CN106328639A - 一种led的封装结构及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种LED的封装结构，包括基板、LED芯片、导电粘结剂及荧光胶，所述基板上下表面均设有电极，所述LED芯片底部设有电极，所述LED芯片置于所述基板上，所述荧光胶设于所述基板上；本发明同时公开了一种LED的封装结构的制备方法，包括以下步骤：步骤一、将整片基板贴在切割用的胶膜上，切割基板成若干独立基板单元；步骤二、将基板单元放置于固定膜上，固定膜贴附在载板上；步骤三、将若干LED芯片分别固定在所述基板单元上，步骤四、将荧光胶涂布在所述LED芯片上，固化成型；步骤五、切割；步骤六、分离。本发明的LED的封装结构不受贴装表面影响，避免机械损伤和维持稳定发光；同时使得产品侧面不会出现封装胶与基板剥离和不会产生毛刺现象。

Description

一种LED的封装结构及其制备方法
技术领域
本发明涉LED封装的技术领域，尤其涉及一种LED的封装结构及其制备方法。
背景技术
目前Chip Scale Package （指芯片尺寸封装，以下简称CSP）结构大致分两类：带基板CSP结构和不带基板CSP结构。
带基板CSP结构：基板与PCB焊盘连接，可避免PCB材质与晶片材质涨缩差异导致晶片裂痕，且基板的反射率稳定可控，不会导致贴装后亮度下降的问题。但带基板结构在切割时需同时切割封装胶和基板，封装胶容易从基板上剥离以及产生毛边问题等。
不带基板CSP结构：虽然不会有基板剥离和毛边产生的问题，但晶片直接与PCB焊盘贴合，性能极易受到贴装表面材质和反射率的影响，如晶片与PCB板材的涨缩差异，引起晶片裂痕失效，PCB焊盘反射率低亮度降低等；
结合有基板与无基板的优点，本发明人研究和设计了一种LED的封装结构及其制备方法，本案由此产生。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED的封装结构，以解决现有技术产品中封装胶容易从基板上剥离、产生毛边、晶片裂痕失效，PCB焊盘反射率低亮度降低等问题。
本发明的目的在于提供一种LED的封装结构的制备方法，以使得产品不受贴装表面影响，避免机械损伤和维持稳定发光；同时使得产品侧面不会出现封装胶与基板剥离和不会产生毛刺现象。
为了实现上述目的，本发明解决其技术问题所采取的技术方案是：
一种LED的封装结构，包括基板、LED芯片、导电粘结剂及荧光胶，所述基板上下表面均设有电极，所述LED芯片底部设有电极，所述LED芯片置于所述基板上，通过所述导电粘结剂与所述基板的上表面电极连接导通，所述荧光胶设于所述基板上，并将所述LED芯片和所述基板四周覆盖，所述荧光胶底部与基板底部齐平。
一种LED的封装结构的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、将整片基板贴在切割用的胶膜上，切割基板成若干独立基板单元；
步骤二、将所述若干独立基板单元转移并阵列置于固定膜上，所述基板之间留有间隙，所述固定膜贴附在载板上；
步骤三、将若干LED芯片分别固定在所述基板单元上，所述LED芯片底部设有电极，通过导电粘结剂与所述基板上表面电极连接导通；
步骤四、将荧光胶涂布在所述LED芯片上，所述荧光胶完全覆盖所述LED芯片并填充满步骤二中所述基板之间的间隙，所述基板单元、所述LED的顶面和四个侧面均有荧光胶包裹，固化成型；
步骤五、将成型后的料片，沿着两两所述基板单元的中心线进行切割成成品单元；
步骤六、将置于基板单元下方的固定膜进行分离。
作为实施例的优选方式，所述步骤三中，所述LED芯片的尺寸为20mil*20mil~50mil*50mil。
作为实施例的优选方式所述步骤四中，所述固化成型分为3个阶段：第1阶段：于80℃固化60min；第2阶段：于150℃固化120min；第3阶段：于30℃冷却60min。
作为实施例的优选方式，所述LED芯片以等间距的方式阵列排布。
作为实施例的优选方式，所述LED芯片以等间距0.2~3mm的方式阵列排布。
作为实施例的优选方式，所述固定膜为热解胶膜。
作为实施例的优选方式，所述热解胶膜的解胶温度为180-220℃。
采用上述的技术方案后，本发明具有以下有益效果：
1.基板相对于传统的LED封装结构，无需制作工艺边框，材料利用率高。无工艺边框，理论上可实现基板板材百分百利用。
2.产品不受贴装表面影响，避免机械损伤和维持稳定发光。基板缓冲晶片焊盘与PCB焊盘的作用力，晶片不易受损失效；基板反射率稳定可控，不受贴装表面材质影响，发光稳定。
3.产品侧面不会出现封装胶与基板剥离和不会产生毛刺现象，良品率好，底部基板起到承托保护荧光胶的作用，不易发生荧光粉脱落现象。
