CN106340523B - 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置 - Google Patents
一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106340523B CN106340523B CN201610937122.2A CN201610937122A CN106340523B CN 106340523 B CN106340523 B CN 106340523B CN 201610937122 A CN201610937122 A CN 201610937122A CN 106340523 B CN106340523 B CN 106340523B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- base board
- flexible base
- layer
- flexible
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 11
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 102
- 239000010408 film Substances 0.000 description 51
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 14
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 14
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及一种柔性显示面板及其制备方法和柔性显示装置；本发明的柔性显示面板包括：柔性基板，TFT阵列层，显示层，前板保护膜和后板保护膜；其中，柔性基板具有凹凸图案化的结构，并且将TFT阵列层中柔性应力较差的“打孔和沟道区域”所对应的柔性基板的厚度设置得相对较厚，而其他柔性应力较好的区域所对应的柔性基板的厚度设置得相对较薄，有利于减小柔性应力较差的区域在弯曲形变中所受到的应力变化，减小磨损，另外，柔性基板的凹凸图案化的表面有利于应力的分散，提升柔性显示面板的整体稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置。
背景技术
柔性显示器需要以柔性的有机材料，例如聚酰亚胺(PI)或者聚对苯二甲酸乙二酯(PET)等，来制作基板，从而使得整个显示装置可以弯曲变形。柔性显示器由于其弯曲变形的功能以及低功耗、体积小等优点，逐渐成为在多个领域使用的显示器。
目前的柔性显示器的制作流程，以柔性OLED显示屏为例，大致包括以下步骤：首先将柔性材料涂布在刚性基板(例如玻璃基板)上制作柔性基板，然后在柔性基板上制作OLED器件，并对OLED器件进行封装，并贴前板保护膜；最后剥离刚性基板(例如采用激光的方式使得柔性基板和刚性基板分离)，在柔性基板的背面贴上后板保护膜；对非显示区域内的前板保护膜和后板保护膜进行切割(例如激光切割)，最后形成柔性显示装置。
目前柔性OLED显示器的抗弯曲性能有很大差异，例如目前主流的LTPS-OLED的薄膜晶体管的柔性并不好，主要是由于在接触孔和沟道区域容易在弯曲变形中磨损造成信号漂移，最终导致显示不良。如同木桶原理，整个柔性OLED显示器的稳定性和抗弯折性能是由这些柔性最差的区域决定的。
发明内容
为解决上述技术问题，一方面，本发明提供了一种柔性显示面板，其包括：柔性基板，具有第一表面和第二表面；TFT阵列层，其形成于所述柔性基板的第一表面上；显示层，其形成于所述TFT阵列层上；前板保护膜，其设置于所述显示层上；和后板保护膜，其设置于所述柔性基板的第二表面上；其中，所述TFT阵列层具有打孔和沟道区域；所述柔性基板的第二表面上具有朝向所述第一表面内凹的凹槽区域以及所述凹槽区域以外的平坦区域，从而使得所述柔性基板的第二表面呈现凹凸图案化；所述打孔和沟道区域在所述柔性基板上的投影落入所述平坦区域内。
优选的，所述TFT阵列层还具有Cst电容区域；所述Cst电容区域在所述柔性基板上的投影至少部分落入所述凹槽区域内。
优选的，若所述Cst电容区域在所述柔性基板上的投影与所述打孔和沟道区域在所述柔性基板上的投影重合的话，则该重合部分落入所述平坦区域内；除去该重合部分之外的所述Cst电容区域在所述柔性基板上的投影落入所述凹槽区域内。
优选的，所述TFT阵列层还具有PVDD金属走线区域；所述PVDD金属走线区域在所述柔性基板上的投影至少部分落入所述凹槽区域内。
