厚度为15-20μm,栅线间距为1.5-2.5mm,栅线宽度为10-20μm,并利用3D打印技术的特性同时制作完成正面电极,所述正面电极的位置与所述背面电极相对应,且与所述栅线垂直,所述正面电极设有2-6条,所述正面电极宽度为0.25-1.0mm,清除掉多余的所述A料,完成正面栅线及正面电极的制作。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺,其特征在于:所述银粉、铝粉、微晶玻璃粉的粒径均小于10μm。
3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺,其特征在于:所述微晶玻璃粉为氧化铋粉、氧化硅粉中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺,其特征在于:所述A料、B料的银粉、铝粉也可使用铜粉替代。
5.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺,其特征在于:所述3D打印技术中的3D打印机可使用一台,也可多台同时使用。
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- 2015-07-17 CN CN201510420299.0A patent/CN106356412A/zh active Pending
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