CN106299152B - 顶发射amoled顶电极光罩、顶发射amoled顶电极及顶发射amoled - Google Patents
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- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 title claims abstract description 67
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 16
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract description 11
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000003724 hair brightness Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
Landscapes
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- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种顶发射AMOLED顶电极光罩、顶发射AMOLED顶电极及顶发射AMOLED。本发明的顶发射AMOLED顶电极光罩，包括具有数个开口区域的掩膜片，且每个开口区域中设有间隔平行排列的数个遮光条，采用该光罩制得的顶发射AMOLED顶电极包括间隔平行排列的数个条形导电膜层，由于数个条形导电膜层之间设有数个狭缝，且狭缝处的透光率高，因此，与传统的整块顶电极相比，本发明的顶发射AMOLED顶电极的透光率高，在增强整个顶电极的透光率的同时降低了整个顶电极的反射率，可有效改善视角色偏并提升器件效率。本发明的顶发射AMOLED，含有上述顶发射AMOLED顶电极，可有效改善视角色偏并提升器件效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种顶发射AMOLED顶电极光罩、顶发射AMOLED顶电极及顶发射AMOLED。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。
OLED通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
通常AMOLED产品的制备方法为：将OLED器件直接制备在TFT(薄膜晶体管)背板上得到；对于顶发射AMOLED来说，由于其出光方向与TFT背板不在同一侧，因此可获得更高的开口率从而制备出高分辨率的AMOLED产品。在顶发射AMOLED器件中，透明顶电极(阴极)的材质及制备工艺对产品的品质影响巨大，透明金属薄膜以其高透过率及高导电性成为目前业内最为常用的顶电极。实际生产中通过全开口的光罩来在显示面板顶部制备整面的透明导电膜，此种方法虽然能获得导电率较高的顶电极，但是由于该顶电极的出光效率较低且微共振腔效应强，容易影响产品品质。
图1为现有的顶发射AMOLED顶电极光罩的结构示意图，如图1所示，该光罩包括支撑框架100、以及设于所述支撑框架100内部且与其固定连接的掩膜片200，所述掩膜片200上设有数个开口区域210，采用该光罩对一金属薄膜进行光刻时，所述金属薄膜上分别与所述数个开口区域210对应的区域形成间隔设置的数块顶电极，该数块顶电极分别为数个显示面板的顶电极。这种由整块电极构成的顶电极透光率低，从而使含有该顶电极的AMOLED器件效率低且容易产生视角色偏。
发明内容
本发明的目的在于提供一种顶发射AMOLED顶电极光罩，结构独特，采用该光罩制得的顶发射AMOLED顶电极透光率高。
本发明的目的在于提供一种顶发射AMOLED顶电极，透光率高，可有效改善视角色偏并提升器件效率。
本发明的目的在于提供一种顶发射AMOLED，含有上述顶发射AMOLED顶电极，可有效改善视角色偏并提升器件效率。
为实现上述目的，本发明提供一种顶发射AMOLED顶电极光罩，包括支撑框架、设于所述支撑框架内部且与其固定连接的掩膜片、设于所述掩膜片上的数个开口区域、以及设于每个开口区域中且间隔平行排列的数个遮光条，其中，每个开口区域中的数个遮光条的两端均与所述掩膜片相连接。
所述掩膜片的形状为矩形；所述开口区域的形状为矩形；所述掩膜片上设有四个开口区域，所述四个开口区域在所述掩膜片上呈矩阵分布。
每个开口区域中，所述数个遮光条的宽度相等，所述数个遮光条之间的狭缝的宽度相等。
所述遮光条的宽度为10μm～30μm，相邻两个遮光条之间的狭缝的宽度为10μm～30μm。
所述支撑框架的材料为不锈钢或者因瓦合金。
所述掩膜片与遮光条一体成型；所述掩膜片与遮光条的材料均为因瓦合金。
本发明还提供一种顶发射AMOLED顶电极，包括间隔平行排列的数个条形导电膜层。
所述数个条形导电膜层的宽度相等，所述数个条形导电膜层之间的狭缝的宽度相等。