优选的，若所述PVDD金属走线区域在所述柔性基板上的投影与所述打孔和沟道区域在所述柔性基板上的投影重合的话，则该重合部分落入所述平坦区域内；除去该重合部分之外的所述PVDD金属走线区域在所述柔性基板上的投影落入所述凹槽区域内。
优选的，所述凹槽区域的柔性基板的厚度与所述平坦区域的柔性基板的厚度比值为3:5～4:5。
优选的，所述凹槽区域的柔性基板的厚度与所述平坦区域的柔性基板的厚度比值为2:3。
优选的，所述凹槽区域为全开口的凹槽。
优选的，所述柔性基板具有单层柔性基板膜的结构；或者，所述柔性基板具有多层柔性基板膜依次层叠设置的结构；或者，所述柔性基板具有柔性基板膜与无机膜交替层叠设置的结构，且形成所述第一表面和所述第二表面的均为柔性基板膜，且所述无机膜为氧化硅或氧化氮。
优选的，所述柔性基板膜采用PI或PET材料。
本发明另一方面提供了一种柔性显示面板的制作方法，其包括：提供一刚性基板；在所述刚性基板之上沉积一层剥离层；刻蚀并图案化所述剥离层，形成保留区域和刻蚀区域；再在图案化后的剥离层上制作柔性基板，所述柔性基板具有第一表面和第二表面；在所述柔性基板的第一表面上形成TFT阵列层；所述TFT阵列层具有打孔和沟道区域；在所述TFT阵列层之上形成显示层；在所述显示层之上贴合前板保护膜；剥离所述刚性基板以及所述图案化后的剥离层，暴露出所述柔性基板的第二表面；在所述柔性基板的第二表面上贴合后板保护膜；其中，所述打孔和沟道区域在所述剥离层上的投影落入所述刻蚀区域内。
优选的，所述刚性基板为玻璃基板，所述剥离层采用透明的无机剥离材料。
优选的，所述透明的无机剥离材料为氧化硅、氮化硅或氧化铝。
本发明还一方面提供了一种柔性显示装置，其包括上述的柔性显示面板，或者其包括由上述的制作方法制得的柔性显示面板。
本发明的柔性显示面板，其柔性基板具有凹凸图案化的结构，并且将TFT阵列层中柔性应力较差的“打孔和沟道区域”所对应的柔性基板的厚度设置得相对较厚，而其他柔性应力较好的区域所对应的柔性基板的厚度设置得相对较薄，有利于减小柔性应力较差的区域在弯曲形变中所受到的应力变化，减小磨损，另外，柔性基板的凹凸图案化的表面有利于应力的分散，提升柔性显示面板的整体稳定性。
附图说明
图1为本发明实施例1提供的一种柔性显示面板的剖视示意图；
图2为本发明实施例1提供的一种柔性显示面板的另一剖视示意图；
图3至图6为实施例1的柔性显示面板在制作过程中的中间产品的剖视示意图；
图7为实施例2的柔性显示面板的剖视示意图；
图8为实施例3的柔性显示面板的剖视示意图；
图9为实施例4的柔性显示面板的剖视示意图。
具体实施方式
以下将结合附图所示的具体实施方式对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员应意识到，没有特定细节中的一个或更多，或者采用其它的方法、组元、材料等，也可以实践本发明的技术方案。在某些情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本发明。
本文中所述的“设置在/在…(之)上”应当理解为包括直接接触的“设置在/在…(之)上”和不直接接触的“设置在/在…(之)上”。
本发明的附图仅用于示意相对位置关系和电连接关系，某些部位的层厚采用了夸示的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。
实施例1
如图1和图2所示，本发明实施例1提供的一种柔性显示面板的两幅剖视示意图，其中图1为柔性显示面板的其中一处的剖视示意图，仅大致示出了基本结构组成；图2为柔性显示面板的另一处的详细剖视示意图。
如图1所示，实施例1的柔性显示面板包括：柔性基板10、TFT阵列层20、显示层30、前板保护膜40和后板保护膜50。
其中，柔性基板10具有第一表面11和第二表面12；其中，第一表面11为图1所示的柔性基板10的上表面，第二表面12为图1所示的柔性基板10的下表面。
在本实施例中，柔性基板10具有单层柔性基板膜的结构；其中，柔性基板膜可以采用PI或PET等常规的柔性基板材料。在本实施例中，柔性基板10为单层PI膜。
如图1所示，柔性基板10的第一表面11上，依次层叠形成TFT阵列层20、显示层30和前板保护膜40。柔性基板10的第二表面12上，层叠设置后板保护膜50。
在本发明的一个具体实施方案中，TFT阵列层20可以通过业界熟知的各种TFT阵列制备方式获得，一般的TFT阵列层的制备工艺可以简述为：在柔性基板10的第一表面11上形成栅极，在栅极之上形成栅极绝缘层，并依次形成半导体层(A-Si)以及数据线的源、漏极，最终平铺一层平坦化层，从而形成了TFT阵列层20。