4.采用3阶段对荧光胶进行固化，可以大大提高荧光胶的光通量，使得封装后亮度提高10-15%。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明的工艺流程图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式以对本发明作进一步说明，如图1所示，为本发明的工艺流程图。
实施例1
如图1所示，本发明揭示了一种LED的封装结构，包括基板1、LED芯片3、导电粘结剂2及荧光胶4，所述基板1上下表面均设有电极，所述LED芯片3底部设有电极，所述LED芯片3置于所述基板1上，通过所述导电粘结剂2与所述基板1的上表面电极连接导通，所述荧光胶4设于所述基板1上，并将所述LED芯片3和所述基板1四周覆盖，所述荧光胶4底部与基板1底部齐平
实施例2
如图2所示，本发明揭示了一种LED的封装结构的制备方法，包括以下步骤：
步骤一10、将整片基板1贴在切割用的胶膜5上，切割基板成若干独立基板单元；
步骤二20、将所述若干独立基板单元转移并阵列置于固定膜6上，所述基板之间留有间隙，所述固定膜贴附在载板7上；
步骤三30、将若干LED芯片分别固定在所述基板单元上，所述LED芯片底部设有电极，通过导电粘结剂2（图2中未示出）与所述基板1上表面电极连接导通；
步骤四40、将荧光胶4涂布在所述LED芯片上，所述荧光胶4完全覆盖所述LED芯片并填充满步骤二中所述基板之间的间隙，所述基板单元、所述LED的顶面和四个侧面均有荧光胶包裹，固化成型；
步骤五50、将成型后的料片，沿着两两所述基板单元的中心线进行切割成成品单元；
步骤六60、将置于基板单元下方的固定膜进行分离。
作为实施例的优选方式，所述步骤三中，所述LED芯片的尺寸为20mil*20mil~50mil*50mil，具体所述LED芯片的尺寸可以根据实际生产需要而设定。
作为实施例的优选方式，所述LED芯片以等间距的方式阵列排布。
作为实施例的优选方式，所述LED芯片以等间距0.2~3mm的方式阵列排布。
作为实施例的优选方式，所述固定膜为热解胶膜。
作为实施例的优选方式，所述热解胶膜的解胶温度为180-220℃。
作为实施例的优选方式所述步骤四中，所述固化成型分为3个阶段：第1阶段：于80℃固化60min；第2阶段：于150℃固化120min；第3阶段：于30℃冷却60min。采用3阶段对荧光胶进行固化，可以大大提高荧光胶的光通量，使得封装后亮度提高10-15%。
本领域的普通技术人员能从本发明公开内容直接导出或联想到的所有变形，均应认为是本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种LED的封装结构，其特征在于：包括基板、LED芯片、导电粘结剂及荧光胶，所述基板上下表面均设有电极，所述LED芯片底部设有电极，所述LED芯片置于所述基板上，通过所述导电粘结剂与所述基板的上表面电极连接导通，所述荧光胶设于所述基板上，并将所述LED芯片和所述基板四周覆盖，所述荧光胶底部与基板底部齐平。
2.一种如权利要求1所述LED的封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一、将整片基板贴在切割用的胶膜上，切割基板成若干独立基板单元；
步骤二、将所述若干独立基板单元转移并阵列置于固定膜上，所述基板之间留有间隙，所述固定膜贴附在载板上；
步骤三、将若干LED芯片分别固定在所述基板单元上，所述LED芯片底部设有电极，通过导电粘结剂与所述基板上表面电极连接导通；
步骤四、将荧光胶涂布在所述LED芯片上，所述荧光胶完全覆盖所述LED芯片并填充满步骤二中所述基板之间的间隙，所述基板单元、所述LED的顶面和四个侧面均有荧光胶包裹，固化成型；
步骤五、将成型后的料片，沿着两两所述基板单元的中心线进行切割成成品单元；
步骤六、将置于基板单元下方的固定膜进行分离。
3.如权利要求2的一种LED的封装结构的制备方法，其特征在于：所述步骤三中，所述LED芯片的尺寸为20mil*20mil~50mil*50mil。
4.如权利要求2的一种LED的封装结构的制备方法，其特征在于：所述步骤四中，所述固化成型分为3个阶段：第1阶段：于80℃固化60min；第2阶段：于150℃固化120min；第3阶段：于30℃冷却60min。
5.如权利要求2的一种LED的封装结构的制备方法，其特征在于：所述LED芯片以等间距的方式阵列排布。
6.如权利要求5的一种LED的封装结构的制备方法，其特征在于：所述LED芯片以等间距0.2~3mm的方式阵列排布。
7.如权利要求2的一种LED的封装结构的制备方法，其特征在于：所述固定膜为热解胶膜。
8.如权利要求7的一种LED的封装结构的制备方法，其特征在于：所述热解胶膜的解胶温度为180-220℃。
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