JP7295142B2 - 表示基板、表示装置および表示基板の製造方法 - Google Patents
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Description
BS ベース基板
BUF バッファ層
CE コンタクト電極
COM 共通電極
CSL 共通電極信号線
D 発光輝度値検出器
D1 第1のドレイン電極
E1 第1の電極
E2 第2の電極
EML 発光層
G1 第1のゲート電極
ILD 層間誘電層
IN 絶縁層
J ダイオード接合部
LE 発光素子
LS 遮光層
PDL 画素定義層
PL 保護層
PR1 第1の極性領域
PR2 第2の極性領域
PS 光センサ
PVX パッシベーション層
R 読み出し線
S1 第1のソース電極
Spa サブ画素領域
T1 第1の薄膜トランジスタ
V1 電圧レベル
V2 電圧レベル
Claims (19)
- ベース基板と、
前記ベース基板上に位置する複数の発光輝度値検出器とを備え、
前記複数の発光輝度値検出器の各々は、
第1の薄膜トランジスタと、
前記第1の薄膜トランジスタの前記ベース基板から離れた側に位置する保護層と、
前記第1の薄膜トランジスタに電気的に接続されており、発光輝度値を検出するように構成された光センサとを備え、
前記保護層の前記ベース基板上の正射影は、前記第1の薄膜トランジスタの少なくともチャネル部分の前記ベース基板上の正射影を覆っており、
前記保護層は、前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極に電気的に接続される、
表示基板。 - 前記保護層の前記ベース基板上の前記正射影は、前記第1の薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極の前記ベース基板上の正射影と少なくとも部分的に重なっている、
請求項1に記載の表示基板。 - 前記光センサと前記第1の薄膜トランジスタのソース電極とを接続するコンタクト電極をさらに備え、
前記コンタクト電極は、前記光センサと前記ベース基板との間に位置し、
前記コンタクト電極の前記ベース基板上の正射影は、前記光センサの前記ベース基板上の正射影を覆っている、
請求項1に記載の表示基板。 - 前記第1の薄膜トランジスタは、前記光センサと前記ベース基板との間に位置するソース電極を備え、
前記ソース電極の前記ベース基板上の正射影は、前記光センサの前記ベース基板上の正射影を覆っている、
請求項1に記載の表示基板。 - 前記保護層と前記第1の薄膜トランジスタとの間に位置するパッシベーション層と、
前記光センサと前記第1の薄膜トランジスタのソース電極とを接続するコンタクト電極と、
前記パッシベーション層を貫通する第1のビアとをさらに備え、
前記コンタクト電極は、前記第1のビアを介して前記第1の薄膜トランジスタの前記ソース電極に電気的に接続される、
請求項1に記載の表示基板。 - 前記保護層および前記コンタクト電極は、同一層に位置し、同一の導電性材料を含み、
前記保護層および前記コンタクト電極は、前記パッシベーション層において互いに離間している、
請求項5に記載の表示基板。 - 前記パッシベーション層を貫通する第2のビアをさらに備え、
前記保護層は、前記第2のビアを介して前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極に電気的に接続される、
請求項5に記載の表示基板。 - 前記表示基板は、複数のサブ画素領域を備え、
前記複数の発光輝度値検出器は、前記複数のサブ画素領域にそれぞれ位置し、
前記表示基板は前記複数のサブ画素領域の各々において、
発光素子と、
前記発光素子の発光を駆動するように構成された第2の薄膜トランジスタとをさらに備える、
請求項1に記載の表示基板。 - 前記複数の発光輝度値検出器で検出された信号をそれぞれ伝送する複数の読み出し線と、
前記複数の読み出し線に接続されており、前記複数のサブ画素領域の発光輝度値を目標輝度値に調整するように構成された補償回路とをさらに備える、
請求項8に記載の表示基板。 - 共通電圧信号が供給されるように構成された共通電極をさらに備え、
前記光センサは、前記共通電極に接続された第1の極性領域と、前記第1の薄膜トランジスタのソース電極に接続された第2の極性領域と、前記第1の極性領域と前記第2の極性領域とを接続するダイオード接合部と、を備え、
前記第1の薄膜トランジスタは、前記光センサの第2の極性領域に接続されたソース電極と、前記複数の発光輝度値検出器で検出された信号を伝送するように構成された前記複数の読み出し線の各々の一つに接続されたドレイン電極と、を備える、
請求項9に記載の表示基板。 - 前記保護層は導電性材料により作製される、
請求項1から10のいずれか1項に記載の表示基板。 - 請求項1から11のいずれか1項に記載の表示基板を備える、
表示装置。 - ベース基板上に複数の発光輝度値検出器を形成することを含み、
前記複数の発光輝度値検出器の各々を形成することは、
前記ベース基板上に第1の薄膜トランジスタを形成することと、
前記第1の薄膜トランジスタの前記ベース基板から離れた側に保護層を形成することと、
前記第1の薄膜トランジスタを形成し前記保護層を形成した後に、前記第1の薄膜トランジスタに電気的に接続されており、発光輝度値を検出するように構成された光センサを形成することとを含み、
前記保護層および前記第1の薄膜トランジスタは、前記保護層の前記ベース基板上の正射影が、前記第1の薄膜トランジスタの少なくともチャネル部分の前記ベース基板上の正射影を覆うように形成され、
前記保護層は、前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極に電気的に接続されるように形成される、
表示基板の製造方法。 - 前記光センサと前記第1の薄膜トランジスタのソース電極とを接続するコンタクト電極を形成することをさらに含み、
前記コンタクト電極は、前記光センサと前記ベース基板との間に形成され、
前記コンタクト電極および前記光センサは、前記コンタクト電極の前記ベース基板上の正射影が、前記光センサの前記ベース基板上の正射影を覆うように形成される、
請求項13に記載の表示基板の製造方法。 - 前記保護層を形成する前であって、かつ前記第1の薄膜トランジスタを形成した後に、
前記保護層と前記第1の薄膜トランジスタとの間に形成されるパッシベーション層を形成することと、
前記光センサと前記第1の薄膜トランジスタのソース電極とを接続するコンタクト電極を形成することと、
前記パッシベーション層を貫通する第1のビアを形成することとをさらに含み、
前記コンタクト電極は、前記第1のビアを介して前記第1の薄膜トランジスタの前記ソース電極に電気的に接続されるように形成される、
請求項13に記載の表示基板の製造方法。 - 前記保護層を形成し前記コンタクト電極を形成することは、
前記パッシベーション層の前記ベース基板から離れた側に導電性材料層を形成することと、
同一のマスク板を用いて前記導電性材料層をパターニングすることにより、単一のパターニングステップにおいて前記保護層および前記コンタクト電極を形成することとを含み、
前記保護層および前記コンタクト電極は、前記パッシベーション層において互いに離間するように形成される、
請求項15に記載の表示基板の製造方法。 - 前記パッシベーション層を貫通する第2のビアを形成することをさらに含み、
前記保護層は、前記第2のビアを介して前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極に電気的に接続されるように形成される、
請求項15に記載の表示基板の製造方法。 - 前記光センサおよび前記保護層の前記ベース基板から離れた側に絶縁層を形成することをさらに含み、
前記光センサを形成した後であって、かつ前記絶縁層を形成する前に、前記方法はエッチングステップを含まない、
請求項15から17のいずれか1項に記載の表示基板の製造方法。 - 前記光センサを形成することは、水素衝撃処理プロセスを含む、
請求項15から18のいずれか1項に記載の表示基板の製造方法。
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