在本发明的一个具体实施方案中，TFT阵列层20之上形成的显示层30可以是现有的任意一种显示介质，例如LCD、LED或OLED。在本实施例中，显示层为OLED显示介质，其包括在TFT阵列层20上依次层叠设置的阴极层、有机功能层和阳极层，如图2中所示，显示层30包括阴极层31、有机功能层32和阳极层33；其中有机功能层32至少包括有机发光层，例如在本实施例中，有机功能层32包括在阴极层31与阳极层33之间层叠设置的电子注入层、电子传输层、有机发光层、空穴传输层和空穴注入层(图中未示出)。
如图1所述，前板保护膜40为覆设于显示层30上的保护膜，后板保护膜50为覆设于柔性基板10的第二表面12(下表面)上的保护膜。前板保护膜40和后板保护膜50均可由高分子材料或金属材料构成，两者的厚度可以设置为25～300μm。可选的，前板保护膜40和后板保护膜50厚度均为100μm。
如图1所示，柔性基板10的第二表面12具有朝向第一表面11内凹的凹槽区域G以及凹槽区域G以外的平坦区域P，从而使得柔性基板10的第二表面12呈现凹凸图案化。图1为柔性显示面板的其中一处的剖视示意图，仅示出了柔性基板10的第二表面12凹凸图案化的结构。
其中，TFT阵列层20内具有打孔和沟道区域(打孔区域H1、沟道区域H2)；该打孔和沟道区域H1、H2在柔性基板10上的投影落入平坦区域P内，具体参见图2。
如图2所示，实施例1的柔性显示基板的另一剖视示意图，具体示出了打孔和沟道区域H1、H2及其与平坦区域P的对应关系，打孔区域H1在柔性基板10上的投影，以及沟道区域H2在柔性基板10上的投影均全部落入平坦区域P内。
因此，本实施例的柔性显示面板，其柔性基板10的第二表面12上具有凹凸图案化的结构，并且将TFT阵列层20中柔性应力较差的“打孔和沟道区域”所对应的柔性基板10的厚度设置得相对较厚，而其他柔性应力较好的区域所对应的柔性基板10的厚度设置得相对较薄，在相同的应力状况下，柔性应力较差的区域的变形量小于柔性应力较好的区域，从而有利于减小柔性应力较差的区域在弯曲形变中所受到的应力变化，减小磨损，另外，柔性基板的凹凸图案化的表面有利于应力的分散，提升柔性显示面板的整体稳定性。
如图2所示，在本实施例中，TFT阵列层20还具有Cst电容区域(图中标注M1和MC的地方)；其中，Cst电容区域表示存储电容区域。
如图2所示，Cst电容区域M1、MC在柔性基板10上的投影至少部分落入凹槽区域G内。
优选的，如图2所示，若Cst电容区域M1、MC在柔性基板10上的投影与打孔和沟道区域H1、H2在柔性基板10上的投影重合的话，则该重合部分A落入平坦区域P内；除去该重合部分A之外的Cst电容区域M1、MC在柔性基板10上的投影B落入凹槽区域G内。
本发明的发明人经过大量的试验研究发现，Cst(存储电容)是用来稳定栅极(M3gate)电压的电容，需要较大的电容量，因此Cst电容区域一般由M1和MC两层金属重叠构成。一般来说，该区域约占整个像素电路的三分之一左右的面积，并且该区域一般无打孔设计，相对其他区域弯折性较好；因此，通过减薄该区域对应的柔性基板厚度，在柔性显示面板弯曲时，能够较好地分散应力。
如图2所示，TFT阵列层20还具有PVDD金属走线区域V；PVDD金属走线区域V在柔性基板10上的投影至少部分落入凹槽区域G内。
在本实施例中，PVDD金属走线区域V在柔性基板10上的投影全部落入凹槽区域G内。
在本发明的一个替代实施方案中，若PVDD金属走线区域V在柔性基板10上的投影与打孔和沟道区域H1、H2在柔性基板10上的投影重合的话，则该重合部分落入平坦区域P内；除去该重合部分之外的PVDD金属走线区域在柔性基板10上的投影落入凹槽区域G内。
本发明的发明人经过大量的试验研究发现，PVDD(功率电源)的金属走线较宽而且打孔较少，相较于其他区域弯折性也比较好，因此，通过减薄该区域对应的柔性基板厚度，在柔性显示面板弯曲时，能够较好地分散应力。
在本发明的一个具体实施方案中，凹槽区域G的柔性基板10的厚度与平坦区域P的柔性基板10的厚度比值为1:10～9:10。优选的，凹槽区域G的柔性基板10的厚度与平坦区域P的柔性基板10的厚度比值为3:5～4:5。
在本实施例中，凹槽区域G的柔性基板10的厚度与平坦区域P的柔性基板10的厚度比值为2:3。
在本发明的一个具体实施方案中，平坦区域P的柔性基板的厚度为5μm～50μm。
优选的，在本实施例中，如图2所示，凹槽区域G为全开口的凹槽。
在本发明的一个具体实施方案中，凹槽区域G的横截面可以呈梯形、矩形或半圆形。在本实施例中，如图1所示为凹槽区域G的横截面为矩形。
优选的，凹槽区域G的横截面采用梯形或半圆形(上窄下宽)，不仅能够更好地分散应力，并且在制造过程中，刚性基板以及凹槽区域G内剥离层材料更容易剥离(下面具体叙述)。
关于本实施例的柔性显示面板的制作方法，其主要包括以下步骤1)至8)。
步骤1)提供一刚性基板60。
在步骤1)中，刚性基板60可以为玻璃基板，也可以为其他可应用于柔性显示面板制作的刚性基板。在本实施例中，刚性基板60为玻璃基板，
