CN106298747B - 一种光探测器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种光探测器件，采用反射层进行隔离所述发射辐射的半导体芯片和多个探测辐射的半导体芯片，保证发射和探测的独立性，防止其相互干扰，提高探测的准确度，并且，利用圆台形的第一腔进行发射辐射信号，保证发射准直度，而利用截面为倒立等腰梯形的环形腔进行探测辐射的容置腔，可以保证最大化的接收反馈信号。

Description

一种光探测器件
技术领域
本发明涉及光探测器件领域，具体涉及一种具有注塑壳体、发射辐射的半导体芯片和探测辐射的半导体芯片的光探测器件。
背景技术
已知的是，设计一种具有发射辐射的半导体芯片和探测辐射的半导体芯片的器件。然而，所述装置通常具有设置在隔开的壳体中并且彼此隔开地设置在例如电路板上的半导体芯片。然而发射辐射的半导体芯片的信号会影响探测辐射的半导体芯片，导致探测结果的偏差或失效，并且一般的，发射辐射的信号较强，而反馈回来的探测辐射的信号较弱，不易捕捉。
发明内容
基于解决上述封装中的问题，本发明提供了一种光探测器件，具有注塑壳体、一个发射辐射的半导体芯片和多个探测辐射的半导体芯片，其中在所述注塑壳体中构成第一腔和第二腔，所述第一腔为由内壁和底壁围成的圆台形腔，所述圆台形腔的截面为正立等腰梯形，所述第二腔为由外壁、内壁和底壁围成的环绕第一腔的环形腔，所述环形腔的截面为倒置等腰梯形；所述发射辐射的半导体芯片具有适合于产生辐射的有源层并且所述发射辐射的半导体芯片设置在所述第一腔中，所述多个探测辐射的半导体芯片具有适合于探测辐射的有源层并且所述多个探测辐射的半导体芯片设置在所述第二腔中，并且所述多个探测辐射的半导体芯片均匀环绕布置在所述发射辐射的半导体芯片。
根据本发明的实施例，还包括在所述第一腔的内壁的内侧和外侧涂覆的反射层，以及外壁内侧涂覆的反射层。
根据本发明的实施例，所述反射层的材质优选为银。
根据本发明的实施例，还包括填充所述第一腔的第一填充料和填充所述第二腔的第二填充料。
根据本发明的实施例，所述第一和第二填充料都包括环氧树脂材料。
根据本发明的实施例，所述第二填充料中嵌入吸收颗粒，所述吸收颗粒适合于至少部分地吸收由所述发射辐射的半导体芯片发射的辐射。
根据本发明的实施例，所述底壁包括用于搭载所述发射辐射的半导体芯片和多个探测辐射的半导体芯片的多个导电载片以及多个电极片。
根据本发明的实施例，所述发射辐射的半导体芯片和多个探测辐射的半导体芯片分别通过导线与相应的所述多个电极片电连接。
本发明的技术方案，采用反射层进行隔离所述发射辐射的半导体芯片和多个探测辐射的半导体芯片，保证发射和探测的独立性，防止其相互干扰，提高探测的准确度，并且，利用圆台形的第一腔进行发射辐射信号，保证发射准直度，而利用截面为倒立等腰梯形的环形腔进行探测辐射的容置腔，可以保证最大化的接收反馈信号。
附图说明
图1为本发明的光探测器件的剖面图；
图2为本发明的光探测器件的俯视图。
具体实施方式
参见图1及2，本发明提供了一种光探测器件，具有注塑壳体、一个发射辐射的半导体芯片2和多个探测辐射的半导体芯片3，图2中示出了4个半导体芯片3，还可以是6个或8个等，其中在所述注塑壳体中构成第一腔4和第二腔5，所述第一腔4为由内壁和底壁围成的圆台形腔，所述圆台形腔的截面为正立等腰梯形，所述第二腔5为由外壁、内壁和底壁围成的环绕第一腔的环形腔，所述环形腔的截面为倒置等腰梯形；所述底壁上包括用于搭载所述发射辐射的半导体芯片2和多个探测辐射的半导体芯片3的多个导电载片1、多个电极片10以及塑封材料7。所述发射辐射的半导体芯片2为光发射芯片，而所述多个探测辐射的半导体芯片3是光接收光感测芯片。
所述发射辐射的半导体芯片2具有适合于产生辐射的有源层并且所述发射辐射的半导体芯片2通过搭载电连接于第一腔4内的导电载片1设置在所述第一腔4中，所述多个探测辐射的半导体芯片3具有适合于探测辐射的有源层并且所述多个探测辐射的半导体芯片3通过搭载并电连接于第二腔内的导电载片1设置在所述第二腔5中，并且所述多个探测辐射的半导体芯片3均匀环绕布置在所述发射辐射的半导体芯片2。所述发射辐射的半导体芯片2和多个探测辐射的半导体芯片3分别通过导线9与相应的所述多个电极片10电连接，导线9焊接处具有焊垫8。
在所述第一腔4的内壁的内侧和外侧涂覆的反射层，以及第二腔5的外壁内侧涂覆的反射层，其材质最好是银，一方面，其可以防止发射的辐射干扰周围的多个探测辐射的半导体芯片3，以防止探测结果的不准确，另一方面，可以保证发射的辐射的准直性，防止其辐射的发散。
进一步的，所述第一腔4和第二腔5内都填充有环氧树脂材料以密封芯片，为了保证多个探测辐射的半导体芯片3的探测准确性，在所述第二腔的所述环氧树脂材料嵌入吸收颗粒，所述吸收颗粒适合于至少部分地吸收由所述发射辐射的半导体芯片2发射的辐射。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (5)

1.一种光探测器件，具有注塑壳体、一个发射辐射的半导体芯片和多个探测辐射的半导体芯片，其中在所述注塑壳体中构成第一腔和第二腔，所述第一腔为由内壁和底壁围成的圆台形腔，所述圆台形腔的截面为正立等腰梯形，所述第二腔为由外壁、内壁和底壁围成的环绕第一腔的环形腔，所述环形腔的截面为倒置等腰梯形；所述发射辐射的半导体芯片具有适合于产生辐射的有源层并且所述发射辐射的半导体芯片设置在所述第一腔中，所述多个探测辐射的半导体芯片具有适合于探测辐射的有源层并且所述多个探测辐射的半导体芯片设置在所述第二腔中，并且所述多个探测辐射的半导体芯片均匀环绕布置在所述发射辐射的半导体芯片的周围；还包括填充所述第一腔的第一填充料和填充所述第二腔的第二填充料，所述第一和第二填充料都包括环氧树脂材料，所述第二填充料中嵌入吸收颗粒，所述吸收颗粒适合于至少部分地吸收由所述发射辐射的半导体芯片发射的辐射。
2.根据权利要求1所述的光探测器件，其特征在于，还包括在所述第一腔的内壁的内侧和外侧涂覆的反射层，以及外壁内侧涂覆的反射层。
3.根据权利要求2所述的光探测器件，其特征在于，所述反射层的材质为银。
4.根据权利要求1所述的光探测器件，其特征在于，所述底壁包括用于搭载所述发射辐射的半导体芯片和多个探测辐射的半导体芯片的多个导电载片以及多个电极片。
5.根据权利要求4所述的光探测器件，其特征在于，所述发射辐射的半导体芯片和多个探测辐射的半导体芯片分别通过导线与相应的所述多个电极片电连接。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102809764A (zh) * 2011-05-13 2012-12-05 英特赛尔美国股份有限公司 用于透明层隔离的***和方法
CN205209633U (zh) * 2012-11-09 2016-05-04 株式会社信五电子 光学近照度传感器

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6831266B2 (en) * 2002-03-13 2004-12-14 Phone-Or Ltd. Optical transducers of high sensitivity
TWI550894B (zh) * 2014-09-30 2016-09-21 Optical induction module and its manufacturing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102809764A (zh) * 2011-05-13 2012-12-05 英特赛尔美国股份有限公司 用于透明层隔离的***和方法
CN205209633U (zh) * 2012-11-09 2016-05-04 株式会社信五电子 光学近照度传感器

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