CN106328059B - 用于电学补偿的存储器中数据更新的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种用于电学补偿的存储器中的数据更新方法，包括：当主控芯片接收到断电信号时，将当前更新的块的编号或者预定值写入非易失性存储器中。本公开只需在主控芯片外面加上一颗非易失性存储器来存储断电时当前更新的块的编号(第几个块)。再次开机的时候，根据该块的编号确定哪些行的数据丢失，再用邻行数据进行替换，操作起来简单，效率高，数据更新时间短，最重要的是不会对存储器器件的寿命造成影响。

Description

用于电学补偿的存储器中数据更新的方法和装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及在进行有源矩阵有机发光二极管(AMOLED,active matrix organic light emitting diode)电学补偿、Nor存储器数据更新时，防止断电造成必要数据丢失的方法和装置。
背景技术
AMOLED显示装置是一种自发光元件，其的基础是有机发光二极管(OLED,organiclight emitting diode)，OLED利用有机半导体材料和发光材料在电场驱动下发生载流子注入和复合而发光。由于亮度高、画质清晰、厚度超薄以及显示效能好等诸多优势，AMOLED显示装置有望得到更广泛的采用。
AMOLED显示装置由成千上万的像素组成，每个像素都包括OLED和用于驱动所述OLED的像素电路。像素电路由开关薄膜晶体管(TFT,thin-film transistor)、电容器和驱动TFT组成。开关TFT将与数据信号相对应的电压充电至电容器，驱动TFT根据电容器的电压调节供给至OLED的电流大小，OLED的发光量与所述电流成正比，从而调整OLED的亮度。
然而由于工艺等问题，各像素的驱动TFT的阈值电压Vth和迁移率存在特异性差异，从而导致各像素用于驱动OLED的电流大小不同，各像素之间出现亮度偏差。会导致显示画面亮度不均，并且可能减少AMOLED显示面板的使用寿命或者产生图像残留。
为解决这一问题，现有技术常采用补偿电路对Vth漂移进行补偿。其中外部补偿是常采用的一种模式。采用具有补偿功能的像素电路和定制的驱动芯片配合使用来实现外部补偿。
该补偿过程会对大量的数据进行计算和存取，所以需要用到用于进行数据处理的随机存储器(例如，DDR,Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器)；同时，还需要将很大量的中间过程数据存储起来，用于下次再开机的补偿，所以需要用于存储电学补偿数据的存储器(例如，闪存芯片)，并且该数据随着TFT和OLED的老化需要不断更新。
因为数据的更新时间较长，所以必须面临一个问题就是中途可能会断电。如果存储器中的数据刚刚擦除一个块，或者正在进行数据更新还没有完成，此时断电就会丢失部分像素的补偿数据，再开机时一部分像素不能进行补偿。
现有的防止断电数据更新方式，每次在擦除一个块的数据之前，先将其备份到空余的块中，然后再擦除写新的数据，并更改标志位，如果此时遇到断电，则再开机的时候则根据标识位的情况，从备份块中读取当前丢失的数据。该方法存在的问题是：每更新1个块的数据，都要对备份块进行擦、写，每次更新存储器一千多个块，要对备份块擦写一千多次，严重降低了存储器的寿命，成为产品寿命瓶颈。同时由于每个块的数据更新之前都要进行备份(对备份块进行擦除、写入)，所以更新时间延长一倍，且标识位操作非常复杂，需要频繁切换存储器的读写模式(大量数据读写与小量数据读写采用不同模式)，造成读写效率很低。
发明内容
本发明的另外方面和优点部分将在后面的描述中阐述，还有部分可从描述中明显地看出，或者可以在本发明的实践中得到。
在电学补偿过程中，有大量的数据需要进行存储，用于下次开机对像素电路进行补偿，所以需要用到存储器来保持断电数据不丢失，并且随着TFT和OLED老化，存储器中的数据要不断更新。因为数据更新的过程时间较长，所以需要应对在更新过程中断电的情况。存储器数据更新需要先将块擦除，才能写进新的数据。如果刚刚擦除一个块数据，或者正在写数据时断电，就会造成一些像素的补偿数据丢失。现有方式是通过每次擦写进行备份实现断电数据不丢失，但是该方式会对备份块进行超大量的擦写，严重影响存储器寿命，从而影响产品寿命，同时由于所有块的数据都要备份一遍，相当于更新时间延长一倍。
