CN109285460B - 阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，该阵列基板包括：衬底基板，包括显示区和围绕显示区的非显示区；位于衬底基板一侧的绝缘层，绝缘层包括至少一个台状凸起，台状凸起远离衬底基板的表面在衬底基板上的垂直投影位于台状凸起靠近衬底基板的表面在衬底基板上的垂直投影内；位于绝缘层远离衬底基板一侧的静电导电层，静电导电层包括第一导线和至少一个第一放电尖端，第一导线与第一放电尖端电连接，第一放电尖端形成于台状凸起的侧面斜坡上，以及第一放电尖端位于非显示区内；静电导电层还包括辅助放电结构，辅助放电结构与第一放电尖端相对设置。与现有技术相比，本发明实施例提供的阵列基板中放电尖端较尖锐，静电较易释放。

Description

阵列基板、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，越来越多的显示装置被应用到人们的日常生活和工作中，为人们的日常生活和工作带来了极大的便利。无论在日常生活和工作中，静电都广泛存在，在显示装置的使用过程中，静电防护(Electro-Static Discharge，EDS)是避免显示装置失效的必要手段。
通常，静电防护可利用尖端放电实现。但是，现有的尖端放电结构的放电电压较高，使得静电在尖端放电之前可通过其他途径被释放，由此导致显示面板以及显示装置的显示异常。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，以提供较尖锐的放电尖端，从而降低放电尖端的放电电压，使放电尖端易于释放静电，从而利于避免静电在尖端放电之前通过其他途径被释放，进而有利于避免由此导致的显示面板以及显示装置的显示异常。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：
衬底基板，包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；
位于所述衬底基板一侧的绝缘层，所述绝缘层包括至少一个台状凸起，所述台状凸起远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的垂直投影位于所述台状凸起靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的垂直投影内；
位于所述绝缘层远离所述衬底基板一侧的静电导电层，所述静电导电层包括第一导线和至少一个第一放电尖端，所述第一导线与所述第一放电尖端电连接，所述第一放电尖端形成于所述台状凸起的侧面斜坡上，以及所述第一放电尖端位于所述非显示区内；
所述静电导电层还包括辅助放电结构，所述辅助放电结构与所述第一放电尖端相对设置。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括第一方面提供的阵列基板。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括第二方面提供的显示面板。
本发明实施例提供的阵列基板包括衬底基板，衬底基板包括显示区和围绕显示区的非显示区，通过设置绝缘层位于衬底基板一侧，静电导电层位于绝缘层远离衬底基板一侧，且绝缘层包括至少一个台状凸起，台状凸起远离衬底基板的表面在衬底基板上的垂直投影位于台状凸起靠近衬底基板的表面在衬底基板上的垂直投影内，静电导电层包括第一导线和至少一个第一放电尖端，且第一导线与第一放电尖端电连接，第一放电尖端形成于台状凸起的侧面斜坡上，由此，可使得第一放电尖端沿台状凸起的侧面斜坡靠近衬底基板的一端指向远离衬底基板的一端的方向逐渐变细，从而可使第一放电尖端较尖锐；由于放电尖端越尖锐，静电释放越容易，因此，该较尖锐的第一放电尖端较易于释放静电；由此，利于避免静电在尖端放电之前通过其他途径被释放，进而有利于避免由此导致的显示面板以及显示装置的显示异常。
附图说明
图1为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图3为沿图2中A1-B1的阵列基板的剖面示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部放大结构示意图；
图7为沿图6中A2-B2的阵列基板的剖面示意图；
图8为本发明实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部放大结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
图11为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图。参照图1，该阵列基板00包括：衬底基板001，衬底基板001包括显示区001A和非显示区001N，非显示区001N围绕显示区001A设置；非显示区001N中还设置有静电防护结构003，该静电防护结构003包括相对设置的两条导线，每条导线均包括平直部0031以及放电尖端0032，其中，平直部0031与放电尖端0032电连接。当其中一条导线上积累大量的静电电荷时，该静电电荷会通过导线的相对设置的放电尖端之间放电而释放，由此，将静电能量消耗掉，以减少静电对阵列基板、显示面板以及显示装置的损伤。但是，现有的静电防护结构003中，相对设置的两条导线采用平面导线结构，并且使用光刻工艺制作放电尖端0032，由此制作的放电尖端0032的尖端角度较大(可理解为“尖端较钝”)，使得尖端放电的放电电压较高。基于此，当导线中由静电积累，但静电电压未达到尖端放单的放电电压时，导线上积累的静电电荷可通过其他导电途径进行放电，如此可造成对阵列基板中的其他线路的损伤，从而可导致阵列基板中的线路损坏，进而导致显示面板和显示装置显示异常。当然，若显示面板还集成了触控功能或压感功能，也有可能导致显示面板和显示装置触控失效或压感失效。下文中仅以显示面板和显示装置的显示功能为示例进行说明，显示面板的触控功能以及压感功能可参照下文理解，下文中不再赘述。
针对上述问题，本发明实施例提出一种阵列基板，该阵列基板通过设置台状凸起，并将第一放电尖端形成于台状凸起的侧面斜坡上，可形成较尖锐的第一放电尖端，由此，可降低尖端放电的放电电压，是静电较容易释放，从而有利于避免由于静电电荷通过其他途径释放而导致的阵列基板中的线路损坏，进而有利于避免显示面板和显示装置显示异常。