步骤2)在刚性基板60之上沉积一层剥离层70；刻蚀并图案化剥离层70，形成保留区域X和刻蚀区域Y；如图3所示。
在步骤2)中，剥离层70采用透明的无机剥离材料。优选的，剥离层70可以采用诸如氧化硅、氮化硅或氧化铝等透明剥离材料。在本实施例中，剥离层70采用氧化硅透明剥离材料。
步骤3)再在图案化后的剥离层70上制作柔性基板10，柔性基板10具有第一表面11和第二表面12；如图4所示。
在步骤3)中，柔性基板10为单层PI膜，可以采用涂布PI膜的方式制作形成。
如图4所示，在柔性基板10形成的同时，刻蚀区域Y被柔性基板10的材料所填充，而保留区域X仍为剥离层70，从而，柔性基板10在刻蚀区域Y对应的部分较厚，在保留区域X对应的部分较薄。
在本发明的一个具体实施方案中，保留区域X的柔性基板10的厚度与刻蚀区域Y的柔性基板10的厚度比值为1:10～9:10。优选的，保留区域X的柔性基板10的厚度与刻蚀区域Y的柔性基板10的厚度比值为3:5～4:5。更优选的，保留区域X的柔性基板10的厚度与刻蚀区域Y的柔性基板10的厚度比值为2:3。
在本实施例中，步骤2)所沉积的剥离层的厚度为5μm，柔性基板10在刻蚀区域Y对应的厚度为15μm，在保留区域对应的厚度为10μm。
步骤4)在柔性基板10的第一表面11上形成TFT阵列层20，TFT阵列层20具有Cst电容区域、PVDD金属走线区域以及打孔和沟道区域(图中未示出)。
在本实施例中，TFT阵列层20可以采用常规的方式制作形成。
步骤5)在TFT阵列层20之上形成显示层30。
在本实施例中，显示层30可以采用常规的方式制作形成，例如依次蒸镀形成阴极层、电子注入层、电子传输层、有机发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层。
步骤6)在显示层30之上贴合前板保护膜40。
上述步骤4)到步骤6)，即在柔性基板10的第一表面11上依次形成TFT阵列层20、显示层30和前板保护膜40，如图5所示。
步骤7)剥离刚性基板60以及图案化后的剥离层70，如图6所示。
在本实施例中，步骤7)的剥离操作采用激光剥离，如图6所示，从刚性基板60的下表面进行激光辐射，破坏刚性基板60与柔性基板10之间的连接，同时激光透过透明的剥离层从而破坏剥离层70与柔性基板10之间的连接，使得刚性基板60连同图案化剥离层70一起从柔性基板10上分离，使柔性基板10的第二表面12上获得凹凸图案化的结构。
步骤8)在柔性基板10的第二表面12贴合后板保护膜50，获得如图1所示的柔性显示面板。
其中，TFT阵列层20上的打孔和沟道区域在剥离层70上的投影落入刻蚀区域Y内；TFT阵列层20上的Cst电容区域和PVDD金属走线区域在剥离层70上的投影落入保留区域X内。
因此，待刚性基板60和剥离层70从柔性基板10上剥离后，柔性基板10的第二表面12上形成凹凸图案化的结构，其中凹槽区域G与原剥离层70的保留区域X对应，平坦区域P与原剥离层70的刻蚀区域Y对应；也就是说，TFT阵列层20上的打孔和沟道区域在柔性基板10上的投影落入平坦区域P内，TFT阵列层20上的Cst电容区域和PVDD金属走线区域在柔性基板10上的投影落入凹槽区域G内。
关于步骤2)中的刻蚀操作和步骤7)中的剥离操作，如图2所示，保留区域X的剥离层的横截面呈矩形，剥离后柔性基板10的凹槽区域G的横截面呈矩形。
在本发明的一个优选实施方案中，保留区域X的剥离层的横截面可以是梯形(上窄下宽)或者是半圆形(上窄下宽)，一方面可以便于刚性基板60连同剥离层70一同从柔性基板10上剥离；另一方面，柔性基板10上的凹槽区域G的横截面呈梯形或半圆形更有利于弯曲时应力的分散。
实施例2
如图7所示，实施例2的柔性显示面板的剖视示意图，实施例2的柔性显示面板与实施例1的不同在于：柔性基板10的结构。
实施例2的柔性基板10具有多层柔性基板膜10a依次层叠设置的结构。
在本发明的一个具体实施方案中，柔性基板膜10a可以采用PI或PET等常规的柔性基板材料。
在实施例2中，柔性基板10为多层PI膜依次层叠形成；如图7所示，形成第二表面12的PI膜为最下层的PI膜。
柔性基板10的第二表面12(最下层PI膜的下表面)具有凹凸图案化的结构，与实施例1相同，具体不再赘述。
实施例3
如图8所示，实施例3的柔性显示面板的剖视示意图，实施例3的柔性显示面板与实施例1的不同在于：柔性基板10的结构。
实施例3的柔性基板10具有柔性基板膜10a与无机膜10b交替层叠设置的结构，且形成第一表面11和第二表面12的均为柔性基板膜10a。
在本发明的一个具体实施方案中，柔性基板膜10a可以采用PI或PET等常规的柔性基板材料；无机膜10b可以为氧化硅或氧化氮。
在实施例3中，柔性基板膜10a为PI膜，无机膜10b为氧化硅膜。
柔性基板10(最下层柔性基板膜10a)的第二表面12具有凹凸图案化的结构，与实施例1相同，具体不再赘述。
除形成第二表面12的柔性基板膜10a以外，其他每一层柔性基板膜10a的靠近第二表面12的膜表面呈现与第二表面12相同的凹凸图案化。
实施例4
如图9所示，实施例4的柔性显示面板的剖视示意图，实施例4的柔性显示面板与实施例3的不同在于：只有柔性基板10(最下层柔性基板膜10a)的第二表面12具有凹凸图案化的结构，其他每一层柔性基板膜10a均为平坦结构。
其他结构同实施例3，具体不再赘述。
上述实施例1-4的柔性显示面板可以应用于诸如手机、平板电脑、电视之类的柔性显示装置。
应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种柔性显示面板，其特征在于，包括：
柔性基板，具有第一表面和第二表面；
TFT阵列层，其形成于所述柔性基板的第一表面上；
显示层，所述显示层为形成于所述TFT阵列层上的有机发光层；所述显示层包括阴极层、有机功能层和阳极层；
前板保护膜，其设置于所述显示层上；和
后板保护膜，其设置于所述柔性基板的第二表面上；
其中，
所述TFT阵列层具有打孔和沟道区域；
所述柔性基板具有多层柔性基板膜与无机膜交替层叠设置的结构，且形成所述第一表面和所述第二表面的均为柔性基板膜；
所述柔性基板的第二表面上具有朝向所述第一表面内凹的凹槽区域以及所述凹槽区域以外的平坦区域，从而使得所述柔性基板的第二表面呈现凹凸图案化；
每一层所述柔性基板膜的靠近所述第二表面的膜表面呈现与所述第二表面相同的凹凸图案化；所述打孔和沟道区域在所述柔性基板上的投影落入所述平坦区域内；
所述TFT阵列层还具有Cst电容区域；所述Cst电容区域在所述柔性基板上的投影落入所述阳极层在所述柔性基板上的投影区域；
所述Cst电容区域在所述柔性基板上的投影至少部分落入所述凹槽区域内；
若所述Cst电容区域在所述柔性基板上的投影与所述打孔和沟道区域在所述柔性基板上的投影重合的话，则该重合部分落入所述平坦区域内；
除去该重合部分之外的所述Cst电容区域在所述柔性基板上的投影落入所述凹槽区域内；
所述TFT阵列层还具有PVDD金属走线区域；
所述PVDD金属走线区域在所述柔性基板上的投影至少部分落入所述凹槽区域内；
若所述PVDD金属走线区域在所述柔性基板上的投影与所述打孔和沟道区域在所述柔性基板上的投影重合的话，则该重合部分落入所述平坦区域内；
除去该重合部分之外的所述PVDD金属走线区域在所述柔性基板上的投影落入所述凹槽区域内。
2.如权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，
所述凹槽区域的柔性基板的厚度与所述平坦区域的柔性基板的厚度比值为3:5～4:5。
3.如权利要求2所述的柔性显示面板，其特征在于，
所述凹槽区域的柔性基板的厚度与所述平坦区域的柔性基板的厚度比值为2:3。
4.如权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，
所述凹槽区域为全开口的凹槽。
5.如权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，
所述无机膜为氧化硅或氧化氮。
6.如权利要求5所述的柔性显示面板，其特征在于，
所述柔性基板膜采用PI或PET材料。
7.一种如权利要求1至6中任意一项所述柔性显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一刚性基板；
在所述刚性基板之上沉积一层剥离层；
刻蚀并图案化所述剥离层，形成保留区域和刻蚀区域；
再在图案化后的剥离层上制作柔性基板，所述柔性基板具有第一表面和第二表面；
在所述柔性基板的第一表面上形成TFT阵列层；所述TFT阵列层具有打孔和沟道区域；
在所述TFT阵列层之上形成显示层；
在所述显示层之上贴合前板保护膜；
剥离所述刚性基板以及所述图案化后的剥离层，暴露出所述柔性基板的第二表面；
在所述柔性基板的第二表面上贴合后板保护膜；其中，
所述打孔和沟道区域在所述剥离层上的投影落入所述刻蚀区域内。
8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于：
所述刚性基板为玻璃基板，所述剥离层采用透明的无机剥离材料。
9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于：
所述透明的无机剥离材料为氧化硅、氮化硅或氧化铝。
10.一种柔性显示装置，其包括如权利要求1至6中任意一项所述的柔性显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610937122.2A CN106340523B (zh) | 2016-10-25 | 2016-10-25 | 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610937122.2A CN106340523B (zh) | 2016-10-25 | 2016-10-25 | 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106340523A CN106340523A (zh) | 2017-01-18 |
| CN106340523B true CN106340523B (zh) | 2019-08-06 |
Family
ID=57840806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610937122.2A Active CN106340523B (zh) | 2016-10-25 | 2016-10-25 | 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106340523B (zh) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107068862B (zh) * | 2017-03-06 | 2020-06-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制造方法、柔性显示装置、载体基板 |
| CN109360888A (zh) * | 2017-08-18 | 2019-02-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板的柔性基底及其制备方法 |
| CN109427251B (zh) * | 2017-08-31 | 2021-08-10 | 昆山国显光电有限公司 | 一种覆盖膜及柔性显示装置 |
| CN107611162A (zh) * | 2017-09-13 | 2018-01-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板及其制作方法 |
| CN107968109A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-04-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN207517288U (zh) * | 2017-11-30 | 2018-06-19 | 昆山国显光电有限公司 | 可分离的柔性显示结构、柔性显示屏以及显示装置 |
| KR102515890B1 (ko) | 2017-12-28 | 2023-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN108364571B (zh) * | 2018-01-19 | 2020-09-25 | 云谷（固安）科技有限公司 | 柔性背板及其制备方法、显示设备 |
| US20190252637A1 (en) * | 2018-02-13 | 2019-08-15 | Innolux Corporation | Foldable display device |
| CN108461630B (zh) * | 2018-03-03 | 2022-08-16 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性显示基板、显示面板、显示装置及其制造方法 |
| CN108963076A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-12-07 | 厦门天马微电子有限公司 | 柔性显示面板、柔性显示装置和柔性显示面板的制造方法 |
| CN109285867B (zh) * | 2018-09-25 | 2020-09-08 | 广州国显科技有限公司 | 有机发光显示设备的制造方法 |
| CN109326712B (zh) * | 2018-10-23 | 2023-03-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板的制备方法、柔性基板和显示面板 |
| CN109360845A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-02-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示器件及其制备方法、显示装置 |
| CN109524448B (zh) * | 2018-12-26 | 2020-11-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性oled显示面板及其制备方法 |
| CN110034249B (zh) * | 2019-04-25 | 2020-04-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板的制作方法及用于制作柔性显示面板的载体基板 |
| CN110212000B (zh) * | 2019-06-03 | 2021-07-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板、制造方法及显示装置 |
| CN110429106B (zh) * | 2019-07-05 | 2021-01-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN110738925B (zh) * | 2019-10-11 | 2021-08-13 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示屏模组及具有其的电子装置 |
| CN110867518B (zh) * | 2019-10-17 | 2022-08-16 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种柔性显示面板的制备方法 |
| CN110854130A (zh) * | 2019-10-24 | 2020-02-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性薄膜基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
| CN110875441B (zh) * | 2019-11-28 | 2023-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 保护膜及其制作方法、柔性面板及其制作方法、显示装置 |
| CN111081743B (zh) * | 2019-12-11 | 2022-06-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制造方法及显示面板 |
| CN114050216A (zh) * | 2021-10-28 | 2022-02-15 | 华中科技大学 | 一种柔性电子器件及其激光加工方法 |
| CN118055639A (zh) * | 2022-11-17 | 2024-05-17 | 北京京东方技术开发有限公司 | 显示基板和显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1460299A (zh) * | 2001-04-03 | 2003-12-03 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 具有柔性衬底的矩阵阵列器件 |
| CN101133434A (zh) * | 2005-02-22 | 2008-02-27 | 富士胶片株式会社 | 抑制塑性变形的挠性基材及挠性图像显示装置 |
| CN103872257A (zh) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | 三星显示有限公司 | 卷对卷制程用柔性基板及其制造方法和有机发光显示装置 |
| CN104103775A (zh) * | 2013-04-03 | 2014-10-15 | 三星显示有限公司 | 柔性显示设备，及用于制造柔性显示设备的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130250200A1 (en) * | 2010-12-10 | 2013-09-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Array substrate for liquid crystal display panel |
| WO2014097387A1 (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| KR20160116121A (ko) * | 2015-03-25 | 2016-10-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
-
2016