本公开用于在实时电学补偿过程中，对存储器中的数据进行更新，防止此过程中掉电造成必要数据丢失。具体做法是在主控芯片(例如，FPGA，Field-Programmable GateArray，现场可编程门阵列)外面外置一颗小容量非易失性存储器，例如E2PROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦可编程只读存储器)，当主控芯片接收到断电信号时，将当前更新的块的编号写入非易失性存储器中，此操作用时很短(几十微妙)，在电源彻底切断之前可以完成。等再次开机，从存储器中读取补偿数据前，先读取非易失性存储器中存储的块的编号，经过查找表，得出该块中存储的是面板的哪几行数据，用相邻几行的补偿数据替代丢失的补偿数据。因为相邻几行的初始面板特性很接近，在正常显示时，显示的内容也很接近，TFT和OLED的老化程度相近，因此补偿数据很相近，所以可以用邻行的数据替代。
本公开只需在主控芯片外面加上一颗非易失性存储器来存储断电时当前更新的块的编号(第几个块)。再次开机的时候，根据该块的编号确定哪些行的数据丢失，再用邻行数据进行替换，操作起来简单，效率高，数据更新时间短，最重要的是不会对存储器器件的寿命造成影响。
本公开提供一种用于电学补偿的存储器中的数据更新方法，包括：当主控芯片接收到断电信号时，将当前更新的块的编号或者预定值写入非易失性存储器中。
本公开还提供一种用于电学补偿的存储器中的数据更新装置，包括：非易失性存储器，用于存储数据；以及主控芯片，当主控芯片接收到断电信号时，将当前更新的块的编号或者预定值写入该非易失性存储器中。
附图说明
通过结合附图对本发明的优选实施例进行详细描述，本发明的上述和其他目的、特性和优点将会变得更加清楚，其中相同的标号指定相同结构的单元，并且在其中：
图1是一种像素电路的电路结构示意图。
图2示出了现有的防止断电的数据更新方式。
图3A和3B示出了根据本公开实施例的用于电学补偿的存储器数据更新的方法的流程图。
具体实施方式
下面将参照示出本发明实施例的附图充分描述本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式实现，而不应当认为限于这里所述的实施例。相反，提供这些实施例以便使本公开透彻且完整，并且将向本领域技术人员充分表达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见放大了组件。
图1是一种像素电路的电路结构示意图。在图1中，仅仅以第n行第m列的像素的一种像素电路结构作为示例。
如图1所示，该像素电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第一电容器C1和有机发光二极管器件OLED。第一扫描信号线G1可以将第一扫描信号输入至第二晶体管T2的栅极，从而数据电压Vdata可以通过T2的源漏极传至第一电容器C1的一端和作为驱动晶体管的第一晶体管T1的栅极。驱动晶体管T1的源极与漏极中的一个连接有机发光二极管器件OLED的阳极、另一个连接VDD。有机发光二极管器件OLED的阳极同时还连接第一电容器C1的另一端，阴极连接低电平。第三晶体管T3的栅极连接第二扫描信号G2，源极与漏极中的一个连接OLED的阳极，另一端连接到感应线。
基于上述结构，通过给特定的数据电压Vdata，测量流经感应线的电流Isense或者经过电荷积累得到Vsense值，并进行计算来调节数据电压Vdata，从而达到补偿的效果。
图2示出了现有的防止断电的数据更新方式。如图2所示，每次在擦除一个块的数据之前，先将其备份到空余的块中，然后再擦除写新的数据，并更改标志位，如果此时遇到断电，则再开机的时候根据标识位的情况，从备份块中读取当前丢失的数据。
图3A和3B示出了根据本公开实施例的用于电学补偿的存储器数据更新的方法的流程图。
