CN106298856A - 自发光显示像素 - Google Patents

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Abstract

一种自发光显示像素，包括：自发光电路，所述自发光电路包括自发光器件，所述自发光器件包括底电极层；所述底电极层为非透光层；所述自发光显示像素还包括光学指纹感测电路，所述光学指纹感测电路包括第一TFT器件和感光器件，所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述底电极层正下方。所述自发光显示像素能够实现指纹感测功能，并且整体结构得到优化。

Description

自发光显示像素
技术领域
本发明涉及光电显示领域，尤其涉及一种自发光显示像素。
背景技术
显示面板通常用于显示电子产品的输出信息。显示面板中通常具有阵列基板，阵列基板包括有显示像素。在各类显示像素中，由于自发光显示像素不需要背光源，因而，具有自发光显示像素的显示面板更加轻薄省电，因此，具有自发光显示像素的显示面板是当前显示面板的重要发展方向。
然而，现有自发光显示像素的结构和功能有待改进。
为了使自发光显示像素的结构和功能得到改进，需要对自发光显示像素进行新的设计和优化。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种自发光显示像素，改进自发光显示像素的结构和功能，优化自发光显示像素的结构和功能。
为解决上述问题，本发明提供一种自发光显示像素，包括：自发光电路，所述自发光电路包括自发光器件，所述自发光器件包括底电极层；所述底电极层为非透光层；所述自发光显示像素还包括光学指纹感测电路，所述光学指纹感测电路包括第一TFT器件和感光器件，所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述底电极层正下方。
可选的，所述感光器件包括感光半导体层，所述感光半导体层为PIN二极管或者PN二极管，所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述感光半导体层正下方；部分所述感光半导体层位于部分所述底电极层正下方，部分所述感光半导体层非位于所述底电极层正下方；所述自发光显示像素具有保护层，所述第一TFT器件和所述感光半导体层被所述保护层覆盖，至少部分所述底电极位于所述保护层上表面上方。
可选的，所述感光器件还包括下电极层，所述下电极层为非透光层，所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述下电极层正下方。
可选的，所述感光器件包括感光半导体层，所述感光半导体层为PIN二极管或者PN二极管；所述自发光器件包括自发光半导体层；所述自发光显示像素还包括TFT保护层，所述第一TFT器件被所述TFT保护层覆盖，所述感光半导体层和所述自发光半导体层均位于所述TFT保护层上表面上方。
可选的，所述感光器件还包括下电极层，所述下电极层为非透光层。
可选的，所述第一TFT器件的栅极层位于沟道层下方；所述光学指纹感测电路还包括与所述栅极层位于同一层的电极层；所述电极层位于所述感光器件下方，所述电极层和所述感光器件至少部分平行，所述电极层与所述感光器件之间具有绝缘层；所述电极层连接至公共电极，所述公共电极连接至固定电位。
可选的，所述感光器件包括上电极层，所述上电极层连接至第一公共电极，所述第一公共电极连接至第一固定电位；所述自发光器件包括顶电极层，所述顶电极层连接至第二公共电极，所述第二公共电极连接至第二固定电位。
可选的，所述第一TFT器件的栅极层位于沟道层上方；所述光学指纹感测电路还包括与所述第一TFT器件的栅极层位于同一层的电极层；所述电极层位于所述感光器件下方，所述电极层和所述感光器件至少部分平行，所述电极层与所述感光器件之间具有绝缘层；所述电极层连接至公共电极，所述公共电极连接至固定电位。
可选的，所述感光器件包括上电极层，所述上电极层连接至第一公共电极，所述第一公共电极连接至第一固定电位；所述自发光器件包括顶电极层，所述顶电极层连接至第二公共电极，所述第二公共电极连接至第二固定电位。
可选的，所述感光器件为第二TFT器件，所述第二TFT器件的沟道层为所述光学指纹感测电路接收指纹反射光线的区域。
可选的，所述第一TFT器件的源极与所述第二TFT器件的漏极之间以第一电极层连接，或者所述第一TFT器件的漏极与所述第二TFT器件的源极之间以第一电极层连接；所述光学指纹感测电路还包括第二电极层，所述第二电极层位于所述第一电极层下方；所述第一电极层和所述第二电极层至少部分平行，所述第一电极层与所述第二电极层之间具有绝缘层；所述第二电极层连接至公共电极，所述公共电极连接至固定电位。
可选的，所述自发光器件与所述感光器件之间具有遮光墙。
可选的，所述感光器件上方具有光准直层。
可选的，复用所述自发光器件发出的光线作为所述感光器件进行指纹采集时的光线。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明的技术方案中，将自发光电路和光学指纹感测电路设置在同一个自发光显示像素中，使自发光显示像素支持显示功能的同时，还可以利用光学原理采集指纹图像，即所述自发光显示像素可以用于采集指纹图像，实现指纹识别功能，增加了所述自发光显示像素的功能，使得所述自发光显示像素集成程度更高。同时，所述自发光显示像素中，设置第一TFT器件的沟道层位于部分底电极层正下方，而且底电极层为非透光层，从而能够利用底电极层遮挡相应的光线，从而防止光线到达沟道层，进而避免导致采集的指纹图像信号发生泄漏的情况。
进一步，通过设置第一TFT器件的沟道层位于部分感光半导体层正下方，部分感光半导体层位于部分底电极层正下方，部分感光半导体层非位于底电极层正下方，一方面，能够利用非位于底电极层正下方的感光半导体层用于采集指纹图像，另一方面，位于底电极层正下方的感光半导体层相当于增加了整个感光半导体层的总面积，从而能够增加感光器件的等效电容。此时，感光器件能够暂存更多的电荷信号，相应指纹图像的对比度能够提高，最终使采集的指纹图像质量提高。
进一步，设置与栅极层位于同一层的电极层，电极层位于感光器件下方。电极层与感光器件的漏极层之间具有第一绝缘层。电极层和感光器件至少部分平行。此时，电极层和感光器件之间能够构成一个电容，这个电容使得感光器件的等效电容增大，感光器件能够暂存更多的电荷信号，相应指纹图像的对比度能够提高，最终使采集的指纹图像质量提高。
进一步，感光器件的上电极层连接至所述第一公共电极，所述第一公共电极连接至第一固定电位。自发光器件的顶电极层连接至所述第二公共电极，所述第二公共电极连接至第二固定电位。自发光器件的顶电极层和感光器件的上电极层分别连接不同的固定电位，能够保证两个器件都各自稳定，并且电子噪音更小。
进一步，复用自发光电路发出的光线作为光学指纹感测电路进行指纹采集时的光线，从而不必给光学指纹感测电路配置专门的光源，节省了成本，简化了结构。
进一步，在感光器件和自发光器件之间设置遮光墙，防止自发光器件发出的光直接照射到感光器件而使感光器件处于信号饱和状态，从而使得感光器件无法吸收指纹的光学信号。
进一步，设置感光器件具有下电极层，下电极层为非透光层，并设置第一TFT器件的沟道层同时位于部分下电极层正下方，从而进一步利用下电极层遮挡进入第一TFT器件沟道层的光线，以进一步防止光学指纹感测电路出现信号泄漏的情况。
附图说明
图1为本发明第一实施例提供的自发光显示像素剖面示意图；
图2为本发明第二实施例提供的自发光显示像素剖面示意图；
图3为本发明第三实施例提供的自发光显示像素剖面示意图；
图4为本发明第四实施例提供的自发光显示像素剖面示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有自发光显示像素功能和结构有待改进和优化。
为此，本发明提供一种新的自发光显示像素，通过在像素内设置光学指纹感测电路，从而使得自发光显示像素的功能得到改进，结构得到优化，集成化程度提高。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
本发明第一实施例提供一种自发光显示像素，图1为所述自发光显示像素的剖面示意图。
请参考图1，所述自发光显示像素包括位于基板100上的自发光电路(未标注)。自发光电路包括自发光器件(未标注)和TFT器件(未示出)。自发光器件包括底电极层121、自发光半导体层122和顶电极层123。其中，底电极层121为非透光层。所述TFT器件位于虚线框A所包围的区域中，其个数可以为一个或者多个。
本实施例中，底电极层121可以采用金属材料制作，金属材料通常为非透光材料，因此，可以保证所形成的底电极层121为非透光层。
其它实施例中，也可以采用其它的非透光导电材料制作底电极层。
本实施例中，自发光半导体层122可以包括多层结构。例如，自发光半导体层122可以为OLED叠层，OLED叠层通常包括空穴注入层、发光层和电子注入层等多层结构。
请继续参考图1，自发光显示像素还包括位于基板100上的光学指纹感测电路(未标注)。光学指纹感测电路包括第一TFT器件(未标注)和感光器件(未标注)。所述第一TFT器件具有源极(未标注)、漏极(未标注)、栅极层110和沟道层111。感光器件包括感光半导体层(未标注)。本实施例中，感光半导体层为无机PIN二极管。此时，感光半导体层具体包括第一半导体层116、第二半导体层115和第三半导体层114，第一半导体层116、第二半导体层115和第三半导体层114从上到下层叠。感光器件还包括位于感光半导体层上的上电极层117。
本实施例中，源极为图1所示源极层112的一部分，源极层112除了离沟道层111较近的一部分作为源极外，还有部分作为导电连接部分，从而使第一TFT器件电连接至其它未示出的导电结构(例如数据线或者扫描线等)。漏极为图1所示漏极层113的一部分。漏极层113除了离沟道层111较近的一部分作为漏极外，还有部分作为感光器件的下电极层，这部分漏极层113在本说明书中也称为漏极连接层(未标注)，所述漏极连接层用于连接至感光器件的第三半导体层114，从而使第一TFT器件的漏极电连接至感光器件。并且本实施例后续提到，漏极层113的漏极连接层部分还参与形成电容。
本实施例中，第一半导体层116可以为p型硅半导体层(p-Si)，第二半导体层115可以为i型硅半导体层(i-Si)，第三半导体层114可以为n型硅半导体层(n-Si)，即三个半导体层组成PIN二极管。其它实施例中，第一半导体层116和第三半导体层114的位置可以对换。
其它实施例中，感光半导体层可以为无机PN二极管。其它实施例中，感光半导体层还可以是有机PN二极管或者有机PIN二极管。当感光半导体层为无机PN二极管或者无机PIN二极管时，感光半导体层可以做的比较薄，具体可以将感光半导体层的厚度控制在0.5μm以下。当感光半导体层为有机PN二极管或者有机PIN二极管时，其厚度可以较厚，具体可以将感光半导体层的厚度控制在1μm以上。
需要说明的是，虽然本实施例所提供的自发光显示像素制作于上述基板100上，但是基板100本身通常不属于自发光显示像素。基板100上可以制作有多个本实施例所提供的自发光显示电路，并且还可以同时制作有多个现有的光学指纹感测电路。基板100与自发光显示像素，以及其结构一起，可以组成显示面板。
请继续参考图1，所述第一TFT器件的沟道层111位于部分底电极层121正下方。
本实施例中，设置所述第一TFT器件的沟道层111位于部分底电极层121正下方是因为：第一TFT器件的沟道层111通常是半导体层，容易受光线影响；当光线照射到沟道层111时，会使沟道层111产生光电子，这些光电子会使得沟道层111处于导通状态，从而所述感光器件中暂存的指纹光电信号产生泄漏；而由于本实施例中，底电极层121为非透光层，通过设置沟道层111位于部分底电极层121正下方，能够利用底电极层121遮挡相应的光线，从而防止光线到达沟道层111，从而避免导致上述信号泄漏的情况发生。
同时，本实施例利用自发光器件自身的底电极层121来保护沟道层111不受光线照射，可以不必增加其它结构，不增加工艺步骤，节约成本。
本实施例中，沟道层111位于部分底电极层121正下方。也就是说，部分底电极层121遮挡在第一TFT器件的沟道层111正上方。或者说，至少部分底电极层121位于沟道层111正上方。此时，可以设置位于沟道层111上方(包括正上方和斜上方)的底电极层121的面积大于沟道层111的面积，从而保证既有一部分底电极层121位于沟道层111正上方，还有一部分底电极层121位于沟道层111的斜上方。这部分位于沟道层111斜上方的底电极层121可以进一步保护沟道层111不受光线照射，从而更好地避免上述信号泄漏情况的发生。由于本实施例中，底电极层121主要是位于沟道层111的左侧，因此，沟道层111左斜上方被底电极层121遮挡，而右侧斜上方即使有如图1所示的小部分底电极层121遮挡，这部分底电极层121的面积也较小，从而防止底电极层121同时遮挡太多感光半导体层的面积。
请继续参考图1，第一TFT器件的沟道层111还位于部分所述感光半导体层正下方，也就是说，部分所述感光半导体层位于沟道层111的正上方。这部分感光半导体层同时也位于上述部分底电极层121正下方。可知，在上下位置中，这部分感光半导体层位于部分底电极层121和沟道层111之间。
由上述可知，部分感光半导体层位于部分底电极层121正下方。并且，本实施例进一步设置部分感光半导体层非位于底电极层121下方，两部分感光半导体层之间以虚线(未标注)隔开，如图1中所示。这部分非位于底电极层121下方的感光半导体层也非位于沟道层111的正上方。也就是说，设置部分感光半导体层位于部分底电极层121正下方，并设置部分感光半导体层不位于底电极层121正下方，其中，不位于底电极层正下方的感光半导体层也不位于沟道层111正上方。
本实施例中，通过设置第一TFT器件的沟道层111位于部分感光半导体层正下方(此时，部分感光半导体层位于部分底电极层121正下方，部分感光半导体层非位于底电极层121正下方)，一方面，能够利用部分所述感光半导体层进一步遮挡第一TFT器件的沟道层111，进而进一步防止光线照射到第一TFT器件的沟道层111；另一方面，能够利用非位于底电极层121正下方的感光半导体层，来增大整个感光半导体层的总面积，从而能够增加感光器件的等效电容。
需要说明的是，虽然位于底电极层121正下方的感光半导体层难以用于接收光线，难以用于采集指纹图像，但是，这部分感光半导体层的存在相当于增加了整个感光半导体层的总面积，从而能够增加感光器件的等效电容。而等效电容越大，感光器件能够达到的满阱越大，感光器件能够暂存的电荷量越大，即感光器件能够暂存的光电信号量越大。此时，感光器件能够暂存更多的电荷信息，相应指纹图像的对比度能够提高，最终使采集的指纹图像质量提高。
请继续参考图1，第一TFT器件的栅极层110位于沟道层111下方。光学指纹感测电路还包括与栅极层110位于同一层的电极层1100。电极层1100位于感光器件下方。电极层1100与感光器件的漏极层113之间具有第一绝缘层101。电极层1100连接至公共电极(未示出)，所述公共电极连接至固定电位。
本实施例中，栅极层110位于沟道层111下方，因此，第一TFT器件是一种底栅结构，即在制作过程中，通常先制作栅极层110，后制作沟道层111。此时，第一TFT器件可以采用非晶硅TFT工艺制作，或者采用IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)TFT工艺制作。
本实施例中，整个电极层1100位于感光器件正下方。因此，整个电极层1100正对感光器件。
其它实施例中，也可以是部分电极层位于感光器件正下方。从而保证电极层和感光器件至少部分正对。
本实施例中，电极层1100和感光器件至少部分平行。
由上述可知，电极层1100正对感光器件，并且电极层1100和感光器件至少部分平行。而当电极层1100和感光器件正对且至少部分平行，同时电极层1100与感光器件的漏极层113之间具有绝缘层时，电极层1100和感光器件之间能够构成一个电容。这个电容使得感光器件的等效电容增大，而此等效电容越大，感光器件能够达到的满阱越大，感光器件能够暂存的电荷量越大，即感光器件能够暂存的光电信号量越大。此时，感光器件能够采集到更多的光线信息，相应指纹图像的对比度能够提高，最终使采集的指纹图像质量提高。
需要说明的是，上述电极层1100和感光器件之间构成的电容中，电容的上电极主要包括感光器件的下电极层，即所述漏极连接层。这是因为，如前所述，漏极层113除了一部分作为第一TFT器件的漏极，还有一部分继续向左延伸出来，这部分漏极层113主要起导电连接作用，做为感光器件的下电极层(即漏极连接层)，用于连接至感光器件的第三半导体层114。换一句话说，漏极层113包括第一TFT器件的和感光器件的下电极层(即漏极连接层)。即：漏极层113与第一TFT器件半导体(沟道层)相连的部分作为第一TFT器件的漏极，漏极层113与感光器件半导体(第三半导体层)相连接的部分作为感光器件的下电极层(即漏极连接层)。
本实施例中，上电极层117和顶电极层123都采用透光导电材料制作。上电极层117连接至第一公共电极(未示出)，第一公共电极连接至第一固定电位。顶电极层123连接至第二公共电极(未示出)，第二公共电极连接至第二固定电位。自发光器件的顶电极层123和感光器件的上电极层117分别连接不同的固定电位，能够保证两个器件都各自稳定，并且电子噪音更小。
请继续参考图1，本实施例中，设置栅极层110直接位于基板100上表面，因此，电极层1100同样直接制作于基板100上表面。栅极层110和电极层1100可以采用同一工艺同时制作而成，从而节省工艺步骤，节约成本。
请继续参考图1，所述自发光显示像素中具有上述第一绝缘层101，第一绝缘层101覆盖基板100、栅极层110和电极层1100。第一绝缘层101位于栅极层110和沟道层111之间的部分作为第一TFT器件的栅介质层。第一绝缘层101位于电极层1100和漏极层113之间的部分，则作为电极层1100和感光器件的下电极层(即漏极连接层)所构成电容的绝缘层(电容两个电极之间的绝缘层)。源极层112、漏极层113和沟道层111位于第一绝缘层101上。
请继续参考图1，所述自发光显示像素具有第二绝缘层102。源极层112、漏极层113和沟道层111被第二绝缘层102覆盖。第三半导体层114的一部分贯穿第二绝缘层102以电连接感光器件的下电极层(即漏极连接层)，即第三半导体层114与第一TFT器件的漏极层113相连接。同时，第三半导体层114有一部分位于第二绝缘层102上表面。
请继续参考图1，所述自发光显示像素具有第三绝缘层103。第三绝缘层103位于第二绝缘层102上。感光半导体层被第三绝缘层103覆盖，具体的，上述位于第二绝缘层102上表面的第三半导体层114被第三绝缘层103覆盖，第二半导体层115、第一半导体层116和上电极层117均被第三绝缘层103覆盖。底电极层121有部分直接位于第三绝缘层103上表面，而另一部分的底电极层121贯穿第三绝缘层103以电连接接相应的自发光电路的所述TFT器件电路，如前所述，图1中用虚线框A所包围区域表示自发光电路的TFT器件所在的区域。
本实施例中，第三绝缘层103又可以称为保护层，感光半导体层被第三绝缘层103覆盖，因此，第三绝缘层103能够保护感光半导体层。此时可见，在上下位置关系中，光学指纹感测电路都位于保护层以下。
请继续参考图1，所述自发光显示像素具有第四绝缘层104。第四绝缘层104位于第三绝缘层103上。第四绝缘层104覆盖位于第三绝缘层上的底电极层121。第四绝缘层104包围自发光半导体层122和顶电极层123，并且，第四绝缘层104上表面与顶电极层123上表面基本齐平(或第四绝缘层104上表面高于顶电极层123上表面)。也就是说，自发光半导体层122的侧壁被第四绝缘层104覆盖。
本实施例中，各绝缘层的材料可以为氧化硅、氮化硅或者它们的组合，或者还可以是其它的材料。
本实施例中，第三半导体层114一部分贯穿第二绝缘层102，且第三半导体层114一部分位于第二绝缘层102上表面。而第三半导体层114位于第二绝缘层102上表面部分的俯视面积大于位于贯穿第二绝缘层102部分的俯视面积，在图1中显示为第三半导体层114位于第二绝缘层102上表面部分的宽度大于贯穿第二绝缘层102部分的宽度。而第二半导体层115和第一半导体层116的面积，通常与第三半导体层114位于第二绝缘层102上表面部分的面积相等。这种结构保证感光半导体层的整体面积大于第三半导体层114位于第二绝缘层102内的面积，从而有利于使得感光半导体层接收光线的面积较大，有利于获得更高解析度的指纹图像。
需要说明的是，图中虽未显示，但本实施例中，自发光器件与感光器件之间可以具有遮光墙。在感光器件和自发光器件之间设置遮光墙，防止自发光器件发出的光直接照射到感光器件而使感光器件处于信号饱和状态。因为感光器件处于信号饱和状态将使得感光器件无法吸收指纹的光学信号。
本实施例所提供的自发光显示像素中，还能够复用自发光器件发出的光线作为感光器件进行指纹采集时的光线，从而不必给光学指纹感测电路配置专门的光源，节省了成本，简化了结构。在这种结构中，感光器件和所述自发光器件之间可以通过设置上述遮光墙来防止“所述自发光器件的光线在未到达‘接触界面’之前先到达感光器件”的情况发生。其中，所述“接触界面”为手指指纹所按压表面与手指指纹本身形成的界面。
需要说明的是，图中虽未显示，但本实施例中，感光器件上方可以具有光准直层。特别是非位于底电极层121正下方的感光器件上方可以具有光准直层。光准直层可以吸收大角度入射光，只允许垂直或接近垂直角度(最大角度差小于10度)的入射光能够进入感光器件，从而提高指纹图像的清晰度。
本实施例所提供的自发光显示像素中，将自发光电路和光学指纹感测电路设置在同一个自发光显示像素中，使自发光显示像素支持显示功能的同时，还可以利用光学原理采集指纹图像，即所述自发光显示像素可以用于采集指纹图像，实现指纹识别功能，增加了所述自发光显示像素的功能，使得所述自发光显示像素集成程度更高。同时，所述自发光显示像素中，设置第一TFT器件的沟道层111位于部分底电极层121正下方，而且底电极层121为非透光层，从而能够利用底电极层121遮挡相应的光线，从而防止光线到达沟道层111，进而避免导致采集的指纹图像信号发生泄漏的情况。
进一步，通过设置第一TFT器件的沟道层111位于部分感光半导体层正下方，部分感光半导体层位于部分底电极层121正下方，部分感光半导体层非位于底电极层121正下方，一方面，能够利用部分所述感光半导体层进一步遮挡第一TFT器件的沟道层111，进而进一步防止光线照射到第一TFT器件的沟道层111；另一方面，位于底电极层121正下方的感光半导体层相当于增加了整个感光半导体层的总面积，从而能够增加感光器件的等效电容。此时，感光器件能够暂存更多的电荷信息，相应指纹图像的对比度能够提高，最终使采集的指纹图像质量提高。
进一步，设置与栅极层110位于同一层的电极层1100，电极层1100位于感光器件下方。电极层1100与感光器件的漏极层113之间具有第一绝缘层101。电极层1100和感光器件至少部分平行。此时，电极层1100和感光器件之间能够构成一个电容，这个电容使得感光器件的等效电容增大，感光器件能够暂存更多的电荷信息，相应指纹图像的对比度能够提高，最终使采集的指纹图像质量提高。
进一步，感光器件的上电极层117连接至所述第一公共电极，所述第一公共电极连接至第一固定电位。自发光器件的顶电极层123连接至所述第二公共电极，所述第二公共电极连接至第二固定电位。自发光器件的顶电极层123和感光器件的上电极层117分别连接不同的固定电位，能够保证两个器件都各自稳定，并且电子噪音更小。
进一步，复用自发光电路发出的光线作为光学指纹感测电路进行指纹采集时的光线，从而不必给光学指纹感测电路配置专门的光源，节省了成本，简化了结构。
本发明第二实施例提供另一种自发光显示像素，图2为所述自发光显示像素的剖面示意图。
请参考图2，所述自发光显示像素包括位于基板200上的自发光电路(未标注)。自发光电路包括自发光器件(未标注)和TFT器件(未示出)。自发光器件包括底电极层221、自发光半导体层222和顶电极层223。其中，底电极层221为非透光层。所述TFT器件位于虚线框B所包围的区域中，其个数可以为一个或者多个。
请继续参考图2，自发光显示像素还包括位于基板200上的光学指纹感测电路(未标注)。光学指纹感测电路包括第一TFT器件(未标注)和感光器件(未标注)。所述第一TFT器件具有源极(未标注)、漏极(未标注)、栅极层213和沟道层210。其中，所述源极为图2所示源极层211的一部分，所述漏极为图2所示漏极层212的一部分。感光器件包括感光半导体层(未标注)。本实施例中，感光半导体层为无机PIN二极管。此时，感光半导体层具体包括第一半导体层217、第二半导体层216和第三半导体层215。感光器件还包括位于感光半导体层上表面的上电极层218，以及位于感光半导体层下表面的下电极层214。
请继续参考图2，所述第一TFT器件的沟道层210位于部分底电极层221正下方。
本实施例中，底电极层221为非透光层，通过设置沟道层210位于部分底电极层221正下方，能够利用底电极层221遮挡相应的光线，从而防止光线到达沟道层210，从而避免感光器件发生信号泄漏的情况。同时，本实施例利用自发光器件自身的底电极层221来保护沟道层210不受光线照射，可以不必增加其它结构，不增加工艺步骤，节约成本。
本实施例中，沟道层210位于部分底电极层221正下方，也就是说，部分底电极层221遮挡在第一TFT器件的沟道层210正上方。或者说，至少部分底电极层221位于沟道层210正上方。此时，可以设置位于沟道层210上方(包括正上方和斜上方)的底电极层221的面积大于沟道层210的面积，从而保证既有一部分底电极层221位于沟道层210正上方，还有一部分底电极层221位于沟道层210的斜上方。这部分位于沟道层210斜上方的底电极层221可以进一步保护沟道层210不受光线照射，从而更好地避免上述信号泄漏情况的发生。
请继续参考图2，第一TFT器件的沟道层210还位于部分所述感光半导体层正下方，也就是说，部分所述感光半导体层位于沟道层210的正上方。这部分感光半导体层同时也位于上述部分底电极层221正下方。可知，在上下位置中，这部分感光半导体层位于部分底电极层221和沟道层210之间。
由上述可知，部分感光半导体层位于部分底电极层221正下方。并且，本实施例进一步设置部分感光半导体层非位于底电极层221下方，两部分感光半导体层之间以虚线(未标注)隔开，如图2所示。这部分非位于底电极层221下方的感光半导体层也非位于沟道层210的正上方。也就是说，本实施例中，设置部分感光半导体层位于部分底电极层221正下方，并设置部分感光半导体层不位于底电极层221正下方，其中，不位于底电极层正下方的感光半导体层也不位于沟道层210正上方。
通过上述设置，一方面，本实施例能够利用部分所述感光半导体层进一步遮挡第一TFT器件的沟道层210，进而进一步防止光线照射到第一TFT器件的沟道层210；另一方面，本实施例能够利用非位于底电极层221正下方的感光半导体层用于采集指纹图像。
本实施例中，第一TFT的栅极层213在沟道层210的上方，而栅极层213本身就有一定的遮光性，因此，直接利用栅极层213就可以防止光线照射到第一TFT器件的沟道层210。另外本实施例中，将第一TFT的沟道层210置于部分感光半导体层正下方，也置于部分底电极层221正下方，所以能够达到更好的遮光性。需要说明的是，在其他实施例中，也可以采用透光的导电材料作为第一TFT的栅极层，利用位于沟道层正上方的部分感光半导体层和部分底电极层来实现遮光。
需要说明的是，虽然位于底电极层221正下方的感光半导体层不能够接收光线，不能用于采集指纹图像，但是，这部分感光半导体层的存在相当于增加了整个感光半导体层的总面积，从而能够增加感光半导体层的等效电容。此时，感光器件能够暂存更多的电荷信息，相应指纹图像的对比度能够提高，最终使采集的指纹图像质量提高。
请继续参考图2，第一TFT器件的栅极层213位于沟道层210上方，它们之间具有第一绝缘层201。第一绝缘层201上具有第二绝缘层202。漏极层212有一部分贯穿第一绝缘层201和第二绝缘层202，并且漏极层212有一部分位于第二绝缘层202上表面。这部分位于第二绝缘层202上表面的漏极层212在图2中进一步标记为漏极连接层2121，即漏极连接层2121为漏极层212位于第二绝缘层202上表面的部分。
本实施例中，第一TFT器件的栅极层213位于沟道层210上方，因此，第一TFT器件是一种顶栅结构，在制作时先制作沟道层210，再制作栅极层213。此时，第一TFT器件采用的制作工艺可以是低温多晶硅TFT工艺或高温多晶硅TFT工艺。
请继续参考图2，光学指纹感测电路还包括与栅极层213位于同一层的电极层2100。电极层2100位于感光器件下方。电极层2100与漏极连接层2121之间具有第二绝缘层202。电极层2100连接至公共电极(未示出)，所述公共电极连接至固定电位。
本实施例中，电极层2100位于感光器件正下方。因此，整个电极层2100正对感光器件的感光半导体层。并且，电极层2100和感光器件的下电极层214至少部分平行。当电极层和感光器件的下电极层214至少部分正对，且电极层2100与感光器件的下电极层214之间具有绝缘层时，电极层2100和感光器件的下电极层214之间能够构成一个电容，这个电容使得感光器件的等效电容增大，而此等效电容越大，感光器件能够达到的满阱越大，感光器件能够暂存的电荷信号越大，即感光器件能够暂存的光电信号量越大。此时，感光器件能够采集到更多的光线信息，相应指纹图像的对比度能够提高，最终使采集的指纹图像质量提高。
需要说明的是，上述电极层2100和下电极层214之间构成的电容中，电容的上电极主要是感光器件的结构(这部分结构也正是所希望作为上电极的部分)，但同时也包括漏极连接层2121的一部分(因为漏极连接层2121与感光器件的下电极层214电连接，并且漏极连接层2121同样至少部分位于电极层2100正上方)。
本实施例中，设置沟道层210直接位于基板200上表面。然后第一绝缘层201覆盖沟道层210和基板200的其它上表面。然后将栅极层213和电极层2100设置于第一绝缘层201上表面。
本实施例中，上电极层218和顶电极层223都采用透光导电材料制作。上电极层218连接至第一公共电极(未示出)，第一公共电极连接至第一固定电位。顶电极层223连接至第二公共电极(未示出)，第二公共电极连接至第二固定电位。自发光器件的顶电极层223和感光器件的上电极层218分别连接不同的固定电位，能够保证两个器件都各自稳定。
请继续参考图2，所述自发光显示像素中具有上述第一绝缘层201，第一绝缘层201覆盖基板200和沟道层210。第一绝缘层201位于沟道层210和栅极层213之间的部分作为第一TFT器件的栅介质层。
请继续参考图2，所述自发光显示像素具有第二绝缘层202。栅极层213和电极层2100被第二绝缘层202覆盖。第二绝缘层202位于电极层2100和漏极连接层2121之间的部分作为电极层2100和感光器件所构成电容的绝缘层。源极层211有一部分贯穿第一绝缘层201和第二绝缘层202，并且源极层211有一部分位于第二绝缘层202上表面。同样的，漏极层212有一部分贯穿第一绝缘层201和第二绝缘层202，并且漏极层212有一部分位于第二绝缘层202上表面(这部分即为前述漏极连接层2121)。
请继续参考图2，所述自发光显示像素具有第三绝缘层203。第三绝缘层203位于第二绝缘层202上。下电极层214的一部分贯穿第三绝缘层203以电连接漏极连接层2121。同时，下电极层214有一部分位于第三绝缘层203上表面。
本实施例中，第三绝缘层203又可以称为TFT保护层，即自发光显示像素还包括TFT保护层。此时可知，第一TFT器件被TFT保护层覆盖，而感光半导体层和自发光半导体层222均位于TFT保护层上表面上方。其它实施例中，感光半导体层和自发光半导体层可以位于TFT保护层上方，它们之间还可以具有其它结构。
请继续参考图2，所述自发光显示像素具有第四绝缘层204。感光半导体层被第四绝缘层204覆盖，具体的，上述位于第三绝缘层203上表面的下电极层214被第四绝缘层204覆盖，第三半导体层215、第二半导体层216、第一半导体层217和上电极层218均被第四绝缘层204覆盖。底电极层221有部分直接位于第四绝缘层204上表面，而另一部分的底电极层221贯穿第四绝缘层204以电连接接相应自发光电路中所述TFT器件电路，如前所述，图2中用虚线框B所包围区域表示自发光电路中所述TFT器件所在的区域。
请继续参考图2，所述自发光显示像素具有第五绝缘层205。第五绝缘层205位于第四绝缘层204上。第五绝缘层204覆盖位于第四绝缘层204上的底电极层221。第五绝缘层205包围自发光半导体层222和顶电极层223，并且，第五绝缘层205上表面与顶电极层223上表面基本齐平(其它实施例中，第五绝缘层上表面可以高于顶电极层上表面)。
本实施例中，设置下电极层214与漏极连接层2121直接连接，然后下电极层214的上表面再制作第三半导体层215、第二半导体层216、第一半导体层217和上电极层218等结构。
本实施例中，设置第一TFT器件的沟道层210同时位于部分下电极层214正下方，并设置下电极层214为非透光层，从而进一步利用下电极层214遮挡进入沟道层210的光线，以进一步防止光学指纹感测电路出现信号泄漏的情况。
本实施例中，下电极层214一部分贯穿第三绝缘层203，且下电极层214一部分位于第三绝缘层203上表面。而下电极层214位于第三绝缘层203上表面部分的俯视面积大于位于贯穿第三绝缘层203部分的俯视面积，在图2中显示为下电极层214位于第三绝缘层203上表面部分的宽度大于贯穿第三绝缘层203部分的宽度。这种结构保证感光半导体层的整体俯视面积大于下电极层214位于第三绝缘层203内的俯视面积。
需要说明的是，图中虽未显示，但本实施例中，自发光器件与感光器件之间可以具有遮光墙。而感光器件上方可以具有光准直层，特别是非位于底电极层221正下方的感光器件上方可以具有光准直层。
更多有关本实施例所提供自发光显示像素的结构、性质和优点可参考前述实施例相应内容。
本发明第三实施例提供另一种自发光显示像素，图3为所述自发光显示像素的剖面示意图。
请参考图3，所述自发光显示像素包括位于基板300上的自发光电路(未标注)。自发光电路包括自发光器件(未标注)和TFT器件(未示出)。自发光器件包括底电极层321、自发光半导体层322和顶电极层323。其中，底电极层321为非透光层。自发光电路所述TFT器件位于虚线框C所包围的区域中，其个数可以为一个或者多个。
本实施例中，自发光半导体层322可以包括多层结构。例如，自发光半导体层322可以为OLED叠层，OLED叠层通常包括空穴注入层、发光层和电子注入层等多层结构。
请继续参考图3，自发光显示像素还包括位于基板300上的光学指纹感测电路(未标注)。光学指纹感测电路包括第一TFT器件(未标注)和感光器件(未标注)。所述第一TFT器件具有源极(未标注)、漏极(未标注)、栅极层310和沟道层311。其中，所述源极为图3所示源极层312的一部分，所述漏极为图3所示漏极层313的一部分。感光器件包括感光半导体层315。感光器件还包括位于感光半导体层315下面的下电极层314，以及位于感光半导体层315上面的上电极层316。
本实施例中，下电极层314也为非透光层，可以采用金属材料制作。
本实施例中，感光半导体层315为包含有机感光层的半导体叠层。而当自发光半导体层322为OLED叠层时，自发光半导体层322为包含有机发光层的半导体叠层。并且，本实施例设置感光半导体层315与自发光半导体层322位于同一层，即两者位于同一水平高度的位置。
感光半导体层315与自发光半导体层322位于同一水平高度的位置时，下电极层314的上表面和底电极层321的上表面也位于同一水平高度的位置。因此，下电极层314和底电极层321可以采用同一工艺步骤同时制作，从而节省工艺步骤，节约成本。除此之外，感光半导体层315和自发光半导体层322中的某些层结构可以在同一工艺中同时制作，从而节省工艺步骤，节约成本。
其它实施例中，当感光半导体层与自发光半导体层位于同一层时，所述感光半导体层也可以为无机半导体层，例如感光半导体层为无机PIN二极管或者无机PN二极管。
请继续参考图3，所述第一TFT器件的沟道层311位于部分底电极层321正下方。
本实施例中，设置所述第一TFT器件的沟道层311位于部分底电极层321正下方，同时，底电极层321又为非透光层，因此，可以利用底电极层321遮挡相应的光线，从而防止光线到达沟道层311，进而避免感光器件出现信号泄漏的情况。同时，本实施例利用自发光器件自身的底电极层321来保护沟道层311不受光线照射，可以不必增加其它结构，不增加工艺步骤，节约成本。
本实施例中，沟道层311位于部分底电极层321正下方，也就是说，部分底电极层321遮挡在第一TFT器件的沟道层311正上方。或者说，至少部分底电极层321位于沟道层311正上方。此时，可以设置位于沟道层311上方(包括正上方和斜上方)的底电极层321的面积大于沟道层311的面积，从而保证既有一部分底电极层321位于沟道层311正上方，还有一部分底电极层321位于沟道层311的斜上方。这部分位于沟道层311斜上方的底电极层321可以进一步保护沟道层311不受光线照射，从而更好地避免上述信号泄漏情况的发生。
本实施例中，下电极层314有部分位于沟道层311斜右上方，并且下电极层314也为非透光层，因此，下电极层314也可以进一步起到防止光线照射沟道层311的作用。
请继续参考图3，第一TFT器件的栅极层310位于沟道层311下方。光学指纹感测电路还包括与栅极层310位于同一层的电极层3100。电极层3100位于感光器件下方。电极层3100与感光器件的漏极层313之间具有第一绝缘层301。电极层3100连接至公共电极(未示出)，所述公共电极连接至固定电位。
本实施例中，电极层3100均位于感光器件正下方。因此，整个电极层3100正对感光器件。
其它实施例中，也可以是部分电极层位于感光器件正下方。从而保证电极层和感光器件至少部分正对。
本实施例中，电极层3100和感光器件至少部分平行。当电极层3100和感光器件正对且至少部分平行，同时，电极层3100与感光器件的漏极层313之间具有绝缘层时，电极层3100和感光器件之间能够构成一个电容，这个电容使得感光器件的等效电容增大，而此等效电容越大，感光器件能够达到的满阱越大，感光器件能够暂存的电荷信号就越大，即感光器件能够暂存的光电信号量越大。此时，感光器件能够采集到更多的光线信息，相应指纹图像的对比度能够提高，最终使采集的指纹图像质量提高。
需要说明的是，上述电极层3100和感光器件之间构成的电容中，电容的上电极主要包括感光器件的结构(这部分结构也正是所希望作为上电极的部分)，但同时也包括漏极层313的一部分。这是因为，如前所述，漏极层313除了一部分作为第一TFT器件的漏极，还有一部分继续向左延伸出来，这部分漏极层313主要起导电连接作用，，称为漏极连接层(未标注，参考前述实施例相应内容)。但是，如图3所示，这部分漏极层313又直接与感光器件的下电极层314相连接，并且，电极层3100也位于这部分漏极层313正下方。因此，电极层3100和感光器件之间构成电容时，这部分漏极层313也必然同时作为电容上电极的一部分。
本实施例中，上电极层316和顶电极层323都采用透光导电材料制作。上电极层316连接至第一公共电极(未示出)，第一公共电极连接至第一固定电位。顶电极层323连接至第二公共电极(未示出)，第二公共电极连接至第二固定电位。自发光器件的顶电极层323和感光器件的上电极层316分别连接不同的固定电位，能够保证两个器件都各自稳定，并且电子噪音更小。
请继续参考图3，本实施例中，设置栅极层310直接位于基板300上表面，因此，电极层3100同样直接制作于基板300上表面。栅极层310和电极层3100可以采用同一工艺同时制作而成，从而节省工艺步骤，节约成本。
请继续参考图3，所述自发光显示像素中具有上述第一绝缘层301，第一绝缘层301覆盖基板300、栅极层310和电极层3100。第一绝缘层301位于栅极层310和沟道层311之间的部分作为第一TFT器件的栅介质层。第一绝缘层301位于电极层3100和漏极层313之间的部分，则作为电极层3100和感光器件所构成电容的绝缘层。源极层312、漏极层313和沟道层311位于第一绝缘层301上。
请继续参考图3，所述自发光显示像素具有第二绝缘层302。源极层312、漏极层313和沟道层311被第二绝缘层302覆盖。下电极层314的一部分贯穿第二绝缘层302以电连接漏极层313，即下电极层314与第一TFT器件的漏极层313直接连接。同时，下电极层314有一部分位于第二绝缘层302上表面。与此同时，底电极层321有部分直接位于第二绝缘层302上表面，而另一部分的底电极层321贯穿第二绝缘层302以电连接接相应的所述第二TFT器件电路，如前所述，图3中用虚线框C所包围区域表示第二TFT器件所在的区域。
请继续参考图3，所述自发光显示像素具有第三绝缘层303。第三绝缘层303位于第二绝缘层302上。下电极层314位于第二绝缘层302上表面的部分被第三绝缘层303覆盖。底电极层321位于第二绝缘层302上表面的部分也被第三绝缘层303覆盖。此外，第三绝缘层303包围自发光半导体层322和顶电极层323，并且，第三绝缘层303上表面与顶电极层323上表面基本齐平(其它实施例中，第三绝缘层上表面可以高于顶电极层上表面)；第三绝缘层303包围感光半导体层315和上电极层316，并且，第三绝缘层303上表面与上电极层316上表面基本齐平(其它实施例中，第三绝缘层上表面可以高于上电极层上表面)。也就是说，自发光半导体层322的侧壁和感光半导体层315的侧壁被第三绝缘层303覆盖。
本实施例中，第二绝缘层302又可以称为TFT保护层，即所述自发光显示像素还包括TFT保护层。此时，所述第一TFT器件被所述TFT保护层覆盖，而至少部分感光半导体层315和至少部分自发光半导体层322均位于所述TFT保护层上表面上方。
本实施例中，下电极层314一部分贯穿第二绝缘层302，且下电极层314一部分位于第二绝缘层302上表面。而下电极层314位于第二绝缘层302上表面部分的俯视面积大于位于贯穿第二绝缘层302部分的俯视面积，在图3中显示为下电极层314位于第二绝缘层302上表面部分的宽度大于贯穿第二绝缘层302部分的宽度。而感光半导体层315的俯视面积通常与下电极层314的俯视面积相当。这种结构保证感光半导体层315的整体面积大于下电极层314位于第二绝缘层302内的面积，从而有利于使得感光半导体层315接收光线的面积较大，有利于获得更高解析度的指纹图像。
请继续参考图3，自发光器件与感光器件之间具有遮光墙330。具体的，遮光墙330位于第四绝缘层304内，并且本实施例设置遮光墙330的高度与第四绝缘层304的厚度基本相等。
本实施例中，还能够复用自发光器件发出的光线作为感光器件进行指纹采集时的光线，从而不必给光学指纹感测电路配置专门的光源，节省了成本，简化了结构。需要说明的是，在这种结构中，感光器件和所述自发光器件之间可以通过设置上述遮光墙330来防止“所述自发光器件的光线在未到达‘接触界面’之前先到达感光器件”的情况发生。其中，所述“接触界面”为手指指纹所按压表面与手指指纹本身形成的界面。
本实施例中，遮光墙330同样位于沟道层311的斜右上方，遮光墙330也能够遮挡光线，防止光线进入沟道层311。
请继续参考图3，感光器件上方可以具有光准直层340。本实施例设置光准直层340位于上电极层316上。光准直层340至少部分吸收从斜上方向下传播的光线，而允许垂直角度或接近垂直角度(最大角度差小于10度)的光线能够穿过光准直层340，进入感光器件。
图3中虽未显示，但是光准直层340可以包括间隔排布的挡光区和透光区，透光区在上下方向上透光，并且透光区在剖面中呈狭长的竖直条形，即光准直层340包括透光区(透光区可以为透光孔)和挡光区(挡光区可以为遮光框架)，由于透光区为狭长的区域，而透光区周边为挡光区，当杂散光照射进入时，挡光区会阻挡和吸收大量斜入射光时，只允许垂直或接近垂直(角度差异小于10度)的光透过光准直层340，从而使光准直层340能够实现光准直的作用。
本实施例所提供的自发光显示像素中，设置至少部分感光半导体层315和至少部分自发光半导体层322均位于所述TFT保护层上表面上方，并且，感光半导体层315位于下电极层314上。而下电极层314位于第二绝缘层302上表面部分的俯视面积大于位于贯穿第二绝缘层302部分的俯视面积，感光半导体层315的俯视面积通常与下电极层314的俯视面积相当。这种结构保证感光半导体层315的整体面积大于下电极层314位于第二绝缘层302内的面积，从而有利于使得感光半导体层315接收光线的面积较大，有利于获得更高解析度的指纹图像。
更多有关本实施例所提供自发光显示像素的结构、性质和优点可参考前述实施例相应内容。
本发明第四实施例提供另一种自发光显示像素，图4为所述自发光显示像素的剖面示意图。
请参考图4，所述自发光显示像素包括位于基板400上的自发光电路(未标注)。自发光电路包括TFT器件(未示出)和自发光器件(未标注)。自发光器件包括底电极层431、自发光半导体层432和顶电极层433。其中，底电极层431为非透光层。自发光电路的所述TFT器件位于虚线框D所包围的区域中，其个数可以为一个或者多个。
本实施例中，自发光半导体层432可以包括多层结构。例如，自发光半导体层432可以为OLED叠层，OLED叠层通常包括空穴注入层、发光层和电子注入层等多层结构。
请继续参考图4，自发光显示像素还包括位于基板400上的光学指纹感测电路(未标注)。光学指纹感测电路包括第一TFT器件(未标注)和感光器件(未标注)。所述第一TFT器件具有源极(未标注)、漏极(未标注)、栅极层410和沟道层411。
请继续参考图4，自发光显示像素还包括第二TFT器件，所述感光器件为所述第二TFT器件。所述第二TFT器件具有源极、漏极、栅极层420和沟道层421。其中，第二TFT器件的沟道层421为光学指纹感测电路接收指纹反射光线的区域。即本实施例中，光学指纹感测电路的感光结构为沟道层421。
本实施例中，第一TFT器件的漏极为漏极层412的一部分，即本实施例中，漏极层412靠近沟道层411的一部分作为第一TFT器件的漏极，漏极层412其它部分则主要起到将第一TFT器件的漏极电连接到其它结构的作用。
本实施例中，第二TFT器件的源极为源极层422的一部分，即本实施例中，源极层422靠近沟道层421的一部分作为第二TFT器件的源极，源极层422其它部分则主要起到将第二TFT器件的源极电连接到其它结构的作用。
本实施例中，第一TFT器件的源极与第二TFT器件的漏极之间以第一电极层4023连接。此时，第一电极层4023靠近沟道层411的部分作为第一TFT器件的源极，第一电极层4023靠近沟道层421的部分作为第二TFT器件的漏极。也就是说，第一电极层4023既作为第一TFT器件的源极层，又作为第二TFT器件的漏极层。同时，第一电极层4023中间的大部分主要起到导电连接作用，并且，还与后续提到的第二电极层4100之间构成电容。
其它实施例中，也可以是第一TFT器件的漏极与第二TFT器件的源极之间以第一电极层连接。
请继续参考图4，所述第一TFT器件的沟道层411位于部分底电极层431正下方。
本实施例中，设置所述第一TFT器件的沟道层411位于部分底电极层431正下方，同时，底电极层431又为非透光层，因此，可以利用底电极层431遮挡相应的光线，从而防止光线到达沟道层411，进而避免感光器件出现信号泄漏的情况。同时，本实施例利用自发光器件自身的底电极层431来保护沟道层411不受光线照射，可以不必增加其它结构，不增加工艺步骤，节约成本。
本实施例中，沟道层411位于部分底电极层431正下方，也就是说，部分底电极层431遮挡在第一TFT器件的沟道层411正上方。或者说，至少部分底电极层431位于沟道层411正上方。此时，可以设置位于沟道层411上方(包括正上方和斜上方)的底电极层431的面积大于沟道层411的面积，从而保证既有一部分底电极层431位于沟道层411正上方，还有一部分底电极层431位于沟道层411的斜上方。这部分位于沟道层411斜上方的底电极层431可以进一步保护沟道层411不受光线照射，从而更好地避免上述信号泄漏情况的发生。由于本实施例中，底电极层431主要是位于沟道层411的左侧，因此，沟道层411左斜上方被底电极层431遮挡，而右侧斜上方即使有如图4所示的小部分底电极层431遮挡，这部分底电极层431的面积较小，从而防止底电极层431同时遮挡到用于感光的沟道层421。
请继续参考图4，第一TFT器件的栅极层410位于沟道层411下方，第二TFT器件的栅极层420位于沟道层421下方。这种底栅型结构有利于沟道层421接收光线。
请继续参考图4，光学指纹感测电路还包括与栅极层410和栅极层420位于同一层的第二电极层4100。第二电极层4100位于第一电极层4023下方。第二电极层4100与第一电极层4023之间具有第一绝缘层401。
本实施例中，第二电极层4100位于第一电极层4023正下方。同时，第二电极层4100和第一电极层4023平行。当第二电极层4100和第一电极层4023正对且平行，同时，第二电极层4100与第一电极层4023之间具有绝缘层时，第二电极层4100和第一电极层4023之间能够构成一个电容，这个电容使得感光器件的等效电容增大，而此等效电容越大，感光器件能够达到的满阱越大，感光器件能够暂存的电荷信号越大，即感光器件能够暂存的光电信号量越大。此时，感光器件能够采集到更多的光线信息，相应指纹图像的对比度能够提高，最终使采集的指纹图像质量提高。
本实施例中，第二电极层4100连接至第一公共电极(未示出)，第一公共电极连接至第一固定电位。
本实施例中，顶电极层433采用透光导电材料制作。顶电极层433连接至第二公共电极(未示出)，第二公共电极连接至第二固定电位。
请继续参考图4，本实施例中，设置栅极层410和栅极层420直接位于基板400上表面，因此，第二电极层4100同样直接制作于基板400上表面。栅极层410、栅极层420和第二电极层4100位于同一层，因此，它们可以采用同一工艺步骤同时制作，从而节省工艺步骤，节约成本。
请继续参考图4，所述自发光显示像素中具有上述第一绝缘层401，第一绝缘层401覆盖基板400、栅极层410、栅极层420和第二电极层4100。第一绝缘层401位于栅极层410和沟道层411之间的部分作为第一TFT器件的栅介质层。第一绝缘层401位于栅极层420和沟道层421之间的部分作为第二TFT器件的栅介质层。第一绝缘层401位于第二电极层4100和第一电极层4023之间的部分，则作为第二电极层4100和感光器件所构成电容的绝缘层。漏极层412、沟道层411、第一电极层4023、沟道层421和源极层422位于第一绝缘层401上。
请继续参考图4，所述自发光显示像素具有第二绝缘层402。漏极层412、沟道层411、第一电极层4023、沟道层421和源极层422被第二绝缘层402覆盖。
本实施例中，第二绝缘层402又可以称为TFT保护层，即所述自发光显示像素还包括TFT保护层。此时，所述第一TFT器件和所述第二TFT器件均被所述TFT保护层覆盖，既光学指纹感测电路被所述TFT保护层覆盖，从而得到TFT保护层的保护。
请继续参考图4，所述自发光显示像素具有第三绝缘层403。第三绝缘层403位于第二绝缘层402上。底电极层431有部分直接位于第三绝缘层403上表面，而另一部分的底电极层431贯穿第三绝缘层403以电连接接相应的自发光电路的所述TFT器件电路，如前所述，图4中用虚线框D所包围区域表示自发光电路的TFT器件所在的区域。
请继续参考图4，所述自发光显示像素具有第四绝缘层404。底电极层431位于第三绝缘层403上表面的部分被第四绝缘层404覆盖。此外，第四绝缘层404包围自发光半导体层432和顶电极层433。并且，第四绝缘层404上表面与顶电极层433上表面基本齐平(其它实施例中，第四绝缘层上表面可以高于顶电极层上表面)，也就是说，自发光半导体层432侧壁被第四绝缘层404覆盖。
需要说明的是，图中虽未显示，但本实施例中，自发光器件与感光器件之间可以具有遮光墙。而感光器件上方可以具有光准直层，特别是具体在第二TFT器件的沟道层上方可以具有光准直层。
本实施例所提供的自发光显示像素中，利用第二TFT器件作为感光器件，因此，整个自发光显示像素结构更加简单，降低工艺制作难度和工艺成本。
更多有关本实施例所提供自发光显示像素的结构、性质和优点可参考前述实施例相应内容。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (14)

1.一种自发光显示像素，包括：
自发光电路，所述自发光电路包括自发光器件，所述自发光器件包括底电极层；
其特征在于：
所述底电极层为非透光层；
所述自发光显示像素还包括光学指纹感测电路，所述光学指纹感测电路包括第一TFT器件和感光器件，所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述底电极层正下方。
2.如权利要求1所述的自发光显示像素，其特征在于，所述感光器件包括感光半导体层，所述感光半导体层为PIN二极管或者PN二极管，所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述感光半导体层正下方；部分所述感光半导体层位于部分所述底电极层正下方，部分所述感光半导体层非位于所述底电极层正下方；所述自发光显示像素具有保护层，所述第一TFT器件和所述感光半导体层被所述保护层覆盖，至少部分所述底电极位于所述保护层上表面上方。
3.如权利要求2所述的自发光显示像素，其特征在于，所述感光器件还包括下电极层，所述下电极层为非透光层，所述第一TFT器件的沟道层位于部分所述下电极层正下方。
4.如权利要求1所述的自发光显示像素，其特征在于，所述感光器件包括感光半导体层，所述感光半导体层为PIN二极管或者PN二极管；所述自发光器件包括自发光半导体层；所述自发光显示像素还包括TFT保护层，所述第一TFT器件被所述TFT保护层覆盖，所述感光半导体层和所述自发光半导体层均位于所述TFT保护层上表面上方。
5.如权利要求4所述的自发光显示像素，其特征在于，所述感光器件还包括下电极层，所述下电极层为非透光层。
6.如权利要求1至5任意一项所述的自发光显示像素，其特征在于，所述第一TFT器件的栅极层位于沟道层下方；所述光学指纹感测电路还包括与所述栅极层位于同一层的电极层；所述电极层位于所述感光器件下方，所述电极层和所述感光器件至少部分平行，所述电极层与所述感光器件之间具有绝缘层；所述电极层连接至公共电极，所述公共电极连接至固定电位。
7.如权利要求6所述的自发光显示像素，其特征在于，所述感光器件包括上电极层，所述上电极层连接至第一公共电极，所述第一公共电极连接至第一固定电位；所述自发光器件包括顶电极层，所述顶电极层连接至第二公共电极，所述第二公共电极连接至第二固定电位。
8.如权利要求1至5任意一项所述的自发光显示像素，其特征在于，所述第一TFT器件的栅极层位于沟道层上方；所述光学指纹感测电路还包括与所述第一TFT器件的栅极层位于同一层的电极层；所述电极层位于所述感光器件下方，所述电极层和所述感光器件至少部分平行，所述电极层与所述感光器件之间具有绝缘层；所述电极层连接至公共电极，所述公共电极连接至固定电位。
9.如权利要求8所述的自发光显示像素，其特征在于，所述感光器件包括上电极层，所述上电极层连接至第一公共电极，所述第一公共电极连接至第一固定电位；所述自发光器件包括顶电极层，所述顶电极层连接至第二公共电极，所述第二公共电极连接至第二固定电位。
10.如权利要求1所述的自发光显示像素，其特征在于，所述感光器件为第二TFT器件，所述第二TFT器件的沟道层为所述光学指纹感测电路接收指纹反射光线的区域。
11.如权利要求10所述的自发光显示像素，其特征在于，所述第一TFT器件的源极与所述第二TFT器件的漏极之间以第一电极层连接，或者所述第一TFT器件的漏极与所述第二TFT器件的源极之间以第一电极层连接；所述光学指纹感测电路还包括第二电极层，所述第二电极层位于所述第一电极层下方；所述第一电极层和所述第二电极层至少部分平行，所述第一电极层与所述第二电极层之间具有绝缘层；所述第二电极层连接至公共电极，所述公共电极连接至固定电位。
12.如权利要求1、2、3、4、5、10或11任意一项所述的自发光显示像素，其特征在于，所述自发光器件与所述感光器件之间具有遮光墙。
13.如权利要求1、2、3、4、5、10或11任意一项所述的自发光显示像素，其特征在于，所述感光器件上方具有光准直层。
14.如权利要求1、2、3、4、5、10或11任意一项所述的自发光显示像素，其特征在于，复用所述自发光器件发出的光线作为所述感光器件进行指纹采集时的光线。
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