所述条形导电膜层的宽度为10μm～30μm，相邻两个条形导电膜层之间的狭缝的宽度为10μm～30μm。
本发明还提供一种顶发射AMOLED，包括TFT基板、设于TFT基板上的底电极、设于底电极上的发光层、及设于发光层上的顶电极；所述顶电极为上述顶发射AMOLED顶电极。
本发明的有益效果：本发明提供的一种顶发射AMOLED顶电极光罩，包括具有数个开口区域的掩膜片，且每个开口区域中设有间隔平行排列的数个遮光条，采用该光罩制得的顶发射AMOLED顶电极包括间隔平行排列的数个条形导电膜层，由于数个条形导电膜层之间设有数个狭缝，且狭缝处的透光率高，因此，与传统的整块顶电极相比，本发明的顶发射AMOLED顶电极的透光率高，在增强整个顶电极的透光率的同时降低了整个顶电极的反射率，可有效改善视角色偏并提升器件效率。本发明提供的一种顶发射AMOLED，含有上述顶发射AMOLED顶电极，可有效改善视角色偏并提升器件效率。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的顶发射AMOLED顶电极光罩的结构示意图；
图2为本发明的顶发射AMOLED顶电极光罩的结构示意图；
图3为本发明的顶发射AMOLED顶电极的结构示意图；
图4为本发明的顶发射AMOLED的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供一种顶发射AMOLED顶电极光罩，包括支撑框架10、设于所述支撑框架10内部且与其固定连接的掩膜片20、设于所述掩膜片20上的数个开口区域21、以及设于每个开口区域21中且间隔平行排列的数个遮光条30，其中，每个开口区域21中的数个遮光条30的两端均与所述掩膜片20相连接。
具体的，在图2所示的实施例中，所述掩膜片20的形状为矩形；所述开口区域21的形状为矩形；所述掩膜片20上设有四个开口区域21，所述四个开口区域21在所述掩膜片20上呈矩阵分布。
具体的，每个开口区域21中，所述数个遮光条30的宽度相等，所述数个遮光条30之间的狭缝的宽度相等。
优选的，所述遮光条30的宽度为10μm～30μm，相邻两个遮光条30之间的狭缝的宽度为10μm～30μm。
具体的，所述支撑框架10的材料为不锈钢或者因瓦合金(invar)。
优选的，所述掩膜片20与遮光条30的材料相同，二者为一体成型。
优选的，所述掩膜片20与遮光条30的材料均为因瓦合金。
采用图2所示的光罩对一导电薄膜进行光刻时，所述导电薄膜上与该数个开口21对应的区域分别形成数个间隔设置的顶电极，其中，每个顶电极包括间隔平行排列的数个条形导电膜层，每个条形导电膜层对应所述光罩上的相邻两个遮光条30之间的一个狭缝形成；该数个顶电极分别为数个显示面板的顶电极。
请参阅图3，基于上述光罩，本发明还提供一种顶发射AMOLED顶电极，包括间隔平行排列的数个条形导电膜层40。
具体的，所述数个条形导电膜层40的宽度相等，所述数个条形导电膜层40之间的狭缝的宽度相等。
优选的，所述条形导电膜层40的宽度为10μm～30μm，相邻两个条形导电膜层40之间的狭缝的宽度为10μm～30μm。
具体的，所述条形导电膜层40的材料为金属，优选为银。
上述顶发射AMOLED顶电极，具有数个狭缝区域，由于狭缝处的透光率高，因此，与传统的整块顶电极相比，本发明的顶发射AMOLED顶电极透光率高，在增强整个顶电极的透光率的同时降低了整个顶电极的反射率，可有效改善视角色偏并提升器件效率。
请参阅图4，同时参阅图3，本发明还提供一种顶发射AMOLED，包括TFT基板50、设于TFT基板50上的底电极60、设于底电极60上的发光层70、及设于发光层70上的顶电极80；所述顶电极80为如图3所示的顶发射AMOLED顶电极，其结构和材料如上文所述，此处不再描述。
具体的，所述底电极60与顶电极80分别为所述顶发射AMOLED的阳极与阴极。
上述顶发射AMOLED，通过将顶电极80设置为具有数个狭缝的形状，使得整个顶电极80的透光率高且反射率低，可有效改善视角色偏并提升器件效率。
综上所述，本发明提供一种顶发射AMOLED顶电极光罩、顶发射AMOLED顶电极及顶发射AMOLED。本发明的顶发射AMOLED顶电极光罩，包括具有数个开口区域的掩膜片，且每个开口区域中设有间隔平行排列的数个遮光条，采用该光罩制得的顶发射AMOLED顶电极包括间隔平行排列的数个条形导电膜层，由于数个条形导电膜层之间设有数个狭缝，且狭缝处的透光率高，因此，与传统的整块顶电极相比，本发明的顶发射AMOLED顶电极的透光率高，在增强整个顶电极的透光率的同时降低了整个顶电极的反射率，可有效改善视角色偏并提升器件效率。本发明的顶发射AMOLED，含有上述顶发射AMOLED顶电极，可有效改善视角色偏并提升器件效率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (6)
1.一种顶发射AMOLED顶电极光罩，其特征在于，包括支撑框架(10)、设于所述支撑框架(10)内部且与其固定连接的掩膜片(20)、设于所述掩膜片(20)上的数个开口区域(21)、以及设于每个开口区域(21)中且间隔平行排列的数个遮光条(30)，其中，每个开口区域(21)中的数个遮光条(30)的两端均与所述掩膜片(20)相连接；