断电采取的操作如图3A所示。首先，在步骤301，检测是否接收到断电信号。如果接收到断电信号，则进入步骤302。如果没有接收到断电信号，则返回步骤301继续进行检测。
常见的主机断电有两种方式：遥控待机和强制断电。接收到遥控的待机信号后，因为电源线是接通的，电源板通常可以延迟1～2秒时间再断电，并且该延迟也已实现。利用这个时间可以完成当前块数据的擦除和写入，并停止更新存储器中的数据。强制断电是直接拔掉电源线，电源板是不能支撑1～2秒时间的，但根据业界约定标准，通过能够延长50ms时间再掉电，并且该延长已实现。
在步骤302，判断接收到的是遥控待机信号还是强制断电信号。如果接收到遥控待机信号，则进入步骤303。如果接收到强制断电信号，则进入步骤304。
在步骤303，向外部非易失性存储器中写入预定值，例如，值0XFFFF，该预定值代表数据没有丢失。
在步骤304，判断当前是否正在进行存储器补偿数据更新。
如果正在进行补偿数据更新，则进入步骤305，检测是否正好更新完一个块。如果没有正好完成一个块，则在步骤306向非易失性存储器写入当前更新的块的编号。
如果没有正在进行存储器更新(即步骤304判断为“否”)或者正好更新完一个块(即步骤305判断为“是”)，则进入步骤303，向非易失性存储器写入预定值，代表没有数据丢失，该预定值写入操作只需要几十微妙，50ms时间完全可以完成。
当再次开机时，采取的操作步骤如图3B所示。开机之后，在步骤307，读取外部非易失性存储器中的数据。
在步骤308，对从外部非易失性存储器读取的数据进行判断，即判断该数据是预定值还是块的编号。如果数据为预定值，则表明补偿数据没有丢失，则进入步骤309。
在步骤309，正常读取存储器中的补偿数据。之后，进入步骤313。
如果判断不是该预定值，也即该数据是当前块的编号，则表明该数值块中的补偿数据有丢失。由于块的大小很可能不能正好存储整行或者整几行补偿数据，所以需要通过查找表计算出当前块存储的是哪几行的补偿数据，再用下几行或者上几行的补偿数据进行替代使用。中间的行统一进行向下取或者向上取补偿数据进行替代，两端的行单独处理，因为取数据方向不同。
当该当前块的编号为1时，则表明第一块中的补偿数据有丢失，进入步骤310，从第2块开始读取，并用下几行的补偿数据代替第一块中的补偿数据。例如，第一块存储了2行多的补偿数据，则从第4行的补偿数据开始读取，4～6行读取两遍，第一遍用来替代1～3行的补偿数据，第2遍供4～6行使用。之后，顺序读取完补偿数据之后，进入步骤313。
当该当前块的编号为最后一块时，进入步骤311，顺序读取补偿数据至读取完倒数第2块，并用最后一块上几行的补偿数据代替最后一块中的补偿数据。假如最后一块中存储了最后一行多的补偿数据，则倒数第4行至倒数第3行读取两遍，第二遍用于代替最后一块中的补偿数据，而最后2行补偿数据(即最后一块中的补偿数据)不读。之后，进入步骤313。
当该当前块的编号为除了第一块和最后一块的其他块时，进入步骤312，顺序读取补偿数据至当前块，根据查找表(LUT,Look Up Table)计算出该当前块存储的是哪几行的补偿数据，再读取下几行或者上几行的补偿数据，并用这些补偿数据替代当前块中的补偿数据。之后，顺序读取完后面块中的补偿数据，进入步骤313。
在步骤313，读取存储器完成。
虽然替代的数据与实际需求的数据会有微小差异，但只有两三行，不会被察觉，明显好过两三行的数据丢失，并且经过一段时间的实时补偿后，所有数据又都变成实际需求的数据，替代的数据也就不存在了。
这里参照支持根据本发明实施例的方法、装置(***)和计算机程序产品的方框图和流程图描述本发明示例性实施例。应当理解，流程图和/或方框图的每个方框以及流程图和/或方框图的方框组合可以通过计算机程序指令实现。这些计算机程序指令可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理器以产生机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理装置的处理器执行的指令创建实现流程图和/或方框图方框中指定功能/动作的手段。
说明书和权利要求中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在的话)用于区分相似的元件，并不一定用于描述特定连续的或按时间顺序的次序。应当理解的是，如此使用的这些术语在适当环境中是可替换的，因此在此描述的多个实施例例如能够以不同于在此所示的或在其他方面描述的顺序来操作。而且，术语“包括”和“具有”以及它们的任意变化形式旨在涵盖非排他包含物，因此，包括一系列元件的处理、方法、物品、装置或设备不必限于那些要素，而是可以包括没有明确列出的或这些处理、方法、***、物品、装置或设备所固有的其他要素。
尽管本发明是参照其特定的优选实施例来描述的，但本领域的技术人员应该理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节的各种修改。

Claims (14)

1.一种用于电学补偿的存储器中的数据更新方法，包括：当主控芯片接收到断电信号时，将当前更新的块的编号或者预定值写入非易失性存储器中，
其中，当主控芯片接收到断电信号时，判断该断电信号是遥控待机信号还是强制断电信号。
2.如权利要求1所述的数据更新方法，其中，当接收到遥控待机信号时，将预定值写入非易失性存储器。
3.如权利要求1所述的数据更新方法，其中，当接收到强制断电信号时，判断是否正在进行数据更新以及数据更新是否已经完成。
4.如权利要求3所述的数据更新方法，其中，如果正在进行数据更新并且数据更新没有完成，则将当前更新的块的编号写入非易失性存储器。
5.如权利要求3所述的数据更新方法，其中，如果没有正在进行数据更新或者正在进行数据更新并且数据更新已经完成，则将预定值写入非易失性存储器。
6.如权利要求1-5中任何一个所述的数据更新方法，其中，当再次开机时，在从存储器中读取补偿数据之前，读取非易失性存储器中存储的数据；
如果非易失性存储器中存储的数据为预定值，则正常读取存储器中的补偿数据；
如果非易失性存储器中存储的数据是块的编号，则根据该块的编号通过查找表计算出当前块存储的是哪几行的补偿数据，再用相邻几行的补偿数据来替代该块中的补偿数据。
7.如权利要求6所述的数据更新方法，其中，
当该块的编号为1时，用下几行的补偿数据代替第一块中的补偿数据；
当该块的编号为最后一块时，用上几行的补偿数据代替最后一块中的补偿数据；
当该块的编号为其他块时，根据查找表计算出该当前块存储的是哪几行的补偿数据，再读取下几行或者上几行的补偿数据，并用这些补偿数据替代该块中的补偿数据。
8.一种用于电学补偿的存储器中的数据更新装置，包括：
非易失性存储器，用于存储数据；以及
主控芯片，当主控芯片接收到断电信号时，将当前更新的块的编号或者预定值写入该非易失性存储器中，
其中，当主控芯片接收到断电信号时，判断该断电信号是遥控待机信号还是强制断电信号。
9.如权利要求8所述的数据更新装置，其中，当接收到遥控待机信号时，主控芯片将预定值写入非易失性存储器。
10.如权利要求8所述的数据更新装置，其中，当接收到强制断电信号时，判断是否正在进行数据更新以及数据更新是否已经完成。
11.如权利要求10所述的数据更新装置，其中，如果正在进行数据更新并且数据更新没有完成，则主控芯片将当前更新的块的编号写入非易失性存储器。
12.如权利要求10所述的数据更新装置，其中，如果没有正在进行数据更新或者正在进行数据更新并且数据更新已经完成，则主控芯片将预定值写入非易失性存储器。
13.如权利要求8-12中任何一个所述的数据更新装置，其中，当再次开机时，在主控芯片从存储器中读取补偿数据之前，主控芯片读取非易失性存储器中存储的数据；
如果数据为预定值，则主控芯片正常读取存储器中的补偿数据；
如果数据是块的编号，则主控芯片根据该块的编号通过查找表计算出当前块存储的是哪几行的补偿数据，再用相邻几行的补偿数据来替代该块中的补偿数据。
14.如权利要求13所述的数据更新装置，其中，
当该块的编号为1时，用下几行的补偿数据代替第一块中的补偿数据；
当该块的编号为最后一块时，用上几行的补偿数据代替最后一块中的补偿数据；
当该块的编号为其他块时，根据查找表计算出该当前块存储的是哪几行的补偿数据，再读取下几行或者上几行的补偿数据，并用这些补偿数据替代该块中的补偿数据。
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