- 2016-10-25 CN CN201610937122.2A patent/CN106340523B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1460299A (zh) * | 2001-04-03 | 2003-12-03 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 具有柔性衬底的矩阵阵列器件 |
| CN101133434A (zh) * | 2005-02-22 | 2008-02-27 | 富士胶片株式会社 | 抑制塑性变形的挠性基材及挠性图像显示装置 |
| CN103872257A (zh) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | 三星显示有限公司 | 卷对卷制程用柔性基板及其制造方法和有机发光显示装置 |
| CN104103775A (zh) * | 2013-04-03 | 2014-10-15 | 三星显示有限公司 | 柔性显示设备，及用于制造柔性显示设备的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106340523A (zh) | 2017-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106340523B (zh) | 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置 | |
| CN108023026B (zh) | 具有辅助电极的显示装置 | |
| US10714557B2 (en) | Substrate for display device and display device including the same | |
| CN104183600B (zh) | 柔性显示装置及其制造方法 | |
| CN104518000B (zh) | 柔性显示设备及其制造方法 | |
| CN109285460B (zh) | 阵列基板、显示面板和显示装置 | |
| CN106847744A (zh) | 阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置 | |
| CN109860224B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | |
| CN109037297A (zh) | 一种有机发光显示基板及其制作方法 | |
| CN103219469B (zh) | 发光组件 | |
| CN108831914B (zh) | 一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| US11699363B2 (en) | Stretchable display device | |
| CN105655378A (zh) | 一种阵列基板和oled显示面板、制备方法及显示装置 | |
| CN111952323A (zh) | 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 | |
| CN106898617A (zh) | 基板及其制备方法、显示面板和显示装置 | |
| CN109192144B (zh) | 补偿子像素单元、制作及驱动方法、像素结构及显示面板 | |
| CN108417580A (zh) | 阵列基板及其制作方法和显示面板 | |
| CN109935516A (zh) | 一种阵列基板、其制备方法及显示装置 | |
| CN106098706B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN108646939A (zh) | 一种触控电极结构及触控面板 | |
| CN109713014B (zh) | 有机发光显示面板、装置和有机发光显示面板的制造方法 | |
| KR102468370B1 (ko) | 콘택홀 형성방법과 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 유기발광표시장치 | |
| CN207068871U (zh) | 一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置 | |
| CN111782089B (zh) | 触控面板、显示面板及显示装置 | |
| CN104882467B (zh) | 基板及其制造方法、显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |