CN106292171A - 电连接结构、阵列基板及绝缘覆盖层的制作方法 - Google Patents

Abstract

一种电连接结构的制作方法，包括：提供相互电性连接的连接垫与连接线，该连接垫与该连接线均为金属层；形成覆盖所述连接线的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。本发明还提供一种阵列基板的制作方法以及一种绝缘覆盖层的制作方法。本发明所由于在曝光时使用不同透光率的掩膜遮蔽所述绝缘覆盖层，能够有效的降低在曝光时绝缘覆盖层与金属层对应位置的光线强度，使绝缘覆盖层不易被光线破坏，得到平坦的绝缘覆盖层。

Description

电连接结构、阵列基板及绝缘覆盖层的制作方法

技术领域

本发明涉及一种电连接结构的制作方法、一种阵列基板的制作方法以及一种绝缘覆盖层的制作方法。

背景技术

液晶显示面板通常包括阵列基板、对向基板及夹设在所述阵列基板与对向基板之间的液晶层，通过控制所述液晶层中液晶分子的旋转以控制光线的通过量，进而实现画面显示。其中，该阵列基板包括诸如薄膜晶体管、存储电容以及位于阵列基板周边的连接垫、连接线等结构。在形成上述结构之后，通常形成一覆盖上述结构的绝缘覆盖层，例如形成一平坦化层，并对所述绝缘覆盖层进行曝光。然而，对所述绝缘覆盖层进行曝光容易使绝缘覆盖层的表面不平整，影响阵列基板的稳定性。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种电连接结构的制作方法，包括：提供相互电性连接的连接垫与连接线，该连接垫与该连接线均为金属层；形成覆盖所述连接线的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。

还有必要提供一种阵列基板的制作方法，包括：提供薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、通道层以及栅极，所述源极、漏极与栅极均为金属层；形成覆盖所述薄膜晶体管的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜遮对所述绝缘覆盖层进行曝光，所述掩膜包括第一掩膜区与第二掩膜区，所述第一掩膜区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二掩膜区对应其他区域设置，所述第一掩膜区的透光率低于所述第二掩膜区的透光率。

还有必要提供一种绝缘覆盖层的形成方法，包括：在一具有金属层的基板上形成一覆盖所述金属层的绝缘覆盖层；以及通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。

与现有技术相对比，本发明具体实施方式提供的电连接结构、阵列基板及绝缘覆盖层的制作方法由于在曝光时使用不同透光率的掩膜遮蔽所述绝缘覆盖层，能够有效的降低在曝光时绝缘覆盖层与金属层对应位置的光线强度，使绝缘覆盖层不易被光线破坏，进而得到平坦的绝缘覆盖层。

附图说明

图1是本发明具体实施方式电连接结构的制作方法的流程图。

图2至图6是图1中各步骤的分步示意图。

图7是本发明具体实施方式阵列基板的制作方法的流程图。

图8至图13是图7中各步骤的分步示意图。

主要元件符号说明

液晶显示面板	1
		阵列基板	10
对向基板	11
		液晶层	12
基板	100
		缓冲层	105
栅极	114
		连接垫	118
绝缘层	122
		连接垫孔	172
接触孔	174
		通道层	132
源极	142
		漏极	144
绝缘覆盖层	152
		像素电极	162
连接线	146
		掩膜	200、300
第二半透光区	220
		第一半透光区	230
第一掩膜区	310
		第二掩膜区	320
子掩膜区	330

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

在液晶显示器中阵列基板的形成过程中，经常会在阵列基板上的电连接结构上形成一绝缘覆盖层，如钝化层，之后对该绝缘覆盖层进行曝光以在所述绝缘覆盖层上开孔或对所述绝缘覆盖层漂白。然而，对所述绝缘覆盖层进行曝光容易使该绝缘覆盖层的表面不平整。经研究发现，导致所述绝缘覆盖层不平整的原因主要在于对所述绝缘覆盖层进行曝光时该由金属层形成的电连接结构会把曝光的光线反射至所述绝缘覆盖层，导致该绝缘覆盖层受到了双重曝光，进而使得该绝缘覆盖层的表面被破坏。

因此，在本发明具体实施方式中，通过提供透光率有差异的掩膜，降低与所述电连接结构金属层对应位置的掩膜的光线透射率，由此降低与所述电连接结构对应位置的光线强度，防止所述绝缘覆盖层因光线强度过高而损坏，进而得到平坦的绝缘覆盖层。下面详细举例进行说明。

请参阅图1，为本发明具体实施方式所提供的电连接结构的制作方法的流程图。所应说明的是，本发明电连接结构的制作方法并不受限于下述步骤的顺序，且在其他实施方式中，本实施例电连接结构的制作方法可以只包括以下所述步骤的其中一部分，或者其中的部分步骤可以被删除。本实施方式中的电连接结构是形成在一阵列基板的非显示区域中。

下面结合图1各流程步骤的说明对本发明具体实施方式所提供的电连接结构的制作方法进行详细介绍。

步骤S201，请参阅图2，提供基板100，在所述基板100上形成缓冲层105，并在所述缓冲层105上形成连接垫118。

具体地，首先在所述基板100上形成一覆盖所述基板100的缓冲层105。接着，在所述缓冲层105上形成一覆盖所述缓冲层105的金属层。之后，通过黄光制程图案化所述金属层以形成所述连接垫118。

在本实施方式中，所述基板100的材质选自透明基材，例如玻璃、石英或有机聚合物等。所述缓冲层105的材质选自透明绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述连接垫118的材质选自铝、钛、钼、钽、铜等金属。

可以理解，所述缓冲层105不是必要的，在其它实施方式中，所述连接垫118可直接形成在所述基板100上。

步骤S202，请参阅图3，形成覆盖所述缓冲层105以及连接垫118的绝缘层122，并在所述绝缘层122对应所述连接垫118的位置形成连接垫孔172。

具体地，首先形成覆盖所述缓冲层105以及连接垫118的绝缘层122。接着，通过黄光制程图案化所述绝缘层122以在所述绝缘层122对应所述连接垫118的位置形成连接垫孔172。

在本实施方式中，所述绝缘层122的材质选自透明绝缘材料，例如氧化铝、氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。

步骤S203，请参阅图4，在所述绝缘层122上形成连接线146，所述连接线146通过所述连接垫孔172与所述连接垫118电性连接。在本实施方式中，所述连接线146在所述基板100上的投影面积大于所述连接垫118在所述基板100上的投影面积。

具体地，首先在所述绝缘层122与通道层132上形成一金属层。之后通过黄光制程图案化所述金属层以形成所述连接线146。

在本实施方式中，所述连接线146的材质选自铝、钛、钼、钽、铜等金属。

经由上述步骤，该连接线146与该连接垫118经由该连接垫孔172构成电性连接，从而形成电连接结构。可以理解，本发明的电连接结构并不限于本实施例所列，还可包括其他层结构，如具有半导体层结构的其他类型电连接结构。

步骤S204，请参阅图5，形成覆盖所述连接线146以及绝缘层122上的绝缘覆盖层152。

在本实施方式中，所述绝缘覆盖层152为一钝化层，所述绝缘覆盖层152选自常作为钝化层的有机材料，例如采用聚碳酸酯(PC)以及苯并环乙烯(BCB)等。

步骤S205，请参阅图6，通过一掩膜200对所述绝缘覆盖层152进行曝光，所述掩膜200对应所述电连接结构中金属线所在区域，如连接线146，的位置定义有第一半透光区230，所述掩膜200对应非金属线所在区域的位置定义有第二半透光区220，所述第一半透光区230的透光率低于所述第二半透光区220的透光率。在本实施方式中，所述第一半透光区230透光率的范围在5%-90%之间。优选地，所述第一半透光区230透光率的范围在20%-80%之间。

经过光线的照射，与该第二半透光区220位置对应的绝缘覆盖层152被光线漂白，增加了光线的透射率，从而形成了钝化层；而与该第一半透光区230位置对应的绝缘覆盖层152由于被所述第一半透光区230遮蔽的光线多，光线强度低，因此即使光线被由金属形成的连接线146所反射，减少对所述绝缘覆盖层152的表面产生破坏，因此所述绝缘覆盖层152的表面能够更加平坦。

可变更地，若该连接线146设置在该连接垫118下方，二者经由该连接垫孔进行电性连接，由于该连接垫118较该连接线146距离该绝缘覆盖层152的距离更近，该连接垫118相较该连接线146对光线的反射效应更大，故该掩膜200的第一半透光区230优选地对应所述连接垫118设置。可以理解，优选地，该掩膜200的第一半透光区230对应所述电连接结构中较该绝缘覆盖层152距离近的金属层设置。

由此，本发明具体实施方式所提供的电连接结构的制作方法由于使用该具有不同透光率的掩膜200，能够有效的降低与金属材质的所述连接线146对应位置的掩膜200的光线透射率，由此降低所述绝缘覆盖层152与所述连接线146对应位置的光线强度，使绝缘覆盖层152不易被光线破坏，进而得到平坦的绝缘覆盖层152。

请参阅图7，为本发明具体实施方式所提供的阵列基板的制作方法的流程图。所应说明的是，本发明阵列基板的制作方法并不受限于下述步骤的顺序，且在其他实施方式中，本实施例阵列基板的制作方法可以只包括以下所述步骤的其中一部分，或者其中的部分步骤可以被删除。下面结合图7各流程步骤的说明对本发明具体实施方式所提供的阵列基板的制作方法进行详细介绍。

步骤S301，请参阅图8，提供基板100，在所述基板100上形成缓冲层105，并在所述缓冲层105上形成栅极114以及连接垫118。

具体地，首先在所述基板100上形成一覆盖所述基板100的缓冲层105。接着，在所述缓冲层105上形成一覆盖所述缓冲层105的金属层。之后，通过黄光制程图案化所述金属层以形成所述栅极114以及连接垫118。

在本实施方式中，所述基板100的材质选自透明基材，例如玻璃、石英或有机聚合物等。所述缓冲层105的材质选自透明绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述栅极114以及连接垫118的材质选自铝、钛、钼、钽、铜等金属。

可以理解，所述缓冲层105不是必要的，在其它实施方式中，所述栅极114以及连接垫118可直接形成在所述基板100上。

步骤S302，请参阅图9，形成覆盖所述缓冲层105、栅极114以及连接垫118的绝缘层122，在所述绝缘层122上与栅极114对应的位置形成通道层132，并在所述绝缘层122对应所述连接垫118的位置形成连接垫孔172。

具体地，首先形成覆盖所述缓冲层105、栅极114以及连接垫118的绝缘层122。接着，在所述绝缘层122上形成一覆盖所述绝缘层122的半导体层。之后，通过黄光制程图案化所述半导体层以形成所述通道层132。所述通道层132的位置与所述栅极114的位置相对应。在图案化所述半导体层以形成所述通道层132的同时，通过所述黄光制程一并图案化所述绝缘层122以在所述绝缘层122对应所述连接垫118的位置形成连接垫孔172。

在本实施方式中，所述绝缘层122的材质选自透明绝缘材料，例如氧化铝、氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等。所述通道层132的材质为半导体，例如金属氧化物、非晶硅或多晶硅等。

步骤S303，请参阅图10，在所述绝缘层122上形成源极142、漏极144以及连接线146，所述源极142与漏极144设置在所述绝缘层122上且分别覆盖所述通道层132的两端，所述连接线146设置在所述绝缘层122上且通过所述连接垫孔172与所述连接垫118电性连接。所述源极142、通道层132以及漏极144在所述基板100上的总投影面积大于所述栅极114在所述基板100上的投影面积，所述连接线146在所述基板100上的投影面积大于所述连接垫118在所述基板100上的投影面积。

具体地，首先在所述绝缘层122与通道层132上形成一金属层。之后通过黄光制程图案化所述金属层以形成所述源极142、漏极144与连接线146。

在本实施方式中，所述源极142、漏极144以及连接线146的材质选自铝、钛、钼、钽、铜等金属。

经由上述步骤，该连接线146与该连接垫118经由该连接垫孔172构成电性连接，从而形成一电连接结构。可以理解，本发明的电连接结构并不限于本实施例所列，还可包括其他层结构，如具有半导体层结构的其他类型电连接结构。

与此同时，经上述步骤，所述栅极114、源极142、漏极144以及通道层132构成一薄膜晶体管。可以理解，本发明的薄膜晶体管并不限于本实施例所列，还可以为其它结构，例如一顶栅极型薄膜晶体管结构。

步骤S304，请参阅图11，形成覆盖所述源极142、通道层132、漏极144、连接线146以及绝缘层122的绝缘覆盖层152。

在本实施方式中，所述绝缘覆盖层152为一钝化层，所述绝缘覆盖层152选自常作为钝化层的有机材料，例如采用聚碳酸酯(PC)以及苯并环乙烯(BCB)等。

步骤S305，请参阅图12，通过一掩膜300对所述绝缘覆盖层152进行曝光，所述掩膜300包括第一掩膜区310及第二掩膜区320，该第一掩膜区310对应所述源极142、连接线146以及漏极144设置，其他区域定义所述第二掩膜区320。该第一掩膜区310进一步包括一子掩膜区330，该子掩膜区330对应部分漏极144的位置，用于在所述绝缘覆盖层152上开设接触孔，所述第二掩膜区320的透光率低于所述子掩膜区330的透光率，所述第一掩膜区310的透光率低于所述第二掩膜区320的透光率。在本实施方式中，所述第一掩膜区310透光率的范围在5%-90%之间。优选地，所述第一掩膜区310透光率的范围在20%-80%之间。

经过光线的照射，与该子掩膜区330位置对应的绝缘覆盖层152被照射的最严重，能够被光阻显影液去除；与该第二掩膜区320位置对应的绝缘覆盖层152被光线漂白，增加了光线的透射率；而与该第一掩膜区310位置对应的绝缘覆盖层152由于被所述第一掩膜区310遮蔽的光最多，光线强度最低，因此即使光线被由金属形成的所述源极142、漏极144以及连接线146所反射，仍不会对所述绝缘覆盖层152的表面产生破坏，进而所述绝缘覆盖层152的表面能够保持平坦。

可变更地，若该连接线146设置在该连接垫118下方，且源极142与漏极144设置在该栅极114下方，由于该连接垫118较该连接线146距离该绝缘覆盖层152的距离更近，且该栅极114距离该源极142与漏极144距离该绝缘覆盖层152的距离更近，该连接垫118相较该连接线146对光线的反射效应更大，且该栅极114相较该源极142与漏极144对光线的反射效应更大，故该掩膜200的第一掩膜区310优选地对应所述连接垫118与栅极114设置。可以理解，优选地，该掩膜200的第一掩膜区310对应所述电连接结构中较该绝缘覆盖层152距离近的金属层设置。

步骤S306，请参阅图13，去除所述绝缘覆盖层152对应所述子掩膜区330的位置以形成接触孔174，之后在所述绝缘覆盖层152上形成通过所述接触孔174与所述漏极144电性连接的像素电极162。

具体地，首先，通过光阻显影液去除所述绝缘覆盖层152对应所述子掩膜区330的位置以形成接触孔174。接着，在所述绝缘覆盖层152上形成一透明导电层，之后通过黄光制程图案化所述透明导电层以形成所述像素电极162。在本实施方式中，所述像素电极162的材质选自氧化铟锡(ITO)。

本发明具体实施方式提供的阵列基板的制作方法由于使用该不同透光率的掩膜300，能够有效的降低与金属材质的所述源极142、漏极144以及连接线146对应位置的掩膜300的光线透射率，由此降低与所述源极142、漏极144以及连接线146对应位置的光线强度，使绝缘覆盖层152不易被光线破坏，进而得到平坦的绝缘覆盖层152。

可以理解，在一具有金属层的基板上形成覆盖所述金属层的绝缘覆盖层并对所述绝缘覆盖层进行曝光时，均可使用本发明所使用的具有不同透光率的掩膜，具体而言，该掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率，由此即可降低所述金属层对应位置的光线强度，使绝缘覆盖层不易被光线破坏，进而得到平坦的绝缘覆盖层。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，图示中出现的上、下、左及右方向仅为了方便理解，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (12)

1.一种电连接结构的制作方法，包括：

提供相互电性连接的连接垫与连接线，该连接垫与该连接线均为金属层；

形成覆盖所述连接线的绝缘覆盖层；以及

通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。

2.如权利要求1所述的电连接结构的制作方法，其特征在于，所述连接线距离该绝缘覆盖层的距离小于该连接垫距离该绝缘覆盖层的距离。

3.如权利要求1所述的电连接结构的制作方法，其特征在于，所述连接线在所述基板上的投影面积大于所述连接垫在所述基板上的投影面积。

4.如权利要求1所述的电连接结构的制作方法，其特征在于，所述第一半透光区透光率的范围在20%至80%之间。

5.一种阵列基板的制作方法，包括：

提供薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、通道层以及栅极，所述源极、漏极与栅极均为金属层；

形成覆盖所述薄膜晶体管的绝缘覆盖层；以及

通过一掩膜遮对所述绝缘覆盖层进行曝光，所述掩膜包括第一掩膜区与第二掩膜区，所述第一掩膜区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二掩膜区对应其他区域设置，所述第一掩膜区的透光率低于所述第二掩膜区的透光率。

6.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜区对应所述源极与漏极的位置，所述第二掩膜区对应其他区域设置。

7.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜区进一步包括一子掩膜区，该子掩膜区对应部分漏极的位置，用于在所述绝缘覆盖层上开设接触孔，所述第二掩膜区的透光率低于所述子掩膜区的透光率。

8.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的形成方法包括：

提供基板，并在所述基板上形成栅极；

形成覆盖所述栅极的绝缘层，并在所述绝缘层上与栅极对应的位置形成通道层；以及

在所述绝缘层上形成分别覆盖所述通道层两端的源极与漏极。

9.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述薄膜晶体管的同时在所述基板上形成一电连接结构，所述电连接结构包括相互电性连接的连接垫与连接线，该连接垫与该连接线均为金属层。

10.如权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述连接垫与所述栅极在同一制程中形成，所述连接线与所述源极和漏极在同一制程中形成，所述第一掩膜区对应所述距离该绝缘覆盖层较近的金属层的位置，所述第二掩膜区对应其他区域设置，所述第一掩膜区的透光率低于所述第二掩膜区的透光率。

11.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜区透光率的范围在20%至80%之间。

12.一种绝缘覆盖层的形成方法，包括：

在一具有金属层的基板上形成一覆盖所述金属层的绝缘覆盖层；以及

通过一掩膜对所述绝缘覆盖层进行曝光，其中，所述掩膜包括一第一半透光区与一第二半透光区，所述第一半透光区对应所述金属层的位置，所述第二半透光区对应其他区域设置，所述第一半透光区的透光率低于所述第二半透光区的透光率。