示例性的，图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图3为沿图2中A1-B1的阵列基板的剖面示意图。结合图2和图3，该阵列基板10包括：衬底基板101，衬底基板101包括显示区101A和围绕显示区101A的非显示区101N；位于衬底基板101一侧的绝缘层102，绝缘层102包括至少一个台状凸起104，台状凸起104远离衬底基板101的表面在衬底基板101上的垂直投影(该垂直投影对应第一长度S1)位于台状凸起104靠近衬底基板101的表面在衬底基板101上的垂直投影(该垂直投影对应第一长度S2)内；位于绝缘层102远离衬底基板101一侧的静电导电层103，静电导电层103包括第一导线1031和至少一个第一放电尖端1032，第一导线1031与第一放电尖端1032电连接，第一放电尖端1032形成于台状凸起104的侧面斜坡上，以及第一放电尖端1032位于非显示区101N内；静电导电层103还包括辅助放电结构1033，辅助放电结构1033与第一放电尖端1032相对设置。
其中，衬底基板101可为刚性衬底基板或柔性衬底基板。柔性，也称为挠性，是相对刚性而言的一种物体特性；柔性衬底基板也可以理解为可弯曲的衬底基板。示例性的，柔性衬底基板的材料可为超薄玻璃、金属箔或高分子塑料材料。超薄玻璃可包括超薄无碱玻璃，金属箔可包括不锈钢箔、铝箔、铜箔等，高分子塑料材料可包括聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚乙烯醇(Polyvinylalcohol，PVA)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)等。刚性衬底基板的材料可为玻璃或硅片。玻璃可包括铝硅酸盐玻璃、钠钙玻璃(白玻璃)或者绿玻璃等。需要说明的是，上述各柔性衬底基板材料以及各刚性衬底基板材料仅为示例性的说明，而非限定。
其中，显示区101A对应于显示面板的显示区，该区域可设置像素驱动电路，像素驱动电路用于驱动像素单元发出不同颜色的光，以实现显示面板和显示装置的显示区可显示待显示画面；非显示区101N可用于布设走线，该走线可用于连接显示区101A中的像素驱动电路与提供驱动信号的端口。
示例性的，若该阵列基板10应用于发光二极管显示面板，该阵列基板的显示区可设置像素驱动电路以及与像素驱动电路一一电连接的像素单元，该像素单元可包括相对设置的阴极和阳极，以及位于阴极和阳极之间的发光层，像素驱动电路控制阴极和阳极之间具有设定的电压差(或可理解为阴极与阳极之间流过设定的电流)时，发光层发出预设颜色以及预设强度的光线，由此，通过协调整个阵列基板上的各个像素单元发出的光线，发光二极管显示面板可显示待显示画面。示例性的，若该阵列基板10应用于液晶显示面板，液晶显示面板可包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，液晶层可在像素电极与公共电极的电压差的驱动下转动，以允许预设强度的光线通过预设颜色的滤光膜，从而像素单元的对应位置处可显示预设颜色以及预设强度的光线，由此，通过协调整个液晶显示面板上的各个像素单元发出的光线，液晶显示面板可显示待显示画面。该结构中，像素电极位于阵列基板侧，公共电极可位于阵列基板侧，也可位于彩膜基板侧，本发明实施例对此不作限定。
需要说明的是，该阵列基板10还可应用于本领域技术人员可知的其他类型的显示面板中，本发明实施例对此不作限定。
其中，绝缘层102用于形成台状凸起104，一方面用于阵列基板10中原有的导电膜层之间的电绝缘；另一方面，后续可在台状凸起104结构的侧面斜坡上形成第一放电尖端1032，利于形成较尖锐的第一放电尖端。关于绝缘层102的材质在下文中详述，此处不赘述。
示例性的，台状凸起104的至少部分侧面与衬底基板101所在的平面之间的夹角为锐角，即形成侧面斜坡。在该侧面斜坡上形成第一放电尖端1032时，通过第一放电尖端1032所在的静电导电层103的爬坡过程，可使形成在侧面斜坡上的第一放电尖端1032缓慢变细，从而可制作出较尖锐的第一放电尖端1032。
其中，静电导电层103用于形成静电防护结构，该静电防护结构可通过尖端放电将静电电荷释放。
示例性的，该静电防护结构由第一导线1031、第一放电尖端1032和辅助放电结构1033构成。其中，第一导线1031与第一放电尖端1032电连接，用于将第一导线1031布设位置处的静电电荷聚集至第一放电尖端1032的尖端位置处；当第一放电尖端1032中的静电电荷的聚集使得第一放电尖端1032与辅助放电结构1033之间的电压差达到放电电压时，静电电荷通过尖端放电释放，并由辅助放电结构1033导走(示例性的，可导走至地)。
其中，通过设置绝缘层102包括至少一个台状凸起104，第一放电尖端1032位于非显示区101N内，且第一放电尖端1032形成于台状凸起的侧面斜坡上，可使第一放电尖端1032在形成过程中缓慢爬坡，即可使得在台状凸起104的侧面斜坡上，沿侧面斜坡靠近衬底基板101的一端指向侧面斜坡远离衬底基板101的一端的方向，第一放电尖端1032逐渐变细，从而可使得第一放电尖端1032较尖锐；由于放电尖端越尖锐，尖端放电的放电电压越小，即放电尖端中积累的静电电荷越容易释放，因此，该较尖锐的第一放电尖端1032可对应一个较小的放电电压，即该较尖锐的第一放电尖端1032较易于静电电荷的释放；由此，利于避免静电在第一放电尖端1032利用尖端放电之前有可能存在的静电电荷通过其他途径被释放而导致的阵列基板10中的线路损伤，进而有利于避免显示面板和显示装置的显示异常现象。
首先，需要说明的是，图2中仅示例性的示出了静电导电层103中的静电防护结构(图2中以加粗的实线示出)设置于非显示区101N包围显示区101A的三个侧面，且连续设置，但并非对本发明实施例提供的阵列基板10的限定。在其他实施方式中，静电导电层103中的静电防护结构的位置和是否连续设置均可根据阵列基板10的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
其次，需要说明的是，图3中仅示例性的示出了台状凸起104的一剖面形状为直角梯形，但并非对本发明实施例提供的阵列基板10的限定。在其他实施方式中，台状凸起104的形状(可理解为剖面形状或立体形状)可根据阵列基板10的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
可选的，图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。结合图3和图4，静电导电层103还包括位于非显示区101N内的第二导线1034；第二导线1034与第一导线1031平行设置，第一放电尖端1032与第二导线1034相对设置；第二导线1034构成辅助放电结构1033。
如此设置，可利用第二导线1034将第一放电尖端1032释放的静电电荷导走。同时，仅利用一条平直导线(即第二导线1034)作为辅助放电结构1033，可简化辅助放电结构1033的设计难度和制作工艺难度，从而有利于简化阵列基板10的整体结构和制作工艺。
示例性的，第二导线1034可设置于台状凸起104远离衬底基板101的一侧表面；或者，第二导线1034可设置于台状凸起104中与第一放电尖端1032所在的侧面斜坡相对的侧面斜坡上；或者，第二导线1034还可设置于与第一放电尖端1032相对的其他位置，本发明实施例对此不作限定。
需要说明的是，图4中仅示例性的示出了第一放电尖端1032的数量为8个，此仅为阵列基板10中静电防护结构的局部结构，并不构成对本发明实施例提供的阵列基板10的限定。在其他实施方式中，阵列基板10中的第一放电尖端1032的数量可根据阵列基板10的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
其次，需要说明的是，第一放电尖端1032的尖端背离显示区101A设置，也可理解为，第二导线1034位于第一导线1031背离显示区101A的一侧，第一放电尖端1032位于第一导线1031与第二导线1032之间，且与第二导线1034相对设置，如此可使第一放电尖端1032放电时，静电电荷在非显示区101N内，且向背离显示区101A的方向传输，从而有利于避免第一放电尖端1032的放电过程中出现放电异常(示例性的，第二导线1034被击穿)对显示区101A的线路的损坏，从而有利于确保显示面板和显示装置的画面正常显示。
可选的，继续参照图4，在第一方向X上，第一放电尖端1032与第二导线1034之间的间距W0小于预设间距阈值。
其中，第一放电尖端1032与第二导线1034之间的间距W0越小，第一放电尖端1032的尖端放电的放电电压越小；示例性的，预设间距阈值可为1μm、0.8μm或0.5μm，其具体取值可根据阵列基板10的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
需要说明的是，为确保第一放电尖端1032与第二导线1034之间电绝缘，在现阶段的工艺条件限制下，第一放电尖端1032与第二导线1034之间的间距不能无限小，即二者之间的间距还需大于一下限值。该下限值的具体取值也可根据阵列基板10的实际需求以及工艺条件的实际限制而设置，本发明实施例对此不作限定。
可选的，图5为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，图6为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部放大结构示意图，图7为沿图6中A2-B2的阵列基板的剖面示意图。参照图5-图7，台状凸起104包括相对设置的第一侧面斜坡1041和第二侧面斜坡1042，静电导电层103还包括第三导线1035和第三放电尖端1036，第三放电尖端1036与第三导线1035电连接；第一放电尖端1032设置于第一侧面斜坡1041上，第三放电尖端1036设置于第二侧面斜坡1042上，第三导线1035与第一导线1031平行设置，第三放电尖端1036与第一放电尖端1032相对设置；第三导线1035和第三放电尖端1036构成辅助放电结构1033。
如此设置，可用于第三放电尖端1036将第一放电尖端1032中聚集的静电电荷转移至第三导线1035中，并利用第三导线1035将静电电荷导走，由此实现尖端放电过程。同时，第三放电尖端1036与第一放电尖端1032相对设置，通过尖端对尖端的设置，可降低尖端放电的放电电压，从而在第一放电尖端1032中积累的静电电荷较少时，即可利用尖端放电将静电电荷导走，从而有利于避免静电通过其他途径释放而导致的阵列基板中的线路受损。此外，第三导线1035与第一导线1031平行设置，有利于减少静电防护结构所占用的面积，从而有利于减少非显示区101N的面积，后续形成显示面板和显示装置后，利于提高显示面板和显示装置的屏占比，实现其窄边框设计。
需要说明的是，图5和图6中仅示例性的示出了8对一一相对设置的第一放电尖端1032和第二放电尖端1036，其仅为阵列基板10中静电防护结构的局部结构，并不构成对本发明实施例提供的阵列基板10的限定。在其他实施方式中，阵列基板10中的相对设置的第一放电尖端1032和第二放电尖端1036构成的放电尖端对的对数可根据阵列基板10的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
此外，需要说明的是，图5和图6中仅示例性的示出了第一放电尖端1032和第三放电尖端1036均成对设置，即第一放电尖端1032的数量等于第三放电尖端1036的数量，但并非对本发明实施例的限定。在其他实施方式中，第一放电尖端1032的数量与第三放电尖端1036的数量可不相等，即存在未配对的第一放电尖端1032和第三放电尖端1036，本发明实施例对此不作限定。
可选的，继续参照图5，第一放电尖端1032与第三放电尖端1036之间的间距W1小于第一预设间距阈值。
其中，第一放电尖端1032与第三放电尖端1036之间的间距W1越小，第一放电尖端1032的尖端放电的放电电压越小；示例性的，第一预设间距阈值可为1μm、0.8μm或0.5μm，其具体取值可根据阵列基板10的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
需要说明的是，为确保第一放电尖端1032与第三放电尖端1036之间电绝缘，在现阶段的工艺条件限制下，第一放电尖端1032与第三放电尖端1036之间的间距不能无限小，即二者之间的间距还需大于一下限值。该下限值的具体取值也可根据阵列基板10的实际需求以及工艺条件的实际限制而设置，本发明实施例对此不作限定。
可选的，继续参照图6和图7，绝缘层102包括第一绝缘层1021。阵列基板10还包括薄膜晶体管；第一绝缘层1021为阵列基板10中的缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、层间介质层、钝化层和平坦化层中的至少一层；第一绝缘层1021背离衬底基板101一侧的表面形成相对设置的第一凹槽10211和第二凹槽10212，位于第一凹槽10211和第二凹槽10212(示例性的，图7中用加粗的虚线示出了第一凹槽10211和第二凹槽10212的剖面轮廓)中间的凸起结构用于形成台状凸起104。
其中，位于显示区101A中的薄膜晶体管可用于构成像素驱动电路，位于非显示区101N中的薄膜晶体管可用于构成移位寄存器。
示例性的，阵列基板10的膜层结构可包括：衬底基板101、位于衬底基板一侧且依次层叠(示例性的，层叠方向为第三方向Z，第三方向Z垂直于第一方向X和第二方向Y所决定的平面，即衬底基板101所在的平面)设置的缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、中间导电层(示例性的，该层可用于形成像素驱动电路中的存储电容的一电极)、层间介质层、源漏电极层、钝化层以及平坦化层。
其中，缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、层间介质层、钝化层和平坦化层通常由绝缘材料(示例性的，该绝缘材料可包括氮化硅等无机绝缘材料，也可包括有机绝缘材料)形成，第一绝缘层1021可与其中的任一层或几层采用相同的材料在同一工艺步骤中形成，由此，仅需通过改动相关膜层的掩膜图案即可形成第一绝缘层1021中的台状凸起104，从而可不增加工艺流程，即有利于简化阵列基板10的制作工艺。
其中，通过在第一绝缘层1021背离衬底基板101的一侧表面形成第一凹槽10211和第二凹槽10212，以利用两凹槽中间的凸起结构形成台状凸起104，可简化绝缘层102的膜层结构，减少绝缘层102中膜层的堆叠，从而有利于增加绝缘层102的长期稳定性，进而有利于提高阵列基板10的整体稳定性。
需要说明的是，上述仅示例性的示出了阵列基板10包括薄膜晶体管时的阵列基板10的膜层堆叠结构，但并非对本发明实施例提供的阵列基板的限定。在其他实施方式中，可根据阵列基板10的实际需求，设置其膜层堆叠结构，其中薄膜晶体管的膜层堆叠方式可为本领域技术人员可知的任一种方式，本发明实施例对此不作限定。
需要说明的是，图7中仅示例性的示出了沿第三方向Z，台状凸起104的高度大于中位于第一凹槽10211和第二凹槽10212背离台状凸起104一侧的第一绝缘层1021的高度，但并非对本发明实施例提供的阵列基板10的限定。在其他实施方式中，二者之间的高度关系可根据阵列基板10的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
可选的，继续参照图6，第一凹槽10211和第二凹槽10212分别为条形凹槽。
如此设置，可使第一凹槽10211和第二凹槽10212的形状较简单，从而利于简化第一凹槽10211和第二凹槽10212的设计难度和制作工艺难度。同时，通过设置二者为条形凹槽，便于实现第一导线1031和第三导线1035的平直且平行设计，从而利于减小非显示区101N的面积，进而利于提高后续形成的显示面板和显示装置的屏占比，实现窄边框设计。
需要说明的是，图6中仅示例性的示出了沿第一方向X，第一凹槽10211的宽度大于第一导线1031的宽度，第二凹槽10212的宽度大于第三导线1035的宽度，第一凹槽10211的宽度等于第二凹槽10212的宽度，第一导线1031的宽度等于第三导线1035的宽度，同时，图6中示出的阵列基板的局部结构沿第二方向Y形成轴对称图形，该对称设计仅是为了简化阵列基板的设计难度以及制作工艺难度，但并不构成对本发明实施例提供的阵列基板10的限定。在其他实施方式中，可根据阵列基板10的实际需求，设置第一凹槽10211、第二凹槽10212、第一导线1031、第二导线1035、第一放电尖端1032以及第三放电尖端1036的尺寸，本发明实施例对此均不作限定。
可选的，图8为本发明实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图。参照图8，绝缘层102包括第二绝缘层1022和第三绝缘层1023；阵列基板10还可包括薄膜晶体管；第二绝缘层1022和第三绝缘层1023分别为阵列基板10中的缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、层间介质层、钝化层和平坦化层中的至少一层；第三绝缘层1023位于第二绝缘层1022远离衬底基板101一侧，第三绝缘层1023包括台状凸起104。
其中，阵列基板10包括薄膜晶体管时的阵列基板的膜层堆叠结构可参照上文理解，在此不再赘述。
该结构中，绝缘层102包括第二绝缘层1022和第三绝缘层1023，其中，第二绝缘层1022可为表面平整的一层膜层，在该表面平整的膜层表面利用第三绝缘层形成台状凸起104，可降低单层膜层的制作难度。同时，第二绝缘层1022和第三绝缘层1023可选用不同的材料形成，从而可在刻蚀第三绝缘层1023以形成台状凸起的过程中，不影响第二绝缘层1022的表面形貌，从而第二绝缘层1022的表面仍平整，有利于后续在第二绝缘层1022的表面形成第一导线1031和第三导线1035，第一导线1031和第三导线1035与第二绝缘层1022的接触界面为平整的平面，从而避免在静电防护结构中存在除第一放电尖端1032和第三放电尖端1036之外的意料之外的放电尖端，从而有利于避免不可控的放电现象的发生，进而有利于提升阵列基板、显示面板以及显示装置的可控性以及长期使用稳定性。
示例性的，第二绝缘层1022可为缓冲层，第三绝缘层为栅极绝缘层；或者第二绝缘层1022可为层间绝缘层，第三绝缘层为层间介质层；当然，第二绝缘层1022和第三绝缘层1023的组合还可为上述绝缘膜层中的任意可选组合，本发明实施例对此不作限定。
需要说明的是，图8与图6类似，也仅示例性的示出了阵列基板的局部结构沿第三方向Z形成轴对称图形，该对称设计仅是为了简化阵列基板的设计难度以及制作工艺难度，但并不构成对本发明实施例提供的阵列基板10的限定。在其他实施方式中，可根据阵列基板10的实际需求，设置台状凸起104、第一导线1031、第二导线1035、第一放电尖端1032以及第三放电尖端1036的尺寸，本发明实施例对此均不作限定。。
可选的，图9为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部放大结构示意图。参照图9，台状凸起104为圆台状凸起；同一圆台状凸起的侧面斜坡上具有多个相对设置的第一放电尖端1032。
如此设置，可增加静电释放的途径，便于静电电荷的释放；同时，当其中的一条第一导线1031以及与之电连接的第一放电尖端1032受损时，剩余的其他多个第一放电尖端1032仍能实现静电电荷的释放，从而可延长阵列基板的使用时长。
示例性的，图9中示出的台状凸起的侧面斜坡上具有4个第一放电尖端1032。基于此，当其中一个第一放电尖端1032受损时，其他3个第一放电尖端1032仍能基于尖端放电释放静电电荷。
需要说明的是，图9中仅示例性的示出了位于同一圆台状凸起的侧面斜坡上的第一放电尖端1032的数量为4个，但并非对本发明实施例提供的阵列基板的限定。在其他实施方式中，可根据阵列基板的实际需求，设置位于同一圆台状凸起的侧面斜坡上的第一放电尖端1032的数量，示例性的，可为3个，或者可为8个，本发明实施例对此不作限定。
可选的，继续参照图9，同一圆台状凸起的侧面斜坡上的多个第一放电尖端1032形成多组相对设置的放电尖端对(示例性的，图9中仅示出了第一放电尖端对1032T1和第二放电尖端对1032T2)。
如此设置，通过同一放电尖端对中的两个第一放电尖端1032的尖端对尖端的设置方式，可降低尖端放电的放电电压，从而在第一放电尖端1032中积累的静电电荷较少时，也可利用尖端放电将静电电荷导走，从而有利于避免静电通过其他途径释放而导致的阵列基板中的线路受损。此外，与位于同一圆台状凸起的侧面斜坡上的多个第一放电尖端1032电连接的多条第一导线1031均平行设置，有利于减少该静电防护结构所占用的面积，从而有利于减少非显示区101N的面积，后续形成显示面板和显示装置后，利于提高显示面板和显示装置的屏占比，实现其窄边框设计。
可选的，继续参照图9，每组放电尖端对中的第一放电尖端1032之间的间距W2小于第二预设间距阈值。
其中，放电尖端对中的两个第一放电尖端1032之间的间距W1越小，第一放电尖端1032的尖端放电的放电电压越小；示例性的，第二预设间距阈值可为1μm、0.8μm或0.5μm，其具体取值可根据阵列基板10的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
需要说明的是，为确保放电尖端对中的两个第一放电尖端1032之间电绝缘，在现阶段的工艺条件限制下，两个第一放电尖端1032之间的间距不能无限小，即二者之间的间距还需大于一下限值。该下限值的具体取值也可根据阵列基板10的实际需求以及工艺条件的实际限制而设置，本发明实施例对此不作限定。
此外，需要说明的是，上述实施方式中，限定了三个具有类似意义的间距值，分别为：图4中的在第一方向X上，第一放电尖端1032与第二导线1034之间的间距W0小于预设间距阈值；图5中的第一放电尖端1032与第三放电尖端1036之间的间距W1小于第一预设间距阈值；图9中的每组放电尖端对中的第一放电尖端1032之间的间距W2小于第二预设间距阈值。这三个间距值的具体取值可根据阵列基板的实际需求设置，三者可相同，也可不同，本发明实施例对此不作限定。
可选的，静电导电层103的材料包括金属或透明导电氧化物。
其中，金属材料与透明导电氧化物材料均可为现有的阵列基板膜层结构中可用到的材料，由此，静电导电层103可与现有的阵列基板中的膜层结构采用相同的材料、在同一工艺步骤中形成。因此，可不引入新材料和新设备，也可不增加阵列基板的工艺制程。
可选的，继续参照图5，阵列基板10可包括薄膜晶体管、第一电极层和第二电极层；静电导电层103与薄膜晶体管中的栅极金属层、薄膜晶体管中的源漏极金属层、第一电极层或第二电极层同层设置；其中，显示区101A包括像素电极层和公共电极层，第一电极层为像素电极层，第二电极层为公共电极层；或者，显示区101A包括发光元件，第一电极层为发光元件的阴极层，第二电极层为发光元件的阳极层。
阵列基板10包括薄膜晶体管时的阵列基板的膜层堆叠结构可参照上文理解，在此不再赘述。
在上述阵列基板10的膜层结构的基础上，还可包括像素单元的膜层结构。
示例性的，若该阵列基板10应用于发光二极管显示面板，则该阵列基板10还可包括位于平坦层远离衬底基板101一侧且依次层叠的阳极层、发光层和阴极层。示例性的，阳极层的材料可为金属，阴极层的材料可为透明导电氧化物(示例性的，可为氧化铟锡)。由此，该阵列基板10的膜层结构中，栅极层(即栅极金属层)、源漏电极层(即源漏极金属层)、第一电极层(可为阳极层)以及第二电极层(可为阴极层)均为导电膜层，静电导电层103可与其中任一层导电膜层同层设置，由此，可不增加阵列基板的膜层数量，从而不增加阵列基板的整体厚度，进而可利于显示面板和显示装置的轻薄化设计。
示例性的，若该阵列基板10应用于液晶显示面板，则该阵列基板10还可包括像素电极层；或者，该阵列基板10还可包括像素电极层与公共电极层，其中，根据液晶显示面板的显示模式的不同，像素电极层与公共电极层和分层设置，也可同层设置，本发明实施例对此不再赘述，也不作限定。由此，该阵列基板10的膜层结构中，栅极层(即栅极金属层)、源漏电极层(即源漏极金属层)、第一电极层(可为像素电极层)以及第二电极层(可为公共电极层)均为导电膜层，静电导电层103可与其中任一层导电膜层同层设置，由此，可不增加阵列基板的膜层数量，从而不增加阵列基板的整体厚度，进而可利于显示面板和显示装置的轻薄化设计。
需要说明的是，上述仅示例性的示出了该阵列基板应用于发光二极管显示面板和液晶显示面板的情况，但并不构成对本发明实施例提供的阵列基板的限定。在其他实施方式中，该阵列基板还可应用于本领域技术人员可知的其他类型的显示面板中，静电导电层可与其中的任意导电层同层设置，本发明实施例对此不作限定。
可选的，继续参照图8，台状凸起104的侧面斜坡(可为第一侧面斜坡1041或第二侧面斜坡1042)与衬底基板101所在的平面之间的夹角A的取值范围为：20°≤A≤60°。
如此设置，可使夹角A(即侧面斜坡的坡度角)的取值范围适中，由此，一方面，可避免坡度角过小，从而在形成较细的放电尖端(该放电尖端可包括第一放电尖端1032和第三放电尖端1036)的同时，台状凸起104不占用过多的非显示区的面积，从而有利于确保后续形成的显示面板和显示装置的窄边框设计。另一方面，使得坡度较缓，可避免坡度角多大时导致的无法在侧面斜坡上形成尖锐的放电尖端。
需要说明的是，上文仅示例性的示出了夹角A的取值范围为：20°≤A≤60°，但并非对本发明实施例提供的阵列基板10的限定。在其他实施范式中，夹角A的取值范围可根据阵列基板10的实际需求设置，示例性的，可为30°≤A≤50°，或者可为35°≤A≤45°，本发明实施例对此不作限定。
可选的，继续参照图5，非显示区101N包括驱动电路设置区101ND，静电导电层103设置于非显示区101N中除驱动电路设置区101ND外的区域中。
其中，驱动电路设置区101ND用于放置集成电路(Integrated Circuit，IC)，或用于绑定柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)。该区域电路集成度较高，且空间较大，可集成其他的静电防护结构。
需要说明的是，图5中仅示例性的示出了驱动电路设置区101ND位于显示区101A的下方，此仅为基于图5中示出的方位的示例性的说明，但并非对本发明实施例提供的阵列基板10的限定。在其他实施方式中，可根据阵列基板10的实际需求，设置驱动电路设置区101ND与显示区101A的相对位置关系，本发明实施例对此不作限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，该阵列基板的制作方法用于形成上述实施方式提供的任一种阵列基板，因此，该阵列基板的制作方法也具有上述实施方式提供的阵列基板所具有的有益效果，未详尽解释之处可参照上文的解释说明进行理解，下文中不再赘述。
示例性的，图10为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图。参照图10，该阵列基板的制作方法可包括：
S41、提供衬底基板。
其中，衬底基板可为上文中示出的柔性衬底基板或刚性衬底基板中的任一种。该步骤可包括将衬底基板清洗并吹干后，传送至进行后续步骤的位置处(例如，可为制备阵列基板的设备中的某个腔室)。
S42、在衬底基板的一侧形成绝缘层。
示例性的，可参照图3-图8任一图，绝缘层102包括至少一个台状凸起104，台状凸起104远离衬底基板101的表面在衬底基板101上的垂直投影(该垂直投影对应第一长度S1)位于台状凸起104靠近衬底基板101的表面在衬底基板101上的垂直投影(该垂直投影对应第一长度S2)内，由此，该台状凸起104的侧面形成侧面斜坡，为后续形成放电尖端做准备。
S43、在绝缘层远离衬底基板的一侧表面形成预置导电层。
示例性的，该预置导电层可覆盖台状凸起104的侧面斜坡以及覆盖绝缘层102中未形成台状凸起的表面，该预置导电层用于在后续步骤中形成放电尖端。
S44、刻蚀绝缘层中台状凸起的侧面斜坡上的预置导电层，形成第一放电尖端。
至此，在台状凸起的侧面斜坡上形成了第一放电尖端，该第一放电尖端较尖锐，从而在后续工艺步骤中以及在后续形成的显示面板和显示装置的使用过程中，尖端放电的放电电压较小，从而第一放电尖端中聚集的静电电荷易于释放，可避免静电电荷积累过多但不能通过尖端放电而释放时，静电电荷经由其他路径释放导致的阵列基板线路受损的问题。
需要说明的是，上述步骤S42、S43以及S44均可与现有阵列基板的制备工艺中的某一步骤同步进行，仅需改变该步骤中掩模板的掩模图形即可，由此，可不引入新材料和新设备，不增加阵列基板的制备步骤，从而有利于简化阵列基板的制备工艺。
在上述实施方式的基础上，本发明实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括上述实施方式提供的阵列基板。因此本发明实施例提供的显示面板也具备上述实施例中所描述的有益效果，未详尽解释之处可参照上文理解，下文中不再赘述。
示例性的，图11为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。参照图11，该显示面板20包括阵列基板10。
示例性的，本发明实施例提供的显示面板20可以为笔记本电脑、平板电脑、电子纸或显示器等任何具有显示功能的产品或部件，显示面板20中还可包括本领域技术人员可知的其他部件或膜层结构，本发明实施例对此不作限定。
在上述实施方式的基础上，本发明实施例还提供一种显示装置，示例性的，图12为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参照图12，该显示装置30包括上述实施方式提供的显示面板20。
本发明实施例提供的显示装置30包括上述实施方式中的显示面板20，显示面板20包括上述实施方式中的阵列基板，因此本发明实施例提供的显示装置30也具备上述实施例中所描述的有益效果，此处不再赘述。示例性的，显示装置30可以为手机、电脑、智能可穿戴设备以及本领域技术人员可知的其他类型的显示装置，本发明实施例对此不作限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (16)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板，包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；
位于所述衬底基板一侧的绝缘层，所述绝缘层包括至少一个台状凸起，所述台状凸起远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的垂直投影位于所述台状凸起靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的垂直投影内；
位于所述绝缘层远离所述衬底基板一侧的静电导电层，所述静电导电层包括第一导线和至少一个第一放电尖端，所述第一导线与所述第一放电尖端电连接，所述第一放电尖端形成于所述台状凸起的侧面斜坡上，以及所述第一放电尖端位于所述非显示区内；在所述台状凸起的侧面斜坡上，沿所述侧面斜坡靠近所述衬底基板一端指向所述侧面斜坡远离所述衬底基板一端的方向，所述第一放电尖端的宽度逐渐减小；
所述静电导电层还包括辅助放电结构，所述辅助放电结构与所述第一放电尖端相对设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述静电导电层还包括位于所述非显示区内的第二导线；
所述第二导线与所述第一导线平行设置，所述第一放电尖端与所述第二导线相对设置；
所述第二导线构成所述辅助放电结构。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述台状凸起包括相对设置的第一侧面斜坡和第二侧面斜坡，所述静电导电层还包括第三导线和第三放电尖端，所述第三放电尖端与所述第三导线电连接；
所述第一放电尖端设置于所述第一侧面斜坡上，所述第三放电尖端设置于所述第二侧面斜坡上，
所述第三导线与所述第一导线平行设置，所述第三放电尖端与所述第一放电尖端相对设置；
所述第三导线和所述第三放电尖端构成所述辅助放电结构。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一放电尖端与所述第三放电尖端之间的间距小于第一预设间距阈值。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层；所述阵列基板还包括薄膜晶体管；所述第一绝缘层为所述阵列基板中的缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、层间介质层、钝化层和平坦化层中的至少一层；
所述第一绝缘层背离所述衬底基板一侧的表面形成相对设置的第一凹槽和第二凹槽，位于所述第一凹槽和所述第二凹槽中间的凸起结构用于形成所述台状凸起。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽分别为条形凹槽。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述台状凸起为圆台状凸起；
同一所述圆台状凸起的侧面斜坡上具有多个相对设置的所述第一放电尖端。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，同一所述圆台状凸起的侧面斜坡上的多个所述第一放电尖端形成多组相对设置的放电尖端对。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，每组所述放电尖端对中的所述第一放电尖端之间的间距小于第二预设间距阈值。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括第二绝缘层和第三绝缘层；
所述阵列基板还包括薄膜晶体管；所述第二绝缘层和所述第三绝缘层分别为所述阵列基板中的缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、层间介质层、钝化层和平坦化层中的至少一层；
所述第三绝缘层位于所述第二绝缘层远离所述衬底基板一侧，所述第三绝缘层包括所述台状凸起。
11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述静电导电层的材料包括金属或透明导电氧化物。
12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括薄膜晶体管、第一电极层和第二电极层；
所述静电导电层与所述薄膜晶体管中的栅极金属层、所述薄膜晶体管中的源漏极金属层、所述第一电极层或所述第二电极层同层设置；
其中，所述显示区包括像素电极层和公共电极层，所述第一电极层为所述像素电极层，所述第二电极层为所述公共电极层；或者，所述显示区包括发光元件，所述第一电极层为所述发光元件的阴极层，所述第二电极层为所述发光元件的阳极层。
13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述台状凸起的侧面斜坡与所述衬底基板所在的平面之间的夹角A的取值范围为：20°≤A≤60°。
14.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述非显示区包括驱动电路设置区，所述静电导电层设置于所述非显示区中除所述驱动电路设置区外的区域中。
15.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-14任一项所述的阵列基板。
16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求15所述的显示面板。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110097827A (zh) * 2019-04-10 2019-08-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN111415588A (zh) * 2020-03-31 2020-07-14 维沃移动通信有限公司 柔性屏组件及电子设备
CN111610383B (zh) * 2020-05-28 2023-02-03 厦门天马微电子有限公司 一种静电检测装置和静电检测***
CN111679524B (zh) * 2020-06-12 2022-09-23 昆山龙腾光电股份有限公司 显示面板及显示装置
CN115605997A (zh) * 2020-10-30 2023-01-13 京东方科技集团股份有限公司（Cn） 显示基板和显示装置
CN114333628B (zh) * 2021-12-31 2024-03-08 成都天马微电子有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN114828606B (zh) * 2022-03-28 2023-05-23 电子科技大学 一种静电防护组件及触控电子产品
CN115312534B (zh) * 2022-06-29 2023-10-20 惠科股份有限公司 显示基板的制备方法
CN114823635B (zh) 2022-06-29 2023-06-30 惠科股份有限公司 驱动基板及显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03272599A (ja) * 1990-03-22 1991-12-04 Toshiba Corp 半導体部品の保護方法
DE4213796A1 (de) * 1991-10-16 1993-04-22 Mitsubishi Electric Corp Vorrichtung und verfahren zur ionen-implantation
WO2017036104A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, display panel, and display apparatus

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6587160B2 (en) * 1997-10-14 2003-07-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays
TWI362682B (en) * 2003-12-02 2012-04-21 Keyence Co Ltd Ionizer and discharge electrode assembly mounted therein
CN101201520B (zh) * 2007-12-27 2010-09-08 昆山龙腾光电有限公司 一种具有静电防护功能的液晶显示装置阵列基板
CN101578006B (zh) * 2008-05-08 2012-11-28 胜华科技股份有限公司 触控面板的静电防护装置
TWI376544B (en) * 2008-06-16 2012-11-11 Wintek Corp Liquid crystal display panel
CN201532510U (zh) * 2009-08-20 2010-07-21 深圳市科利德光电材料股份有限公司 液晶显示面板和液晶显示面板组合
CN101655755B (zh) * 2009-09-17 2012-07-18 友达光电股份有限公司 触控面板
CN202049314U (zh) * 2011-03-22 2011-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种信号线连接结构及使用其的阵列基板与液晶显示器
CN102324421A (zh) * 2011-07-01 2012-01-18 中国科学院微电子研究所 一种芯片内利用尖端放电的esd保护结构
TW201342011A (zh) * 2012-04-10 2013-10-16 Wintek Corp 電子裝置
CN103296020B (zh) * 2012-06-29 2016-09-28 上海天马微电子有限公司 静电放电保护结构及半导体设备
US20140071384A1 (en) * 2012-09-10 2014-03-13 Research In Motion Limited Electrostatic discharge arrangement for an active matrix display
CN102967975B (zh) * 2012-11-16 2015-12-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板及液晶显示装置
CN204746606U (zh) * 2015-06-12 2015-11-11 双盾环境科技有限公司 一种用于湿式静电除尘器的条状铅锑合金阴极线
CN104900589B (zh) 2015-06-16 2017-11-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示器件
CN105182648A (zh) * 2015-10-28 2015-12-23 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板结构及液晶显示面板esd监控方法
US10251251B2 (en) * 2016-02-03 2019-04-02 Yi Jing Technology Co., Ltd Electrostatic dissipation device with static sensing and method thereof
CN105810677B (zh) * 2016-05-16 2019-01-29 京东方科技集团股份有限公司 静电释放组件、阵列基板及其制备方法、显示面板
CN207780757U (zh) * 2018-01-31 2018-08-28 昆山国显光电有限公司 一种电容式触摸面板
CN108389883B (zh) * 2018-03-06 2020-12-25 京东方科技集团股份有限公司 触控显示基板及其制作方法、显示装置
CN108766994B (zh) * 2018-06-20 2021-03-16 武汉天马微电子有限公司 有机发光显示面板和有机发光显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03272599A (ja) * 1990-03-22 1991-12-04 Toshiba Corp 半導体部品の保護方法
DE4213796A1 (de) * 1991-10-16 1993-04-22 Mitsubishi Electric Corp Vorrichtung und verfahren zur ionen-implantation
WO2017036104A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, display panel, and display apparatus

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US10770485B2 (en) 2020-09-08

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