所述遮光条(30)的宽度为10μm～30μm，相邻两个遮光条(30)之间的狭缝的宽度为10μm～30μm；
所述掩膜片(20)与遮光条(30)的材料均为因瓦合金；
每个开口区域(21)中，所述数个遮光条(30)的宽度相等，所述数个遮光条(30)之间的狭缝的宽度相等。
2.如权利要求1所述的顶发射AMOLED顶电极光罩，其特征在于，所述掩膜片(20)的形状为矩形；所述开口区域(21)的形状为矩形；所述掩膜片(20)上设有四个开口区域(21)，所述四个开口区域(21)在所述掩膜片(20)上呈矩阵分布。
3.如权利要求1所述的顶发射AMOLED顶电极光罩，其特征在于，所述支撑框架(10)的材料为不锈钢或者因瓦合金。
4.如权利要求1所述的顶发射AMOLED顶电极光罩，其特征在于，所述掩膜片(20)与遮光条(30)一体成型。
5.一种顶发射AMOLED顶电极，其特征在于，包括间隔平行排列的数个条形导电膜层(40)；
所述条形导电膜层(40)的宽度为10μm～30μm，相邻两个条形导电膜层(40)之间的狭缝的宽度为10μm～30μm；
所述数个条形导电膜层(40)的宽度相等，所述数个条形导电膜层(40)之间的狭缝的宽度相等。
6.一种顶发射AMOLED，其特征在于，包括TFT基板(50)、设于TFT基板(50)上的底电极(60)、设于底电极(60)上的发光层(70)、及设于发光层(70)上的顶电极(80)；所述顶电极(80)为如权利要求5所述的顶发射AMOLED顶电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610828109.3A CN106299152B (zh) | 2016-09-18 | 2016-09-18 | 顶发射amoled顶电极光罩、顶发射amoled顶电极及顶发射amoled |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610828109.3A CN106299152B (zh) | 2016-09-18 | 2016-09-18 | 顶发射amoled顶电极光罩、顶发射amoled顶电极及顶发射amoled |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106299152A CN106299152A (zh) | 2017-01-04 |
| CN106299152B true CN106299152B (zh) | 2019-01-22 |
Family
ID=57712597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610828109.3A Active CN106299152B (zh) | 2016-09-18 | 2016-09-18 | 顶发射amoled顶电极光罩、顶发射amoled顶电极及顶发射amoled |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106299152B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN113299859B (zh) * | 2021-05-24 | 2022-08-26 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板、显示面板制备方法及显示装置 |
| CN114438457A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-05-06 | 长沙惠科光电有限公司 | 掩膜板结构、oled显示面板与其制作方法及显示装置 |
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| CN104060219A (zh) * | 2013-03-19 | 2014-09-24 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 一种用于制造有机发光显示器的掩模板 |
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-
2016
- 2016-09-18 CN CN201610828109.3A patent/CN106299152B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106299152A (zh) | 2017-01-04 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
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Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |